JPH06145652A - 帯電防止膜の形成方法 - Google Patents
帯電防止膜の形成方法Info
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- JPH06145652A JPH06145652A JP29598592A JP29598592A JPH06145652A JP H06145652 A JPH06145652 A JP H06145652A JP 29598592 A JP29598592 A JP 29598592A JP 29598592 A JP29598592 A JP 29598592A JP H06145652 A JPH06145652 A JP H06145652A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 湿度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性
に優れ且つ導電性及び透明性に優れた帯電防止膜の形成
方法を提供すること。 【構成】 本発明は、π共役系を形成し得る環式炭化水
素構造を少なくとも１以上含む重合性部分、或いは環式
炭化水素構造を有し且つπ共役結合を形成している分子
群（Ｉ）と親水基に化学結合する結合基（II）とを有す
る化合物(III）を、親水基を有する基板面に上記結合基
（II）を介して結合させ、上記基板面にπ共役系ポリマ
ー薄膜層を形成させることを特徴とする帯電防止膜の形
成方法である。
に優れ且つ導電性及び透明性に優れた帯電防止膜の形成
方法を提供すること。 【構成】 本発明は、π共役系を形成し得る環式炭化水
素構造を少なくとも１以上含む重合性部分、或いは環式
炭化水素構造を有し且つπ共役結合を形成している分子
群（Ｉ）と親水基に化学結合する結合基（II）とを有す
る化合物(III）を、親水基を有する基板面に上記結合基
（II）を介して結合させ、上記基板面にπ共役系ポリマ
ー薄膜層を形成させることを特徴とする帯電防止膜の形
成方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、帯電防止膜の形成方法
に関するものであり、より詳しくは、基板面の光透過性
を損なうことなく、基板面に強固に固着する帯電防止膜
の形成方法に関する。
に関するものであり、より詳しくは、基板面の光透過性
を損なうことなく、基板面に強固に固着する帯電防止膜
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に光記録媒体の基板、レンズ等の光
学基板（又は基材）には硝子やプラスチックス等が用い
られ、特に、成形性、透明性の両特性が要求されること
から、ポリカーボネイト、ポリメチルメタクリレート系
の材料が多く用いられている。しかし、このような材料
は高い絶縁性を示すため帯電し易く、保存あるいは使用
中に表面に多量の塵埃が付着する。特に、それらを用い
た光記録媒体は記録の読み出し、書き込み等においてエ
ラーを発生するといった問題があった。このような対策
として基板表面を導電化処理することが必要であり、種
々の提案がなされている。例えば、(1) プラスチックス
に導電性フィラー（カーボンブラック等）を添加する方
法、(2) プラスチックスに界面活性剤を添加する方法、
(3) プラスチックスや硝子表面に導電性高分子の膜を形
成する方法などである。
学基板（又は基材）には硝子やプラスチックス等が用い
られ、特に、成形性、透明性の両特性が要求されること
から、ポリカーボネイト、ポリメチルメタクリレート系
の材料が多く用いられている。しかし、このような材料
は高い絶縁性を示すため帯電し易く、保存あるいは使用
中に表面に多量の塵埃が付着する。特に、それらを用い
た光記録媒体は記録の読み出し、書き込み等においてエ
ラーを発生するといった問題があった。このような対策
として基板表面を導電化処理することが必要であり、種
々の提案がなされている。例えば、(1) プラスチックス
に導電性フィラー（カーボンブラック等）を添加する方
法、(2) プラスチックスに界面活性剤を添加する方法、
(3) プラスチックスや硝子表面に導電性高分子の膜を形
成する方法などである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フィラーを添加する手法(1) は、プラスチックスの強度
や硬度の低下する傾向が見られ、プラスチックス自体が
黒色になるため、透明性が要求される用途には使用が困
難であった。また、界面活性剤を添加する方法(2) は、
帯電が最も生じ易い低湿度において、帯電防止効果が低
下する傾向が見られ、且つ界面活性剤がプラスチックス
表面にブリードし易く、そのため帯電防止能が失活する
という問題があった。更に、従来の導電性高分子膜の形
成方法(3) では、導電性高分子層は硝子やプラスチック
ス等の基板面に単に接している（つまり、当該高分子は
基板表面と化学結合していない。）のみであり、基板面
を清浄にするために、例えばその表面を溶剤で拭くと、
それによって当該高分子層が除去され、帯電防止効果が
低下するという問題が指摘されている。従って、本発明
の目的は、湿度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性
に優れ且つ導電性及び透明性に優れた帯電防止膜の形成
方法を提供することにある。
フィラーを添加する手法(1) は、プラスチックスの強度
や硬度の低下する傾向が見られ、プラスチックス自体が
黒色になるため、透明性が要求される用途には使用が困
難であった。また、界面活性剤を添加する方法(2) は、
帯電が最も生じ易い低湿度において、帯電防止効果が低
下する傾向が見られ、且つ界面活性剤がプラスチックス
表面にブリードし易く、そのため帯電防止能が失活する
という問題があった。更に、従来の導電性高分子膜の形
成方法(3) では、導電性高分子層は硝子やプラスチック
ス等の基板面に単に接している（つまり、当該高分子は
基板表面と化学結合していない。）のみであり、基板面
を清浄にするために、例えばその表面を溶剤で拭くと、
それによって当該高分子層が除去され、帯電防止効果が
低下するという問題が指摘されている。従って、本発明
の目的は、湿度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性
に優れ且つ導電性及び透明性に優れた帯電防止膜の形成
方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は基板上に、湿度
依存性を受けなく、且つ基板と化学結合をする電子伝導
性の薄膜層を形成したものである。即ち、本発明は、π
共役系を形成し得る環式炭化水素構造を少なくとも１以
上含む重合性部分、或いは環式炭化水素構造を有し且つ
π共役結合を形成している分子群（Ｉ）と親水基に化学
結合する結合基（II）とを有する化合物(III）を、親水
基を有する基板面に上記結合基（II）を介して結合さ
せ、上記基板面にπ共役系ポリマー薄膜層を形成させる
ことを特徴とする帯電防止膜の形成方法を提供すること
により上記目的を達成したものである。また、本発明の
帯電防止膜の形成方法は、帯電防止を必要とする種々の
技術分野で使用できるが、本発明の帯電防止膜の形成方
法により形成された薄膜は光透過性に優れていることか
ら、特に光磁気記録媒体の保護膜の形成に有用である。
依存性を受けなく、且つ基板と化学結合をする電子伝導
性の薄膜層を形成したものである。即ち、本発明は、π
共役系を形成し得る環式炭化水素構造を少なくとも１以
上含む重合性部分、或いは環式炭化水素構造を有し且つ
π共役結合を形成している分子群（Ｉ）と親水基に化学
結合する結合基（II）とを有する化合物(III）を、親水
基を有する基板面に上記結合基（II）を介して結合さ
せ、上記基板面にπ共役系ポリマー薄膜層を形成させる
ことを特徴とする帯電防止膜の形成方法を提供すること
により上記目的を達成したものである。また、本発明の
帯電防止膜の形成方法は、帯電防止を必要とする種々の
技術分野で使用できるが、本発明の帯電防止膜の形成方
法により形成された薄膜は光透過性に優れていることか
ら、特に光磁気記録媒体の保護膜の形成に有用である。
【０００５】本発明に係る帯電防止膜の形成方法におい
て、π共役系ポリマー薄膜層はπ共役系を形成し得る環
式炭化水素構造を少なくとも１以上含む重合成分、又は
環式炭化水素構造を有し且つπ共役結合を形成している
分子群（Ｉ）と親水基に化学結合する結合基（II）とを
有する化合物(III）からなる。上記化合物(III）の重合
成分（Ｉ）は、π共役系を形成し得る環式炭化水素構造
が少なくとも１以上含まれ、またπ共役結合を形成して
いる分子群（Ｉ）は環式炭化水素構造を有し、それらの
構造は環式炭化水素化合物または環式炭化水素化合物誘
導体である。環式炭化水素構造は、単環式炭化水素構造
でもよく、また多環式炭化水素構造でもよい。また、多
環式炭化水素構造では、同一又は他の環状構造物（ヘテ
ロサイクリックコンパンドを含んでもよい。）のものと
環集合構造、縮合多環構造、スピロ環構造等でもよく、
特に、π共役系を形成し得る環式炭化水素が２量体以上
で環集合構造或いは縮合多環構造となっているものが望
ましく、環集合構造の環数は２〜２０個、特に３〜１０
個の範囲であることが望ましく、縮合多環構造は２〜２
０個であることが望ましい。上記π共役系を形成し得る
環式炭化水素化合物としては、例えばベンゼン、ナフタ
レン、インデン、アントラセン、フェナントレン、フェ
ナレン等、又はこれらの誘導体、置換体等であり、特
に、導電性を考慮すると、望ましくはベンゼン、ナフタ
レン、アントラセン、又は環集合体のクウォーターフェ
ニル等がよい。
て、π共役系ポリマー薄膜層はπ共役系を形成し得る環
式炭化水素構造を少なくとも１以上含む重合成分、又は
環式炭化水素構造を有し且つπ共役結合を形成している
分子群（Ｉ）と親水基に化学結合する結合基（II）とを
有する化合物(III）からなる。上記化合物(III）の重合
成分（Ｉ）は、π共役系を形成し得る環式炭化水素構造
が少なくとも１以上含まれ、またπ共役結合を形成して
いる分子群（Ｉ）は環式炭化水素構造を有し、それらの
構造は環式炭化水素化合物または環式炭化水素化合物誘
導体である。環式炭化水素構造は、単環式炭化水素構造
でもよく、また多環式炭化水素構造でもよい。また、多
環式炭化水素構造では、同一又は他の環状構造物（ヘテ
ロサイクリックコンパンドを含んでもよい。）のものと
環集合構造、縮合多環構造、スピロ環構造等でもよく、
特に、π共役系を形成し得る環式炭化水素が２量体以上
で環集合構造或いは縮合多環構造となっているものが望
ましく、環集合構造の環数は２〜２０個、特に３〜１０
個の範囲であることが望ましく、縮合多環構造は２〜２
０個であることが望ましい。上記π共役系を形成し得る
環式炭化水素化合物としては、例えばベンゼン、ナフタ
レン、インデン、アントラセン、フェナントレン、フェ
ナレン等、又はこれらの誘導体、置換体等であり、特
に、導電性を考慮すると、望ましくはベンゼン、ナフタ
レン、アントラセン、又は環集合体のクウォーターフェ
ニル等がよい。
【０００６】上記化合物(III）の親水基に化学結合する
結合基（II）は、基板の親水基、例えば−ＯＨ、−ＣＯ
ＯＨ、−ＮＨ、−ＮＨ2 等と化学結合を形成する基であ
り、シランカップリング基、チタンカップリング基等が
望ましい。シランカップリング基としては、下記〔化
５〕で、そのＸ、Ｙ、Ｚの少なくとも１以上がＣｌ、Ｏ
ＣＨ3 、ＯＣ2 Ｈ5 であり、反応性を考慮すると、Ｘ、
Ｙ、Ｚの全てが同じでＣｌであることが望ましい。
結合基（II）は、基板の親水基、例えば−ＯＨ、−ＣＯ
ＯＨ、−ＮＨ、−ＮＨ2 等と化学結合を形成する基であ
り、シランカップリング基、チタンカップリング基等が
望ましい。シランカップリング基としては、下記〔化
５〕で、そのＸ、Ｙ、Ｚの少なくとも１以上がＣｌ、Ｏ
ＣＨ3 、ＯＣ2 Ｈ5 であり、反応性を考慮すると、Ｘ、
Ｙ、Ｚの全てが同じでＣｌであることが望ましい。
【化５】
【０００７】従って、上記単環式炭化水素構造の重合成
分（Ｉ）を有する化合物(III）としては、〔化６〕に挙
げるものが望ましい。
分（Ｉ）を有する化合物(III）としては、〔化６〕に挙
げるものが望ましい。
【０００８】
【化６】
【０００９】また、上記多環式炭化水素構造の重合成分
（Ｉ）を有する化合物(III）としては、〔化７〕及び
〔化８〕に挙げるものが望ましい。
（Ｉ）を有する化合物(III）としては、〔化７〕及び
〔化８〕に挙げるものが望ましい。
【００１０】
【化７】
【００１１】
【化８】
【００１２】尚、上記〔化６〕乃至〔化８〕の化合物に
おいて、Ｒ1 は炭素数が０〜２０の炭化水素、或いは炭
化水素鎖中にエーテル、エステル結合が含まれたもので
あり、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、Ｈ、ＣＨ3 、
Ｃ2 Ｈ5 から選択されるものであり、Ｘ、Ｙ、Ｚの少な
くとも１つがＣｌ、ＯＣＨ3 、ＯＣ2 Ｈ5 から選択され
るものであり、ｎは、２〜２０の範囲にある。また、Ｒ
1 の炭素数は０〜２０以下であるが、特に結合基（II）
を基板に結合させたときに、化合物(III）を基板に対し
てより垂直配向させるために直鎖で２〜１０であること
が望ましい。
おいて、Ｒ1 は炭素数が０〜２０の炭化水素、或いは炭
化水素鎖中にエーテル、エステル結合が含まれたもので
あり、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、Ｈ、ＣＨ3 、
Ｃ2 Ｈ5 から選択されるものであり、Ｘ、Ｙ、Ｚの少な
くとも１つがＣｌ、ＯＣＨ3 、ＯＣ2 Ｈ5 から選択され
るものであり、ｎは、２〜２０の範囲にある。また、Ｒ
1 の炭素数は０〜２０以下であるが、特に結合基（II）
を基板に結合させたときに、化合物(III）を基板に対し
てより垂直配向させるために直鎖で２〜１０であること
が望ましい。
【００１３】上記基板に使用される基材としては、特に
制限されるものではなく、一般的に用いられるガラス、
アクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂
等が挙げられる。また、疎水基板の表面は親水基を多く
するため、親水化処理（例えば、オゾン処理、プラズマ
処理、コロナ放電処理等。）してあることが上記薄膜層
を形成するには有効である。
制限されるものではなく、一般的に用いられるガラス、
アクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂
等が挙げられる。また、疎水基板の表面は親水基を多く
するため、親水化処理（例えば、オゾン処理、プラズマ
処理、コロナ放電処理等。）してあることが上記薄膜層
を形成するには有効である。
【００１４】上記基板等に化合物(III）を処理する場
合、気相処理、溶液処理等に特に限定されない。例え
ば、化合物(III）は非含水溶媒、具体的にｎ−ヘキサデ
カン、ビシクロヘキシル、四塩化炭素、クロロホルム或
いはこれらの混合物等の溶液に溶解され、ガラスのよう
な親水性の基板あるいはプラズマ、オゾン処理等により
表面を親水化した基板が化合物(III）の溶液に浸漬され
る。化合物(III）は基板に単分子的に吸着され基板の親
水基に結合する。次に、基板上に吸着させた各々の化合
物(III）ユニットは、重合部分（Ｉ）を有するものであ
れば互いに重合させてより強固にすることができる。そ
の重合方法は、特に制限されないが、酸化剤を用いる方
法、或いは紫外線、電子線等の放射線を用いる手法等が
挙げられる。また放射線重合した場合は、表面に形成し
た導電性高分子はニュートラル状態であるので、ヨウ素
等でドーピング処理を行うことが望ましい。尚、光ディ
スクの処理をおこなう場合は、基板に記録層を成膜後、
記録層の腐食防止のためにこの上に保護膜を形成し、更
に当該保護膜上に、本発明による処理を行うことができ
る。処理面は主としてピックアップサイドであるが、全
面処理してもさしつかえない。また、カートリッジ等に
挿入して使用する場合はカートリッジに本処理を行って
もよい。また、導電性がいくらか低下するが、耐久性向
上のために本処理後、コーティング剤等で処理しても差
し支えない。
合、気相処理、溶液処理等に特に限定されない。例え
ば、化合物(III）は非含水溶媒、具体的にｎ−ヘキサデ
カン、ビシクロヘキシル、四塩化炭素、クロロホルム或
いはこれらの混合物等の溶液に溶解され、ガラスのよう
な親水性の基板あるいはプラズマ、オゾン処理等により
表面を親水化した基板が化合物(III）の溶液に浸漬され
る。化合物(III）は基板に単分子的に吸着され基板の親
水基に結合する。次に、基板上に吸着させた各々の化合
物(III）ユニットは、重合部分（Ｉ）を有するものであ
れば互いに重合させてより強固にすることができる。そ
の重合方法は、特に制限されないが、酸化剤を用いる方
法、或いは紫外線、電子線等の放射線を用いる手法等が
挙げられる。また放射線重合した場合は、表面に形成し
た導電性高分子はニュートラル状態であるので、ヨウ素
等でドーピング処理を行うことが望ましい。尚、光ディ
スクの処理をおこなう場合は、基板に記録層を成膜後、
記録層の腐食防止のためにこの上に保護膜を形成し、更
に当該保護膜上に、本発明による処理を行うことができ
る。処理面は主としてピックアップサイドであるが、全
面処理してもさしつかえない。また、カートリッジ等に
挿入して使用する場合はカートリッジに本処理を行って
もよい。また、導電性がいくらか低下するが、耐久性向
上のために本処理後、コーティング剤等で処理しても差
し支えない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。尚、本発明は
以下の実施例に限るものではない。 （実施例１）まず、〔化９〕の化合物を脱水したｎ−ヘ
キサデカン８０ｗ％及びクロロホルム２０ｗ％混合液中
に０．０１ｍｏｌ／ｌ溶解させる（溶液１）。次にドラ
イエアー中で、エタノール中で超音波洗浄したガラス基
板を溶液１中に約３０分浸漬する。次にガラス基板を引
き上げクロロホルム中で洗浄し、乾燥後続いて０．１ｍ
ｏｌ／ｌのＦｅＣｌ3 （７０℃）水溶液中に６０分間浸
漬し、次に純水で充分洗浄後、８０℃で１時間加熱す
る。
以下の実施例に限るものではない。 （実施例１）まず、〔化９〕の化合物を脱水したｎ−ヘ
キサデカン８０ｗ％及びクロロホルム２０ｗ％混合液中
に０．０１ｍｏｌ／ｌ溶解させる（溶液１）。次にドラ
イエアー中で、エタノール中で超音波洗浄したガラス基
板を溶液１中に約３０分浸漬する。次にガラス基板を引
き上げクロロホルム中で洗浄し、乾燥後続いて０．１ｍ
ｏｌ／ｌのＦｅＣｌ3 （７０℃）水溶液中に６０分間浸
漬し、次に純水で充分洗浄後、８０℃で１時間加熱す
る。
【化９】
【００１６】（実施例２）ポリカーボネート基板に日本
化薬（株）ＩＮＣ−９４４を約５μｍコートし、高圧水
銀ランプにより硬化した（照射量１６００ｍｊ／c
m2 ）。次に基板表面を、（株）オーク製作所製ＵＶド
ライプロセッサーＶＵＭ−３０７３−Ｂにより１０分間
オゾン処理し、表面を親水化した。本基板（実施例２基
板）を実施例１と同様の処理をおこなう。実施例１、２
の評価結果を表１に示す。 表１；評価結果（１）
化薬（株）ＩＮＣ−９４４を約５μｍコートし、高圧水
銀ランプにより硬化した（照射量１６００ｍｊ／c
m2 ）。次に基板表面を、（株）オーク製作所製ＵＶド
ライプロセッサーＶＵＭ−３０７３−Ｂにより１０分間
オゾン処理し、表面を親水化した。本基板（実施例２基
板）を実施例１と同様の処理をおこなう。実施例１、２
の評価結果を表１に示す。 表１；評価結果（１）
【００１７】
【表１】
【００１８】〔測定条件〕 表面抵抗：印加電圧５００Ｖ（ＤＣ）、リング電極（Ｊ
ＩＳ−６９１１） 環境；２３℃、３０％ＲＨ ＥｔＯＨ拭き取り試験はＥｔＯＨを染み込ませた布で表
面を約１００回拭き取った後の値。 光透過率；８３０ｎｍ 基準は各々の処理前の透過率。 本結果のように、透明かつ導電性発現を実現できた。ま
た、光磁気ディスクに本処理をおこなった例を実施例３
に示す。
ＩＳ−６９１１） 環境；２３℃、３０％ＲＨ ＥｔＯＨ拭き取り試験はＥｔＯＨを染み込ませた布で表
面を約１００回拭き取った後の値。 光透過率；８３０ｎｍ 基準は各々の処理前の透過率。 本結果のように、透明かつ導電性発現を実現できた。ま
た、光磁気ディスクに本処理をおこなった例を実施例３
に示す。
【００１９】（実施例３）光磁気ディスク用３．５イン
チポリカーボネートに記録層（４層）成膜し、その後記
録面側に大日本インキ化学工業（株）製ＳＤ３０１を約
８μｍ、ピックアップサイドにＩＮＣ−９４４を約５μ
ｍコートした。次にディスク表面を、（株）オーク製作
所製ＵＶドライプロセッサーＶＵＭ−３０７３−Ｂによ
り１０分間オゾン処理し、表面を親水化した。本ディス
クを実施例１と同様の処理をおこなう。本処理をおこな
った前後でＣ／Ｎ、感度の変化はみられなかった。ま
た、本発明のディスクを約１ヵ月オフィス環境で使用
し、その後ダートチャンバー試験（ＡＳＴＭ Ｄ２７４
１−６８）をおこない、エラーレートを測定したとこ
ろ、値は全く変化しなかったが、未処理ディスクではエ
ラーレートが約１０００倍になった。
チポリカーボネートに記録層（４層）成膜し、その後記
録面側に大日本インキ化学工業（株）製ＳＤ３０１を約
８μｍ、ピックアップサイドにＩＮＣ−９４４を約５μ
ｍコートした。次にディスク表面を、（株）オーク製作
所製ＵＶドライプロセッサーＶＵＭ−３０７３−Ｂによ
り１０分間オゾン処理し、表面を親水化した。本ディス
クを実施例１と同様の処理をおこなう。本処理をおこな
った前後でＣ／Ｎ、感度の変化はみられなかった。ま
た、本発明のディスクを約１ヵ月オフィス環境で使用
し、その後ダートチャンバー試験（ＡＳＴＭ Ｄ２７４
１−６８）をおこない、エラーレートを測定したとこ
ろ、値は全く変化しなかったが、未処理ディスクではエ
ラーレートが約１０００倍になった。
【００２０】（実施例４）まず、〔化１０〕の化合物を
脱水したｎ−ヘキサデカン８０ｗ％及びクロロホルム２
０ｗ％混合液中に０．０１ｍｏｌ／ｌ溶解させる（溶液
２）。次にドライエアー中で、エタノール中で超音波洗
浄したガラス基板を溶液２中に約３０分浸漬する。次に
ガラス基板を引き上げクロロホルム中で洗浄し、続いて
ヨウ素雰囲気に１０分間放置してドーピング処理をし
た。
脱水したｎ−ヘキサデカン８０ｗ％及びクロロホルム２
０ｗ％混合液中に０．０１ｍｏｌ／ｌ溶解させる（溶液
２）。次にドライエアー中で、エタノール中で超音波洗
浄したガラス基板を溶液２中に約３０分浸漬する。次に
ガラス基板を引き上げクロロホルム中で洗浄し、続いて
ヨウ素雰囲気に１０分間放置してドーピング処理をし
た。
【化１０】
【００２１】（実施例５）実施例４の化合物(III）を用
いた以外は、実施例２と同様な処理を行っい、その評価
を行った。実施例４、５の評価結果を表２に示す。
いた以外は、実施例２と同様な処理を行っい、その評価
を行った。実施例４、５の評価結果を表２に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】本結果のように、透明かつ導電性発現を実
現できた。また、光磁気ディスクに本処理をおこなった
例を実施例６に示す。 （実施例６）実施例４の化合物(III）を用いた以外は、
実施例２と同様な処理により、本発明に係る光ディスク
を作製した。本処理をおこなった前後でＣ／Ｎ、感度の
変化はみられなかった。また本発明のディスクを約１ヵ
月オフィス環境で使用し、その後ダートチャンバー試験
（ＡＳＴＭ Ｄ２７４１−６８）をおこない、エラーレ
ートを測定したところ、値は全く変化しなかったが、未
処理の比較ディスクではエラーレートが約１０００倍に
なった。
現できた。また、光磁気ディスクに本処理をおこなった
例を実施例６に示す。 （実施例６）実施例４の化合物(III）を用いた以外は、
実施例２と同様な処理により、本発明に係る光ディスク
を作製した。本処理をおこなった前後でＣ／Ｎ、感度の
変化はみられなかった。また本発明のディスクを約１ヵ
月オフィス環境で使用し、その後ダートチャンバー試験
（ＡＳＴＭ Ｄ２７４１−６８）をおこない、エラーレ
ートを測定したところ、値は全く変化しなかったが、未
処理の比較ディスクではエラーレートが約１０００倍に
なった。
【００２４】（実施例７）先ず、〔化１１〕の化合物を
脱水したｎ−ヘキサデカン８０ｗ％及びクロロホルム２
０ｗ％混合液中に０．０１ｍｏｌ／ｌ溶解させる（溶液
３）。次に、実施例４と同様な条件のもとでガラス基板
に薄膜層を形成し、実施例４と同様な評価を行った。
脱水したｎ−ヘキサデカン８０ｗ％及びクロロホルム２
０ｗ％混合液中に０．０１ｍｏｌ／ｌ溶解させる（溶液
３）。次に、実施例４と同様な条件のもとでガラス基板
に薄膜層を形成し、実施例４と同様な評価を行った。
【化１１】
【００２５】（実施例８）実施例７の化合物(III）を用
いた以外は、実施例４と同様な処理を行い、その評価を
行った。実施例７、８の評価結果を表３に示す。
いた以外は、実施例４と同様な処理を行い、その評価を
行った。実施例７、８の評価結果を表３に示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】本結果のように、透明かつ導電性発現を実
現できた。また、光磁気ディスクに本処理をおこなった
例を実施例９に示す。 （実施例９）実施例７の化合物(III）を用いた以外は、
実施例２と同様な処理により、本発明に係る光ディスク
を作製した。本処理をおこなった前後でＣ／Ｎ、感度の
変化はみられなかった。また本発明のディスクを約１ヵ
月オフィス環境で使用し、その後ダートチャンバー試験
（ＡＳＴＭ Ｄ２７４１−６８）をおこない、エラーレ
ートを測定したところ、値は全く変化しなかったが、未
処理の比較ディスクではエラーレートが約１０００倍に
なった。
現できた。また、光磁気ディスクに本処理をおこなった
例を実施例９に示す。 （実施例９）実施例７の化合物(III）を用いた以外は、
実施例２と同様な処理により、本発明に係る光ディスク
を作製した。本処理をおこなった前後でＣ／Ｎ、感度の
変化はみられなかった。また本発明のディスクを約１ヵ
月オフィス環境で使用し、その後ダートチャンバー試験
（ＡＳＴＭ Ｄ２７４１−６８）をおこない、エラーレ
ートを測定したところ、値は全く変化しなかったが、未
処理の比較ディスクではエラーレートが約１０００倍に
なった。
【００２８】
【発明の効果】本発明の帯電防止膜の形成方法では、湿
度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性に優れ且つ導
電性及び透明性に優れた帯電防止膜ができる。
度依存性が少なく、帯電防止効果の持続性に優れ且つ導
電性及び透明性に優れた帯電防止膜ができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 π共役系を形成し得る環式炭化水素構造
を少なくとも１以上含む重合性部分、或いは環式炭化水
素構造を有し且つπ共役結合を形成している分子群
（Ｉ）と親水基に化学結合する結合基（II）とを有する
化合物(III）を、親水基を有する基板面に上記結合基
（II）を介して結合させ、上記基板面にπ共役系ポリマ
ー薄膜層を形成させることを特徴とする帯電防止膜の形
成方法。 - 【請求項２】 上記（Ｉ）が環式炭化水素化合物または
環式炭化水素化合物誘導体であり、上記結合基（II）が
下記〔化１〕であることを特徴とする請求項１記載の帯
電防止膜の形成方法。 【化１】 （尚、Ｘ、Ｙ、Ｚの少なくとも１つがＣｌ、ＯＣＨ3 、
ＯＣ2 Ｈ5 から選択されるものである。） - 【請求項３】 上記化合物(III）の構造が下記〔化２〕
乃至〔化４〕から選ばれたものであることを特徴とする
請求項２記載の帯電防止膜の形成方法。 【化２】 【化３】 【化４】 （尚、Ｒ1 は炭素数が０〜２０の炭化水素、或いは炭化
水素鎖中にエーテル、エステル結合が含まれたものであ
り、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 は、Ｈ、ＣＨ 3 、Ｃ
2 Ｈ5 から選択されるものであり、Ｘ、Ｙ、Ｚの少なく
とも１つがＣｌ、ＯＣＨ3 、ＯＣ2 Ｈ5 から選択される
ものであり、ｎは、２〜２０の範囲にある。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29598592A JPH06145652A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 帯電防止膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29598592A JPH06145652A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 帯電防止膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06145652A true JPH06145652A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=17827648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29598592A Pending JPH06145652A (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 帯電防止膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06145652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006131509A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Sharp Corp | シラン化ペンタセン前駆化合物の製造方法及びそれを用いた有機薄膜 |
-
1992
- 1992-11-05 JP JP29598592A patent/JPH06145652A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006131509A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Sharp Corp | シラン化ペンタセン前駆化合物の製造方法及びそれを用いた有機薄膜 |
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