JPH06140721A - 半導体多層反射膜 - Google Patents
半導体多層反射膜Info
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- JPH06140721A JPH06140721A JP64491A JP64491A JPH06140721A JP H06140721 A JPH06140721 A JP H06140721A JP 64491 A JP64491 A JP 64491A JP 64491 A JP64491 A JP 64491A JP H06140721 A JPH06140721 A JP H06140721A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 面発光レーザなどに用いられる半導体多層反
射膜は、２種類の屈折率の大きく異なる物質を用いる
が、バンドの不連続によりスパイクが生じ、キャリヤ走
行の障壁となり高抵抗になる。本発明の目的はこのスパ
イクの幅を狭め、トンネル電流を増加させて反射膜のヘ
テロ接合部の抵抗を減らすことにある。 【構成】 半導体多層反射膜１４部分のｎ型部ではワイ
ドギャップ半導体３のバイアス電圧の−側のヘテロ界面
から０〜１００Ａ入ったところに、ｐ型では＋側のヘテ
ロ界面から０〜１００Ａ入ったところにそれぞれ２０Ａ
程度の幅でδ関数的に高濃度ドーピング領域１１を形成
する。 【効果】 高濃度ドーピング領域の形成によりスパイク
の幅を減らすことができる。又、部分的に高濃度にする
ことにより、結晶性への悪影響を低減でき高品質で抵抗
の小さい半導体多層反射膜が得られる。
射膜は、２種類の屈折率の大きく異なる物質を用いる
が、バンドの不連続によりスパイクが生じ、キャリヤ走
行の障壁となり高抵抗になる。本発明の目的はこのスパ
イクの幅を狭め、トンネル電流を増加させて反射膜のヘ
テロ接合部の抵抗を減らすことにある。 【構成】 半導体多層反射膜１４部分のｎ型部ではワイ
ドギャップ半導体３のバイアス電圧の−側のヘテロ界面
から０〜１００Ａ入ったところに、ｐ型では＋側のヘテ
ロ界面から０〜１００Ａ入ったところにそれぞれ２０Ａ
程度の幅でδ関数的に高濃度ドーピング領域１１を形成
する。 【効果】 高濃度ドーピング領域の形成によりスパイク
の幅を減らすことができる。又、部分的に高濃度にする
ことにより、結晶性への悪影響を低減でき高品質で抵抗
の小さい半導体多層反射膜が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は抵抗の小さい半導体多層
反射膜に関する。
反射膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】並列光情報処理、並列光通信に適した発
光デバイスの１つとして面型に並列可能な垂直共振器型
面発光レーザがある。一般的な垂直共振器型面発光レー
ザの断面図を図５に示す。ｎ型ＧａＡｓ基板１の上へ順
に、ｎ型半導体多層反射膜１３、を形成する。その上に
ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４、ｉ−Ｉｎ0.2
Ｇａ0.8 Ａｓ活性層５、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラ
ッド層６、ｐ形半導体多層反射膜１４を順次成長する。
その後上部にＡｕ電極９を、下部に光を取り出すための
窓をあけたＡｕＧｅＮｉ電極１０を形成して、円筒状に
エッチングを行う。電流は反射膜１３と１４、クラッド
層４と６を介して流れ、活性層５に注入される。
光デバイスの１つとして面型に並列可能な垂直共振器型
面発光レーザがある。一般的な垂直共振器型面発光レー
ザの断面図を図５に示す。ｎ型ＧａＡｓ基板１の上へ順
に、ｎ型半導体多層反射膜１３、を形成する。その上に
ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４、ｉ−Ｉｎ0.2
Ｇａ0.8 Ａｓ活性層５、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラ
ッド層６、ｐ形半導体多層反射膜１４を順次成長する。
その後上部にＡｕ電極９を、下部に光を取り出すための
窓をあけたＡｕＧｅＮｉ電極１０を形成して、円筒状に
エッチングを行う。電流は反射膜１３と１４、クラッド
層４と６を介して流れ、活性層５に注入される。
【０００３】このような垂直共振器型レーザは水平共振
器型レーザと異なり、活性層が薄いため、光を増幅発振
させるためには反射層の反射率を高精度で高める必要が
ある。そのため屈折率差の大きい２種類の物質、例えば
ＧａＡｓとＡｌＡｓを媒質内波長の４分の１の厚さで交
互に成長させたものが半導体多層反射膜１３と１４とし
て用いられる。
器型レーザと異なり、活性層が薄いため、光を増幅発振
させるためには反射層の反射率を高精度で高める必要が
ある。そのため屈折率差の大きい２種類の物質、例えば
ＧａＡｓとＡｌＡｓを媒質内波長の４分の１の厚さで交
互に成長させたものが半導体多層反射膜１３と１４とし
て用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような構造の
半導体多層反射膜では、屈折率差の大きい物質を交互に
積み上げる必要があったために、バンドギャップの大き
く異なる物質を選ぶ必要があった。しかし、バンドギャ
ップの異なる物質を交互に成長させた場合、ヘテロ界面
でのバンドの不連続により、バンドにスパイクが生じ、
キャリヤーに対する障壁となる。そのため半導体多層膜
部分での電気抵抗が非常に高くなり、電流注入が困難で
ある。
半導体多層反射膜では、屈折率差の大きい物質を交互に
積み上げる必要があったために、バンドギャップの大き
く異なる物質を選ぶ必要があった。しかし、バンドギャ
ップの異なる物質を交互に成長させた場合、ヘテロ界面
でのバンドの不連続により、バンドにスパイクが生じ、
キャリヤーに対する障壁となる。そのため半導体多層膜
部分での電気抵抗が非常に高くなり、電流注入が困難で
ある。
【０００５】このときのｎ−ＧａＡｓ、ｎ−ＡｌＡｓ半
導体多層膜部分におけるバンド図（バイアス電圧＝Ｏ
Ｖ）を図３に示す。フェルミレベル１８は半導体内で一
定であるので、ヘテロ接合部分で伝導帯１５にスパイク
１９が生じる。これにバイアス電圧（右側を＋とする）
を印加した時のバンド図を図４に示す。ここではワイド
ギャップ半導体（ＡｌＡｓ）に対してナローギャップ半
導体（ＧａＡｓ）が−側にある部分のヘテロ界面で逆バ
イアスとなり、そこでのスパイク１７が大きくなってし
まう。このスパイクが電子に対する障壁となり、抵抗値
が上昇する。順バイアス側でもスパイク２０が残るがそ
れは逆バイアス側に較べて非常に小さい。スパイクの高
さは主としてＧａＡｓとＡｌＡｓ電子親和力の差、そし
て、バイアス電圧Ｖの大きさで決まる。スパイクの幅は
ドーピング濃度と両側の半導体の誘電率εに依存する。
全体に１．５×１０17ｃｍ-3のドーピングを施したと
き、バイアス電圧がＯＶのときのスパイク幅は約２００
Ａ（オングストローム）である。
導体多層膜部分におけるバンド図（バイアス電圧＝Ｏ
Ｖ）を図３に示す。フェルミレベル１８は半導体内で一
定であるので、ヘテロ接合部分で伝導帯１５にスパイク
１９が生じる。これにバイアス電圧（右側を＋とする）
を印加した時のバンド図を図４に示す。ここではワイド
ギャップ半導体（ＡｌＡｓ）に対してナローギャップ半
導体（ＧａＡｓ）が−側にある部分のヘテロ界面で逆バ
イアスとなり、そこでのスパイク１７が大きくなってし
まう。このスパイクが電子に対する障壁となり、抵抗値
が上昇する。順バイアス側でもスパイク２０が残るがそ
れは逆バイアス側に較べて非常に小さい。スパイクの高
さは主としてＧａＡｓとＡｌＡｓ電子親和力の差、そし
て、バイアス電圧Ｖの大きさで決まる。スパイクの幅は
ドーピング濃度と両側の半導体の誘電率εに依存する。
全体に１．５×１０17ｃｍ-3のドーピングを施したと
き、バイアス電圧がＯＶのときのスパイク幅は約２００
Ａ（オングストローム）である。
【０００６】またｐ型半導体多層膜部においても同様の
ことが言え、バイアス電圧を印加したときにスパイクが
生じるのはワイドギャップ半導体部分の＋側でナローギ
ャップ半導体と接合している部分である。
ことが言え、バイアス電圧を印加したときにスパイクが
生じるのはワイドギャップ半導体部分の＋側でナローギ
ャップ半導体と接合している部分である。
【０００７】そこでバンドスパイクを制御して抵抗を低
減させるには、多層膜部に高濃度ドーピングを行い、ト
ンネル電流の増加を図ることが有効である。しかし、結
晶成長時に高濃度ドーピングを行うには、結晶性、表面
モホロジーの問題があって、濃度に限界があり、特にバ
ルクのＡｌＡｓについては高濃度ドーピングは難しく、
ｎ型で５×１０17ｃｍ-3程度が限界であった。
減させるには、多層膜部に高濃度ドーピングを行い、ト
ンネル電流の増加を図ることが有効である。しかし、結
晶成長時に高濃度ドーピングを行うには、結晶性、表面
モホロジーの問題があって、濃度に限界があり、特にバ
ルクのＡｌＡｓについては高濃度ドーピングは難しく、
ｎ型で５×１０17ｃｍ-3程度が限界であった。
【０００８】また、抵抗を下げる別の方法として、ヘテ
ロ界面の組成の変化をグレーディッドにしてバンドのス
パイクを減らし、抵抗を下げる方法も考えられる。しか
し、成長時にグレーディッド層を作製するためには成長
温度を非常に小さいサイクルで変えなければならず、工
程の大幅な増加を招いたり、歩留りが低下するという問
題があった。
ロ界面の組成の変化をグレーディッドにしてバンドのス
パイクを減らし、抵抗を下げる方法も考えられる。しか
し、成長時にグレーディッド層を作製するためには成長
温度を非常に小さいサイクルで変えなければならず、工
程の大幅な増加を招いたり、歩留りが低下するという問
題があった。
【０００９】本発明の目的は従来のかかる問題点を解決
し、低抵抗で反射率の大きい半導体多層反射膜を提供す
ることにある。
し、低抵抗で反射率の大きい半導体多層反射膜を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体多層反射
膜は、屈折率とバンドギャップエネルギーが異なる同一
導電型の２種類の半導体を、媒質内波長の４分の１の厚
さで交互に形成した半導体多層膜と、該半導体多層膜に
バイアス電圧印加する電極部とを備え、前記導電型がｎ
型の場合は前記半導体のワイドバンドギャップ半導体の
中のバイアス電圧の−側のヘテロ界面近傍に、前記導電
型がｐ型の場合は前記半導体のワイドギャップ半導体の
中のバイアス電圧の＋側のヘテロ界面近傍に、数原子層
程度の幅のδ関数的な高濃度不純物ドーピング領域を有
することを特徴とする。
膜は、屈折率とバンドギャップエネルギーが異なる同一
導電型の２種類の半導体を、媒質内波長の４分の１の厚
さで交互に形成した半導体多層膜と、該半導体多層膜に
バイアス電圧印加する電極部とを備え、前記導電型がｎ
型の場合は前記半導体のワイドバンドギャップ半導体の
中のバイアス電圧の−側のヘテロ界面近傍に、前記導電
型がｐ型の場合は前記半導体のワイドギャップ半導体の
中のバイアス電圧の＋側のヘテロ界面近傍に、数原子層
程度の幅のδ関数的な高濃度不純物ドーピング領域を有
することを特徴とする。
【００１１】あるいは、垂直キャビティ型の面発光半導
体レーザや面発光型ＬＥＤあるいはスーパーラディアン
トＬＥＤなどの面発光素子の半導体多層反射膜であっ
て、屈折率とバンドギャップエネルギーが異なる同一導
電型の２種類の半導体を媒質内波長の４分の１の厚さで
交互に形成した、活性層をはさむ一対の半導体多層膜
と、該半導体多層膜にバイアス電圧印加する電極部とを
備え、前記一対の半導体多層膜は導電型が異なり、導電
型がｎ型の半導体多層膜のワイドバンドギャップ半導体
の中のバイアス電圧の−側のヘテロ界面近傍に、または
前記導電型がｐ型の半導体多層膜のワイドギャップ半導
体の中のバイアス電圧の＋側のヘテロ界面近傍に、また
はその両方に、数原子層程度の幅のδ関数的な高濃度不
純物ドーピング領域を有することを特徴とする。
体レーザや面発光型ＬＥＤあるいはスーパーラディアン
トＬＥＤなどの面発光素子の半導体多層反射膜であっ
て、屈折率とバンドギャップエネルギーが異なる同一導
電型の２種類の半導体を媒質内波長の４分の１の厚さで
交互に形成した、活性層をはさむ一対の半導体多層膜
と、該半導体多層膜にバイアス電圧印加する電極部とを
備え、前記一対の半導体多層膜は導電型が異なり、導電
型がｎ型の半導体多層膜のワイドバンドギャップ半導体
の中のバイアス電圧の−側のヘテロ界面近傍に、または
前記導電型がｐ型の半導体多層膜のワイドギャップ半導
体の中のバイアス電圧の＋側のヘテロ界面近傍に、また
はその両方に、数原子層程度の幅のδ関数的な高濃度不
純物ドーピング領域を有することを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明の半導体多層反射膜によれば、ヘテロ界
面の近傍で高濃度ドーピングすることにより、キャリヤ
を供給し、スパイクの幅を減らすことが出来る。さら
に、δ関数的に狭い幅で高濃度ドーピングを行うので結
晶性の劣化を小さくすることができる。しかも膜厚を制
御すれば光学的反射率の劣化は招かない。これにより低
抵抗で高反射率の半導体多層反射膜が得られる。
面の近傍で高濃度ドーピングすることにより、キャリヤ
を供給し、スパイクの幅を減らすことが出来る。さら
に、δ関数的に狭い幅で高濃度ドーピングを行うので結
晶性の劣化を小さくすることができる。しかも膜厚を制
御すれば光学的反射率の劣化は招かない。これにより低
抵抗で高反射率の半導体多層反射膜が得られる。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を説明するた
めに本発明の半導体多層反射膜を適用した面発光レーザ
の断面図である。
詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を説明するた
めに本発明の半導体多層反射膜を適用した面発光レーザ
の断面図である。
【００１４】この面発光レーザの製作方法を以下に述べ
る。ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型多層反射膜１３として
ｎ−ＧａＡｓ２、ｎ−ＡｌＡｓ３を交互に２０層積層す
る。その際、ｎ−ＡｌＡｓ内の下部（バイアス電圧の−
側）のｎ−ＧａＡｓとの界面から２０Ａの部分に、１×
１０13ｃｍ-2の濃度でδ関数的に原子層数層程度の幅
（ここでは２０Ａ）のｎ型高濃度ドーピング領域１１を
形成する。ｎ型多層反射膜１３の上に位相制御層として
ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４を成長する。さ
らに活性層として、１００Ａの厚さでｉ−Ｉｎ0.2 Ｇａ
0.8 Ａｓ層５を成長させる。その後さらに位相制御層と
してｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層６を成長し、
その上に、ｐ型半導体多層反射膜１４としてｐ−ＡｌＡ
ｓ７、ｐ−ＧａＡｓ８を交互に１５層積層する。その
際、ｐ−ＡｌＡｓ内の上部（バイアス電圧の＋側）の界
面から２０Ａの部分に、１×１０13ｃｍ-2の濃度でδ関
数的に、ｐ型高濃度ドーピング領域１２を２０Ａの幅で
形成する。以上の結晶成長は分子線エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）法を用いて行った。上部にＡｕ電極９、下部に光を
とり出すための窓をあけたＡｕＧｅＮｉ電極１０を形成
する。こうして本実施例の素子が完成した。
る。ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型多層反射膜１３として
ｎ−ＧａＡｓ２、ｎ−ＡｌＡｓ３を交互に２０層積層す
る。その際、ｎ−ＡｌＡｓ内の下部（バイアス電圧の−
側）のｎ−ＧａＡｓとの界面から２０Ａの部分に、１×
１０13ｃｍ-2の濃度でδ関数的に原子層数層程度の幅
（ここでは２０Ａ）のｎ型高濃度ドーピング領域１１を
形成する。ｎ型多層反射膜１３の上に位相制御層として
ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層４を成長する。さ
らに活性層として、１００Ａの厚さでｉ−Ｉｎ0.2 Ｇａ
0.8 Ａｓ層５を成長させる。その後さらに位相制御層と
してｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層６を成長し、
その上に、ｐ型半導体多層反射膜１４としてｐ−ＡｌＡ
ｓ７、ｐ−ＧａＡｓ８を交互に１５層積層する。その
際、ｐ−ＡｌＡｓ内の上部（バイアス電圧の＋側）の界
面から２０Ａの部分に、１×１０13ｃｍ-2の濃度でδ関
数的に、ｐ型高濃度ドーピング領域１２を２０Ａの幅で
形成する。以上の結晶成長は分子線エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）法を用いて行った。上部にＡｕ電極９、下部に光を
とり出すための窓をあけたＡｕＧｅＮｉ電極１０を形成
する。こうして本実施例の素子が完成した。
【００１５】このような構造におけるｎ型半導体多層反
射膜部分でのエネルギーバンド図の、バイアスを印加し
ない場合を図２（ａ）に、バイアスを印加した場合を図
２（ｂ）に示す。ｎ型高濃度不純物ドーピング領域１１
を形成したため、伝導帯１５上のスパイク１６の幅を非
常に狭く、ほぼ２０Ａに小さくすることが出来る。その
結果、δ関数的高濃度ドーピングをしない場合のスパイ
ク１７（図４）に較べてトンネル電流が増えて抵抗が低
減し、電流注入が容易になる。
射膜部分でのエネルギーバンド図の、バイアスを印加し
ない場合を図２（ａ）に、バイアスを印加した場合を図
２（ｂ）に示す。ｎ型高濃度不純物ドーピング領域１１
を形成したため、伝導帯１５上のスパイク１６の幅を非
常に狭く、ほぼ２０Ａに小さくすることが出来る。その
結果、δ関数的高濃度ドーピングをしない場合のスパイ
ク１７（図４）に較べてトンネル電流が増えて抵抗が低
減し、電流注入が容易になる。
【００１６】本実施例では高濃度ドーピング領域をヘテ
ロ界面から２０Ａの所に入れたが、０〜１００Ａの範囲
であれば、従来より抵抗が低減できる。更に本実施例で
は高濃度ドーピング領域をｐ、ｎ両側の反射膜に入れた
が一方の反射膜だけでも効果がある。また、反射膜の全
体に入れたが、一部分に入れただけでも抵抗の低減の効
果はある。
ロ界面から２０Ａの所に入れたが、０〜１００Ａの範囲
であれば、従来より抵抗が低減できる。更に本実施例で
は高濃度ドーピング領域をｐ、ｎ両側の反射膜に入れた
が一方の反射膜だけでも効果がある。また、反射膜の全
体に入れたが、一部分に入れただけでも抵抗の低減の効
果はある。
【００１７】上記実施例において半導体多層膜は面発光
レーザにおける反射膜としたがこれに限らず他の電流注
入を要する素子の半導体多層反射膜にも本発明は適用で
きる。例えば、反射膜の反射率を変えてスーパーラディ
アント型ＬＥＤとした面発光素子や、反射膜を光のとり
出し面と反対側に形成して光のとり出し効率を上げた面
発光ＬＥＤ、更にｐｎｐｎ型面発光素子やスイッチング
素子にも適用できる。
レーザにおける反射膜としたがこれに限らず他の電流注
入を要する素子の半導体多層反射膜にも本発明は適用で
きる。例えば、反射膜の反射率を変えてスーパーラディ
アント型ＬＥＤとした面発光素子や、反射膜を光のとり
出し面と反対側に形成して光のとり出し効率を上げた面
発光ＬＥＤ、更にｐｎｐｎ型面発光素子やスイッチング
素子にも適用できる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば光
学的特性の劣化を招くことなく、多層反射膜部分の直列
抵抗の低減をはかることができ、例えば低い電圧で駆動
可能な面発光レーザ等の面型光素子に有用な半導体多層
反射膜が得られる。
学的特性の劣化を招くことなく、多層反射膜部分の直列
抵抗の低減をはかることができ、例えば低い電圧で駆動
可能な面発光レーザ等の面型光素子に有用な半導体多層
反射膜が得られる。
【図１】本発明の１実施例を示すための面発光レーザの
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の１実施例の多層膜におけるエネルギー
バンド図である。
バンド図である。
【図３】通常のＧａＡｓ、ＡｌＡｓ多層膜部分でのバン
ド図である。
ド図である。
【図４】図３の多層膜にバイアス電圧を印加したときの
バンド図である。
バンド図である。
【図５】従来の面発光レーザの断面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＧａＡｓ ３ ｎ−ＡｌＡｓ ４ ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層 ５ Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層 ６ ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラッド層 ７ ｐ−ＡｌＡｓ ８ ｐ−ＧａＡｓ ９ Ａｕ電極 １０ ＡｕＧｅＮｉ電極 １１ ｎ型高濃度ドーピング領域 １２ ｐ型高濃度ドーピング領域 １３ ｎ型半導体多層反射膜 １４ ｐ型半導体多層反射膜 １５ 伝導帯 １６ ｎ型高濃度ドーピングを行ったときのスパイク １７ 通常のヘテロ接合における逆バイアス側スパイク １８ フェルミレベル １９ 通常のヘテロ接合におけるバイアスが０のときの
スパイク ２０ 通常のヘテロ接合における順バイアス側スパイク ２１ 価電子帯
スパイク ２０ 通常のヘテロ接合における順バイアス側スパイク ２１ 価電子帯
Claims (2)
- 【請求項１】 屈折率とバンドギャップエネルギーが異
なる同一導電型の２種類の半導体を、媒質内波長の４分
の１の厚さで交互に形成した半導体多層膜と、該半導体
多層膜にバイアス電圧印加する電極部とを備え、前記導
電型がｎ型の場合は前記半導体のワイドバンドギャップ
半導体の中のバイアス電圧の−（マイナス）側のヘテロ
界面近傍に、前記導電型がｐ型の場合は前記半導体のワ
イドギャップ半導体の中のバイアス電圧の＋（プラス）
側のヘテロ界面近傍に、数原子層程度の幅のδ（デル
タ）関数的な高濃度不純物ドーピング領域を有すること
を特徴とする半導体多層反射膜。 - 【請求項２】 面発光素子の半導体多層反射膜であっ
て、屈折率とバンドギャップエネルギーが異なる同一導
電型の２種類の半導体を媒質内波長の４分の１の厚さで
交互に形成した、活性層をはさむ一対の半導体多層膜
と、該半導体多層膜にバイアス電圧印加する電極部とを
備え、前記一対の半導体多層膜は導電型が異なり、導電
型がｎ型の半導体多層膜のワイドバンドギャップ半導体
の中のバイアス電圧の−側のヘテロ界面近傍に、または
前記導電型がｐ型の半導体多層膜のワイドギャップ半導
体の中のバイアス電圧の＋側のヘテロ界面近傍に、また
はその両方に、数原子層程度の幅のδ関数的な高濃度不
純物ドーピング領域を有すること特徴とする半導体多層
反射膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-01-08 JP JP64491A patent/JP2699661B2/ja not_active Expired - Lifetime
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