JPH06150367A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH06150367A JPH06150367A JP4294319A JP29431992A JPH06150367A JP H06150367 A JPH06150367 A JP H06150367A JP 4294319 A JP4294319 A JP 4294319A JP 29431992 A JP29431992 A JP 29431992A JP H06150367 A JPH06150367 A JP H06150367A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 情報を高密度に記録したり、あるいは高密度
に記録された情報の再生を正確に行う。 【構成】 予め情報記録された量子井戸構造の一部を構
成してもよい基板、または情報記録可能な記録膜の上
に、量子閉じ込めのための量子井戸層を含む量子井戸構
造を備え、読み出し又は書き込みのために照射される光
ビームの径を絞るように構成する。
に記録された情報の再生を正確に行う。 【構成】 予め情報記録された量子井戸構造の一部を構
成してもよい基板、または情報記録可能な記録膜の上
に、量子閉じ込めのための量子井戸層を含む量子井戸構
造を備え、読み出し又は書き込みのために照射される光
ビームの径を絞るように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、音声、映像等の各種情
報の信号を記録する光学式記録媒体である光ディスク、
特に情報を高密度に記録したり、あるいは高密度に記録
された情報の再生を正確に行うことができる光ディスク
に関する。
報の信号を記録する光学式記録媒体である光ディスク、
特に情報を高密度に記録したり、あるいは高密度に記録
された情報の再生を正確に行うことができる光ディスク
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ディスクは中央部にセンター
ホールを有し、このセンターホールの外周に螺線状につ
ながった１本のトラックとして情報が記録される。従
来、この種の記録ディスクは、図７（ａ）に示されるよ
うに、アクリル樹脂（Polymethylmethacrylate;PMMA）
等の透明なディスク基板１１１上に情報に対応する凹凸
形状の情報ピット部１１２が形成され、この情報ピット
部１１２が形成されたディスク基板１１１上に高い反射
率のアルミニウム膜１１５が蒸着され、このアルミニウ
ム膜１１５上にプラスチック等の保護層１１６を形成し
て構成される。
ホールを有し、このセンターホールの外周に螺線状につ
ながった１本のトラックとして情報が記録される。従
来、この種の記録ディスクは、図７（ａ）に示されるよ
うに、アクリル樹脂（Polymethylmethacrylate;PMMA）
等の透明なディスク基板１１１上に情報に対応する凹凸
形状の情報ピット部１１２が形成され、この情報ピット
部１１２が形成されたディスク基板１１１上に高い反射
率のアルミニウム膜１１５が蒸着され、このアルミニウ
ム膜１１５上にプラスチック等の保護層１１６を形成し
て構成される。
【０００３】前記構成に基づく記録ディスクから情報を
再生する場合には透明なディスク基板１１１側からレー
ザ光等の光ビーム１３０を再生の対象となるトラックの
情報ピット部１１２に投射し、図７（ｂ）に示されるよ
うに情報ピット部１１２のないピット間の鏡面部で反射
された反射光１３１が「明」として検出され、また情報
ピット部１１２で反射された反射光１３２が「暗」とし
て検出される。このように「明」、「暗」の反射光によ
り情報ピット部１１２の各記録ピット１１２ａ，１１２
ｂ，１１２ｃ…に対応する情報が再生されることとな
る。
再生する場合には透明なディスク基板１１１側からレー
ザ光等の光ビーム１３０を再生の対象となるトラックの
情報ピット部１１２に投射し、図７（ｂ）に示されるよ
うに情報ピット部１１２のないピット間の鏡面部で反射
された反射光１３１が「明」として検出され、また情報
ピット部１１２で反射された反射光１３２が「暗」とし
て検出される。このように「明」、「暗」の反射光によ
り情報ピット部１１２の各記録ピット１１２ａ，１１２
ｂ，１１２ｃ…に対応する情報が再生されることとな
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の光ディスク
及びその再生方法は以上のように構成されていたことか
ら、相隣るトラックのトラックピッチを狭くして情報を
高密度化して記録した場合には、この高密度化した記録
ディスクの複数のトラックに亘って光ビームが投射され
ることとなるという問題を有していた。即ち、光ビーム
の波長に基づいてビームスポットの直径が定まることか
ら一般に、スポット径を小径化することには限界があ
り、この限界を越えた狭いトラックピッチで情報が記録
されると、図７（ｃ）に示されるように複数のトラック
の各情報ピット１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃから反射
光１３２の「暗」（又は明１３１）という情報が同時に
複数検出されて情報再生を正確に行なえなくなるという
不都合が生じていた。
及びその再生方法は以上のように構成されていたことか
ら、相隣るトラックのトラックピッチを狭くして情報を
高密度化して記録した場合には、この高密度化した記録
ディスクの複数のトラックに亘って光ビームが投射され
ることとなるという問題を有していた。即ち、光ビーム
の波長に基づいてビームスポットの直径が定まることか
ら一般に、スポット径を小径化することには限界があ
り、この限界を越えた狭いトラックピッチで情報が記録
されると、図７（ｃ）に示されるように複数のトラック
の各情報ピット１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃから反射
光１３２の「暗」（又は明１３１）という情報が同時に
複数検出されて情報再生を正確に行なえなくなるという
不都合が生じていた。
【０００５】また、この一方で、書き込み可能な記録膜
を備える光ディスクであって、情報を高密度に記録する
ことができる光ディスクの開発も要望されている。本発
明はこのような課題を解決するためになされたもので、
情報を高密度に記録することができる光ディスクまた
は、この記録された情報の再生を正確に行なうことがで
きる光ディスクを提供することを目的とする。
を備える光ディスクであって、情報を高密度に記録する
ことができる光ディスクの開発も要望されている。本発
明はこのような課題を解決するためになされたもので、
情報を高密度に記録することができる光ディスクまた
は、この記録された情報の再生を正確に行なうことがで
きる光ディスクを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の光ディスクは、予め情報記録された量子井戸構
造の一部を構成してもよい基板、または情報記録可能な
記録膜の上に、量子閉じ込めのための量子井戸層を含む
量子井戸構造を備え、読み出し又は書き込みのために照
射される光ビームの径を絞るように構成した。
本発明の光ディスクは、予め情報記録された量子井戸構
造の一部を構成してもよい基板、または情報記録可能な
記録膜の上に、量子閉じ込めのための量子井戸層を含む
量子井戸構造を備え、読み出し又は書き込みのために照
射される光ビームの径を絞るように構成した。
【０００７】
【作用】本発明の光ディスクに光照射が行なわれると、
量子井戸構造に基づく量子閉じ込め効果により、光強度
の強い所の反射率がより高く、光強度の弱い所では反射
率がより低く抑えられる。その結果、例えば、読出しの
ビーム径はさらに絞られたのと同じ効果を得ることがで
きる。
量子井戸構造に基づく量子閉じ込め効果により、光強度
の強い所の反射率がより高く、光強度の弱い所では反射
率がより低く抑えられる。その結果、例えば、読出しの
ビーム径はさらに絞られたのと同じ効果を得ることがで
きる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の光ディスクを図１〜図５に基
づいて説明する。図１および図２には、位相差を利用し
て記録、再生を行う、いわゆる位相ピットを備えた第１
実施例としての光ディスク１が示される。
づいて説明する。図１および図２には、位相差を利用し
て記録、再生を行う、いわゆる位相ピットを備えた第１
実施例としての光ディスク１が示される。
【０００９】この光ディスク１は、単結晶のＧａＡｓか
らなる基板１１と、この基板１１の上に形成される量子
井戸層としてのＧａＡｌＡｓ層１３と、この量子井戸層
１３の上に形成された単結晶のＧａＡｓ層１６とを備え
ている。本実施例では、基板１１とＧａＡｌＡｓ層１３
とＧａＡｓ層１６によって、いわゆる量子井戸構造が形
成される。ＧａＡｓ層１６の上にはさらにＧａＡｌＡｓ
層／ＧａＡｓ層の２層を一回ないし数十回程度積層して
もよい。これにより、光強度に反射率が依存する層が形
成される。
らなる基板１１と、この基板１１の上に形成される量子
井戸層としてのＧａＡｌＡｓ層１３と、この量子井戸層
１３の上に形成された単結晶のＧａＡｓ層１６とを備え
ている。本実施例では、基板１１とＧａＡｌＡｓ層１３
とＧａＡｓ層１６によって、いわゆる量子井戸構造が形
成される。ＧａＡｓ層１６の上にはさらにＧａＡｌＡｓ
層／ＧａＡｓ層の２層を一回ないし数十回程度積層して
もよい。これにより、光強度に反射率が依存する層が形
成される。
【００１０】単結晶ＧａＡｓからなる基板１１の量子井
戸層形成側面１１ａには、音声、映像等の情報に対応す
る複数の情報ピット部１２が形成される。他方の面１１
ｂはは平坦面とされる。情報ピット部１２の形成方法
は、いわゆる半導体プロセスで一般に用いられているパ
ターニング〜エッチング等の製造工程により形成され
る。この際、情報ピット部１２の溝の深さＤ１（図２に
おいて、ＧａＡｌＡｓ層１３とＧａＡｓ層１６は各部位
において均一膜厚に形成されているので、Ｄ１は情報ピ
ット部１２の溝の深さを示すことになる）は、光学的位
相差を与える深さすなわち、Ｄ１＝λ／４ｎを満足させ
るように設定される。なお、λは用いる光の波長、ｎは
光路の屈折率を表す。
戸層形成側面１１ａには、音声、映像等の情報に対応す
る複数の情報ピット部１２が形成される。他方の面１１
ｂはは平坦面とされる。情報ピット部１２の形成方法
は、いわゆる半導体プロセスで一般に用いられているパ
ターニング〜エッチング等の製造工程により形成され
る。この際、情報ピット部１２の溝の深さＤ１（図２に
おいて、ＧａＡｌＡｓ層１３とＧａＡｓ層１６は各部位
において均一膜厚に形成されているので、Ｄ１は情報ピ
ット部１２の溝の深さを示すことになる）は、光学的位
相差を与える深さすなわち、Ｄ１＝λ／４ｎを満足させ
るように設定される。なお、λは用いる光の波長、ｎは
光路の屈折率を表す。
【００１１】このような基板１１の上に形成されるＧａ
ＡｌＡｓ層１３とＧａＡｓ層１６の厚さは、それぞれ、
１０〜１００オングストローム程度とされ、これらは、
ＭＯ−ＣＶＤ（Metal Organic-Chemical Vapor Deposit
ion ) やＭＢＥ（MolecularBeam Epitaxy) 法によって
形成される。さらに、情報ピット部１２が形成されてい
る側の最外面には読出し光の波長において透明な保護膜
を設けてもよい。
ＡｌＡｓ層１３とＧａＡｓ層１６の厚さは、それぞれ、
１０〜１００オングストローム程度とされ、これらは、
ＭＯ−ＣＶＤ（Metal Organic-Chemical Vapor Deposit
ion ) やＭＢＥ（MolecularBeam Epitaxy) 法によって
形成される。さらに、情報ピット部１２が形成されてい
る側の最外面には読出し光の波長において透明な保護膜
を設けてもよい。
【００１２】このような組成からなる量子井戸構造を備
える光ディスクに記録された情報記録の読出し方法は以
下のようにして行われる。すなわち、図示のごとく複数
の情報ピット部１２が形成されている基板面１１ａから
波長７８０ｎｍの光を照射して、基板表面１１ａ側から
の反射で情報を読み出す。その際に、量子構造により量
子とじ込め効果がおこり、非線形光学効果が大きくなっ
た結果、Ｋ・λ（波長）／（Ｎ．Ａ．（開口数））で規
定されるサイズより小さいピットが読み出せる。
える光ディスクに記録された情報記録の読出し方法は以
下のようにして行われる。すなわち、図示のごとく複数
の情報ピット部１２が形成されている基板面１１ａから
波長７８０ｎｍの光を照射して、基板表面１１ａ側から
の反射で情報を読み出す。その際に、量子構造により量
子とじ込め効果がおこり、非線形光学効果が大きくなっ
た結果、Ｋ・λ（波長）／（Ｎ．Ａ．（開口数））で規
定されるサイズより小さいピットが読み出せる。
【００１３】この実施例において、光照射の方向を基板
面１１ａ側方向からとしたのは、ＧａＡｌＡｓは６２０
ｎｍより長い波長の光、例えば波長７８０ｎｍの光は通
すが、この一方でＧａＡｓは８６７ｎｍより短い波長の
光、例えば波長７８０ｎｍの光は透過させないからであ
る。
面１１ａ側方向からとしたのは、ＧａＡｌＡｓは６２０
ｎｍより長い波長の光、例えば波長７８０ｎｍの光は通
すが、この一方でＧａＡｓは８６７ｎｍより短い波長の
光、例えば波長７８０ｎｍの光は透過させないからであ
る。
【００１４】次に、本発明の第２実施例を、図３および
図４に基づいて説明する。この第２実施例もまた、前記
第１実施例同様に、いわゆる位相ピットを備えた光ディ
スク２である。
図４に基づいて説明する。この第２実施例もまた、前記
第１実施例同様に、いわゆる位相ピットを備えた光ディ
スク２である。
【００１５】この光ディスク２は、単結晶のＺｎＳｅか
らなる基板２１と、この基板２１の上に形成される量子
井戸層としてのＧａＡｓ層２３と、この量子井戸層２３
の上に形成された単結晶のＺｎＳｅ層２６とを備えてい
る。本実施例では、基板２１とＧａＡｓ層２３とＺｎＳ
ｅ層２６によって、いわゆる量子井戸構造が形成され
る。ＺｎＳｅ層２６の上には前記第１実施例のパターン
と同様にさらにＧａＡｓ層／ＺｎＳｅ層の２層を一回な
いし数十回程度積層してもよい。
らなる基板２１と、この基板２１の上に形成される量子
井戸層としてのＧａＡｓ層２３と、この量子井戸層２３
の上に形成された単結晶のＺｎＳｅ層２６とを備えてい
る。本実施例では、基板２１とＧａＡｓ層２３とＺｎＳ
ｅ層２６によって、いわゆる量子井戸構造が形成され
る。ＺｎＳｅ層２６の上には前記第１実施例のパターン
と同様にさらにＧａＡｓ層／ＺｎＳｅ層の２層を一回な
いし数十回程度積層してもよい。
【００１６】単結晶ＺｎＳｅからなる基板２１の量子井
戸層形成側面２１ａには、音声、映像等の情報に対応す
る複数の情報ピット部２２が形成される。他方の面２１
ｂはは平坦面とされる。情報ピット部２２の形成方法
は、前記第１実施例と同様な製造工程により形成され
る。この際、情報ピット部２２の溝の深さＤ２（図４に
おいて、ＧａＡｓ層２３とＺｎＳｅ層２６は各部位にお
いて均一膜厚に形成されているので、Ｄ２は情報ピット
部２２の溝の深さを示すことになる）は、光学的位相差
を与える深さすなわち、Ｄ１＝λ／４ｎを満足させるよ
うに設定される。
戸層形成側面２１ａには、音声、映像等の情報に対応す
る複数の情報ピット部２２が形成される。他方の面２１
ｂはは平坦面とされる。情報ピット部２２の形成方法
は、前記第１実施例と同様な製造工程により形成され
る。この際、情報ピット部２２の溝の深さＤ２（図４に
おいて、ＧａＡｓ層２３とＺｎＳｅ層２６は各部位にお
いて均一膜厚に形成されているので、Ｄ２は情報ピット
部２２の溝の深さを示すことになる）は、光学的位相差
を与える深さすなわち、Ｄ１＝λ／４ｎを満足させるよ
うに設定される。
【００１７】このような基板２１の上に形成されるＧａ
Ａｓ層２７とＺｎＳｅ層２６の厚さは、それぞれ、１０
〜１００オングストローム程度とされ、これらもまた前
記第１実施例の場合と同様に、ＭＯ−ＣＶＤ（Metal Or
ganic-Chemical Vapor Deposition ) やＭＢＥ（Molecu
lar Beam Epitaxy) 法によって形成される。さらに、情
報ピット部２２が形成されている側の最外面には光反射
膜２９を設けても良い。光反射膜２９は、Ａｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ａｌ等の金属から構成され、このものは真空蒸
着、スパッタリング、イオンプレーティング等の各種真
空成膜法で成膜される。このような光反射膜２９の厚さ
は０．０３〜０．３μｍ程度とされる。
Ａｓ層２７とＺｎＳｅ層２６の厚さは、それぞれ、１０
〜１００オングストローム程度とされ、これらもまた前
記第１実施例の場合と同様に、ＭＯ−ＣＶＤ（Metal Or
ganic-Chemical Vapor Deposition ) やＭＢＥ（Molecu
lar Beam Epitaxy) 法によって形成される。さらに、情
報ピット部２２が形成されている側の最外面には光反射
膜２９を設けても良い。光反射膜２９は、Ａｕ，Ａｇ，
Ｃｕ，Ａｌ等の金属から構成され、このものは真空蒸
着、スパッタリング、イオンプレーティング等の各種真
空成膜法で成膜される。このような光反射膜２９の厚さ
は０．０３〜０．３μｍ程度とされる。
【００１８】このような組成からなる量子井戸構造を備
える光ディスクに記録された情報記録の読出し方法は以
下のようにして行われる。すなわち、図３に示されるご
とく複数の情報ピット部２２が形成されていない基板面
１１ｂから波長７８０ｎｍの光を照射して、基板表面１
１ａ側からの反射で情報を読み出す。その際に、量子構
造により量子とじ込め効果がおこり、非線形光学効果が
大きくなった結果、Ｋ・λ（波長）／（Ｎ．Ａ．（開口
数））で規定されるサイズより小さいピットが読み出せ
る。
える光ディスクに記録された情報記録の読出し方法は以
下のようにして行われる。すなわち、図３に示されるご
とく複数の情報ピット部２２が形成されていない基板面
１１ｂから波長７８０ｎｍの光を照射して、基板表面１
１ａ側からの反射で情報を読み出す。その際に、量子構
造により量子とじ込め効果がおこり、非線形光学効果が
大きくなった結果、Ｋ・λ（波長）／（Ｎ．Ａ．（開口
数））で規定されるサイズより小さいピットが読み出せ
る。
【００１９】この実施例において、光照射の方向を基板
面２１ｂ側方向からとしたのは、ＺｎＳｅは４７７ｎｍ
より長い波長の光、例えば波長７８０ｎｍの光は通す
が、この一方でＧａＡｓは８６７ｎｍより短い波長の
光、例えば波長７８０ｎｍの光は透過させないからであ
る。
面２１ｂ側方向からとしたのは、ＺｎＳｅは４７７ｎｍ
より長い波長の光、例えば波長７８０ｎｍの光は通す
が、この一方でＧａＡｓは８６７ｎｍより短い波長の
光、例えば波長７８０ｎｍの光は透過させないからであ
る。
【００２０】量子井戸層の作用を、図６に基づいて説明
する。図６は本発明の量子井戸層を設けることによっ
て、光ビームの径がさらに絞られることを説明するため
の概略説明図である。すなわち図６（ａ）は量子井戸層
を設けない状態でのビームプロファイルであり、図６
（ｂ）は量子井戸層を設けた状態でのビームプロファイ
ルである。（ａ）および（ｂ）に示されるプロファイル
から分かるように、量子井戸層を設けることによってビ
ーム径を著しく絞ることができ、従来読み出し出来なか
った（図６（ａ））１つの記録ピットを確実に読み出す
ことが出来る（図６（ｂ））。
する。図６は本発明の量子井戸層を設けることによっ
て、光ビームの径がさらに絞られることを説明するため
の概略説明図である。すなわち図６（ａ）は量子井戸層
を設けない状態でのビームプロファイルであり、図６
（ｂ）は量子井戸層を設けた状態でのビームプロファイ
ルである。（ａ）および（ｂ）に示されるプロファイル
から分かるように、量子井戸層を設けることによってビ
ーム径を著しく絞ることができ、従来読み出し出来なか
った（図６（ａ））１つの記録ピットを確実に読み出す
ことが出来る（図６（ｂ））。
【００２１】なお、本発明の光ディスクが対象としてい
る読み出し又は書き込みのための光ビーム波長は、４８
０〜８３０ｎｍである。なお、以上は量子井戸層を反射
率が光強度に依存する膜として使っているが、透過率が
光強度に依存する膜としても使える。この場合の例とし
て図５に反射率の差を利用して記録、再生を行ういわゆ
る反射率の差を生ぜしめる記録部を備える光ディスク３
が第３実施例として示される。
る読み出し又は書き込みのための光ビーム波長は、４８
０〜８３０ｎｍである。なお、以上は量子井戸層を反射
率が光強度に依存する膜として使っているが、透過率が
光強度に依存する膜としても使える。この場合の例とし
て図５に反射率の差を利用して記録、再生を行ういわゆ
る反射率の差を生ぜしめる記録部を備える光ディスク３
が第３実施例として示される。
【００２２】この光ディスク３は、量子閉じ込めのため
の量子井戸層と記録膜３９を備えている。第３実施例と
しての光ディスク３は、第２実施例のそれと略類似して
いるが、基板３１の表面上には第２実施例のように記録
ピットが形成されておらず、その代りに後述する記録膜
３９が設けられ、この記録膜３９に記録ピット部が形成
される。すなわち、光ディスク３は、例えば、単結晶の
ＺｎＳｅからなる基板３１と、この基板３１の上に形成
される量子井戸層としてのＧａＡｓ層３３と、この量子
井戸層３３の上に形成された単結晶のＺｎＳｅ層３６と
を備えている。本実施例では、基板３１とＧａＡｓ層３
７とＺｎＳｅ層３６によって、いわゆる量子井戸構造が
形成される。ＺｎＳｅ層３６の上にはさらにＧａＡｓ層
／ＺｎＳｅ層の２層を一回ないし数十回程度積層しても
よい。
の量子井戸層と記録膜３９を備えている。第３実施例と
しての光ディスク３は、第２実施例のそれと略類似して
いるが、基板３１の表面上には第２実施例のように記録
ピットが形成されておらず、その代りに後述する記録膜
３９が設けられ、この記録膜３９に記録ピット部が形成
される。すなわち、光ディスク３は、例えば、単結晶の
ＺｎＳｅからなる基板３１と、この基板３１の上に形成
される量子井戸層としてのＧａＡｓ層３３と、この量子
井戸層３３の上に形成された単結晶のＺｎＳｅ層３６と
を備えている。本実施例では、基板３１とＧａＡｓ層３
７とＺｎＳｅ層３６によって、いわゆる量子井戸構造が
形成される。ＺｎＳｅ層３６の上にはさらにＧａＡｓ層
／ＺｎＳｅ層の２層を一回ないし数十回程度積層しても
よい。
【００２３】記録膜３９は光照射の記録により、光照射
された部分と、光照射されなかった部分との間で反射率
の差がとれるような材料から形成される。これらの材料
の一例を挙げると、非結晶質と結晶質との間の相変化を
利用して情報を行う、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｓｎ−Ｔｅ
−Ｓｅ系、ＴｅＯｘ（０＜Ｘ＜２）、Ｓｂ2 Ｓｅ3 、Ｂ
ｉ2 Ｔｅ3 等の相変化タイプの記録膜材料がある。さら
に、Ｔｅ系材料の無機系の薄膜やシアニン色素、フタロ
シアニン色素等の有機色素薄膜を用いたピット形成によ
る記録材料等も記録膜１８材料の一例である。その他、
光磁気メモリーに用いられるＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、
ＰｔＣｏ等の材料も挙げられる。
された部分と、光照射されなかった部分との間で反射率
の差がとれるような材料から形成される。これらの材料
の一例を挙げると、非結晶質と結晶質との間の相変化を
利用して情報を行う、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｓｎ−Ｔｅ
−Ｓｅ系、ＴｅＯｘ（０＜Ｘ＜２）、Ｓｂ2 Ｓｅ3 、Ｂ
ｉ2 Ｔｅ3 等の相変化タイプの記録膜材料がある。さら
に、Ｔｅ系材料の無機系の薄膜やシアニン色素、フタロ
シアニン色素等の有機色素薄膜を用いたピット形成によ
る記録材料等も記録膜１８材料の一例である。その他、
光磁気メモリーに用いられるＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、
ＰｔＣｏ等の材料も挙げられる。
【００２４】なお、本実施例では主として読み出し光の
ビーム径を絞ることを中心にして説明してきたが、もち
ろん書き込み光のビーム径を絞り、高密度記録に適用で
きることは言うまでもない。
ビーム径を絞ることを中心にして説明してきたが、もち
ろん書き込み光のビーム径を絞り、高密度記録に適用で
きることは言うまでもない。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の光ディスク
は、予め情報記録された量子井戸構造の一部を構成して
もよい基板、または情報記録可能な記録膜の上に、量子
閉じ込めのための量子井戸層を含む量子井戸構造を備
え、読み出し又は書き込みのために照射される光ビーム
の径を絞るようにしたので、情報を高密度に記録した
り、あるいは高密度に記録された情報の再生を正確に行
うことができる。
は、予め情報記録された量子井戸構造の一部を構成して
もよい基板、または情報記録可能な記録膜の上に、量子
閉じ込めのための量子井戸層を含む量子井戸構造を備
え、読み出し又は書き込みのために照射される光ビーム
の径を絞るようにしたので、情報を高密度に記録した
り、あるいは高密度に記録された情報の再生を正確に行
うことができる。
【図１】本発明の光ディスクの一例の構造を説明するた
めの概略断面図である。
めの概略断面図である。
【図２】図１における位相ピット部周辺の部分拡大断面
図である。
図である。
【図３】本発明の他の光ディスクの一例の構造を説明す
るための概略断面図である。
るための概略断面図である。
【図４】図３における位相ピット部周辺の部分拡大断面
図である。
図である。
【図５】本発明の他の光ディスクの一例の構造を説明す
るための概略断面図である。
るための概略断面図である。
【図６】本発明のシャッタ層を設けることによって、光
ビームの径がさらに絞られることを説明するための概略
説明図であって、（ａ）は量子井戸層を設けない状態で
のビームプロファイルであり、（ｂ）は量子井戸層を設
けた状態でのビームプロファイルである。
ビームの径がさらに絞られることを説明するための概略
説明図であって、（ａ）は量子井戸層を設けない状態で
のビームプロファイルであり、（ｂ）は量子井戸層を設
けた状態でのビームプロファイルである。
【図７】（ａ）は情報が記録された状態を模式的に示す
ための光ディスクの部分切り欠き断面図であり、（ｂ）
は読み出しの原理を説明するための図、（ｃ）は高密度
に記録された情報の再生を行う場合に生ずる従来の不都
合を説明するための図である。
ための光ディスクの部分切り欠き断面図であり、（ｂ）
は読み出しの原理を説明するための図、（ｃ）は高密度
に記録された情報の再生を行う場合に生ずる従来の不都
合を説明するための図である。
１，２，１３…光ディスク １１，２１，３１…基板 １３，２３，３３…量子井戸層 ３９…記録膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｃ 13/04 6741−5Ｌ
Claims (3)
- 【請求項１】 予め情報記録された量子井戸構造の一部
を構成してもよい基板、または情報記録可能な記録膜の
上に、量子閉じ込めのための量子井戸層を含む量子井戸
構造を備え、読み出し又は書き込みのために照射される
光ビームの径を絞るようにしたことを特徴とする光ディ
スク。 - 【請求項２】 前記量子井戸構造は、量子井戸層として
のＧａＡｌＡｓ層をその両平面側から単結晶のＧａＡｓ
層で挟持する構造であることを特徴とする請求項１記載
の光ディスク。 - 【請求項３】 前記量子井戸構造は、量子井戸層として
のＧａＡｓ層をその両平面側から単結晶のＺｎＳｅ層で
挟持する構造であることを特徴とする請求項１記載の光
ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4294319A JPH06150367A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4294319A JPH06150367A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150367A true JPH06150367A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17806159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4294319A Pending JPH06150367A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06150367A (ja) |
-
1992
- 1992-11-02 JP JP4294319A patent/JPH06150367A/ja active Pending
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