JPH06143139A - ブラスト処理法とブラスト処理装置 - Google Patents
ブラスト処理法とブラスト処理装置Info
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- JPH06143139A JPH06143139A JP4291078A JP29107892A JPH06143139A JP H06143139 A JPH06143139 A JP H06143139A JP 4291078 A JP4291078 A JP 4291078A JP 29107892 A JP29107892 A JP 29107892A JP H06143139 A JPH06143139 A JP H06143139A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、成膜装置のクリーニング法として
常温常圧下で気体または液体の物質をブラスト材として
用いるブラスト処理法に関し、ブラスト材等の異物が成
膜装置本体等の被洗浄体の隙間で目詰まりを起こさない
ブラスト処理法を提供する。 【構成】 図において、ブラスト材９（例えば純水、炭
酸ガス、アルコールなど）をブラスト材貯蔵タンク４よ
り取り出し、ブラスト材凝固装置５にて圧縮、凝固しこ
のブラスト材９とドライエアー（または純水の貯蔵タン
ク）６より供給されるドライエアー（または純水）をコ
ンプレッサー７により圧縮し、ノズル８よりブラスト材
９を放出し、被洗浄体１０に叩きつけて付着膜１１を除
去する。
常温常圧下で気体または液体の物質をブラスト材として
用いるブラスト処理法に関し、ブラスト材等の異物が成
膜装置本体等の被洗浄体の隙間で目詰まりを起こさない
ブラスト処理法を提供する。 【構成】 図において、ブラスト材９（例えば純水、炭
酸ガス、アルコールなど）をブラスト材貯蔵タンク４よ
り取り出し、ブラスト材凝固装置５にて圧縮、凝固しこ
のブラスト材９とドライエアー（または純水の貯蔵タン
ク）６より供給されるドライエアー（または純水）をコ
ンプレッサー７により圧縮し、ノズル８よりブラスト材
９を放出し、被洗浄体１０に叩きつけて付着膜１１を除
去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子や液晶ディス
プレイ、ラインセンサ、サーマルヘッド、および電解コ
ンデンサ等の保護膜や半導体薄膜、あるいは金属薄膜に
広く用いられている気相成長装置やスパッタリング装置
などの成膜装置のクリーニング方法としてのブラスト処
理法に関するものである。
プレイ、ラインセンサ、サーマルヘッド、および電解コ
ンデンサ等の保護膜や半導体薄膜、あるいは金属薄膜に
広く用いられている気相成長装置やスパッタリング装置
などの成膜装置のクリーニング方法としてのブラスト処
理法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上述した成膜装置で、酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、アモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリコン、チタン、モリブデ
ン、クロム、タンタル、およびアルミニュウム等の各種
薄膜を形成する場合、基板のみならず成膜装置本体、さ
らには基板を支持するトレイにも同時に薄膜は形成され
る。図４にトレイを装着した成膜装置の外観を示す。図
において、１は成膜装置、２はトレイ、３は成膜する基
板である。かかる構成の成膜装置において、基板３以外
に形成された薄膜は、成膜時あるいは基板温度上昇時に
剥がれ易く、剥がれた膜の一部が基板１上に付着すると
重大な欠陥の原因となることが知られている。
ｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、アモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリコン、チタン、モリブデ
ン、クロム、タンタル、およびアルミニュウム等の各種
薄膜を形成する場合、基板のみならず成膜装置本体、さ
らには基板を支持するトレイにも同時に薄膜は形成され
る。図４にトレイを装着した成膜装置の外観を示す。図
において、１は成膜装置、２はトレイ、３は成膜する基
板である。かかる構成の成膜装置において、基板３以外
に形成された薄膜は、成膜時あるいは基板温度上昇時に
剥がれ易く、剥がれた膜の一部が基板１上に付着すると
重大な欠陥の原因となることが知られている。
【０００３】これを防ぐために、成膜後毎回または何回
か毎に付属部品を含めて装置本体を清浄していた。ま
た、成膜装置本体および基板を支持するトレイに付着し
た膜が剥がれにくい適度な粗さにその表面を加工するこ
とにより、清浄まで自然に膜が剥がれたりしないよう時
間的間隔を延ばすことができる。また、清浄の際に装置
本体等の被洗浄体に付着した薄膜以外の異物例えばダス
ト、ブラスト材は超音波洗浄とクリーン雑巾等による手
擦り洗浄で落とされる。
か毎に付属部品を含めて装置本体を清浄していた。ま
た、成膜装置本体および基板を支持するトレイに付着し
た膜が剥がれにくい適度な粗さにその表面を加工するこ
とにより、清浄まで自然に膜が剥がれたりしないよう時
間的間隔を延ばすことができる。また、清浄の際に装置
本体等の被洗浄体に付着した薄膜以外の異物例えばダス
ト、ブラスト材は超音波洗浄とクリーン雑巾等による手
擦り洗浄で落とされる。
【０００４】上述する清掃や表面処理を施す方法として
は、例えばアルミナやＳｉＯ2の粉末を高圧空気または
水に混入してこれを被洗浄物に打ちつけることにより膜
を強制的に剥がすブラスト処理法がよく知られている
が、薄膜の内シリコンを主成分とする成膜装置の清浄に
は、例えばＣＦ4／Ｏ2ガスを用いたガスクリーニングも
一部行われている。しかしガスクリーニングはまだ完全
に確立された清浄法とは言い切れず、運用上に多数問題
点を抱えていて現状ではブラスト処理法が主流となって
いる。
は、例えばアルミナやＳｉＯ2の粉末を高圧空気または
水に混入してこれを被洗浄物に打ちつけることにより膜
を強制的に剥がすブラスト処理法がよく知られている
が、薄膜の内シリコンを主成分とする成膜装置の清浄に
は、例えばＣＦ4／Ｏ2ガスを用いたガスクリーニングも
一部行われている。しかしガスクリーニングはまだ完全
に確立された清浄法とは言い切れず、運用上に多数問題
点を抱えていて現状ではブラスト処理法が主流となって
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ブラスト処理法では、被洗浄物の１mm以下の加工が施さ
れた微小な隙間に異物、例えば叩きつけによって砕けた
ブラスト材、被洗浄体から剥がれた膜、被洗浄体自身の
発塵およびブラスト材自身が複雑に絡まりあって上記隙
間に挟まり目詰まりを起こしていた。そしてこの異物を
触媒として錆が発生したり、あるいは異物自身が錆びて
しまう。この状態では被洗浄体でもある成膜装置で真空
装置内の到達真空度を著しく悪くしたり、錆が薄膜の中
に取り込まれる等の影響で成膜された膜質が意図した成
膜と異なってしまう。また、隙間に詰まった異物は超音
波洗浄で取り除くのは非常に困難であり、そのコストも
嵩んでしまう。
ブラスト処理法では、被洗浄物の１mm以下の加工が施さ
れた微小な隙間に異物、例えば叩きつけによって砕けた
ブラスト材、被洗浄体から剥がれた膜、被洗浄体自身の
発塵およびブラスト材自身が複雑に絡まりあって上記隙
間に挟まり目詰まりを起こしていた。そしてこの異物を
触媒として錆が発生したり、あるいは異物自身が錆びて
しまう。この状態では被洗浄体でもある成膜装置で真空
装置内の到達真空度を著しく悪くしたり、錆が薄膜の中
に取り込まれる等の影響で成膜された膜質が意図した成
膜と異なってしまう。また、隙間に詰まった異物は超音
波洗浄で取り除くのは非常に困難であり、そのコストも
嵩んでしまう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明のブラスト処理法は、薄膜を成膜する成膜装置
本体および薄膜を堆積する基板を支持、搬送するトレイ
を被洗浄体とし、これに常温常圧下で簡便に気化または
液化する物質（例えば氷、ドライアイス、アルコール）
を１００μｍから５００μｍ程度の大きさに固体化し、
液体（例えば純水）または気体（例えば空気、窒素等）
に混入させ叩きつけるものである。
に本発明のブラスト処理法は、薄膜を成膜する成膜装置
本体および薄膜を堆積する基板を支持、搬送するトレイ
を被洗浄体とし、これに常温常圧下で簡便に気化または
液化する物質（例えば氷、ドライアイス、アルコール）
を１００μｍから５００μｍ程度の大きさに固体化し、
液体（例えば純水）または気体（例えば空気、窒素等）
に混入させ叩きつけるものである。
【０００７】
【作用】この方法によって、被洗浄体表面に堆積した膜
をブラスト材の叩きつけによる質量衝撃、ならびに温度
低下による被洗浄物と付着膜の熱収縮の差で、被洗浄体
に堆積した膜を除去することができ、被洗浄物の１mm以
下の加工が施された微小な隙間に詰まったブラスト材が
液化し、液化したブラスト材の粘性とブラスト材の叩き
つけ圧力によってブラスト材以外の異物を同時に取り除
く。この際、質量衝撃と熱収縮の差では、付着した膜を
引き剥がすだけなので、被洗浄物表面の粗さは保持され
る。
をブラスト材の叩きつけによる質量衝撃、ならびに温度
低下による被洗浄物と付着膜の熱収縮の差で、被洗浄体
に堆積した膜を除去することができ、被洗浄物の１mm以
下の加工が施された微小な隙間に詰まったブラスト材が
液化し、液化したブラスト材の粘性とブラスト材の叩き
つけ圧力によってブラスト材以外の異物を同時に取り除
く。この際、質量衝撃と熱収縮の差では、付着した膜を
引き剥がすだけなので、被洗浄物表面の粗さは保持され
る。
【０００８】
（実施例１）以下本発明の第１の実施例について、図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【０００９】図１において、４はブラスト材貯蔵タン
ク、５はブラスト材凝固装置、６はドライエアーまたは
純水の貯蔵タンク、７はコンプレッサー、８はノズル、
９は凝固されたブラスト材、１０は被洗浄体、そして１
１は付着膜である。
ク、５はブラスト材凝固装置、６はドライエアーまたは
純水の貯蔵タンク、７はコンプレッサー、８はノズル、
９は凝固されたブラスト材、１０は被洗浄体、そして１
１は付着膜である。
【００１０】本実施例ではブラスト材９として例えば純
水、炭酸ガス、アルコールなどをブラスト材貯蔵タンク
４から取り出し、ブラスト材凝固装置５にてブラスト材
９を圧縮、凝固し１００μｍ以上の固体にする。このブ
ラスト材９とドライエアーまたは純水の貯蔵タンク６よ
り供給されるドライエアーまたは純水をコンプレッサー
７により圧縮し、ノズル８よりブラスト材９（固体）を
放出する。これにより被洗浄体１０にブラスト材９を叩
きつけ、被洗浄体１０はブラスト材９の叩きつけによる
質量衝撃、およびブラスト材９の気化または液化による
被洗浄物１０と付着膜１１の温度低下の際の熱収縮の差
で被洗浄体１０に堆積した付着膜１１を除去することが
できる。
水、炭酸ガス、アルコールなどをブラスト材貯蔵タンク
４から取り出し、ブラスト材凝固装置５にてブラスト材
９を圧縮、凝固し１００μｍ以上の固体にする。このブ
ラスト材９とドライエアーまたは純水の貯蔵タンク６よ
り供給されるドライエアーまたは純水をコンプレッサー
７により圧縮し、ノズル８よりブラスト材９（固体）を
放出する。これにより被洗浄体１０にブラスト材９を叩
きつけ、被洗浄体１０はブラスト材９の叩きつけによる
質量衝撃、およびブラスト材９の気化または液化による
被洗浄物１０と付着膜１１の温度低下の際の熱収縮の差
で被洗浄体１０に堆積した付着膜１１を除去することが
できる。
【００１１】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】図２において、１０は被洗浄体、１２は微
小な隙間、１３は異物である。被洗浄体１０には加熱時
に生じる反りや歪を是正するために、あらかじめ１mm以
下の加工が施された微小な隙間１２がある。ブラスト処
理の際には、ここに異物１３、例えば叩きつけによって
砕けたブラスト材、被洗浄物から剥がれた膜、被洗浄物
自身の発塵およびブラスト材自身が複雑に絡まりあって
隙間１２に挟まり目詰まりを起こしてしまう。ここで本
実施例ではブラスト材自身が常温常圧下で簡便に液化
（あるいは気化）する物質であるので、ブラスト材が液
化（気化）し、液化（気化）したブラスト材の粘性とブ
ラスト材の叩きつけ圧力によりブラスト材以外の残りの
異物を取り除く。
小な隙間、１３は異物である。被洗浄体１０には加熱時
に生じる反りや歪を是正するために、あらかじめ１mm以
下の加工が施された微小な隙間１２がある。ブラスト処
理の際には、ここに異物１３、例えば叩きつけによって
砕けたブラスト材、被洗浄物から剥がれた膜、被洗浄物
自身の発塵およびブラスト材自身が複雑に絡まりあって
隙間１２に挟まり目詰まりを起こしてしまう。ここで本
実施例ではブラスト材自身が常温常圧下で簡便に液化
（あるいは気化）する物質であるので、ブラスト材が液
化（気化）し、液化（気化）したブラスト材の粘性とブ
ラスト材の叩きつけ圧力によりブラスト材以外の残りの
異物を取り除く。
【００１３】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。
ついて、図面を参照しながら説明する。
【００１４】図３において、９はブラスト材、１０は被
洗浄体、１１は付着膜である。ブラスト材９が被洗浄体
１０の表面に堆積した付着膜１１をブラスト材９の叩き
つけによる質量衝撃、ブラスト材９の気化または液化に
よる温度低下による被洗浄体１０と付着膜１１の熱収縮
の差で被洗浄体１０に堆積した膜を除去する。この時、
被洗浄体１０の表面の凹凸がどのような形状であろうと
も単に付着膜１１を引き剥がすだけなので、表面の粗さ
は保持できる。この結果、被洗浄体１０の表面の粗さを
堆積したい付着膜１１が最も剥がれにくい粗さにあらか
じめ設定しておけば、ブラストの回数に関係なくその粗
さを保持できる。
洗浄体、１１は付着膜である。ブラスト材９が被洗浄体
１０の表面に堆積した付着膜１１をブラスト材９の叩き
つけによる質量衝撃、ブラスト材９の気化または液化に
よる温度低下による被洗浄体１０と付着膜１１の熱収縮
の差で被洗浄体１０に堆積した膜を除去する。この時、
被洗浄体１０の表面の凹凸がどのような形状であろうと
も単に付着膜１１を引き剥がすだけなので、表面の粗さ
は保持できる。この結果、被洗浄体１０の表面の粗さを
堆積したい付着膜１１が最も剥がれにくい粗さにあらか
じめ設定しておけば、ブラストの回数に関係なくその粗
さを保持できる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明は、被洗浄体の表面
及びその隙間に詰まった異物を十分に取り除くことがで
き、錆の発生は大幅に改善される。また、超音波洗浄や
クリーン雑巾による手擦りの手間とコストが簡略化さ
れ、優れたブラスト処理方法を実現することができる。
及びその隙間に詰まった異物を十分に取り除くことがで
き、錆の発生は大幅に改善される。また、超音波洗浄や
クリーン雑巾による手擦りの手間とコストが簡略化さ
れ、優れたブラスト処理方法を実現することができる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるブラスト処理装
置の模式図
置の模式図
【図２】同第２の実施例における被洗浄体の要部拡大図
【図３】同第３の実施例における被洗浄体の概念図
【図４】成膜装置の外観斜視図
１ 成膜装置 ２ トレイ ３ 基板 ４ 貯蔵タンク ５ ブラスト材凝固装置 ６ ドライエアー（純水の貯蔵タンク） ７ コンプレッサー ８ ノズル ９ ブラスト材 １０ 被洗浄体 １１ 付着膜 １２ 微小な隙間 １３ 異物
Claims (3)
- 【請求項１】薄膜を成膜する成膜装置本体を構成する部
材及び前記薄膜を堆積する基板を支持、搬送するトレイ
を被洗浄体とし、常温常圧下で気体または液体のブラス
ト材を冷却固体化し、これを被洗浄物に叩きつけること
により前記被洗浄体に堆積した薄膜を除去するブラスト
処理法。 - 【請求項２】被洗浄体をブラスト材が液化する温度以上
に加熱させ、上記被洗浄物に存在する微小な隙間に詰ま
った異物を、液化したブラスト材の粘性と当該ブラスト
材の叩きつけ圧力により上記異物を取り除く請求項１記
載のブラスト処理法。 - 【請求項３】成膜装置をブラスト処理法にてクリーニン
グするブラスト処理装置であって、 常温常圧化で気体または液体状態のブラスト材を貯蔵す
る手段と、上記ブラスト材を固体化する手段と、固体化
した上記ブラスト材を上記成膜装置に叩きつけることに
よりクリーニングすることを特徴とするブラスト処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29107892A JP3254762B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | ブラスト処理法とブラスト処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29107892A JP3254762B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | ブラスト処理法とブラスト処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06143139A true JPH06143139A (ja) | 1994-05-24 |
| JP3254762B2 JP3254762B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=17764152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29107892A Expired - Fee Related JP3254762B2 (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | ブラスト処理法とブラスト処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3254762B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000307091A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Sharp Corp | 光又は放射線検出素子ならびに二次元画像検出器の製造方法 |
| CN113786734A (zh) * | 2021-09-28 | 2021-12-14 | 浙江津膜环境科技有限公司 | 一种mbr膜原位物理清洗方法 |
| US12317661B2 (en) | 2021-03-31 | 2025-05-27 | Nichia Corporation | Light emitting module manufacturing method including covering lateral faces of light emitting elements with resin |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4533809B2 (ja) | 2005-06-28 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | ディスクリートトラック媒体用基板の製造方法およびディスクリートトラック媒体の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP29107892A patent/JP3254762B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000307091A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Sharp Corp | 光又は放射線検出素子ならびに二次元画像検出器の製造方法 |
| US12317661B2 (en) | 2021-03-31 | 2025-05-27 | Nichia Corporation | Light emitting module manufacturing method including covering lateral faces of light emitting elements with resin |
| CN113786734A (zh) * | 2021-09-28 | 2021-12-14 | 浙江津膜环境科技有限公司 | 一种mbr膜原位物理清洗方法 |
| CN113786734B (zh) * | 2021-09-28 | 2024-06-07 | 浙江津膜环境科技有限公司 | 一种mbr膜原位物理清洗方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3254762B2 (ja) | 2002-02-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |