JPH06151035A - 回路基板へのリード端子接合方法 - Google Patents
回路基板へのリード端子接合方法Info
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- JPH06151035A JPH06151035A JP5027594A JP2759493A JPH06151035A JP H06151035 A JPH06151035 A JP H06151035A JP 5027594 A JP5027594 A JP 5027594A JP 2759493 A JP2759493 A JP 2759493A JP H06151035 A JPH06151035 A JP H06151035A
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- lead terminal
- lead
- joining
- hole
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3447—Lead-in-hole components
Landscapes
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 噴流式またはディップ式のはんだ付け装置で
は、回路基板のはんだ付け面にフラックスを塗布または
浸漬させているので、多量のフラックスを必要としてい
る。又リードと基板の導体部分に予めはんだめっきを施
した後、リードを基板に挿入し、熱線ビームを照射する
ことによる方法でもフラックスを必要とする。そこで、
接合強度にバラツキがなく、信頼性の高いフラックスレ
スはんだ接合が得られる接合方法を提供する。 【構成】 はんだめっきを施しリード端子３を回路基板
１のスルーホール２に圧入する。リード端子３にエネル
ギービーム２１を照射することにより、スルーホール２
の内壁表面の導電体とリード端子３のはんだめっき層４
をフラックスを使用しないで接合する。
は、回路基板のはんだ付け面にフラックスを塗布または
浸漬させているので、多量のフラックスを必要としてい
る。又リードと基板の導体部分に予めはんだめっきを施
した後、リードを基板に挿入し、熱線ビームを照射する
ことによる方法でもフラックスを必要とする。そこで、
接合強度にバラツキがなく、信頼性の高いフラックスレ
スはんだ接合が得られる接合方法を提供する。 【構成】 はんだめっきを施しリード端子３を回路基板
１のスルーホール２に圧入する。リード端子３にエネル
ギービーム２１を照射することにより、スルーホール２
の内壁表面の導電体とリード端子３のはんだめっき層４
をフラックスを使用しないで接合する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路基板へのリード端子
接合方法に関する。
接合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】はんだめっきしたリードを回路基板のス
ルーホールに圧入し、噴流式またはディップ式のはんだ
付け装置ではんだ付けを行っている。この回路基板への
リード接合方法では、良好なはんだ付けを行うために、
回路基板のはんだ付け面にフラックスを塗布または浸漬
させているので、多量のフラックスを必要としている。
又、リードの５〜１０μｍのはんだめっきもディップ層
に浸漬した時にはんだ厚みが１〜２μｍと薄くなってし
まう。更に回路基板のサイズが大きくなると、リードの
位置によるはんだ付け不良が発生する。これらの課題を
解決するために、リードと基板の導体部分に予めはんだ
めっきを施した後、リードを基板に挿入し、熱線ビーム
で照射することにより少量のフラックスではんだ付けを
行うはんだ付け方法が開示されている。
ルーホールに圧入し、噴流式またはディップ式のはんだ
付け装置ではんだ付けを行っている。この回路基板への
リード接合方法では、良好なはんだ付けを行うために、
回路基板のはんだ付け面にフラックスを塗布または浸漬
させているので、多量のフラックスを必要としている。
又、リードの５〜１０μｍのはんだめっきもディップ層
に浸漬した時にはんだ厚みが１〜２μｍと薄くなってし
まう。更に回路基板のサイズが大きくなると、リードの
位置によるはんだ付け不良が発生する。これらの課題を
解決するために、リードと基板の導体部分に予めはんだ
めっきを施した後、リードを基板に挿入し、熱線ビーム
で照射することにより少量のフラックスではんだ付けを
行うはんだ付け方法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このリードと
基板の導体部分に予めはんだめっきを施した後、リード
を基板に挿入し、熱線ビームを照射することにより、少
量のフラックスではんだ付けを行う方法でもリードと基
板の両方にはんだめっきが必要であり、フラックスを必
要としている。このために、フラックスの取扱、管理、
洗浄等の問題がある。
基板の導体部分に予めはんだめっきを施した後、リード
を基板に挿入し、熱線ビームを照射することにより、少
量のフラックスではんだ付けを行う方法でもリードと基
板の両方にはんだめっきが必要であり、フラックスを必
要としている。このために、フラックスの取扱、管理、
洗浄等の問題がある。
【０００４】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、フラックスを必要とせず、リードのはんだめ
っきのやせ細りがなく、リード位置によるはんだ付けの
バラツキがない信頼性の高いフラックスレスはんだ接合
が得られる回路基板へのリード端子接合方法を提供する
ことを目的とする。
のであり、フラックスを必要とせず、リードのはんだめ
っきのやせ細りがなく、リード位置によるはんだ付けの
バラツキがない信頼性の高いフラックスレスはんだ接合
が得られる回路基板へのリード端子接合方法を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明による回路基板へのリード端子接合方法は、回
路基板のスルーホールにリード端子を接合する回路基板
へのリード端子接合方法において、めっきしたリード端
子をスルーホールに圧入し、リード端子にエネルギービ
ームを照射することにより、スルーホール内壁表面の導
電体とリード端子をフラックスレスで接合することに特
徴を有している。
に本発明による回路基板へのリード端子接合方法は、回
路基板のスルーホールにリード端子を接合する回路基板
へのリード端子接合方法において、めっきしたリード端
子をスルーホールに圧入し、リード端子にエネルギービ
ームを照射することにより、スルーホール内壁表面の導
電体とリード端子をフラックスレスで接合することに特
徴を有している。
【０００６】
【作用】めっきを施しためっきリード端子を回路基板の
スルーホールに圧入する。圧入により、リード端子のめ
っき面とスルーホールの内壁表面の導電体である金属面
が互いに摺動した状態で挿入されるので、例えばリード
にはんだめっきを施した場合、はんだの新生面がスルー
ホールの内壁金属面と密着した状態となり、金属表面に
新生面が露出し、密着性が向上する。リード端子にエネ
ルギービームを照射することにより、スルーホールの内
壁表面の導電体とリード端子との間に信頼性の高いフラ
ックスレスはんだ接合が得られる。
スルーホールに圧入する。圧入により、リード端子のめ
っき面とスルーホールの内壁表面の導電体である金属面
が互いに摺動した状態で挿入されるので、例えばリード
にはんだめっきを施した場合、はんだの新生面がスルー
ホールの内壁金属面と密着した状態となり、金属表面に
新生面が露出し、密着性が向上する。リード端子にエネ
ルギービームを照射することにより、スルーホールの内
壁表面の導電体とリード端子との間に信頼性の高いフラ
ックスレスはんだ接合が得られる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１はめっきしたリード端子をスルーホールに
圧入する基本的な第１実施例を示しており、（ａ）は回
路基板の斜視図、（ｂ）及び（ｃ）は回路基板の断面図
である。図において、１は回路基板（単層、又は多
層）、２はスルーホール（内壁表面は金属）、３はリー
ド端子、４ははんだめっき層、２１はエネルギービーム
（例えばレーザビーム、光ビーム、電子ビーム等）、１
２ははんだ接合層である。はんだめっきを施しリード端
子３を回路基板１のスルーホール２に圧入する。リード
端子３にエネルギービーム２１を照射することにより、
スルーホール２の内壁表面の導電体とリード端子３のは
んだめっき層４とをフラックスを使用しないで接合す
る。次の表は接合材の組み合わせの一例を示したもので
ある。 上記表の組み合わせだけでなく、ろう付けも含む。又、
「めっき」は蒸着，スパッタリング，ディップ等による
コーティングをすべて含む。リード端子３を回路基板１
のスルーホール２に圧入するため金属表面に新生面が露
出し、そのため、密着性が向上し、信頼性の高いフラッ
クスレスはんだ接合が得られる。
明する。図１はめっきしたリード端子をスルーホールに
圧入する基本的な第１実施例を示しており、（ａ）は回
路基板の斜視図、（ｂ）及び（ｃ）は回路基板の断面図
である。図において、１は回路基板（単層、又は多
層）、２はスルーホール（内壁表面は金属）、３はリー
ド端子、４ははんだめっき層、２１はエネルギービーム
（例えばレーザビーム、光ビーム、電子ビーム等）、１
２ははんだ接合層である。はんだめっきを施しリード端
子３を回路基板１のスルーホール２に圧入する。リード
端子３にエネルギービーム２１を照射することにより、
スルーホール２の内壁表面の導電体とリード端子３のは
んだめっき層４とをフラックスを使用しないで接合す
る。次の表は接合材の組み合わせの一例を示したもので
ある。 上記表の組み合わせだけでなく、ろう付けも含む。又、
「めっき」は蒸着，スパッタリング，ディップ等による
コーティングをすべて含む。リード端子３を回路基板１
のスルーホール２に圧入するため金属表面に新生面が露
出し、そのため、密着性が向上し、信頼性の高いフラッ
クスレスはんだ接合が得られる。
【０００８】図２はフランジを有したリード端子をスル
ーホールに圧入する第２実施例を示しており、（ａ）は
回路基板の斜視図、（ｂ）はリード端子頭部を回路基板
内部に設定した場合の回路基板の断面図、（ｃ）はリー
ド端子頭部を回路基板表面に突出させた場合の回路基板
の断面図、（ｄ）リード端子のフランジ部にフィレット
を形成させた場合の回路基板の断面図である。なお、同
じ符号は同一の要素を示しているので、一度説明した符
号の説明は省略する。図において、５はリード端子３に
設けられたフランジであり、１８はフッレットでる。フ
ランジ５により、回路基板１にリード端子３を圧入する
時、リード端子３の頭をスルーホール２の任意の位置に
設定、もしくは回路基板１の表面から任意の位置に突出
させることが可能で、各種接合条件に合わせた位置設定
が可能となる。リード端子３にエネルギービーム２１を
照射することにより、スルーホール２の内壁表面の導電
体とリード端子３のはんだめっき層４をフラックスを使
用しないで接合する。また、エネルギービーム２１をフ
ランジ５に照射することにより、リード端子３の先端部
が溶融する危険がなく、かつフランジ５でフィレット１
８が容易に形成され、リード端子３と回路基板１が確実
に接合されので、接合の信頼性が向上する。
ーホールに圧入する第２実施例を示しており、（ａ）は
回路基板の斜視図、（ｂ）はリード端子頭部を回路基板
内部に設定した場合の回路基板の断面図、（ｃ）はリー
ド端子頭部を回路基板表面に突出させた場合の回路基板
の断面図、（ｄ）リード端子のフランジ部にフィレット
を形成させた場合の回路基板の断面図である。なお、同
じ符号は同一の要素を示しているので、一度説明した符
号の説明は省略する。図において、５はリード端子３に
設けられたフランジであり、１８はフッレットでる。フ
ランジ５により、回路基板１にリード端子３を圧入する
時、リード端子３の頭をスルーホール２の任意の位置に
設定、もしくは回路基板１の表面から任意の位置に突出
させることが可能で、各種接合条件に合わせた位置設定
が可能となる。リード端子３にエネルギービーム２１を
照射することにより、スルーホール２の内壁表面の導電
体とリード端子３のはんだめっき層４をフラックスを使
用しないで接合する。また、エネルギービーム２１をフ
ランジ５に照射することにより、リード端子３の先端部
が溶融する危険がなく、かつフランジ５でフィレット１
８が容易に形成され、リード端子３と回路基板１が確実
に接合されので、接合の信頼性が向上する。
【０００９】図３は頭部を面取り又は丸みを付けたリー
ド端子をスルーホールに圧入する第３実施例を示してお
り、（ａ）は頭部を面取したリード端子の断面図、
（ｂ）は頭部に丸みを設けたリード端子の断面図、
（ｃ）は頭部に丸みを設けたリード端子をスルーホール
に圧入した状態の回路基板の断面図、（ｄ）は（ｃ）の
部分拡大図である。図から明らかなように、エネルギー
ビーム２１がリード端子３の頭部で多重反射し、壁面で
安定したエネルギーを吸収するので、効率よく安定した
エネルギービーム２１による接合が実現できる。又、頭
部が平面のリード端子３と異なり、リード端子３の頭部
の面粗さ、汚れ等の表面状態を厳格に管理する必要がな
い。更に、頭部が細いので回路基板１への圧入が容易
で、安定した圧入が実現できる。
ド端子をスルーホールに圧入する第３実施例を示してお
り、（ａ）は頭部を面取したリード端子の断面図、
（ｂ）は頭部に丸みを設けたリード端子の断面図、
（ｃ）は頭部に丸みを設けたリード端子をスルーホール
に圧入した状態の回路基板の断面図、（ｄ）は（ｃ）の
部分拡大図である。図から明らかなように、エネルギー
ビーム２１がリード端子３の頭部で多重反射し、壁面で
安定したエネルギーを吸収するので、効率よく安定した
エネルギービーム２１による接合が実現できる。又、頭
部が平面のリード端子３と異なり、リード端子３の頭部
の面粗さ、汚れ等の表面状態を厳格に管理する必要がな
い。更に、頭部が細いので回路基板１への圧入が容易
で、安定した圧入が実現できる。
【００１０】図４は頭部に凹状の溝を設けたリード端子
をスルーホールに圧入する第４実施例を示しており、
（ａ）〜（ｄ）はそれぞれリード端子頭部の凹状の溝の
形状が円錐、円筒、四角筒、十文字であることを示して
おり、（ｅ）及び（ｆ）は（ａ）及び（ｂ）のリード端
子の断面図、（ｇ）は回路基板の断面図である。図から
明らかなように、リード端子３の頭部に設けられた溝
（孔）にエネルギービーム２１を照射することにより、
孔内部でエネルギービーム２１が多重反射し、吸収が安
定したエネルギービーム２１による接合が実現できる。
Ｖ溝の場合、孔の開き角は３０°以下が望ましい。ま
た、熱が熱容量的にスルーホール２と接触部に集まりや
すく、入熱エネルギーが効率よく接合部に供給されるた
め、入熱量を下げることができ、周辺への熱影響を押さ
えることができる。しかも、リード端子３の頭部の表面
状態を厳格に管理する必要がない。
をスルーホールに圧入する第４実施例を示しており、
（ａ）〜（ｄ）はそれぞれリード端子頭部の凹状の溝の
形状が円錐、円筒、四角筒、十文字であることを示して
おり、（ｅ）及び（ｆ）は（ａ）及び（ｂ）のリード端
子の断面図、（ｇ）は回路基板の断面図である。図から
明らかなように、リード端子３の頭部に設けられた溝
（孔）にエネルギービーム２１を照射することにより、
孔内部でエネルギービーム２１が多重反射し、吸収が安
定したエネルギービーム２１による接合が実現できる。
Ｖ溝の場合、孔の開き角は３０°以下が望ましい。ま
た、熱が熱容量的にスルーホール２と接触部に集まりや
すく、入熱エネルギーが効率よく接合部に供給されるた
め、入熱量を下げることができ、周辺への熱影響を押さ
えることができる。しかも、リード端子３の頭部の表面
状態を厳格に管理する必要がない。
【００１１】図５は側面に溝又はリブ加工又は部分めっ
きを施したリード端子をスルーホールに圧入する第５実
施例を示しており、（ａ）は側面に溝加工されたリード
端子の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡにおけるリード端子
のＡ断面図、（ｃ）はリブ加工されたリード端子の斜視
図、（ｄ）は（ｃ）のＣにおけるリード端子のＣ断面
図、（ｅ）は側面に部分はんだめっきが施されたリード
端子の長手方向と直交する面の断面図、（ｆ）は
（ｂ），（ｄ）又は（ｅ）のリード端子のＢにおけるＢ
断面のリード端子を圧入した回路基板の断面図である。
図から明らかなように、エネルギービーム２１の吸収を
向上させ、安定した接合が実現できる。又、リード端子
３の頭部の表面状態を厳格に管理する必要がない。しか
も、リード端子３を回路基板１に圧入するとき、リード
端子３の肉が溝に逃げる効果があるため、圧入が容易に
なる。なお、リブ部分に熱が集まりやすく、入熱エネル
ギーが効率よく接合部に供給されるため、安定した接合
が可能になり、かつ入熱量を下げることも可能である。
きを施したリード端子をスルーホールに圧入する第５実
施例を示しており、（ａ）は側面に溝加工されたリード
端子の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡにおけるリード端子
のＡ断面図、（ｃ）はリブ加工されたリード端子の斜視
図、（ｄ）は（ｃ）のＣにおけるリード端子のＣ断面
図、（ｅ）は側面に部分はんだめっきが施されたリード
端子の長手方向と直交する面の断面図、（ｆ）は
（ｂ），（ｄ）又は（ｅ）のリード端子のＢにおけるＢ
断面のリード端子を圧入した回路基板の断面図である。
図から明らかなように、エネルギービーム２１の吸収を
向上させ、安定した接合が実現できる。又、リード端子
３の頭部の表面状態を厳格に管理する必要がない。しか
も、リード端子３を回路基板１に圧入するとき、リード
端子３の肉が溝に逃げる効果があるため、圧入が容易に
なる。なお、リブ部分に熱が集まりやすく、入熱エネル
ギーが効率よく接合部に供給されるため、安定した接合
が可能になり、かつ入熱量を下げることも可能である。
【００１２】図６は側面に厚めの部分めっきを施したリ
ード端子をスルーホールに圧入する第６実施例を示して
おり、（ａ）はリング状に部分めっきを側面に施したリ
ード端子の斜視図、（ｂ）は斑点状に部分めっきを側面
に施したリード端子の斜視図、（ｃ）の左側は従来のリ
ード端子を基板回路に圧入中の状態を示し、右側は
（ａ）又は（ｂ）のリード端子を回路基板に圧入中の状
態を示す断面図、（ｄ）は（ａ）又は（ｂ）のリード端
子を圧入した回路基板の断面図である。（ｃ）の左側の
従来のリード端子が示すように、圧入時に連続的にバリ
が生じるため切れにくく、エアーブロー等での除去が困
難であり、フランジピンでもフランジからバリがはみ出
す場合があり、後々にバリが取れた場合、短絡等の悪影
響を及ぼす可能性がある。本発明による実施例では、図
から明らかなように、部分めっき１３により、エネルギ
ービーム２１の吸収を向上させ、安定した接合が実現で
きる。又、リード端子３の頭部の表面状態を厳格に管理
する必要がない。しかも、リード端子３を回路基板１に
圧入するとき、リード端子３の肉が溝に逃げる効果があ
りるため、圧入が容易になり、圧入時に生じるバリ２３
が細かく分断され、バリ２３の除去が容易、かつフラン
ジ５に挟み込んでしまうことも可能である。なお、リブ
部分に熱が集まりやすく、入熱エネルギーが効率よく接
合部に供給されるため、安定した接合が可能になり、か
つ入熱量を下げることも可能である。
ード端子をスルーホールに圧入する第６実施例を示して
おり、（ａ）はリング状に部分めっきを側面に施したリ
ード端子の斜視図、（ｂ）は斑点状に部分めっきを側面
に施したリード端子の斜視図、（ｃ）の左側は従来のリ
ード端子を基板回路に圧入中の状態を示し、右側は
（ａ）又は（ｂ）のリード端子を回路基板に圧入中の状
態を示す断面図、（ｄ）は（ａ）又は（ｂ）のリード端
子を圧入した回路基板の断面図である。（ｃ）の左側の
従来のリード端子が示すように、圧入時に連続的にバリ
が生じるため切れにくく、エアーブロー等での除去が困
難であり、フランジピンでもフランジからバリがはみ出
す場合があり、後々にバリが取れた場合、短絡等の悪影
響を及ぼす可能性がある。本発明による実施例では、図
から明らかなように、部分めっき１３により、エネルギ
ービーム２１の吸収を向上させ、安定した接合が実現で
きる。又、リード端子３の頭部の表面状態を厳格に管理
する必要がない。しかも、リード端子３を回路基板１に
圧入するとき、リード端子３の肉が溝に逃げる効果があ
りるため、圧入が容易になり、圧入時に生じるバリ２３
が細かく分断され、バリ２３の除去が容易、かつフラン
ジ５に挟み込んでしまうことも可能である。なお、リブ
部分に熱が集まりやすく、入熱エネルギーが効率よく接
合部に供給されるため、安定した接合が可能になり、か
つ入熱量を下げることも可能である。
【００１３】図７は短いリード端子をスルーホールに圧
入する第７実施例を示しており、（ａ）及び（ｂ）は回
路基板の断面図である。図から明らかなように、リード
端子３の長さを短くしているので、回路基板１の表面か
らの段差があり、エネルギービーム２１を照射した時
に、スパッタ、金属蒸気等がスルーホール２の側壁で当
たり、表面に出にくい。又、レーザビーム２２をスルー
ホール２の側壁（Au）で反射させることにより、ビーム
の強度分布を均一にする。従って、エネルギービーム２
１を照射した時にスパッタ等が飛散して、回路基板１の
表面に付着する恐れがなく、そのためにエネルギー条件
の管理を厳しくする必要もなく、いっそうの接合安定化
を図ることができる。
入する第７実施例を示しており、（ａ）及び（ｂ）は回
路基板の断面図である。図から明らかなように、リード
端子３の長さを短くしているので、回路基板１の表面か
らの段差があり、エネルギービーム２１を照射した時
に、スパッタ、金属蒸気等がスルーホール２の側壁で当
たり、表面に出にくい。又、レーザビーム２２をスルー
ホール２の側壁（Au）で反射させることにより、ビーム
の強度分布を均一にする。従って、エネルギービーム２
１を照射した時にスパッタ等が飛散して、回路基板１の
表面に付着する恐れがなく、そのためにエネルギー条件
の管理を厳しくする必要もなく、いっそうの接合安定化
を図ることができる。
【００１４】図８は圧入部分が先割れしているリード端
子をスルーホールに圧入する第８実施例を示しており、
（ａ）は圧入部分を先割れ状態にしたリード端子の斜視
図、（ｂ）は（ａ）の圧入部分の断面図、（ｃ）回路基
板の断面図である。図から明らかなように、リード端子
３の先端が割れているので、リード端子３の内部にエネ
ルギービーム２１が導入され、エネルギー吸収率が非常
に高くなる。また、リードの根本まで加熱可能であるの
で、リード全体をはんだ接合可能となる。又、圧入前に
先割れ部分を開いておくと、圧入後そのバネ性により、
スルーホール２への密着性が向上し、エネルギービーム
入熱が効率よく接合に使われる。
子をスルーホールに圧入する第８実施例を示しており、
（ａ）は圧入部分を先割れ状態にしたリード端子の斜視
図、（ｂ）は（ａ）の圧入部分の断面図、（ｃ）回路基
板の断面図である。図から明らかなように、リード端子
３の先端が割れているので、リード端子３の内部にエネ
ルギービーム２１が導入され、エネルギー吸収率が非常
に高くなる。また、リードの根本まで加熱可能であるの
で、リード全体をはんだ接合可能となる。又、圧入前に
先割れ部分を開いておくと、圧入後そのバネ性により、
スルーホール２への密着性が向上し、エネルギービーム
入熱が効率よく接合に使われる。
【００１５】図９は側面とフランジに溝を設けたリード
端子をスルーホールに圧入する第９実施例を示してお
り、（ａ）はリード部とフランジにも溝を設けたリード
端子の斜視図、（ｂ）及び（ｃ）は回路基板の断面図で
ある。リード部のみに溝７を設けたリード端子３にエネ
ルギービーム２１を照射すると、リード端子３の先端が
エネルギービーム２１により溶融し変形するためリード
端子３の先端付近でスルーホール２が溶融金属で埋ま
る。そこで、スルーホール２の内部に在留したガス（空
気、金属蒸気等）が熱により膨張し、その圧力でリード
端子３の先端付近で埋まった溶融金属を飛散させてしま
うことがある。この実施例では、リード端子３のリード
部だけでなく、フランジ５にも溝７を設けたので、エネ
ルギービーム２１により急激に加熱され、膨張したガス
が下方に抜けるためエネルギービーム２１により、接合
された部分が噴き飛ぶことなく、安定した接合が得られ
る。すなわち、回路基板１の上方に溶融金属が飛び散ら
ないので、回路基板１の表面が汚染されることがない。
端子をスルーホールに圧入する第９実施例を示してお
り、（ａ）はリード部とフランジにも溝を設けたリード
端子の斜視図、（ｂ）及び（ｃ）は回路基板の断面図で
ある。リード部のみに溝７を設けたリード端子３にエネ
ルギービーム２１を照射すると、リード端子３の先端が
エネルギービーム２１により溶融し変形するためリード
端子３の先端付近でスルーホール２が溶融金属で埋ま
る。そこで、スルーホール２の内部に在留したガス（空
気、金属蒸気等）が熱により膨張し、その圧力でリード
端子３の先端付近で埋まった溶融金属を飛散させてしま
うことがある。この実施例では、リード端子３のリード
部だけでなく、フランジ５にも溝７を設けたので、エネ
ルギービーム２１により急激に加熱され、膨張したガス
が下方に抜けるためエネルギービーム２１により、接合
された部分が噴き飛ぶことなく、安定した接合が得られ
る。すなわち、回路基板１の上方に溶融金属が飛び散ら
ないので、回路基板１の表面が汚染されることがない。
【００１６】図１０は不活性ガスを使用する第１０実施
例を示しており、（ａ）はリード部とフランジに溝を有
するリード端子の場合の不活性ガスの流れを示す回路基
板の断面図、（ｂ）はリード部に溝を有するストレート
リード端子の場合の不活性ガスの流れを示す回路基板の
断面図である。接合時の酸化を防止するため、Ｎ2 、Ａ
ｒ、Ｈｅ等の不活性ガス１５をガスノズル１４を介して
回路基板１の下側から吹き付けている。図から明らかな
ように、不活性ガス１５がリード端子３全体を包むので
接合時の酸化を防止することができ、安定した接合が得
られる。
例を示しており、（ａ）はリード部とフランジに溝を有
するリード端子の場合の不活性ガスの流れを示す回路基
板の断面図、（ｂ）はリード部に溝を有するストレート
リード端子の場合の不活性ガスの流れを示す回路基板の
断面図である。接合時の酸化を防止するため、Ｎ2 、Ａ
ｒ、Ｈｅ等の不活性ガス１５をガスノズル１４を介して
回路基板１の下側から吹き付けている。図から明らかな
ように、不活性ガス１５がリード端子３全体を包むので
接合時の酸化を防止することができ、安定した接合が得
られる。
【００１７】図１１はテーパを施したスルーホールにリ
ード端子を圧入する第１１実施例を示しており、（ａ）
は圧入中のリード端子と回路基板の断面図、（ｂ）は圧
入完了のリード端子と回路基板の断面図である。図にお
いて、２４は機械加工やめっき厚の変化等によりテーパ
を付けたスルーホールである。リード端子３の形状やス
ルーホール２４の孔形状のばらつきに関係なく、圧入時
にエネルギービーム２１の照射部分で回路基板１とリー
ド端子３の密着が確保され、良好な接合が可能である。
すなわち、リード端子３にエネルギービーム２１を照射
することにより、スルーホール２４のテーパ孔の小径側
は回路基板１とリード端子３の密着が確保され熱容量が
安定し、エネルギービーム２１の入熱による接合が安定
する。
ード端子を圧入する第１１実施例を示しており、（ａ）
は圧入中のリード端子と回路基板の断面図、（ｂ）は圧
入完了のリード端子と回路基板の断面図である。図にお
いて、２４は機械加工やめっき厚の変化等によりテーパ
を付けたスルーホールである。リード端子３の形状やス
ルーホール２４の孔形状のばらつきに関係なく、圧入時
にエネルギービーム２１の照射部分で回路基板１とリー
ド端子３の密着が確保され、良好な接合が可能である。
すなわち、リード端子３にエネルギービーム２１を照射
することにより、スルーホール２４のテーパ孔の小径側
は回路基板１とリード端子３の密着が確保され熱容量が
安定し、エネルギービーム２１の入熱による接合が安定
する。
【００１８】図１２はテーパを施したリード端子をスル
ーホールに圧入する第１２実施例を示しており、（ａ）
はめっき厚さ変化によりテーパを施したリード端子の断
面図、（ｂ）は圧入中のリード端子と回路基板の断面
図、（ｃ）は圧入完了のリード端子と回路基板の断面
図、（ｄ）はリード端子の圧入によるバリの発生を説明
する断面図、（ｅ）はエネルギービームの照射によりフ
ィレットの形成を説明する断面図である。リード端子３
の太側は回路基板１とリード端子３の密着が確保され熱
容量が安定し、エネルギービーム２１の入熱による接合
が安定する。すなわち、リード端子３の形状やスルーホ
ール２の孔形状のばらつきに関係なく、圧入時にエネル
ギービーム２１の照射部分で回路基板１とリード端子３
の密着が確保され、良好な接合が可能である。
ーホールに圧入する第１２実施例を示しており、（ａ）
はめっき厚さ変化によりテーパを施したリード端子の断
面図、（ｂ）は圧入中のリード端子と回路基板の断面
図、（ｃ）は圧入完了のリード端子と回路基板の断面
図、（ｄ）はリード端子の圧入によるバリの発生を説明
する断面図、（ｅ）はエネルギービームの照射によりフ
ィレットの形成を説明する断面図である。リード端子３
の太側は回路基板１とリード端子３の密着が確保され熱
容量が安定し、エネルギービーム２１の入熱による接合
が安定する。すなわち、リード端子３の形状やスルーホ
ール２の孔形状のばらつきに関係なく、圧入時にエネル
ギービーム２１の照射部分で回路基板１とリード端子３
の密着が確保され、良好な接合が可能である。
【００１９】図１３はリード圧入部分に少なくとも一個
所の円周を残し、側面に溝加工又はリブ加工又は凹凸加
工を施したリード端子を用いる第１３実施例を示してお
り、（ａ）は円周が１段である横リブ加工を施したリー
ド端子、（ｂ）は円周が１段であるリブ加工を施したリ
ード端子、（ｃ）は円周が２段である逃がし部を施した
リード端子、（ｄ）は円周が２段である凹凸部を施した
リード端子、（ｅ）は円周が１段である逃がし部を施し
たリード端子と逃がしなし部の断面及び逃がしあり部の
断面である。基板への圧入を考慮して側面に溝や凹凸で
逃がしを設けると、基板との接触面接が低下し、基板か
らの引抜き強度が弱くなる。また、全体を太くすると、
圧入が悪くなったり、基板へのダメージが増加する。し
かしながら、本実施例では、回路基板への圧入が容易
で、かつ回路基板からの引抜き強度も低下しない。つま
り、圧入し易く、かつ密着性が確保でき接合の安定性が
得られる。
所の円周を残し、側面に溝加工又はリブ加工又は凹凸加
工を施したリード端子を用いる第１３実施例を示してお
り、（ａ）は円周が１段である横リブ加工を施したリー
ド端子、（ｂ）は円周が１段であるリブ加工を施したリ
ード端子、（ｃ）は円周が２段である逃がし部を施した
リード端子、（ｄ）は円周が２段である凹凸部を施した
リード端子、（ｅ）は円周が１段である逃がし部を施し
たリード端子と逃がしなし部の断面及び逃がしあり部の
断面である。基板への圧入を考慮して側面に溝や凹凸で
逃がしを設けると、基板との接触面接が低下し、基板か
らの引抜き強度が弱くなる。また、全体を太くすると、
圧入が悪くなったり、基板へのダメージが増加する。し
かしながら、本実施例では、回路基板への圧入が容易
で、かつ回路基板からの引抜き強度も低下しない。つま
り、圧入し易く、かつ密着性が確保でき接合の安定性が
得られる。
【００２０】図１４はリード端子をスルーホールに圧入
した後、リード端子の先端を押圧して変形させる第１４
実施例を示しており、（ａ）はリード端子の変形部分が
基板内部にある場合、（ｂ）はリード端子の変形部分が
基板外部にある場合、（ｃ）はリード端子の変形部分が
フランジ形状である場合の断面図である。図において、
矢印はリード端子３への押圧方向を示している。リード
端子３のエネルギー照射近傍をパンチで潰すことでスル
ーホール２との密着を確保し熱容量を安定させることが
でき、エネルギービーム２１の入熱による温度上昇が安
定し接合信頼性が向上する。リード端子３のリードを潰
すことで隙間部分にはんだ（めっきで供給）が押し込ま
れ接合面積の向上が図れる。
した後、リード端子の先端を押圧して変形させる第１４
実施例を示しており、（ａ）はリード端子の変形部分が
基板内部にある場合、（ｂ）はリード端子の変形部分が
基板外部にある場合、（ｃ）はリード端子の変形部分が
フランジ形状である場合の断面図である。図において、
矢印はリード端子３への押圧方向を示している。リード
端子３のエネルギー照射近傍をパンチで潰すことでスル
ーホール２との密着を確保し熱容量を安定させることが
でき、エネルギービーム２１の入熱による温度上昇が安
定し接合信頼性が向上する。リード端子３のリードを潰
すことで隙間部分にはんだ（めっきで供給）が押し込ま
れ接合面積の向上が図れる。
【００２１】図１５は回路基板の表面に透光板を設置し
た第１５実施例を示しており、（ａ）はリード端子先端
と回路基板が同じ高さの場合の回路基板の断面図、
（ｂ）はリード端子先端がスルーホール内部にある場合
の回路基板の断面図である。ＹＡＧレーザ、光ビームを
用いる場合の透光板１６には例えばガラス、透光アルミ
ナ等であり、ＣＯ2 レーザを用いる場合の透光板１６に
は例えばＺｎＳｅ等である。図から明らかなように、レ
ーザビーム２２の照射時にリード端子３の頭部からのス
パッタ、金属蒸気等が透光板１６に遮蔽されてスルーホ
ール２から出ず、回路基板１の表面が汚れるということ
がなく、汚れのない接合ができる。
た第１５実施例を示しており、（ａ）はリード端子先端
と回路基板が同じ高さの場合の回路基板の断面図、
（ｂ）はリード端子先端がスルーホール内部にある場合
の回路基板の断面図である。ＹＡＧレーザ、光ビームを
用いる場合の透光板１６には例えばガラス、透光アルミ
ナ等であり、ＣＯ2 レーザを用いる場合の透光板１６に
は例えばＺｎＳｅ等である。図から明らかなように、レ
ーザビーム２２の照射時にリード端子３の頭部からのス
パッタ、金属蒸気等が透光板１６に遮蔽されてスルーホ
ール２から出ず、回路基板１の表面が汚れるということ
がなく、汚れのない接合ができる。
【００２２】図１６は液中で回路基板へのリード端子接
合を行う第１６実施例を示しており、（ａ）は液外から
直接ビームを照射する場合、（ｂ）は液外から透光板越
しにビームを照射する場合の断面図である。図から明ら
かなように、スパッタ、金属蒸気等で、回路基板１の表
面が汚れることがない。液体２０は、Ｈ2 Ｏ，又はＨ2
Ｏ＋アルコール（ＣＨ3 ＯＨ，Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ，等）が考
えられる。大気遮断による酸化防止効果にＣＨ3 ＯＨに
よる表面活性効果が加味され、接合信頼性が向上する。
例えば、Ｃｕめっきの活性化は下記の反応による。 ６ＣｕＯ＋Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ→６Ｃｕ＋２ＣＯ2 ＋３Ｈ2 Ｏ 液体を流すことで、汚染物やスパッタ等が除去されやす
くなり常に清浄な液体が供給される。ＹＡＧレーザ、光
ビームを用いる場合の透光板には例えばガラス、透光ア
ルミナ等、ＣＯ2 レーザを用いる場合の透光板には例え
ばＺｎＳｅ等が用いられる。
合を行う第１６実施例を示しており、（ａ）は液外から
直接ビームを照射する場合、（ｂ）は液外から透光板越
しにビームを照射する場合の断面図である。図から明ら
かなように、スパッタ、金属蒸気等で、回路基板１の表
面が汚れることがない。液体２０は、Ｈ2 Ｏ，又はＨ2
Ｏ＋アルコール（ＣＨ3 ＯＨ，Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ，等）が考
えられる。大気遮断による酸化防止効果にＣＨ3 ＯＨに
よる表面活性効果が加味され、接合信頼性が向上する。
例えば、Ｃｕめっきの活性化は下記の反応による。 ６ＣｕＯ＋Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ→６Ｃｕ＋２ＣＯ2 ＋３Ｈ2 Ｏ 液体を流すことで、汚染物やスパッタ等が除去されやす
くなり常に清浄な液体が供給される。ＹＡＧレーザ、光
ビームを用いる場合の透光板には例えばガラス、透光ア
ルミナ等、ＣＯ2 レーザを用いる場合の透光板には例え
ばＺｎＳｅ等が用いられる。
【００２３】図１７はスルーホール上部の孔径を大きく
した第１７実施例を示しており、（ａ）はエネルギービ
ーム照射前の回路基板の断面図、（ｂ）は照射後の回路
基板の断面図である。図から明らかなように、エネルギ
ービーム２１の照射によりリード端子３の頭部が溶融
し、溶融部が溶融前の頭部よりも太くなり、リード端子
３は下向きには抜けなくなり、機械的強度が向上する。
従って、接合力が小さい場合、製品をはんだディップ層
に浸漬した場合等において、リード端子３が抜け落ちる
心配がない。
した第１７実施例を示しており、（ａ）はエネルギービ
ーム照射前の回路基板の断面図、（ｂ）は照射後の回路
基板の断面図である。図から明らかなように、エネルギ
ービーム２１の照射によりリード端子３の頭部が溶融
し、溶融部が溶融前の頭部よりも太くなり、リード端子
３は下向きには抜けなくなり、機械的強度が向上する。
従って、接合力が小さい場合、製品をはんだディップ層
に浸漬した場合等において、リード端子３が抜け落ちる
心配がない。
【００２４】図１８はリード端子を回路基板の表面より
突出させた第１８実施例を示しており、（ａ）はエネル
ギービーム照射前の回路基板の断面図、（ｂ）照射後の
回路基板の断面図である。図から明らかなように、エネ
ルギービーム２１の照射によりリード端子３の頭部が溶
融し、溶融部が溶融前の頭部よりも太くなり、リード端
子３は下向きには抜けなくなり、機械的強度が向上す
る。
突出させた第１８実施例を示しており、（ａ）はエネル
ギービーム照射前の回路基板の断面図、（ｂ）照射後の
回路基板の断面図である。図から明らかなように、エネ
ルギービーム２１の照射によりリード端子３の頭部が溶
融し、溶融部が溶融前の頭部よりも太くなり、リード端
子３は下向きには抜けなくなり、機械的強度が向上す
る。
【００２５】図１９はフィレットを形成する第１９実施
例を示しており、（ａ）はエネルギービーム照射前の回
路基板の断面図、（ｂ）は照射後の回路基板の断面図で
ある。図から明らかなように、リード端子３のフランジ
５と回路基板１との間に挟み込まれた例えばはんだリン
グ１７はエネルギービーム２１の照射により回路基板１
の下面にフィレット１８を形成することにより、リード
端子３の接合をより確実なものにできる。従って、ディ
ップ層に浸漬するとリード端子３のフランジ５にはんだ
のフィレット１８が形成されるが、エネルギービーム接
合に置き換えた場合、はんだ供給がリード端子３のはん
だめっきで行うため基板下面で形成されるフィレットが
小さいという問題も解消される。本実施例では、回路基
板１の下面に大きく安定したフィレット１８を形成する
ことにより、リード端子３の接合をより確実なものにで
きる。
例を示しており、（ａ）はエネルギービーム照射前の回
路基板の断面図、（ｂ）は照射後の回路基板の断面図で
ある。図から明らかなように、リード端子３のフランジ
５と回路基板１との間に挟み込まれた例えばはんだリン
グ１７はエネルギービーム２１の照射により回路基板１
の下面にフィレット１８を形成することにより、リード
端子３の接合をより確実なものにできる。従って、ディ
ップ層に浸漬するとリード端子３のフランジ５にはんだ
のフィレット１８が形成されるが、エネルギービーム接
合に置き換えた場合、はんだ供給がリード端子３のはん
だめっきで行うため基板下面で形成されるフィレットが
小さいという問題も解消される。本実施例では、回路基
板１の下面に大きく安定したフィレット１８を形成する
ことにより、リード端子３の接合をより確実なものにで
きる。
【００２６】図２０はリード端子のリード部にはんだ又
はろう材を厚く設けた第２０実施例を示しており、
（ａ）ははんだめっきの厚い（５〜４０μｍ）リード端
子の圧入中の回路基板の断面図、（ｂ）はリード端子の
圧入後の回路基板の断面図である。図から明らかなよう
に、リード端子３をスルーホール２に圧入する際にリー
ド部のはんだ又はろう材が削られ、削られたはんだ又は
ろう材１９がリード端子３のフランジ５と回路基板１と
の間に挟み込まれる。この削られたはんだ又はろう材１
９はエネルギービーム２１の照射により回路基板１の下
面に大きく安定したフィレットを形成することにより、
リード端子３の結合をより確実なものにできる。しか
も、バリを有効的に使うことにより、バリによる品質上
の問題もなくなる。
はろう材を厚く設けた第２０実施例を示しており、
（ａ）ははんだめっきの厚い（５〜４０μｍ）リード端
子の圧入中の回路基板の断面図、（ｂ）はリード端子の
圧入後の回路基板の断面図である。図から明らかなよう
に、リード端子３をスルーホール２に圧入する際にリー
ド部のはんだ又はろう材が削られ、削られたはんだ又は
ろう材１９がリード端子３のフランジ５と回路基板１と
の間に挟み込まれる。この削られたはんだ又はろう材１
９はエネルギービーム２１の照射により回路基板１の下
面に大きく安定したフィレットを形成することにより、
リード端子３の結合をより確実なものにできる。しか
も、バリを有効的に使うことにより、バリによる品質上
の問題もなくなる。
【００２７】図２１はリード端子に設けられたフランジ
の周辺部が中心部よりも薄くなるようにした第２１実施
例を示しており、（ａ）はフィレットの生成を示し、
（ｂ）はフランジの形状が段状であり、（ｃ）は傘状フ
ランジにおける圧入工程を示している。従って、ディッ
プ層に浸漬するとリード端子３のフランジ５にはんだの
フィレット１８が形成されるが、エネルギービーム接合
に置き換えた場合、はんだ供給がリード端子３のはんだ
めっきで行うため基板下面で形成されるフィレットが小
さく不安定という問題があった。また、はんだ供給が少
ないので全周にわたりフィレットを形成させるには入熱
のバランスを厳しく管理する必要（特にフランジ外周部
を均一に昇温させる必要有り）があった。本実施例で
は、フランジ外周部を薄くする事で熱がこもり発温し易
く、また外周部が確実に基板に接触し熱が基板にも伝わ
り易くなるので、回路基板１の下面に安定したフィレッ
ト１８を形成することができ、リード端子３の接合をよ
り確実なものにできる。
の周辺部が中心部よりも薄くなるようにした第２１実施
例を示しており、（ａ）はフィレットの生成を示し、
（ｂ）はフランジの形状が段状であり、（ｃ）は傘状フ
ランジにおける圧入工程を示している。従って、ディッ
プ層に浸漬するとリード端子３のフランジ５にはんだの
フィレット１８が形成されるが、エネルギービーム接合
に置き換えた場合、はんだ供給がリード端子３のはんだ
めっきで行うため基板下面で形成されるフィレットが小
さく不安定という問題があった。また、はんだ供給が少
ないので全周にわたりフィレットを形成させるには入熱
のバランスを厳しく管理する必要（特にフランジ外周部
を均一に昇温させる必要有り）があった。本実施例で
は、フランジ外周部を薄くする事で熱がこもり発温し易
く、また外周部が確実に基板に接触し熱が基板にも伝わ
り易くなるので、回路基板１の下面に安定したフィレッ
ト１８を形成することができ、リード端子３の接合をよ
り確実なものにできる。
【００２８】図２２はリード端子に設けられたフランジ
において、回路基板に接する面と反対側の周辺部を凸状
にした第２２実施例を示しており、（ａ）はフランジの
周辺部がエッジ状のリード端子であり、（ｂ）はフラン
ジの周辺部がＲ状又は段付き状のリード端子であり、
（ｃ）は（ａ）又は（ｂ）のリード端子にエネルギービ
ームを照射中の回路基板の断面である。図から明らかな
ように、エネルギービーム２１の反射光が回路基板１の
方向に飛ばないので回路基板１の表面にはダメージが入
らない。少なくとも凸部の内部にエネルギービーム２１
を照射すれば、回路基板側にはビームは飛ばない。すな
わち、ビームの反射で回路基板１の表面が汚れることが
ない。
において、回路基板に接する面と反対側の周辺部を凸状
にした第２２実施例を示しており、（ａ）はフランジの
周辺部がエッジ状のリード端子であり、（ｂ）はフラン
ジの周辺部がＲ状又は段付き状のリード端子であり、
（ｃ）は（ａ）又は（ｂ）のリード端子にエネルギービ
ームを照射中の回路基板の断面である。図から明らかな
ように、エネルギービーム２１の反射光が回路基板１の
方向に飛ばないので回路基板１の表面にはダメージが入
らない。少なくとも凸部の内部にエネルギービーム２１
を照射すれば、回路基板側にはビームは飛ばない。すな
わち、ビームの反射で回路基板１の表面が汚れることが
ない。
【００２９】図２３はリード端子の圧入部分に少なくと
も１箇所以上の段差を設けた第２３実施例を示してお
り、（ａ）は段差付のリード端子の斜視図、（ｂ）は
（ａ）のリード端子を圧入した回路基板の断面図、
（ｃ）は二段の段差のリード端子の斜視図、（ｄ）は二
段の段差のリード端子、（ｅ）は二段の段差と溝付のリ
ード端子、（ｆ）は他の二段の段差と溝付のリード端
子、（ｇ）は多段の段差のリード端子、（ｈ）は二段の
段差と溝付のリード端子である。図から明らかなよう
に、（ｂ）において、段部分でバリ２３が切断され、エ
アーブロー等で除去が可能であり、段で圧入時に生じる
バリ量が減少し、生じたバリ２３をフランジ５と回路基
板１の間に挟み込んで収納することもできる。また、
（ｅ），（ｆ）において、溝の位相を上段と下段で変え
ることで、上段で生じたバリ２３を下段溝に収納するこ
とができる。このような段差を設けたリード端子３を用
いることにより、スルーホールにダメージを与えないで
回路基板１への圧入が可能であり、入熱による接合性が
安定する。また、圧入時に生じるバリ２３が減少し、ま
たは除去が可能であり、かつフランジ５と回路基板１の
間に収納でき、信頼性が向上する。従って、リード端子
３の径管理かつスルーホールの孔径管理を厳格に行う必
要がない。
も１箇所以上の段差を設けた第２３実施例を示してお
り、（ａ）は段差付のリード端子の斜視図、（ｂ）は
（ａ）のリード端子を圧入した回路基板の断面図、
（ｃ）は二段の段差のリード端子の斜視図、（ｄ）は二
段の段差のリード端子、（ｅ）は二段の段差と溝付のリ
ード端子、（ｆ）は他の二段の段差と溝付のリード端
子、（ｇ）は多段の段差のリード端子、（ｈ）は二段の
段差と溝付のリード端子である。図から明らかなよう
に、（ｂ）において、段部分でバリ２３が切断され、エ
アーブロー等で除去が可能であり、段で圧入時に生じる
バリ量が減少し、生じたバリ２３をフランジ５と回路基
板１の間に挟み込んで収納することもできる。また、
（ｅ），（ｆ）において、溝の位相を上段と下段で変え
ることで、上段で生じたバリ２３を下段溝に収納するこ
とができる。このような段差を設けたリード端子３を用
いることにより、スルーホールにダメージを与えないで
回路基板１への圧入が可能であり、入熱による接合性が
安定する。また、圧入時に生じるバリ２３が減少し、ま
たは除去が可能であり、かつフランジ５と回路基板１の
間に収納でき、信頼性が向上する。従って、リード端子
３の径管理かつスルーホールの孔径管理を厳格に行う必
要がない。
【００３０】図２４はリード端子の側面に圧入方向に対
し斜めの溝加工もしくはリブ加工を施した第２４実施例
を示しており、（ａ）は斜溝加工を施したリード端子の
斜視図、（ｂ）は（ａ）のリード端子を圧入中の回路基
板の断面図、（ｃ）は複数斜溝加工を施したリード端子
の斜視図、（ｄ）は斜溝状にリブ加工（部分めっきでも
可）を施したリード端子の斜視図、（ｅ）は複数斜溝状
にリブ加工（部分めっきでも可）を施したリード端子の
斜視図である。図から明らかなように、（ｂ）におい
て、バリ２３がスパイラル状になり、フランジ５の下部
に収納可能となる。（ｃ）においては、スパイラル状の
バリ２３がフランジ５の下部へ収納され、かつ細かく分
散される。こうように、スルーホールにダメージを与え
ないで回路基板１への圧入が可能であり、入熱による接
合性が安定する。また、圧入時に生じるバリ２３が減少
し、または除去が可能であり、かつフランジ５と回路基
板１の間に収納でき、信頼性が向上する。従って、リー
ド端子３の径管理を厳格に行う必要がない。
し斜めの溝加工もしくはリブ加工を施した第２４実施例
を示しており、（ａ）は斜溝加工を施したリード端子の
斜視図、（ｂ）は（ａ）のリード端子を圧入中の回路基
板の断面図、（ｃ）は複数斜溝加工を施したリード端子
の斜視図、（ｄ）は斜溝状にリブ加工（部分めっきでも
可）を施したリード端子の斜視図、（ｅ）は複数斜溝状
にリブ加工（部分めっきでも可）を施したリード端子の
斜視図である。図から明らかなように、（ｂ）におい
て、バリ２３がスパイラル状になり、フランジ５の下部
に収納可能となる。（ｃ）においては、スパイラル状の
バリ２３がフランジ５の下部へ収納され、かつ細かく分
散される。こうように、スルーホールにダメージを与え
ないで回路基板１への圧入が可能であり、入熱による接
合性が安定する。また、圧入時に生じるバリ２３が減少
し、または除去が可能であり、かつフランジ５と回路基
板１の間に収納でき、信頼性が向上する。従って、リー
ド端子３の径管理を厳格に行う必要がない。
【００３１】図２５はリード端子のフランジに袋状の段
差を設けた第２５実施例を示しており、（ａ），（ｂ）
は袋状フランジを有するリード端子の圧入状態を示し、
（ｃ）は袋状フランジにエネルギービームを照射してい
る状態を示している。図から明らかなように、（ａ）に
おいては、フランジ５の袋状の段差はリード端子３の圧
入時に生じたバリ２３を収納するスペースとなる。
（ｂ）においては、例えバリ２３がはみ出しても、フラ
ンジ５の先端で確実にバリ２３を挟み込むことができる
のでバリ２３が後で外れたりすることがない。（ｃ）に
おいて、フランジ５に入熱し接合する場合、フランジ５
の外周部を熱が移動するため、そこに接する回路基板１
へも熱が伝わり易く、フィレット１８の形成が容易であ
る。以上のように、生じたバリ２３を袋状のフランジ５
に収納できるため、外観状バリが生じず、品質管理が容
易になる。また、例えバリ２３がはみ出しても、フラン
ジ５の先端で確実にバリ２３を挟み込むので、バリ２３
が後で外れたりするこがないため信頼性が向上する。更
に、熱伝導経路が決まり、フィレット１８の形成が容易
に安定して行える。
差を設けた第２５実施例を示しており、（ａ），（ｂ）
は袋状フランジを有するリード端子の圧入状態を示し、
（ｃ）は袋状フランジにエネルギービームを照射してい
る状態を示している。図から明らかなように、（ａ）に
おいては、フランジ５の袋状の段差はリード端子３の圧
入時に生じたバリ２３を収納するスペースとなる。
（ｂ）においては、例えバリ２３がはみ出しても、フラ
ンジ５の先端で確実にバリ２３を挟み込むことができる
のでバリ２３が後で外れたりすることがない。（ｃ）に
おいて、フランジ５に入熱し接合する場合、フランジ５
の外周部を熱が移動するため、そこに接する回路基板１
へも熱が伝わり易く、フィレット１８の形成が容易であ
る。以上のように、生じたバリ２３を袋状のフランジ５
に収納できるため、外観状バリが生じず、品質管理が容
易になる。また、例えバリ２３がはみ出しても、フラン
ジ５の先端で確実にバリ２３を挟み込むので、バリ２３
が後で外れたりするこがないため信頼性が向上する。更
に、熱伝導経路が決まり、フィレット１８の形成が容易
に安定して行える。
【００３２】図２６はリード端子の圧入部分に溝加工又
はリブ加工を施し、かつ圧入部分の凸部と対応するよう
にフランジに溝を設けた第２６実施例を示しており、
（ａ）〜（ｄ）はリード端子の圧入状態を示している。
バリ２３がフランジ５の溝に入り、回路基板１との間に
挟まらないので、エアブロー等でバリ２３の除去が可能
である。回路基板１とフランジ５がバリ２３を挟むこと
がないので密着し、フランジ５でのフィレット１８の形
成が容易になる。リード端子３にたとえばはんだめっき
した場合は、フランジ５の溝７にはんだめっきのバリ２
３が供給されるので全周にわたり、良好なフィレット１
８が形成されるのでバリ除去をあえてしなくてもよい。
従って、圧入時のバリ２３による、品質面と信頼性面で
問題がなくなる。バリ２３の挟まりによるフランジ５と
回路基板１の間での隙間発生がなくなり、フランジ５と
回路基板１との接触が確保されるため、そこでの接合状
態が安定し、かつ全周均一に接合することができる。
はリブ加工を施し、かつ圧入部分の凸部と対応するよう
にフランジに溝を設けた第２６実施例を示しており、
（ａ）〜（ｄ）はリード端子の圧入状態を示している。
バリ２３がフランジ５の溝に入り、回路基板１との間に
挟まらないので、エアブロー等でバリ２３の除去が可能
である。回路基板１とフランジ５がバリ２３を挟むこと
がないので密着し、フランジ５でのフィレット１８の形
成が容易になる。リード端子３にたとえばはんだめっき
した場合は、フランジ５の溝７にはんだめっきのバリ２
３が供給されるので全周にわたり、良好なフィレット１
８が形成されるのでバリ除去をあえてしなくてもよい。
従って、圧入時のバリ２３による、品質面と信頼性面で
問題がなくなる。バリ２３の挟まりによるフランジ５と
回路基板１の間での隙間発生がなくなり、フランジ５と
回路基板１との接触が確保されるため、そこでの接合状
態が安定し、かつ全周均一に接合することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による回路
基板へのリード端子接合方法は、めっきしたリード端子
をスルーホールに圧入し、リード端子にエネルギービー
ムを照射することにより、スルーホール内壁表面の導電
体とリード端子をフラックスレスで接合するので、フラ
ックスを必要とせず、リードのはんだめっきのやせ細り
がなく、リード位置によるはんだ付けのバラツキがない
信頼性の高いフラックスレス接合が得られる。
基板へのリード端子接合方法は、めっきしたリード端子
をスルーホールに圧入し、リード端子にエネルギービー
ムを照射することにより、スルーホール内壁表面の導電
体とリード端子をフラックスレスで接合するので、フラ
ックスを必要とせず、リードのはんだめっきのやせ細り
がなく、リード位置によるはんだ付けのバラツキがない
信頼性の高いフラックスレス接合が得られる。
【図１】本発明の第１実施例を示す回路基板の斜視図と
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す回路基板の斜視図と
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第３実施例を示すリード端子と回路基
板の断面図である。
板の断面図である。
【図４】本発明の第４実施例を示すリード端子と回路基
板の断面図である。
板の断面図である。
【図５】本発明の第５実施例を示すリード端子と回路基
板の断面図である。
板の断面図である。
【図６】本発明の第６実施例を示すリード端子と回路基
板の断面図である。
板の断面図である。
【図７】本発明の第７実施例を示す回路基板の断面図で
ある。
ある。
【図８】本発明の第８実施例を示すリード端子と回路基
板の断面図である。
板の断面図である。
【図９】本発明の第９実施例を示すリード端子と回路基
板の断面図である。
板の断面図である。
【図１０】本発明の第１０実施例を示す回路基板の断面
図である。
図である。
【図１１】本発明の第１１実施例を示す回路基板の断面
図である。
図である。
【図１２】本発明の第１２実施例を示すリード端子と回
路基板の断面図である。
路基板の断面図である。
【図１３】本発明の第１３実施例を示すリード端子の図
である。
である。
【図１４】本発明の第１４実施例を示す回路基板の断面
図である。
図である。
【図１５】本発明の第１５実施例を示す回路基板の断面
図である。
図である。
【図１６】本発明の第１６実施例を示す液中の回路基板
の断面図である。
の断面図である。
【図１７】本発明の第１７実施例を示す回路基板の断面
図である。
図である。
【図１８】本発明の第１８実施例を示す回路基板の断面
図である。
図である。
【図１９】本発明の第１９実施例を示す回路基板の断面
図である。
図である。
【図２０】本発明の第２０実施例を示す回路基板の断面
図である。
図である。
【図２１】本発明の第２１実施例を示す回路基板の断面
図である。
図である。
【図２２】本発明の第２２実施例を示すリード端子と回
路基板の断面図である。
路基板の断面図である。
【図２３】本発明の第２３実施例を示すリード端子の図
である。
である。
【図２４】本発明の第２４実施例を示すリード端子と回
路基板の断面図である。
路基板の断面図である。
【図２５】本発明の第２５実施例を示す回路基板の断面
図である。
図である。
【図２６】本発明の第２６実施例を示すリード端子と回
路基板の断面図である。
路基板の断面図である。
１ 回路基板（単層、又は多層） ２ スルーホール（内壁表面は金属） ３ リード端子 ４ はんだめっき層 ５ フランジ ６ 凹状の溝 ７ 溝 ８ リブ ９ 先割れ １０ ガス １２ はんだ接合層 １３ 部分めっき １４ ガスノズル １５ 不活性ガス １６ 透光板 １７ はんだリング １８ フィレット １９ 削られたはんだ又はろう材 ２０ 液体 ２１ エネルギービーム ２２ レーザビーム ２３ バリ ２４ スルーホール（内壁表面は金属）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】図６は側面に厚めの部分めっきを施したリ
ード端子をスルーホールに圧入する第６実施例を示して
おり、（ａ）はリング状に部分めっきを側面に施したリ
ード端子の斜視図、（ｂ）は斑点状に部分めっきを側面
に施したリード端子の斜視図、（ｃ）の左側は従来のリ
ード端子を基板回路に圧入中の状態を示し、右側は
（ａ）又は（ｂ）のリード端子を回路基板に圧入中の状
態を示す断面図、（ｄ）は（ａ）又は（ｂ）のリード端
子を圧入した回路基板の断面図である。（ｃ）の左側の
従来のリード端子が示すように、圧入時に連続的にバリ
が生じるため切れにくく、エアーブロー等での除去が困
難であり、フランジピンでもフランジからバリがはみ出
す場合があり、後々にバリが取れた場合、短絡等の悪影
響を及ぼす可能性がある。本発明による実施例では、図
から明らかなように、部分めっき１３により、エネルギ
ービーム２１の吸収を向上させ、安定した接合が実現で
きる。又、リード端子３の頭部の表面状態を厳格に管理
する必要がない。しかも、リード端子３を回路基板１に
圧入するとき、リード端子３の肉が溝に逃げる効果があ
りるため、圧入が容易になり、圧入時に生じるバリ２３
が細かく分断され、バリ２３の除去が容易、かつフラン
ジ５に挟み込んでしまうことも可能である。なお、リブ
部分に熱が集まりやすく、入熱エネルギーが効率よく接
合部に供給されるため、安定した接合が可能になり、か
つ入熱量を下げることも可能である。なお、部分めっき
のかわりにリード端子自体に研削等により凹凸加工をし
たものでもよいことはいうまでもない。
ード端子をスルーホールに圧入する第６実施例を示して
おり、（ａ）はリング状に部分めっきを側面に施したリ
ード端子の斜視図、（ｂ）は斑点状に部分めっきを側面
に施したリード端子の斜視図、（ｃ）の左側は従来のリ
ード端子を基板回路に圧入中の状態を示し、右側は
（ａ）又は（ｂ）のリード端子を回路基板に圧入中の状
態を示す断面図、（ｄ）は（ａ）又は（ｂ）のリード端
子を圧入した回路基板の断面図である。（ｃ）の左側の
従来のリード端子が示すように、圧入時に連続的にバリ
が生じるため切れにくく、エアーブロー等での除去が困
難であり、フランジピンでもフランジからバリがはみ出
す場合があり、後々にバリが取れた場合、短絡等の悪影
響を及ぼす可能性がある。本発明による実施例では、図
から明らかなように、部分めっき１３により、エネルギ
ービーム２１の吸収を向上させ、安定した接合が実現で
きる。又、リード端子３の頭部の表面状態を厳格に管理
する必要がない。しかも、リード端子３を回路基板１に
圧入するとき、リード端子３の肉が溝に逃げる効果があ
りるため、圧入が容易になり、圧入時に生じるバリ２３
が細かく分断され、バリ２３の除去が容易、かつフラン
ジ５に挟み込んでしまうことも可能である。なお、リブ
部分に熱が集まりやすく、入熱エネルギーが効率よく接
合部に供給されるため、安定した接合が可能になり、か
つ入熱量を下げることも可能である。なお、部分めっき
のかわりにリード端子自体に研削等により凹凸加工をし
たものでもよいことはいうまでもない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】図２１はリード端子に設けられたフランジ
の周辺部が中心部よりも薄くなるようにした第２１実施
例を示しており、（ａ）はフィレットの生成を示し、
（ｂ）はフランジの形状が段状であり、（ｃ）は傘状フ
ランジにおける圧入工程を示している。従って、ディッ
プ層に浸漬するとリード端子３のフランジ５にはんだの
フィレット１８が形成されるが、エネルギービーム接合
に置き換えた場合、はんだ供給がリード端子３のはんだ
めっきで行うため基板下面で形成されるフィレットが小
さく不安定という問題があった。また、はんだ供給が少
ないので全周にわたりフィレットを形成させるには入熱
のバランスを厳しく管理する必要（特にフランジ外周部
を均一に昇温させる必要有り）があった。本実施例で
は、フランジ外周部を薄くする事で熱がこもり昇温し易
く、また外周部が確実に基板に接触し熱が基板にも伝わ
り易くなるので、回路基板１の下面に安定したフィレッ
ト１８を形成することができ、リード端子３の接合をよ
り確実なものにできる。
の周辺部が中心部よりも薄くなるようにした第２１実施
例を示しており、（ａ）はフィレットの生成を示し、
（ｂ）はフランジの形状が段状であり、（ｃ）は傘状フ
ランジにおける圧入工程を示している。従って、ディッ
プ層に浸漬するとリード端子３のフランジ５にはんだの
フィレット１８が形成されるが、エネルギービーム接合
に置き換えた場合、はんだ供給がリード端子３のはんだ
めっきで行うため基板下面で形成されるフィレットが小
さく不安定という問題があった。また、はんだ供給が少
ないので全周にわたりフィレットを形成させるには入熱
のバランスを厳しく管理する必要（特にフランジ外周部
を均一に昇温させる必要有り）があった。本実施例で
は、フランジ外周部を薄くする事で熱がこもり昇温し易
く、また外周部が確実に基板に接触し熱が基板にも伝わ
り易くなるので、回路基板１の下面に安定したフィレッ
ト１８を形成することができ、リード端子３の接合をよ
り確実なものにできる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 良光 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内
Claims (26)
- 【請求項１】 回路基板のスルーホールにリード端子を
接合する回路基板へのリード端子接合方法において、 めっきしたリード端子をスルーホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項２】 回路基板のスルーホールにリード端子を
接合する回路基板へのリード端子接合方法において、 圧入深さを制御するフランジ付きのリード端子をスルー
ホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項３】 請求項１，２の、回路基板のスルーホー
ルにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合
方法において、 頭部を面取りした、あるいは、丸みを設けたリード端子
をスルーホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項４】 請求項１，２の、回路基板のスルーホー
ルにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合
方法において、 頭部に凹状の溝を設けたリード端子をスルーホールに圧
入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項５】 請求項１，２の、回路基板のスルーホー
ルにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合
方法において、 側面へ圧力方向の溝加工もしくはリブ加工を施したリー
ド端子をスルーホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項６】 請求項１，２の、回路基板のスルーホー
ルにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合
方法において、 側面に凹凸形状を施したリード端子をスルーホールに圧
入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項７】 請求項１，２の、回路基板のスルーホー
ルにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合
方法において、 リード端子の長さを短くし、基板表面から段差を設ける
ようにスルーホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項８】 請求項１，２の、回路基板のスルーホー
ルにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合
方法において、 圧入部分を先割れ状態にしたリード端子をスルーホール
に圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項９】 請求項５の、回路基板のスルーホールに
リード端子を接合する回路基板へのリード端子接合方法
において、 側面の溝とつながるようにフランジに溝を設けたリード
端子をスルーホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射した時に発生する
スルーホール内部のガスを前記溝を通じて下方に抜き、 スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項１０】 請求項５の、回路基板のスルーホール
にリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合方
法において、 溝付きリード端子をスルーホールに圧入し、 回路基板片面よりエネルギービームを照射し、回路基板
のもう一方の面よりＮ2 、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを
吹き付け、リード端子とスルーホールの間隙に不活性ガ
スを流入させることにより接合時の酸化を防止し、 スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項１１】 請求項１，２の、回路基板のスルーホ
ールにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接
合方法において、 リード端子をテーパ加工を施したスルーホールに圧入
し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項１２】 請求項１，２の、回路基板のスルーホ
ールにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接
合方法において、 テーパ加工を施したリード端子をスルーホールに圧入
し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項１３】 請求項１，２の、回路基板のスルーホ
ールにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接
合方法において、 圧入部分の少なくとも一部の円周を残し、側面に溝加工
またはリブ加工または凹凸加工を施したリード端子をス
ルーホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項１４】 請求項１，２の、回路基板のスルーホ
ールにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接
合方法において、 めっきしたリード端子をスルーホールに圧入した後、リ
ード端子先端を押圧し変形させ、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項１５】 請求項１，２の、回路基板のスルーホ
ールにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接
合方法において、 めっきしたリード端子をスルーホールに圧入し、 回路基板表面に透光板を設置し、その透光板越しにレー
ザビーム、光ビームを照射することにより、スルーホー
ル内壁表面の導電体とリード端子をフラックスレスで接
合することを特徴とする回路基板へのリード端子接合方
法。 - 【請求項１６】 請求項１，２の、回路基板のスルーホ
ールにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接
合方法において、 液中にリード端子を圧入した回路基板を設置し、その液
外からレーザビーム、光ビームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項１７】 請求項１，２の、回路基板のスルーホ
ールにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接
合方法において、 スルーホール片側の孔径を大きくし、圧入したリード端
子にエネルギービームを照射し、リード端子頭部を溶融
させ、溶融部を溶融前のリード端子より太らせると共
に、スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラ
ックスレスで接合することを特徴とする回路基板へのリ
ード端子接合方法。 - 【請求項１８】 請求項１，２の、回路基板のスルーホ
ールにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接
合方法において、 リード端子先端を回路基板表面より突出させ、エネルギ
ービームを照射し、リード端子頭部を溶融させ、溶融部
を溶融前のリード端子より太らせると共に、スルーホー
ル内壁表面の導電体とリード端子をフラックスレスで接
合することを特徴とする回路基板へのリード端子接合方
法。 - 【請求項１９】 請求項２の、回路基板のスルーホール
にリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合方
法において、 リード端子をスルーホールに圧入する時に、フランジと
回路基板との間にはんだリング又はろう材リングを挟み
込み、エネルギービームを照射することにより、リード
端子と回路基板とを確実に接合し、かつフィレットを形
成し、スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフ
ラックスレスで接合することを特徴とする回路基板への
リード端子接合方法。 - 【請求項２０】 請求項２の、回路基板のスルーホール
にリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合方
法において、 はんだ又はろう材めっきを厚く施したリード端子をスル
ーホールに圧入する時に、フランジと回路基板との間に
削られたはんだ又はろう材を挟み込み、エネルギービー
ムを照射することにより、リード端子と回路基板とを確
実に接合し、かつフィレットを形成し、スルーホール内
壁表面の導電体とリード端子をフラックスレスで接合す
ることを特徴とする回路基板へのリード端子接合方法。 - 【請求項２１】 請求項２の、回路基板のスルーホール
にリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合方
法において、 周辺部分が中心部分より薄くなるようなフランジを設け
たフランジを有するリード端子をスルーホールに圧入
し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項２２】 請求項２の、回路基板のスルーホール
にリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合方
法において、 フランジを有し、かつ基板と接する面と反対側の周辺部
分が凸状になるようなフランジを設けたリード端子をス
ルーホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項２３】 請求項１，２の、回路基板のスルーホ
ールにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接
合方法において、 圧入部分に少なくとも１箇所以上の段差を設けたリード
端子をスルーホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項２４】 請求項１，２の、回路基板のスルーホ
ールにリード端子を接合する回路基板へのリード端子接
合方法において、 側面へ圧入方向に対し斜めの溝加工もしくはリブ加工を
施したリード端子をスルーホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項２５】 請求項２の、回路基板のスルーホール
にリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合方
法において、 袋状に段差を設けたフランジを有するリード端子をスル
ーホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。 - 【請求項２６】 請求項２の、回路基板のスルーホール
にリード端子を接合する回路基板へのリード端子接合方
法において、 側面へ溝加工もしくはリブ加工を施し、かつ側面凸部と
つながるようにフランジに溝を設け、リード端子をスル
ーホールに圧入し、 リード端子にエネルギービームを照射することにより、
スルーホール内壁表面の導電体とリード端子をフラック
スレスで接合することを特徴とする回路基板へのリード
端子接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5027594A JPH06151035A (ja) | 1992-09-21 | 1993-01-22 | 回路基板へのリード端子接合方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27658092 | 1992-09-21 | ||
| JP4-276580 | 1992-09-21 | ||
| JP5027594A JPH06151035A (ja) | 1992-09-21 | 1993-01-22 | 回路基板へのリード端子接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151035A true JPH06151035A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=26365537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5027594A Pending JPH06151035A (ja) | 1992-09-21 | 1993-01-22 | 回路基板へのリード端子接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151035A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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