JPH061421B2 - 熱遮断回路 - Google Patents
熱遮断回路Info
- Publication number
- JPH061421B2 JPH061421B2 JP61008271A JP827186A JPH061421B2 JP H061421 B2 JPH061421 B2 JP H061421B2 JP 61008271 A JP61008271 A JP 61008271A JP 827186 A JP827186 A JP 827186A JP H061421 B2 JPH061421 B2 JP H061421B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- circuit
- npn
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、熱遮断回路に関し、さらに詳しくは、集積
回路チップ内に組み込まれて、パワー段の電力損失によ
り発熱したチップが、所定の許容温度範囲以上になった
ことを検出したときに、このパワー段をカットオフし
て、チップの破壊を阻止し得るようにした熱遮断回路の
改良に係るものである。
回路チップ内に組み込まれて、パワー段の電力損失によ
り発熱したチップが、所定の許容温度範囲以上になった
ことを検出したときに、このパワー段をカットオフし
て、チップの破壊を阻止し得るようにした熱遮断回路の
改良に係るものである。
従来例によるこの種の熱遮断回路の構成を第２図に示
す。
す。
すなわち、この第２図回路において、Q1はコレクタ・ベ
ースを接続し、エミッタを電源に接続した第１のPNPト
ランジスタ、Q2はベースを第１のPNPトランジスタQ1の
ベースに接続し、エミッタを電源に接続した第２のPNP
トランジスタ、Q3はコレクタを第１のPNPトランジスタQ
1のコレクタに接続した第１のNPNトランジスタ、Q4はベ
ースおよびコレクタを第２のPNPトランジスタQ2のコレ
クタと、第１のNPNトランジスタQ3のベースとにそれぞ
れ接続した第２のNPNトランジスタ、Q5はエミッタを接
地させ、かつコレクタを出力端子TOUTとした第３のNPN
トランジスタ、Q6はベースを第２のPNPトランジスタQ2
のベースに、コレクタを第３のNPNトランジスタQ5のベ
ースにそれぞれ接続し、エミッタを電源に接続した第３
のPNPトランジスタであり、またR1は前記第１のNPNトラ
ンジスタQ3のエミッタと接地間に接続した第１の抵抗、
R2は第３のNPNトランジスタQ5のベースとエミッタ間に
接続した第２の抵抗である。
ースを接続し、エミッタを電源に接続した第１のPNPト
ランジスタ、Q2はベースを第１のPNPトランジスタQ1の
ベースに接続し、エミッタを電源に接続した第２のPNP
トランジスタ、Q3はコレクタを第１のPNPトランジスタQ
1のコレクタに接続した第１のNPNトランジスタ、Q4はベ
ースおよびコレクタを第２のPNPトランジスタQ2のコレ
クタと、第１のNPNトランジスタQ3のベースとにそれぞ
れ接続した第２のNPNトランジスタ、Q5はエミッタを接
地させ、かつコレクタを出力端子TOUTとした第３のNPN
トランジスタ、Q6はベースを第２のPNPトランジスタQ2
のベースに、コレクタを第３のNPNトランジスタQ5のベ
ースにそれぞれ接続し、エミッタを電源に接続した第３
のPNPトランジスタであり、またR1は前記第１のNPNトラ
ンジスタQ3のエミッタと接地間に接続した第１の抵抗、
R2は第３のNPNトランジスタQ5のベースとエミッタ間に
接続した第２の抵抗である。
そしてこの従来例による回路構成にあって、トランジス
タQ1，Q2のトランジスタサイズが共に同一で、トランジ
スタQ3のエミッタサイズが、トランジスタQ4のエミッタ
サイズのN倍であるとすれば、トランジスタQ1，Q2が電
流比1:1のカレントミラー回路を構成しているために、
トランジスタQ3，Q4のコレクタ電流は同一であり、次式
が成立する。
タQ1，Q2のトランジスタサイズが共に同一で、トランジ
スタQ3のエミッタサイズが、トランジスタQ4のエミッタ
サイズのN倍であるとすれば、トランジスタQ1，Q2が電
流比1:1のカレントミラー回路を構成しているために、
トランジスタQ3，Q4のコレクタ電流は同一であり、次式
が成立する。
こゝで、IE3；Q3のエミッタ電流 ；ボルツマン定数 T ；絶対温度 ；電子電荷 またトランジスタQ6はトランジスタQ1，Q2とベース，エ
ミッタを共通にしているため、トランジスタQ6のコレク
タ電流は、トランジスタQ1，Q2のコレクタ電流に等し
く、従って、抵抗R2にかゝる電圧V2は、次のようにな
る。
ミッタを共通にしているため、トランジスタQ6のコレク
タ電流は、トランジスタQ1，Q2のコレクタ電流に等し
く、従って、抵抗R2にかゝる電圧V2は、次のようにな
る。
こゝで、トランジスタQ5がオンしはじめるときのベース
・エミッタ間電圧VBE5は負の温度係数であり、一方，
(2)式に示されるように、第２の抵抗R2にかゝる電圧は
正の温度係数である。
・エミッタ間電圧VBE5は負の温度係数であり、一方，
(2)式に示されるように、第２の抵抗R2にかゝる電圧は
正の温度係数である。
仍つてこの従来例構成による定電流回路にあつては、第
２の抵抗R2を適当に選択することによつて、出力トラン
ジスタQ5を設定された所定の温度以上でオンさせること
ができるのである。
２の抵抗R2を適当に選択することによつて、出力トラン
ジスタQ5を設定された所定の温度以上でオンさせること
ができるのである。
しかしながら、前記従来例での熱遮断回路の場合には、
回路を構成する素子数が比較的多いという不利があり、
また第１，第２の各PNP,NPNトランジスタおよび第１の
抵抗で得た電流に比例する電流を、第３のNPNトランジ
スタで得るようにしているため、回路自体に関して、こ
の第３のNPNトランジスタでの素子特性のバラツキと
か、コレクタ・エミッタ間の電圧依存性などの影響を受
け易くて好ましくないものであつた。。
回路を構成する素子数が比較的多いという不利があり、
また第１，第２の各PNP,NPNトランジスタおよび第１の
抵抗で得た電流に比例する電流を、第３のNPNトランジ
スタで得るようにしているため、回路自体に関して、こ
の第３のNPNトランジスタでの素子特性のバラツキと
か、コレクタ・エミッタ間の電圧依存性などの影響を受
け易くて好ましくないものであつた。。
この発明は従来例回路でのこのような問題点を改善する
ためになされたものであつて、その目的とするところ
は、必要素子数を少なくした簡単な回路構成にすると共
に、高精度の熱遮断性能を得られるようにしたこの種の
熱遮断回路を提供することである。
ためになされたものであつて、その目的とするところ
は、必要素子数を少なくした簡単な回路構成にすると共
に、高精度の熱遮断性能を得られるようにしたこの種の
熱遮断回路を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明は、前記した第
１，第２の各PNP,NPNトランジスタを用いる回路構成に
おいて、第１および第２のNPNトランジスタの各エミッ
タ間に第１の抵抗を、また第２のNPNトランジスタのエ
ミッタと接地間に第２の抵抗をそれぞれ接続すると共
に、第３のNPNトランジスタのベースを第２のNPNトラン
ジスタのエミッタに、そのエミッタを接地にそれぞれ接
続し、かつそのコレクタを出力端子としたものである。
１，第２の各PNP,NPNトランジスタを用いる回路構成に
おいて、第１および第２のNPNトランジスタの各エミッ
タ間に第１の抵抗を、また第２のNPNトランジスタのエ
ミッタと接地間に第２の抵抗をそれぞれ接続すると共
に、第３のNPNトランジスタのベースを第２のNPNトラン
ジスタのエミッタに、そのエミッタを接地にそれぞれ接
続し、かつそのコレクタを出力端子としたものである。
従つてこの発明の場合には、第１および第２の各PNP,NP
Nトランジスタと第１の抵抗とで得た電流が、そのまゝ
第２の抵抗に与えられるめ、高精度の温度検出が可能に
なり、第２の抵抗を選択することによつて、効果的な熱
遮断性能を得られるほか、従来例回路に比較するとき、
第３のPNPトランジスタを省略できて、回路構成を簡略
化し得るのである。
Nトランジスタと第１の抵抗とで得た電流が、そのまゝ
第２の抵抗に与えられるめ、高精度の温度検出が可能に
なり、第２の抵抗を選択することによつて、効果的な熱
遮断性能を得られるほか、従来例回路に比較するとき、
第３のPNPトランジスタを省略できて、回路構成を簡略
化し得るのである。
以下、この発明に係る熱遮断回路の一実施例につき、第
１図を参照して詳細に説明する。
１図を参照して詳細に説明する。
第１図はこの実施例による回路構成を示しており、この
第１図実施例回路において、前記第３図従来例回路と同
一符号は同一または相当部分を示している。
第１図実施例回路において、前記第３図従来例回路と同
一符号は同一または相当部分を示している。
この第１図実施例回路にあつては、前記従来例での打
１，第２の各PNPトランジスタQ1，Q2およびNPNトランジ
スタQ3，Q4を用いる回路構成において、第１および第２
のNPNトランジスタQ3，Q4のそれぞれエミッタ間に第１
の抵抗R1を、第２のNPNトランジスタQ4のエミッタと接
地間に第２の抵抗R2をそれぞれに接続すると共に、第３
のNPNトランジスタQ5のベースを第２のNPNトランジスタ
Q4のエミッタに、また同NPNトランジスタQ5のエミッタ
を接地にそれぞれ接続して、従来例回路に用いられてい
た第３のPNPトランジスタQ6を省略し、さらに第３のNPN
トランジスタQ5のコレクタを出力端子TOUTとしたもので
ある。
１，第２の各PNPトランジスタQ1，Q2およびNPNトランジ
スタQ3，Q4を用いる回路構成において、第１および第２
のNPNトランジスタQ3，Q4のそれぞれエミッタ間に第１
の抵抗R1を、第２のNPNトランジスタQ4のエミッタと接
地間に第２の抵抗R2をそれぞれに接続すると共に、第３
のNPNトランジスタQ5のベースを第２のNPNトランジスタ
Q4のエミッタに、また同NPNトランジスタQ5のエミッタ
を接地にそれぞれ接続して、従来例回路に用いられてい
た第３のPNPトランジスタQ6を省略し、さらに第３のNPN
トランジスタQ5のコレクタを出力端子TOUTとしたもので
ある。
こゝで、この第１図実施例回路においても、トランジス
タQ1，Q2のトランジスタサイズが共に同一で、トランジ
スタQ3のエミッタサイズが、トランジスタQ4のエミッタ
のN倍であるとすれば、トランジスタQ3のエミッタ電流
はIE3は、前記第２図実施例回路の場合と同様に、 となり、従つて抵抗R2にかゝる電圧V2は、 となる。
タQ1，Q2のトランジスタサイズが共に同一で、トランジ
スタQ3のエミッタサイズが、トランジスタQ4のエミッタ
のN倍であるとすれば、トランジスタQ3のエミッタ電流
はIE3は、前記第２図実施例回路の場合と同様に、 となり、従つて抵抗R2にかゝる電圧V2は、 となる。
そしてこの実施例回路でもまた、トランジスタQ5がオン
しはじめるときのベース・エミッタ間電圧VBE5は負の温
度係数であり、一方，(4)式に示されるように、第２の
抵抗R2にかゝる電圧は正の温度係数である。
しはじめるときのベース・エミッタ間電圧VBE5は負の温
度係数であり、一方，(4)式に示されるように、第２の
抵抗R2にかゝる電圧は正の温度係数である。
仍つてこの実施例構成による熱遮断回路にあつても、第
２の抵抗R2を適当に選択することによつて、従来例回路
と同様に、出力側としての，トランジスタQ5を設定され
た所定の温度以上でオンさせることができ、出力端子TO
OUTからの出力によつて、図示省略したが、こゝではこ
の実施例回路を組み込んだ同一集積回路チップ内に構成
されるところの、発熱の原因となつているパワー段をカ
ットオフさせ、チップを熱破壊から防護し得るのであ
る。
２の抵抗R2を適当に選択することによつて、従来例回路
と同様に、出力側としての，トランジスタQ5を設定され
た所定の温度以上でオンさせることができ、出力端子TO
OUTからの出力によつて、図示省略したが、こゝではこ
の実施例回路を組み込んだ同一集積回路チップ内に構成
されるところの、発熱の原因となつているパワー段をカ
ットオフさせ、チップを熱破壊から防護し得るのであ
る。
以上詳述したようにこの発明によれば、第１および第２
のPNPトランジスタおよびNPNトランジスタを用いる回路
において、第１，第２のNPNトランジスタの各エミッタ
間に第１の抵抗を、第２のNPNトランジスタのエミッタ
と接地間に第２の抵抗をそれぞれ接続し、また第３のNP
Nトランジスタのベースを第２のNPNトランジスタのエミ
ッタに、そのエミッタを接地にそれぞれ接続し、さらに
この第３のNPNトランジスタのコレクタを出力端子とし
て構成したから、第２の抵抗を適当に選択することによ
つて、第１，第２それぞれの各PNP,NPNトランジスタと
第１の抵抗とで得た電流を、そのまゝ第２の抵抗に与え
ることができ、このため高精度での温度検出が可能にな
り、ひいては効果的な熱遮断性能を得られる利点を有
し、さらには第３のPNPトランジスタを省略できるの
で、回路構成を比較的簡単に、しかも安価に提供できる
などの優れた特徴を有するものである。
のPNPトランジスタおよびNPNトランジスタを用いる回路
において、第１，第２のNPNトランジスタの各エミッタ
間に第１の抵抗を、第２のNPNトランジスタのエミッタ
と接地間に第２の抵抗をそれぞれ接続し、また第３のNP
Nトランジスタのベースを第２のNPNトランジスタのエミ
ッタに、そのエミッタを接地にそれぞれ接続し、さらに
この第３のNPNトランジスタのコレクタを出力端子とし
て構成したから、第２の抵抗を適当に選択することによ
つて、第１，第２それぞれの各PNP,NPNトランジスタと
第１の抵抗とで得た電流を、そのまゝ第２の抵抗に与え
ることができ、このため高精度での温度検出が可能にな
り、ひいては効果的な熱遮断性能を得られる利点を有
し、さらには第３のPNPトランジスタを省略できるの
で、回路構成を比較的簡単に、しかも安価に提供できる
などの優れた特徴を有するものである。
第１図はこの発明に係る熱遮断回路の一実施例を示す回
路接続図であり、また第２図は同上回路の従来例を示す
回路接続図である。 Q1……第１のPNPトランジスタ、Q2……第２のPNPトラン
ジスタ、Q3……第１のNPNトランジスタ、Q4……第２のN
PNトランジスタ、Q5……第３のNPNトランジスタ、R1…
…第１の抵抗、R2……第２の抵抗、TOUT……出力端子。
路接続図であり、また第２図は同上回路の従来例を示す
回路接続図である。 Q1……第１のPNPトランジスタ、Q2……第２のPNPトラン
ジスタ、Q3……第１のNPNトランジスタ、Q4……第２のN
PNトランジスタ、Q5……第３のNPNトランジスタ、R1…
…第１の抵抗、R2……第２の抵抗、TOUT……出力端子。
Claims (1)
- 【請求項１】コレクタ・ベース間を相互に接続し、エミ
ッタを電源に接続した第１のPNPトランジスタ，ベース
を前記第１のPNPトランジスタのベースに接続し、エミ
ッタを電源に接続した第２のPNPトランジスタ，コレク
タを前記第１のPNPトランジスタのコレクタに接続した
第１のNPNトランジスタ，ベースおよびコレクタを前記
第２のPNPトランジスタのコレクタと前記第１のNPNトラ
ンジスタのベースとにそれぞれ接続した第２のNPNトラ
ンジスタ，前記第１および第２のNPNトランジスタの各
エミッタ間に接続した第１の抵抗，前記第２のNPNトラ
ンジスタのエミッタと接地間に接続した第２の抵抗，ベ
ースを前記第２のNPNトランジスタのエミッタに、エミ
ッタを接地にそれぞれ接続した第３のNPNトランジスタ
からなり、前記第３のNPNトランジスタのコレクタを出
力端子としたことを特徴とする熱遮断回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008271A JPH061421B2 (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 熱遮断回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008271A JPH061421B2 (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 熱遮断回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165223A JPS62165223A (ja) | 1987-07-21 |
| JPH061421B2 true JPH061421B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=11688502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61008271A Expired - Lifetime JPH061421B2 (ja) | 1986-01-16 | 1986-01-16 | 熱遮断回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061421B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102981550A (zh) * | 2012-11-27 | 2013-03-20 | 中国科学院微电子研究所 | 一种低压低功耗cmos电压源 |
-
1986
- 1986-01-16 JP JP61008271A patent/JPH061421B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62165223A (ja) | 1987-07-21 |
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