JPH11236667A - スパッタリング装置のシールド及びその表面を処理する方法 - Google Patents
スパッタリング装置のシールド及びその表面を処理する方法Info
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- JPH11236667A JPH11236667A JP3918098A JP3918098A JPH11236667A JP H11236667 A JPH11236667 A JP H11236667A JP 3918098 A JP3918098 A JP 3918098A JP 3918098 A JP3918098 A JP 3918098A JP H11236667 A JPH11236667 A JP H11236667A
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- shield
- roughness
- particles
- metal coating
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリング装置のスパッタリングターゲ
ットの外にスパッタされた粒子をより多く堆積するため
に用いられるスパッタリング装置のアルミニウムシール
ドの表面を処理する方法を提供する。 【解決手段】 約３０μｍから４５μｍの荒さ（Ｒｚ）
にＡｌ2 Ｏ3 粒子用いてシールドの表面をサンドブラス
トし；ターゲットからスパッタされたより多くの粒子が
シールドの表面にわたり堆積可能なようにシールド表面
の粗さを約１３５μｍから１５０μｍに更に増加するよ
うアルミニウムシールドの表面にわたり純度９９％以上
のアルミニウムコーティングの層をスプレーする熱スプ
レー法を用いる。
ットの外にスパッタされた粒子をより多く堆積するため
に用いられるスパッタリング装置のアルミニウムシール
ドの表面を処理する方法を提供する。 【解決手段】 約３０μｍから４５μｍの荒さ（Ｒｚ）
にＡｌ2 Ｏ3 粒子用いてシールドの表面をサンドブラス
トし；ターゲットからスパッタされたより多くの粒子が
シールドの表面にわたり堆積可能なようにシールド表面
の粗さを約１３５μｍから１５０μｍに更に増加するよ
うアルミニウムシールドの表面にわたり純度９９％以上
のアルミニウムコーティングの層をスプレーする熱スプ
レー法を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリング装置
に関し、より詳細にはスパッタリング装置内でスパッタ
リングターゲットからスパッタされたより多くの粒子が
シールド面に堆積可能なようにスパッタリング装置のシ
ールド面を処理する方法に関する。
に関し、より詳細にはスパッタリング装置内でスパッタ
リングターゲットからスパッタされたより多くの粒子が
シールド面に堆積可能なようにスパッタリング装置のシ
ールド面を処理する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング装置は一般に薄いフィル
ム又は明確な厚さで基板上の結晶の配向を形成するよう
用いられる。スパッタリング装置で、シールドはスパッ
タリング領域の外側でスパッタされた粒子を集めるため
に用いられる。シールドは通常スパッタされた粒子を集
めるよう粗い表面を有するアルミニウム材料で作られ、
それによりスパッタされた粒子はシールドの粗い表面に
クランプされ堆積される。図１を参照するにこれは従来
技術のスパッタリング装置１０の概略図であり、これは
炭素のターゲット１２と、基板１４と、ボウル状の凹部
１７を有するアルミニウムシールド１６とを含む。スパ
ッタリング処理中に炭素粒子は炭素ターゲットからスパ
ッタされ、基板１４とシールド１６に堆積する。最近の
産業上の慣行ではシールド１６の粗い表面はサンドブラ
スト法を用いて通常形成され、これは３０μｍから４５
μｍくらいの荒さ（Ｒｚ）にシールドの表面をサンドブ
ラストするためにＡｌ2 Ｏ3 粒子を用いる。これはＡｌ
2 Ｏ3 粒子を用いることにより適切に形成されうるほぼ
最大の荒さである。サンドブラスト処理中にＡｌ2 Ｏ 3
粒子はアルミニウムシールド１６の比較的柔らかい表面
に衝突し、それにより複数の不規則な空洞がシールド１
６の表面に形成される。スパッタされた炭素粒子はこれ
らのアルミニウムの空洞のほとんどが満たされるまでそ
の内にクランプされ、堆積される。炭素粒子の比較的厚
い層がシールド１６の表面に形成されるときに炭素層と
アルミニウムシールド１６との間の熱膨張係数の差がカ
ーボン層の薄片化を引き起こし、カーボン薄片は更にス
パッタリング処理中に基板１４の表面にわたり炭素アー
クを生ずる。炭素アークは基板１４を汚染し、スパッタ
リング装置１０の収率を劇的に低下させる。この時にシ
ールド１６は清掃のためにスパッタリング装置１０から
除去される。
ム又は明確な厚さで基板上の結晶の配向を形成するよう
用いられる。スパッタリング装置で、シールドはスパッ
タリング領域の外側でスパッタされた粒子を集めるため
に用いられる。シールドは通常スパッタされた粒子を集
めるよう粗い表面を有するアルミニウム材料で作られ、
それによりスパッタされた粒子はシールドの粗い表面に
クランプされ堆積される。図１を参照するにこれは従来
技術のスパッタリング装置１０の概略図であり、これは
炭素のターゲット１２と、基板１４と、ボウル状の凹部
１７を有するアルミニウムシールド１６とを含む。スパ
ッタリング処理中に炭素粒子は炭素ターゲットからスパ
ッタされ、基板１４とシールド１６に堆積する。最近の
産業上の慣行ではシールド１６の粗い表面はサンドブラ
スト法を用いて通常形成され、これは３０μｍから４５
μｍくらいの荒さ（Ｒｚ）にシールドの表面をサンドブ
ラストするためにＡｌ2 Ｏ3 粒子を用いる。これはＡｌ
2 Ｏ3 粒子を用いることにより適切に形成されうるほぼ
最大の荒さである。サンドブラスト処理中にＡｌ2 Ｏ 3
粒子はアルミニウムシールド１６の比較的柔らかい表面
に衝突し、それにより複数の不規則な空洞がシールド１
６の表面に形成される。スパッタされた炭素粒子はこれ
らのアルミニウムの空洞のほとんどが満たされるまでそ
の内にクランプされ、堆積される。炭素粒子の比較的厚
い層がシールド１６の表面に形成されるときに炭素層と
アルミニウムシールド１６との間の熱膨張係数の差がカ
ーボン層の薄片化を引き起こし、カーボン薄片は更にス
パッタリング処理中に基板１４の表面にわたり炭素アー
クを生ずる。炭素アークは基板１４を汚染し、スパッタ
リング装置１０の収率を劇的に低下させる。この時にシ
ールド１６は清掃のためにスパッタリング装置１０から
除去される。
【０００３】炭素粒子を堆積するシールド１６の能力は
シールド表面の粗さに比例する。シールド表面の粗さが
大きいほどより多くの炭素粒子がシールド１４の表面に
堆積されうる。それはスパッタリング装置１０を用いる
より多くのスパッタリング処理がシールド１４を清掃す
るために除去するまでになされうることを意味する。Ａ
ｌ2 Ｏ3 粒子を用いるサンドブラスト法はシールド１４
にわたり粗い表面を形成するよう頻繁に用いられる。Ａ
ｌ2 Ｏ3 粒子の形状は非常に不規則であり、そのために
アルミニウムシールド１６を破壊することなしにその表
面にわたり小さな空洞を形成する適切な媒体である。し
かし最大の荒さ（Ｒｚ）でシールド１６の表面に形成さ
れるのは４５μｍくらいである。ＳｉＣ又はＳｉＯ2 粒
子のような他の粒子はまたシールド１６に粗い面を作る
ために用いられる。ＳｉＣ粒子はアルミニウムシールド
１６の表面にわたりより大きな荒さを作ることができ
る。何故ならばＳｉＣ粒子は非常に鋭い角度を有する粒
子を含むからである。しかし、鋭いＳｉＣ粒子はシール
ド１６の表面に刺さり、表面から除去できない。これは
シールド１６の表面を汚染し、これはスパッタリング装
置１０では許容されえない。ボール状のＳｉＯ2 粒子で
はＡｌ2 Ｏ3 粒子と比べて、シールド１６の表面にわた
るより大きな荒さを形成するのに用いることはできな
い。
シールド表面の粗さに比例する。シールド表面の粗さが
大きいほどより多くの炭素粒子がシールド１４の表面に
堆積されうる。それはスパッタリング装置１０を用いる
より多くのスパッタリング処理がシールド１４を清掃す
るために除去するまでになされうることを意味する。Ａ
ｌ2 Ｏ3 粒子を用いるサンドブラスト法はシールド１４
にわたり粗い表面を形成するよう頻繁に用いられる。Ａ
ｌ2 Ｏ3 粒子の形状は非常に不規則であり、そのために
アルミニウムシールド１６を破壊することなしにその表
面にわたり小さな空洞を形成する適切な媒体である。し
かし最大の荒さ（Ｒｚ）でシールド１６の表面に形成さ
れるのは４５μｍくらいである。ＳｉＣ又はＳｉＯ2 粒
子のような他の粒子はまたシールド１６に粗い面を作る
ために用いられる。ＳｉＣ粒子はアルミニウムシールド
１６の表面にわたりより大きな荒さを作ることができ
る。何故ならばＳｉＣ粒子は非常に鋭い角度を有する粒
子を含むからである。しかし、鋭いＳｉＣ粒子はシール
ド１６の表面に刺さり、表面から除去できない。これは
シールド１６の表面を汚染し、これはスパッタリング装
置１０では許容されえない。ボール状のＳｉＯ2 粒子で
はＡｌ2 Ｏ3 粒子と比べて、シールド１６の表面にわた
るより大きな荒さを形成するのに用いることはできな
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】故に本発明の目的はよ
り多くのスパッタされた粒子が表面に堆積するようなス
パッタリング装置のシールドにわたる粗い表面を形成す
る方法を提供することにある。
り多くのスパッタされた粒子が表面に堆積するようなス
パッタリング装置のシールドにわたる粗い表面を形成す
る方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的はスパッタリ
ング装置のスパッタリングターゲットの外にスパッタさ
れた粒子を堆積するために用いられるスパッタリング装
置のシールドの表面を処理する方法であって、 （１） 所定の荒さにシールドの表面をサンドブラスト
し； （２） ターゲットからスパッタされたより多くの粒子
がシールドの表面にわたり堆積可能なようにシールド表
面の粗さを更に増加するようシールドの表面にわたり金
属コーティングの層をスプレーする熱スプレー法を用い
ることを特徴とする方法により達成される。
ング装置のスパッタリングターゲットの外にスパッタさ
れた粒子を堆積するために用いられるスパッタリング装
置のシールドの表面を処理する方法であって、 （１） 所定の荒さにシールドの表面をサンドブラスト
し； （２） ターゲットからスパッタされたより多くの粒子
がシールドの表面にわたり堆積可能なようにシールド表
面の粗さを更に増加するようシールドの表面にわたり金
属コーティングの層をスプレーする熱スプレー法を用い
ることを特徴とする方法により達成される。
【０００６】
【発明の実施の形態】図２を参照するに、これは本発明
によるアルミニウムシールド３０の断面図である。シー
ルド３０の表面は本発明の表面処理方法を用いて処理さ
れる。シールド３０の表面３２はまず３０μｍから４５
μｍくらいの荒さ（Ｒｚ）の粗い表面を形成するようＡ
ｌ2 Ｏ3 粒子を用いてサンドブラストされる。Ａｌ2 Ｏ
3 粒子はアルミニウムシールド３０の表面３２にわたり
多数の小さな空洞を形成する。Ａｌ2 Ｏ3 粒子がサンド
ブラスト処理に用いられる理由は不規則な形状のＡｌ2
Ｏ3 粒子はアルミニウムシールド３０の表面３２にわた
り多数の小さな空洞を適切に形成するからである。鋭い
ＳｉＣ粒子はシールド３０の比較的柔らかい表面３２に
刺さり、表面から除去できない故に用いられない。表面
にＳｉＣ粒子が突き刺さったシールドが用いられる場合
にはそのような突き刺さったＳｉＣ粒子はスパッタリン
グ処理を汚染する。ボール状のＳｉＯ2 粒子ではＡｌ2
Ｏ3 粒子のように表面３２にわたり充分な荒さを形成し
得ない故にまた好ましくない。
によるアルミニウムシールド３０の断面図である。シー
ルド３０の表面は本発明の表面処理方法を用いて処理さ
れる。シールド３０の表面３２はまず３０μｍから４５
μｍくらいの荒さ（Ｒｚ）の粗い表面を形成するようＡ
ｌ2 Ｏ3 粒子を用いてサンドブラストされる。Ａｌ2 Ｏ
3 粒子はアルミニウムシールド３０の表面３２にわたり
多数の小さな空洞を形成する。Ａｌ2 Ｏ3 粒子がサンド
ブラスト処理に用いられる理由は不規則な形状のＡｌ2
Ｏ3 粒子はアルミニウムシールド３０の表面３２にわた
り多数の小さな空洞を適切に形成するからである。鋭い
ＳｉＣ粒子はシールド３０の比較的柔らかい表面３２に
刺さり、表面から除去できない故に用いられない。表面
にＳｉＣ粒子が突き刺さったシールドが用いられる場合
にはそのような突き刺さったＳｉＣ粒子はスパッタリン
グ処理を汚染する。ボール状のＳｉＯ2 粒子ではＡｌ2
Ｏ3 粒子のように表面３２にわたり充分な荒さを形成し
得ない故にまた好ましくない。
【０００７】アルミニウムシールド３０の粗い表面３２
がサンドブラスト法を用いて形成された後に、熱スプレ
ー法が用いられ、それにより約１３０μｍから１５０μ
ｍくらいにシールド面の荒さ（Ｒｚ）を更に増加するた
めに粗い表面３２にわたり９９パーセント以上の純度の
アルミニウムコーティング３４層がスプレーされ、それ
により炭素ターゲットのようなスパッタリングターゲッ
トからスパッタされたより多くの炭素粒子がシールド３
０の表面に堆積される。シールド３０の粗い表面３２上
のアルミニウムコーティング層３４の厚さは約１５０μ
ｍから２５０μｍである。熱スプレー処理では溶解した
アルミニウムがシールド３０の粗い表面３２にわたりス
プレーされる。熱スプレー処理の制御パラメータは溶解
したアルミニウムがシールド３０の粗い表面３２にたた
きつけられた後に約１３５μｍから１５０μｍの荒さ
（Ｒｚ）で粗い表面３２上に多数のピークのような構造
を形成するよう跳ね返るように注意深く制御されなけれ
ばならない。そのような熱スプレーの制御パラメータの
例は以下のようになる： 電圧： ２２ボルトから２８ボルト 電流： ９０アンペアから１１０アンペア 圧力： ４５ＰＳＩから５５ＰＳＩ 上記熱スプレー法はアークスプレー、プラズマスプレ
ー、又はフレームスプレー法でありうる。
がサンドブラスト法を用いて形成された後に、熱スプレ
ー法が用いられ、それにより約１３０μｍから１５０μ
ｍくらいにシールド面の荒さ（Ｒｚ）を更に増加するた
めに粗い表面３２にわたり９９パーセント以上の純度の
アルミニウムコーティング３４層がスプレーされ、それ
により炭素ターゲットのようなスパッタリングターゲッ
トからスパッタされたより多くの炭素粒子がシールド３
０の表面に堆積される。シールド３０の粗い表面３２上
のアルミニウムコーティング層３４の厚さは約１５０μ
ｍから２５０μｍである。熱スプレー処理では溶解した
アルミニウムがシールド３０の粗い表面３２にわたりス
プレーされる。熱スプレー処理の制御パラメータは溶解
したアルミニウムがシールド３０の粗い表面３２にたた
きつけられた後に約１３５μｍから１５０μｍの荒さ
（Ｒｚ）で粗い表面３２上に多数のピークのような構造
を形成するよう跳ね返るように注意深く制御されなけれ
ばならない。そのような熱スプレーの制御パラメータの
例は以下のようになる： 電圧： ２２ボルトから２８ボルト 電流： ９０アンペアから１１０アンペア 圧力： ４５ＰＳＩから５５ＰＳＩ 上記熱スプレー法はアークスプレー、プラズマスプレ
ー、又はフレームスプレー法でありうる。
【０００８】熱スプレー法のタイミングは粗い表面３２
がサンドブラスト法を用いることにより形成された後に
注意深く制御されねばならない。酸化アルミニウムフィ
ルムの層は粗い表面３２がＡｌ2 Ｏ3 粒子を用いて形成
された後に室温で１０分間くらいで粗い表面３２上に形
成される。酸化物フィルムはアルミニウムコーティング
３４と粗い表面２との間の結合を弱める。酸化物フィル
ムの形成を防止するために熱スプレー法は粗い表面３２
がサンドブラスト法を用いることにより形成された後に
できるだけ迅速になされなければならない。
がサンドブラスト法を用いることにより形成された後に
注意深く制御されねばならない。酸化アルミニウムフィ
ルムの層は粗い表面３２がＡｌ2 Ｏ3 粒子を用いて形成
された後に室温で１０分間くらいで粗い表面３２上に形
成される。酸化物フィルムはアルミニウムコーティング
３４と粗い表面２との間の結合を弱める。酸化物フィル
ムの形成を防止するために熱スプレー法は粗い表面３２
がサンドブラスト法を用いることにより形成された後に
できるだけ迅速になされなければならない。
【０００９】本発明による上記の表面処理方法は約１３
５μｍから１５０μｍの荒さ（Ｒｚ）を有する粗い表面
を形成し、これは従来のサンドブラスト法により形成さ
れた３０μｍから４５μｍくらいの荒さよりも良好なも
のである。結果としてシールド３０の表面はスパッタさ
れた粒子を堆積するより高い能力を有し、より多いスパ
ッタリング処理がシールド３０を装備したスパッタリン
グ装置により達成される。
５μｍから１５０μｍの荒さ（Ｒｚ）を有する粗い表面
を形成し、これは従来のサンドブラスト法により形成さ
れた３０μｍから４５μｍくらいの荒さよりも良好なも
のである。結果としてシールド３０の表面はスパッタさ
れた粒子を堆積するより高い能力を有し、より多いスパ
ッタリング処理がシールド３０を装備したスパッタリン
グ装置により達成される。
【００１０】図３と４を参照するに、図３は従来技術の
シールドを用いたスパッタリング装置を用いて形成され
た磁気ディスクの滑走故障（Ｇｌｉｄｅ Ｆａｉｌｕｒ
ｅ）率のグラフを示す。図４は図２に示されたシールド
３０を用いたスパッタリング装置を用いて形成された磁
気ディスクの滑走故障率のグラフを示す。図３は従来技
術のシールドを用いて製造された磁気ディスクの滑走故
障率がスパッタリング処理の１５０００サイクルを実行
した後に約５７％から７５％に劇的に増加することを示
す。図４は本発明のシールド３０を用いることにより製
造された磁気ディスクの滑走故障率がスパッタリング処
理を２１０００サイクル実行した後に増加し始めている
ことを示す。明らかに本発明の表面処理方法を用いて処
理されたシールド３０がスパッタされた粒子を堆積する
より高い能力を有し、それにより多くのスパッタリング
処理がシールド３０を清掃する前になされる。
シールドを用いたスパッタリング装置を用いて形成され
た磁気ディスクの滑走故障（Ｇｌｉｄｅ Ｆａｉｌｕｒ
ｅ）率のグラフを示す。図４は図２に示されたシールド
３０を用いたスパッタリング装置を用いて形成された磁
気ディスクの滑走故障率のグラフを示す。図３は従来技
術のシールドを用いて製造された磁気ディスクの滑走故
障率がスパッタリング処理の１５０００サイクルを実行
した後に約５７％から７５％に劇的に増加することを示
す。図４は本発明のシールド３０を用いることにより製
造された磁気ディスクの滑走故障率がスパッタリング処
理を２１０００サイクル実行した後に増加し始めている
ことを示す。明らかに本発明の表面処理方法を用いて処
理されたシールド３０がスパッタされた粒子を堆積する
より高い能力を有し、それにより多くのスパッタリング
処理がシールド３０を清掃する前になされる。
【図１】従来技術のスパッタリング装置の概略を示す。
【図２】本発明によるシールドの断面図である。
【図３】従来技術のシールドを用いたスパッタリング装
置を用いて形成された磁気ディスクの滑走故障率のグラ
フを示す。
置を用いて形成された磁気ディスクの滑走故障率のグラ
フを示す。
【図４】図２に示されたシールドを用いたスパッタリン
グ装置を用いて形成された磁気ディスクの滑走故障率の
グラフを示す。
グ装置を用いて形成された磁気ディスクの滑走故障率の
グラフを示す。
１０ スパッタリング装置 １２ 炭素のターゲット １４ 基板 １７ 凹部 １６、３０ アルミニウムシールド ３２ 表面 ３４ アルミニウムコーティング層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チェム シュイ−ジェー 台湾 タイペイ ヴィアイ シン−アイ・ ロード レーン76 アレイ２ ナンバー87 ５Ｆ (72)発明者 ヤン イゥアン−ジョウ 台湾 シン−チュ・シエン チュ−トゥ ン・タウン ミン・シン・ロード レーン 216 ナンバー６ (72)発明者 リー チャオ−フアン 台湾 シン−チュ・シティ チュン−イヤ ン・ロード ナンバー318 ６Ｆ
Claims (20)
- 【請求項１】スパッタリング装置のスパッタリングター
ゲットの外にスパッタされた粒子を堆積するために用い
られるスパッタリング装置のシールドの表面を処理する
方法であって、 （１） 所定の荒さにシールドの表面をサンドブラスト
し； （２） ターゲットからスパッタされたより多くの粒子
がシールドの表面にわたり堆積可能なようにシールド表
面の粗さを更に増加するようシールドの表面にわたり金
属コーティングの層をスプレーする熱スプレー法を用い
ることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 シールドの表面はＡｌ2 Ｏ3 粒子用いて
サンドブラストされる請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 シールドはアルミニウム材料で作られ、
サンドブラスト法を用いて形成された所定の荒さ（Ｒ
ｚ）は約３０μｍから４５μｍである請求項２記載の方
法。 - 【請求項４】 熱スプレー法を用いて形成された金属コ
ーティングは９９％以上のアルミニウムを含む請求項３
記載の方法。 - 【請求項５】 熱スプレー法を用いて作られたシールド
表面の粗さは約１３５μｍから１５０μｍである請求項
４記載の方法。 - 【請求項６】 金属コーティングの厚さは約１５０μｍ
から２５０μｍである請求項４記載の方法。 - 【請求項７】 熱スプレー法はアークスプレー、プラズ
マスプレー、又はフレームスプレー法である請求項１記
載の方法。 - 【請求項８】 アークスプレー法で、アークスプレー電
圧は約２２ボルトから２８ボルト、アークスプレー電流
は約９０アンペアから１１０アンペア、アークスプレー
の圧力は約４５ＰＳＩから５５ＰＳＩである請求項７記
載の方法。 - 【請求項９】ボウル型の凹部を有し、凹部の表面は所定
の荒さである金属ベースと、 スパッタリング装置のスパッタリングターゲットの外に
スパッタされた粒子を堆積するために凹部の表面の粗さ
より更に粗い、凹部の表面に物理的に付着された金属コ
ーティングとからなるスパッタリング装置のシールド。 - 【請求項１０】 金属ベースはアルミニウム材料で作ら
れる請求項９記載のシールド。 - 【請求項１１】 金属コーティングは９９％以上のアル
ミニウムを含む請求項９記載のシールド。 - 【請求項１２】 凹部の表面の所定の荒さ（Ｒｚ）は約
３０μｍから４５μｍである請求項９記載のシールド。 - 【請求項１３】 金属コーティングの表面の粗さは約１
３５μｍから１５０μｍである請求項１２記載のシール
ド。 - 【請求項１４】 金属コーティングの厚さは約１５０μ
ｍから２５０μｍである請求項１３記載のシールド。 - 【請求項１５】 凹部の表面は所定の荒さに形成される
ようＡｌ2 Ｏ3 粒子を用いてサンドブラストされる請求
項９記載のシールド。 - 【請求項１６】 所定の荒さ（Ｒｚ）は約３０μｍから
４５μｍである請求項１５記載のシールド。 - 【請求項１７】 凹部の表面に付着した金属コーティン
グは熱スプレー法により形成される請求項１５記載のシ
ールド。 - 【請求項１８】 金属コーティングの表面の粗さは約１
３５μｍから１５０μｍである請求項１７記載のシール
ド。 - 【請求項１９】 金属コーティングの厚さは約１５０μ
ｍから２５０μｍである請求項１８記載のシールド。 - 【請求項２０】 熱スプレー法はアークスプレー、プラ
ズマスプレー、又はフレームスプレー法である請求項１
７記載のシールド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3918098A JPH11236667A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | スパッタリング装置のシールド及びその表面を処理する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3918098A JPH11236667A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | スパッタリング装置のシールド及びその表面を処理する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11236667A true JPH11236667A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12545927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3918098A Pending JPH11236667A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | スパッタリング装置のシールド及びその表面を処理する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11236667A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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