JPH06145384A - 帯電防止膜の形成方法 - Google Patents
帯電防止膜の形成方法Info
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- JPH06145384A JPH06145384A JP4295984A JP29598492A JPH06145384A JP H06145384 A JPH06145384 A JP H06145384A JP 4295984 A JP4295984 A JP 4295984A JP 29598492 A JP29598492 A JP 29598492A JP H06145384 A JPH06145384 A JP H06145384A
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- forming
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 湿度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性
に優れ且つ導電性及び透明性に優れた帯電防止膜の形成
方法を提供すること。 【構成】 本発明は、π共役系を形成し得る複素環化構
造を少なくとも１以上含む重合性部分、或いは複素環化
構造を有し且つπ共役結合を形成している分子群（Ｉ）
と親水基に化学結合する結合基（II）とを有する化合物
(III）を、親水基を有する基板面に上記結合基（II）を
介して結合させ、上記基板面にπ共役系ポリマー薄膜層
を形成させることを特徴とする帯電防止膜の形成方法で
ある。
に優れ且つ導電性及び透明性に優れた帯電防止膜の形成
方法を提供すること。 【構成】 本発明は、π共役系を形成し得る複素環化構
造を少なくとも１以上含む重合性部分、或いは複素環化
構造を有し且つπ共役結合を形成している分子群（Ｉ）
と親水基に化学結合する結合基（II）とを有する化合物
(III）を、親水基を有する基板面に上記結合基（II）を
介して結合させ、上記基板面にπ共役系ポリマー薄膜層
を形成させることを特徴とする帯電防止膜の形成方法で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、帯電防止膜の形成方法
に関するものであり、より詳しくは、基板面の光透過性
を損なうことなく、基板面に強固に固着する帯電防止膜
の形成方法に関する。
に関するものであり、より詳しくは、基板面の光透過性
を損なうことなく、基板面に強固に固着する帯電防止膜
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に光記録媒体の基板、レンズ等の光
学基板（又は基材）には硝子やプラスチックス等が用い
られ、特に、成形性、透明性の両特性が要求されること
から、ポリカーボネイト、ポリメチルメタクリレート系
の材料が多く用いられている。しかし、このような材料
は高い絶縁性を示すため帯電し易く、保存あるいは使用
中に表面に多量の塵埃が付着する。特に、それらを用い
た光記録媒体は記録の読み出し、書き込み等においてエ
ラーを発生するといった問題があった。このような対策
として基板表面を導電化処理することが必要であり、種
々の提案がなされている。例えば、(1) プラスチックス
に導電性フィラー（カーボンブラック等）を添加する方
法、(2) プラスチックスに界面活性剤を添加する方法、
(3) プラスチックスや硝子表面に導電性高分子の膜を形
成する方法などである。
学基板（又は基材）には硝子やプラスチックス等が用い
られ、特に、成形性、透明性の両特性が要求されること
から、ポリカーボネイト、ポリメチルメタクリレート系
の材料が多く用いられている。しかし、このような材料
は高い絶縁性を示すため帯電し易く、保存あるいは使用
中に表面に多量の塵埃が付着する。特に、それらを用い
た光記録媒体は記録の読み出し、書き込み等においてエ
ラーを発生するといった問題があった。このような対策
として基板表面を導電化処理することが必要であり、種
々の提案がなされている。例えば、(1) プラスチックス
に導電性フィラー（カーボンブラック等）を添加する方
法、(2) プラスチックスに界面活性剤を添加する方法、
(3) プラスチックスや硝子表面に導電性高分子の膜を形
成する方法などである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フィラーを添加する手法(1) は、プラスチックスの強度
や硬度の低下する傾向が見られ、プラスチックス自体が
黒色になるため、透明性が要求される用途には使用が困
難であった。また、界面活性剤を添加する方法(2) は、
帯電が最も生じ易い低湿度において、帯電防止効果が低
下する傾向が見られ、且つ界面活性剤がプラスチックス
表面にブリードし易く、そのため帯電防止能が失活する
という問題があった。更に、従来の導電性高分子膜の形
成方法(3) では、導電性高分子層は硝子やプラスチック
ス等の基板面に単に接している（つまり、当該高分子は
基板表面と化学結合していない。）のみであり、基板面
を清浄にするために、例えばその表面を溶剤で拭くと、
それによって当該高分子層が除去され、帯電防止効果が
低下するという問題が指摘されている。従って、本発明
の目的は、湿度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性
に優れ且つ導電性及び透明性に優れた帯電防止膜の形成
方法を提供することにある。
フィラーを添加する手法(1) は、プラスチックスの強度
や硬度の低下する傾向が見られ、プラスチックス自体が
黒色になるため、透明性が要求される用途には使用が困
難であった。また、界面活性剤を添加する方法(2) は、
帯電が最も生じ易い低湿度において、帯電防止効果が低
下する傾向が見られ、且つ界面活性剤がプラスチックス
表面にブリードし易く、そのため帯電防止能が失活する
という問題があった。更に、従来の導電性高分子膜の形
成方法(3) では、導電性高分子層は硝子やプラスチック
ス等の基板面に単に接している（つまり、当該高分子は
基板表面と化学結合していない。）のみであり、基板面
を清浄にするために、例えばその表面を溶剤で拭くと、
それによって当該高分子層が除去され、帯電防止効果が
低下するという問題が指摘されている。従って、本発明
の目的は、湿度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性
に優れ且つ導電性及び透明性に優れた帯電防止膜の形成
方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は基板上に、湿度
依存性を受けなく、且つ基板と化学結合をする電子伝導
性の薄膜層を形成したものである。即ち、本発明は、π
共役系を形成し得る複素環化構造を少なくとも１以上含
む重合性部分、或いは複素環化構造を有し且つπ共役結
合を形成している分子群（Ｉ）と親水基に化学結合する
結合基（II）とを有する化合物(III）を、親水基を有す
る基板面に上記結合基（II）を介して結合させ、上記基
板面にπ共役系ポリマー薄膜層を形成させることを特徴
とする帯電防止膜の形成方法を提供することにより上記
目的を達成したものである。また、本発明の帯電防止膜
の形成方法は、帯電防止を必要とする種々の技術分野で
使用できるが、本発明の帯電防止膜の形成方法により形
成された薄膜は光透過性に優れていることから、特に光
磁気記録媒体の保護膜の形成に有用である。
依存性を受けなく、且つ基板と化学結合をする電子伝導
性の薄膜層を形成したものである。即ち、本発明は、π
共役系を形成し得る複素環化構造を少なくとも１以上含
む重合性部分、或いは複素環化構造を有し且つπ共役結
合を形成している分子群（Ｉ）と親水基に化学結合する
結合基（II）とを有する化合物(III）を、親水基を有す
る基板面に上記結合基（II）を介して結合させ、上記基
板面にπ共役系ポリマー薄膜層を形成させることを特徴
とする帯電防止膜の形成方法を提供することにより上記
目的を達成したものである。また、本発明の帯電防止膜
の形成方法は、帯電防止を必要とする種々の技術分野で
使用できるが、本発明の帯電防止膜の形成方法により形
成された薄膜は光透過性に優れていることから、特に光
磁気記録媒体の保護膜の形成に有用である。
【０００５】本発明に係る帯電防止膜の形成方法におい
て、π共役系ポリマー薄膜層はπ共役系を形成し得る複
素環化構造を少なくとも１以上含む重合成分、又は複素
環化構造を有し且つπ共役結合を形成している分子群
（Ｉ）と親水基に化学結合する結合基（II）とを有する
化合物(III）からなる。上記化合物(III）の重合成分
（Ｉ）は、π共役系を形成し得る複素環化構造が少なく
とも１以上含まれ、また、π共役結合を形成している分
子群（Ｉ）も複素環構造を有し、その構造は複素環化合
物（ヘテロサイクリックコンパンド）または複素環化合
物誘導体である。複素環化構造は、単環構造でもよく
（但し、帯電防止膜形成に際しては重合させることが必
要。）、また多環構造でもよい（但し、帯電防止膜形成
に際しては更にこれを重合させなくても良い。）。ま
た、多環構造では、同一又は他の環状構造物（一般的な
ベンゼン核等の環式炭化水素を含む。）のものと環集合
構造、縮合多環構造、スピロ環構造等でもよく、特に、
π共役系を形成し得る複素環が２量体以上でオリゴマー
的に環集合構造となっているものが望ましく、環集合構
造の環数は２〜２０個、特に３〜１０個の範囲であるこ
とが望ましい。上記π共役系を形成し得る複素環化合物
としては、例えばピロール、チオフェン、フラン、セレ
ノフェン、ピペラジン等、又はこれらの誘導体、置換体
等であり、特に、重合性、導電性を考慮すると、望まし
くは複素五員環のピロール、チオフェン等がよい。
て、π共役系ポリマー薄膜層はπ共役系を形成し得る複
素環化構造を少なくとも１以上含む重合成分、又は複素
環化構造を有し且つπ共役結合を形成している分子群
（Ｉ）と親水基に化学結合する結合基（II）とを有する
化合物(III）からなる。上記化合物(III）の重合成分
（Ｉ）は、π共役系を形成し得る複素環化構造が少なく
とも１以上含まれ、また、π共役結合を形成している分
子群（Ｉ）も複素環構造を有し、その構造は複素環化合
物（ヘテロサイクリックコンパンド）または複素環化合
物誘導体である。複素環化構造は、単環構造でもよく
（但し、帯電防止膜形成に際しては重合させることが必
要。）、また多環構造でもよい（但し、帯電防止膜形成
に際しては更にこれを重合させなくても良い。）。ま
た、多環構造では、同一又は他の環状構造物（一般的な
ベンゼン核等の環式炭化水素を含む。）のものと環集合
構造、縮合多環構造、スピロ環構造等でもよく、特に、
π共役系を形成し得る複素環が２量体以上でオリゴマー
的に環集合構造となっているものが望ましく、環集合構
造の環数は２〜２０個、特に３〜１０個の範囲であるこ
とが望ましい。上記π共役系を形成し得る複素環化合物
としては、例えばピロール、チオフェン、フラン、セレ
ノフェン、ピペラジン等、又はこれらの誘導体、置換体
等であり、特に、重合性、導電性を考慮すると、望まし
くは複素五員環のピロール、チオフェン等がよい。
【０００６】上記化合物(III）の親水基に化学結合する
結合基（II）は、基板の親水基、例えば−ＯＨ、−ＣＯ
ＯＨ、−ＮＨ、−ＮＨ2 等と化学結合を形成する基であ
り、シランカップリング基、チタンカップリング基等が
望ましい。シランカップリング基としては、下記〔化
５〕で、そのＸ、Ｙ、Ｚの少なくとも１以上がＣｌ、Ｏ
ＣＨ3 、ＯＣ2 Ｈ5 であり、反応性を考慮すると、Ｘ、
Ｙ、Ｚの全てが同じでＣｌであることが望ましい。尚、
Ｘ、Ｙ、Ｚが上記反応物以外である場合は、水素、炭化
水素等を挙げることができるが、特に制限されるもので
はない。
結合基（II）は、基板の親水基、例えば−ＯＨ、−ＣＯ
ＯＨ、−ＮＨ、−ＮＨ2 等と化学結合を形成する基であ
り、シランカップリング基、チタンカップリング基等が
望ましい。シランカップリング基としては、下記〔化
５〕で、そのＸ、Ｙ、Ｚの少なくとも１以上がＣｌ、Ｏ
ＣＨ3 、ＯＣ2 Ｈ5 であり、反応性を考慮すると、Ｘ、
Ｙ、Ｚの全てが同じでＣｌであることが望ましい。尚、
Ｘ、Ｙ、Ｚが上記反応物以外である場合は、水素、炭化
水素等を挙げることができるが、特に制限されるもので
はない。
【化５】
【０００７】従って、上記単環構造の重合成分（Ｉ）を
有する化合物(III）としては、〔化６〕及び〔化７〕に
挙げるものが望ましい。
有する化合物(III）としては、〔化６〕及び〔化７〕に
挙げるものが望ましい。
【０００８】
【化６】
【０００９】
【化７】
【００１０】また、上記多環構造の重合成分（Ｉ）を有
する化合物(III）としては、〔化８〕に挙げるものが望
ましい。
する化合物(III）としては、〔化８〕に挙げるものが望
ましい。
【００１１】
【化８】
【００１２】尚、上記〔化６〕乃至〔化８〕の化合物に
おいて、ＡはＮ、Ｓ、Ｏの内から選択されるものであ
り、Ｒ1 は炭素数が０〜２０の炭化水素、或いは炭化水
素鎖中にエーテル、エステル結合を有するものであり、
Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、Ｈ、ＣＨ 3 、Ｃ2 Ｈ5 から選択さ
れるものであり、Ｘ、Ｙ、Ｚの少なくとも１つがＣｌ、
ＯＣＨ3 、ＯＣ2 Ｈ5 から選択されるものであり、ｎ
は、２〜２０の範囲にある。また、Ｒ1 の炭素数は０〜
２０以下であるが、特に結合基（II）を基板に結合させ
たときに、化合物(III）を基板に対してより垂直配向さ
せるために直鎖で２〜１０であることが望ましい。
おいて、ＡはＮ、Ｓ、Ｏの内から選択されるものであ
り、Ｒ1 は炭素数が０〜２０の炭化水素、或いは炭化水
素鎖中にエーテル、エステル結合を有するものであり、
Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、Ｈ、ＣＨ 3 、Ｃ2 Ｈ5 から選択さ
れるものであり、Ｘ、Ｙ、Ｚの少なくとも１つがＣｌ、
ＯＣＨ3 、ＯＣ2 Ｈ5 から選択されるものであり、ｎ
は、２〜２０の範囲にある。また、Ｒ1 の炭素数は０〜
２０以下であるが、特に結合基（II）を基板に結合させ
たときに、化合物(III）を基板に対してより垂直配向さ
せるために直鎖で２〜１０であることが望ましい。
【００１３】上記基板に使用される基材としては、特に
制限されるものではなく、一般的に用いられるガラス、
アクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂
等が挙げられる。また、疎水基板の表面は親水基を多く
するため、親水化処理（例えば、オゾン処理、プラズマ
処理、コロナ放電処理等。）してあることが上記薄膜層
を形成するには有効である。
制限されるものではなく、一般的に用いられるガラス、
アクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂
等が挙げられる。また、疎水基板の表面は親水基を多く
するため、親水化処理（例えば、オゾン処理、プラズマ
処理、コロナ放電処理等。）してあることが上記薄膜層
を形成するには有効である。
【００１４】上記基板等に化合物(III）を処理する場
合、気相処理、溶液処理等に特に限定されない。例え
ば、化合物(III）は非含水溶媒、具体的にｎ−ヘキサデ
カン、ビシクロヘキシル、四塩化炭素、クロロホルム或
いはこれらの混合物等の溶液に溶解され、ガラスのよう
な親水性の基板あるいはプラズマ、オゾン処理等により
表面を親水化した基板が化合物(III）の溶液に浸漬され
る。図１に示す如く、化合物(III）は基板１に単分子的
に吸着され基板１の親水基に結合する。次に、図１に示
す如く、基板上に吸着させた各々の化合物(III）ユニッ
トは、重合部分（Ｉ）を有するものは互いに重合させて
より長いπ共役系を形成させることができる。その重合
方法は、特に制限されないが、酸化剤を用いる方法、或
いは紫外線、電子線等の放射線を用いる手法等が挙げら
れる。また放射線重合した場合は、表面に形成した導電
性高分子はニュートラル状態であるので、ヨウ素等でド
ーピング処理を行うことが望ましい。尚、光ディスクの
処理をおこなう場合は、基板に記録層を成膜後、記録層
の腐食防止のためにこの上に保護膜を形成し、更に当該
保護膜上に、本発明による処理を行うことができる。処
理面は主としてピックアップサイドであるが、全面処理
してもさしつかえない。また、カートリッジ等に挿入し
て使用する場合はカートリッジに本処理を行ってもよ
い。また、導電性がいくらか低下するが、耐久性向上の
ために本処理後、コーティング剤等で処理しても差し支
えない。
合、気相処理、溶液処理等に特に限定されない。例え
ば、化合物(III）は非含水溶媒、具体的にｎ−ヘキサデ
カン、ビシクロヘキシル、四塩化炭素、クロロホルム或
いはこれらの混合物等の溶液に溶解され、ガラスのよう
な親水性の基板あるいはプラズマ、オゾン処理等により
表面を親水化した基板が化合物(III）の溶液に浸漬され
る。図１に示す如く、化合物(III）は基板１に単分子的
に吸着され基板１の親水基に結合する。次に、図１に示
す如く、基板上に吸着させた各々の化合物(III）ユニッ
トは、重合部分（Ｉ）を有するものは互いに重合させて
より長いπ共役系を形成させることができる。その重合
方法は、特に制限されないが、酸化剤を用いる方法、或
いは紫外線、電子線等の放射線を用いる手法等が挙げら
れる。また放射線重合した場合は、表面に形成した導電
性高分子はニュートラル状態であるので、ヨウ素等でド
ーピング処理を行うことが望ましい。尚、光ディスクの
処理をおこなう場合は、基板に記録層を成膜後、記録層
の腐食防止のためにこの上に保護膜を形成し、更に当該
保護膜上に、本発明による処理を行うことができる。処
理面は主としてピックアップサイドであるが、全面処理
してもさしつかえない。また、カートリッジ等に挿入し
て使用する場合はカートリッジに本処理を行ってもよ
い。また、導電性がいくらか低下するが、耐久性向上の
ために本処理後、コーティング剤等で処理しても差し支
えない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。尚、本発明は
以下の実施例に限るものではない。 （実施例１）まず、〔化９〕の化合物を脱水したｎ−ヘ
キサデカン８０ｗ％及びクロロホルム２０ｗ％混合液中
に０．０１ｍｏｌ／ｌ溶解させる（溶液１）。次にドラ
イエアー中で、エタノール中で超音波洗浄したガラス基
板を溶液１中に約３０分浸漬する。次にガラス基板を引
き上げクロロホルム中で洗浄し、乾燥後続いて０．０５
ｍｏｌ／ｌのＦｅＣｌ3 水溶液中に６０分間浸漬し、次
に純水で充分洗浄後、８０℃で１時間加熱する。
以下の実施例に限るものではない。 （実施例１）まず、〔化９〕の化合物を脱水したｎ−ヘ
キサデカン８０ｗ％及びクロロホルム２０ｗ％混合液中
に０．０１ｍｏｌ／ｌ溶解させる（溶液１）。次にドラ
イエアー中で、エタノール中で超音波洗浄したガラス基
板を溶液１中に約３０分浸漬する。次にガラス基板を引
き上げクロロホルム中で洗浄し、乾燥後続いて０．０５
ｍｏｌ／ｌのＦｅＣｌ3 水溶液中に６０分間浸漬し、次
に純水で充分洗浄後、８０℃で１時間加熱する。
【化９】
【００１６】（実施例２）ポリカーボネート基板に日本
化薬（株）ＩＮＣ−９４４を約５μｍコートし、高圧水
銀ランプにより硬化した（照射量１６００ｍｊ／c
m2 ）。次に基板表面を、（株）オーク製作所製ＵＶド
ライプロセッサーＶＵＭ−３０７３−Ｂにより１０分間
オゾン処理し、表面を親水化した。本基板（実施例２基
板）を実施例１と同様の処理をおこなう。実施例１、２
の評価結果を表１に示す。 表１；評価結果（１）
化薬（株）ＩＮＣ−９４４を約５μｍコートし、高圧水
銀ランプにより硬化した（照射量１６００ｍｊ／c
m2 ）。次に基板表面を、（株）オーク製作所製ＵＶド
ライプロセッサーＶＵＭ−３０７３−Ｂにより１０分間
オゾン処理し、表面を親水化した。本基板（実施例２基
板）を実施例１と同様の処理をおこなう。実施例１、２
の評価結果を表１に示す。 表１；評価結果（１）
【００１７】
【表１】
【００１８】〔測定条件〕 表面抵抗：印加電圧５００Ｖ（ＤＣ）、リング電極（Ｊ
ＩＳ−６９１１）環境；２３℃、３０％ＲＨ ＥｔＯＨ拭き取り試験はＥｔＯＨを染み込ませた布で表
面を約１００回拭き取った後の値。 光透過率：８３０ｎｍ 基準は各々の処理前の透過率。 本結果のように、透明かつ導電性発現を実現できた。ま
た、光磁気ディスクに本処理をおこなった例を実施例３
に示す。
ＩＳ−６９１１）環境；２３℃、３０％ＲＨ ＥｔＯＨ拭き取り試験はＥｔＯＨを染み込ませた布で表
面を約１００回拭き取った後の値。 光透過率：８３０ｎｍ 基準は各々の処理前の透過率。 本結果のように、透明かつ導電性発現を実現できた。ま
た、光磁気ディスクに本処理をおこなった例を実施例３
に示す。
【００１９】（実施例３）光磁気ディスク用３．５イン
チポリカーボネートに記録層（４層）成膜し、その後記
録面側に大日本インキ化学工業（株）製ＳＤ３０１を約
８μｍ、ピックアップサイドにＩＮＣ−９４４を約５μ
ｍコートした。次にディスク表面を、（株）オーク製作
所製ＵＶドライプロセッサーＶＵＭ−３０７３−Ｂによ
り１０分間オゾン処理し、表面を親水化した。本ディス
クを実施例１と同様の処理をおこなう。本処理をおこな
った前後でＣ／Ｎ、感度の変化はみられなかった。ま
た、本発明のディスクを約１ヵ月オフィス環境で使用
し、その後ダートチャンバー試験（ＡＳＴＭ Ｄ２７４
１−６８）をおこない、エラーレートを測定したとこ
ろ、値は全く変化しなかったが、未処理ディスクではエ
ラーレートが約１０００倍になった。
チポリカーボネートに記録層（４層）成膜し、その後記
録面側に大日本インキ化学工業（株）製ＳＤ３０１を約
８μｍ、ピックアップサイドにＩＮＣ−９４４を約５μ
ｍコートした。次にディスク表面を、（株）オーク製作
所製ＵＶドライプロセッサーＶＵＭ−３０７３−Ｂによ
り１０分間オゾン処理し、表面を親水化した。本ディス
クを実施例１と同様の処理をおこなう。本処理をおこな
った前後でＣ／Ｎ、感度の変化はみられなかった。ま
た、本発明のディスクを約１ヵ月オフィス環境で使用
し、その後ダートチャンバー試験（ＡＳＴＭ Ｄ２７４
１−６８）をおこない、エラーレートを測定したとこ
ろ、値は全く変化しなかったが、未処理ディスクではエ
ラーレートが約１０００倍になった。
【００２０】（実施例４）先ず、〔化１０〕の化合物を
脱水したｎ−ヘキサデカン８０ｗ％及びクロロホルム２
０ｗ％混合液中に０．０１ｍｏｌ／ｌ溶解させる（溶液
２）。次に、実施例１と同様な条件のもとでガラス基板
に薄膜層を形成し、ヨウ素蒸気中に約１０分間放置して
ドーピング処理をした。
脱水したｎ−ヘキサデカン８０ｗ％及びクロロホルム２
０ｗ％混合液中に０．０１ｍｏｌ／ｌ溶解させる（溶液
２）。次に、実施例１と同様な条件のもとでガラス基板
に薄膜層を形成し、ヨウ素蒸気中に約１０分間放置して
ドーピング処理をした。
【化１０】
【００２１】（実施例５）実施例４の化合物(III）を用
いた以外は、実施例２と同様な処理を行っい、その評価
を行った。実施例４、５の評価結果を表２に示す。
いた以外は、実施例２と同様な処理を行っい、その評価
を行った。実施例４、５の評価結果を表２に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】本結果のように、透明かつ導電性発現を実
現できた。また、光磁気ディスクに本処理をおこなった
例を実施例６に示す。 （実施例６）実施例４の化合物(III）を用いた以外は、
実施例２と同様な処理により、本発明に係る光ディスク
を作製した。本発明のディスクを約１ヵ月オフィス環境
で使用し、その後ダートチャンバー試験（ＡＳＴＭ Ｄ
２７４１−６８）をおこない、エラーレートを測定した
ところ、値は全く変化しなかったが、未処理の比較ディ
スクではエラーレートが約１０００倍になった。
現できた。また、光磁気ディスクに本処理をおこなった
例を実施例６に示す。 （実施例６）実施例４の化合物(III）を用いた以外は、
実施例２と同様な処理により、本発明に係る光ディスク
を作製した。本発明のディスクを約１ヵ月オフィス環境
で使用し、その後ダートチャンバー試験（ＡＳＴＭ Ｄ
２７４１−６８）をおこない、エラーレートを測定した
ところ、値は全く変化しなかったが、未処理の比較ディ
スクではエラーレートが約１０００倍になった。
【００２４】
【発明の効果】本発明の帯電防止膜の形成方法では、湿
度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性に優れ且つ導
電性及び透明性に優れた帯電防止膜ができる。
度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性に優れ且つ導
電性及び透明性に優れた帯電防止膜ができる。
【図１】本発明に係る帯電防止膜の形成方法の基板上の
薄層膜形成過程を示した説明図である。
薄層膜形成過程を示した説明図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３６ Ｚ 7215−5Ｄ
Claims (3)
- 【請求項１】 π共役系を形成し得る複素環化構造を少
なくとも１以上含む重合性部分、或いは複素環化構造を
有し且つπ共役結合を形成している分子群（Ｉ）と親水
基に化学結合する結合基（II）とを有する化合物(III）
を、親水基を有する基板面に上記結合基（II）を介して
結合させ、上記基板面にπ共役系ポリマー薄膜層を形成
させることを特徴とする帯電防止膜の形成方法。 - 【請求項２】 上記（Ｉ）が複素環化合物または複素環
化合物誘導体であり、上記結合基（II）が下記〔化１〕
であることを特徴とする請求項１記載の帯電防止膜の形
成方法。 【化１】 （尚、Ｘ、Ｙ、Ｚの少なくとも１つがＣｌ、ＯＣＨ3 、
ＯＣ2 Ｈ5 から選択されるものである。） - 【請求項３】 上記化合物(III）の構造が下記〔化２〕
乃至〔化４〕から選ばれたものであることを特徴とする
請求項２記載の帯電防止膜の形成方法。 【化２】 【化３】 【化４】 （尚、ＡはＮ、Ｓ、Ｏの内から選択されるものであり、
Ｒ1 は炭素数が０〜２０の炭化水素、或いは炭化水素鎖
中にエーテル、エステル結合が含まれたものであり、Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、Ｈ、ＣＨ3 、Ｃ2 Ｈ5 から選択され
るものであり、Ｘ、Ｙ、Ｚの少なくとも１つがＣｌ、Ｏ
ＣＨ3 、ＯＣ2 Ｈ5 から選択されるものであり、ｎは、
２〜２０の範囲にある。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4295984A JPH06145384A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 帯電防止膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4295984A JPH06145384A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 帯電防止膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06145384A true JPH06145384A (ja) | 1994-05-24 |
Family
ID=17827636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4295984A Pending JPH06145384A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 帯電防止膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06145384A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000052495A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-02-22 | Teijin Ltd | 離形フィルム |
| WO2004085515A1 (ja) * | 2003-02-25 | 2004-10-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | 機能性有機薄膜、有機薄膜トランジスタ、π電子共役系分子含有ケイ素化合物及びそれらの製造方法 |
| JP2004277413A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-10-07 | Sharp Corp | π電子共役系分子含有ケイ素化合物及びその製造方法 |
| JP2005039222A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-02-10 | Sharp Corp | 機能性有機薄膜、有機薄膜トランジスタ及びそれらの製造方法 |
| JP2005281243A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Sharp Corp | オリゴチオフェン化合物及びその製造方法 |
| KR100894660B1 (ko) * | 2004-02-13 | 2009-04-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 용량형 센서 |
-
1992
- 1992-11-05 JP JP4295984A patent/JPH06145384A/ja active Pending
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| KR100894660B1 (ko) * | 2004-02-13 | 2009-04-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 용량형 센서 |
| JP2005281243A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Sharp Corp | オリゴチオフェン化合物及びその製造方法 |
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