JPH06151332A - セラミックスヒーター - Google Patents
セラミックスヒーターInfo
- Publication number
- JPH06151332A JPH06151332A JP30235192A JP30235192A JPH06151332A JP H06151332 A JPH06151332 A JP H06151332A JP 30235192 A JP30235192 A JP 30235192A JP 30235192 A JP30235192 A JP 30235192A JP H06151332 A JPH06151332 A JP H06151332A
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- Japan
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- plasma
- wafer
- heater
- electrode
- ceramic
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- Pending
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- Surface Heating Bodies (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 加熱能力が向上するとともに、プラズマの発
生位置をウェハーＷの近傍にすることができるセラミッ
クスヒーターを提供する。 【構成】 緻密なセラミックス基材２に高融点金属から
なる抵抗発熱体３を埋設したセラミックスヒーター１に
おいて、プラズマ発生用電極６を前記セラミックス基材
２に埋設し、ウェハーＷの設置面に対し前記プラズマ発
生用電極６が絶縁性を有する構造とする。
生位置をウェハーＷの近傍にすることができるセラミッ
クスヒーターを提供する。 【構成】 緻密なセラミックス基材２に高融点金属から
なる抵抗発熱体３を埋設したセラミックスヒーター１に
おいて、プラズマ発生用電極６を前記セラミックス基材
２に埋設し、ウェハーＷの設置面に対し前記プラズマ発
生用電極６が絶縁性を有する構造とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、緻密なセラミックス基
材に高融点金属からなる抵抗発熱体を埋設したセラミッ
クスヒーターに関し、特に半導体製造装置のウェハー加
熱装置に好適に使用されるセラミックスヒーターに関す
るものである。
材に高融点金属からなる抵抗発熱体を埋設したセラミッ
クスヒーターに関し、特に半導体製造装置のウェハー加
熱装置に好適に使用されるセラミックスヒーターに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】スーパークリーン状態を必要とする半導
体製造用装置では、デポジション用ガス、エッチング用
ガス、クリーニング用ガスとして塩素系ガス、弗素系ガ
ス等の腐食性ガスが使用されている。このため、ウェハ
ーをこれらの腐食性ガスに接触させた状態で加熱するた
めの加熱装置として、抵抗発熱体の表面をステンレスス
チール、インコネル等の金属により被覆した従来のヒー
ターを使用すると、これらのガスの曝露によって、塩化
物、酸化物、弗化物等の粒径数μm の、好ましくないパ
ティクルが発生する。
体製造用装置では、デポジション用ガス、エッチング用
ガス、クリーニング用ガスとして塩素系ガス、弗素系ガ
ス等の腐食性ガスが使用されている。このため、ウェハ
ーをこれらの腐食性ガスに接触させた状態で加熱するた
めの加熱装置として、抵抗発熱体の表面をステンレスス
チール、インコネル等の金属により被覆した従来のヒー
ターを使用すると、これらのガスの曝露によって、塩化
物、酸化物、弗化物等の粒径数μm の、好ましくないパ
ティクルが発生する。
【０００３】そのため、例えば低温で使用されるエッチ
ャやＣＶＤ装置では、図３にその一例を示すように、デ
ポジション用ガス等に曝露される容器２１の外側に石英
窓２２を介して赤外線ランプ２３を設置し、容器２１内
にアーム２４を介して設けた例えばアルミニウムよりな
るサセプター２５を設置し、赤外線ランプ２３にてサセ
プター２５を加熱し、さらにサセプター２５上に載置し
たウェハーＷを間接的に加熱する構造をとっていた。そ
して、金属製のサセプター２５をプラズマ発生用の電極
として使用し、サセプター２５に直接高周波を供給し、
プラズマの発生およびクリーニング等を行っていた。そ
の際、アルミニウム製のサセプター２５では、表面をア
ルマイト処理によって絶縁層を設け、載置したウェハー
Ｗに直接電流が加わることを防止していた。
ャやＣＶＤ装置では、図３にその一例を示すように、デ
ポジション用ガス等に曝露される容器２１の外側に石英
窓２２を介して赤外線ランプ２３を設置し、容器２１内
にアーム２４を介して設けた例えばアルミニウムよりな
るサセプター２５を設置し、赤外線ランプ２３にてサセ
プター２５を加熱し、さらにサセプター２５上に載置し
たウェハーＷを間接的に加熱する構造をとっていた。そ
して、金属製のサセプター２５をプラズマ発生用の電極
として使用し、サセプター２５に直接高周波を供給し、
プラズマの発生およびクリーニング等を行っていた。そ
の際、アルミニウム製のサセプター２５では、表面をア
ルマイト処理によって絶縁層を設け、載置したウェハー
Ｗに直接電流が加わることを防止していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来例ではサセプター２５が金属製であるため、高温
プロセスでの金属よりの重金属汚染が生ずる問題があっ
た。特に、アルミニウム製のサセプター２５では、Ｍｇ
のコンタミネーションが問題となっていた。このような
コンタミネーションの問題を解決するため、図４にその
一例を示すように、サセプター２５を絶縁性のセラミッ
クスとして、裏面にプラズマ発生用の板状電極２６を取
り付けた構造のものも提案されている。しかしながら、
高周波供給用の板状電極２６が赤外線ランプ２３よりの
赤外線を遮断するため、サセプター２５の加熱能力が低
下する問題があった。また、プラズマの発生する位置が
ウェハーＷより離れるため、クリーニング性が低下する
問題もあった。これは、サセプターの外周にリング状電
極を設置した場合も同様の問題が生じた。
た従来例ではサセプター２５が金属製であるため、高温
プロセスでの金属よりの重金属汚染が生ずる問題があっ
た。特に、アルミニウム製のサセプター２５では、Ｍｇ
のコンタミネーションが問題となっていた。このような
コンタミネーションの問題を解決するため、図４にその
一例を示すように、サセプター２５を絶縁性のセラミッ
クスとして、裏面にプラズマ発生用の板状電極２６を取
り付けた構造のものも提案されている。しかしながら、
高周波供給用の板状電極２６が赤外線ランプ２３よりの
赤外線を遮断するため、サセプター２５の加熱能力が低
下する問題があった。また、プラズマの発生する位置が
ウェハーＷより離れるため、クリーニング性が低下する
問題もあった。これは、サセプターの外周にリング状電
極を設置した場合も同様の問題が生じた。
【０００５】一方、赤外線ランプ２３を使用せずに加熱
する方法として、セラミックス製のサセプター２５中に
発熱抵抗体を埋設したセラミックスヒーターの使用も考
えられるが、図４に示した例と同様、裏面にプラズマ発
生用の板状電極６を取り付けなければならないため、や
はり図４に示した例と同様の問題が生じていた。
する方法として、セラミックス製のサセプター２５中に
発熱抵抗体を埋設したセラミックスヒーターの使用も考
えられるが、図４に示した例と同様、裏面にプラズマ発
生用の板状電極６を取り付けなければならないため、や
はり図４に示した例と同様の問題が生じていた。
【０００６】本発明の目的は上述した課題を解消して、
加熱能力が向上するとともに、プラズマの発生位置をウ
ェハーＷの近傍にすることができるセラミックスヒータ
ーを提供しようとするものである。
加熱能力が向上するとともに、プラズマの発生位置をウ
ェハーＷの近傍にすることができるセラミックスヒータ
ーを提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックスヒ
ーターは、緻密なセラミックス基材に高融点金属からな
る抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒーターにおい
て、プラズマ発生用電極を前記セラミックス基材に埋設
し、ウェハー設置面に対し前記プラズマ発生用電極が絶
縁性を有する構造としたことを特徴とするものである。
ーターは、緻密なセラミックス基材に高融点金属からな
る抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒーターにおい
て、プラズマ発生用電極を前記セラミックス基材に埋設
し、ウェハー設置面に対し前記プラズマ発生用電極が絶
縁性を有する構造としたことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】上述した構成において、ヒーター部を緻密なセ
ラミックス基材に高融点金属からなる抵抗発熱体を埋設
した構造としたため、ウェハーを載置した状態で直接ウ
ェハーを加熱でき、均熱性および加熱時のレスポンスを
向上させることができる。また、プラズマ発生用の電極
がセラミックス基材内に埋設されているため、セラミッ
クスヒーター上に直接ウェハーをコンタミネーションの
危険なく載置でき、絶縁層を設ける等の手段が必要ない
とともに、プラズマの発生する位置がウェハーの近傍と
なるため、プラズマ発生状況およびプラズマによるクリ
ーニング性能を向上することもできる。
ラミックス基材に高融点金属からなる抵抗発熱体を埋設
した構造としたため、ウェハーを載置した状態で直接ウ
ェハーを加熱でき、均熱性および加熱時のレスポンスを
向上させることができる。また、プラズマ発生用の電極
がセラミックス基材内に埋設されているため、セラミッ
クスヒーター上に直接ウェハーをコンタミネーションの
危険なく載置でき、絶縁層を設ける等の手段が必要ない
とともに、プラズマの発生する位置がウェハーの近傍と
なるため、プラズマ発生状況およびプラズマによるクリ
ーニング性能を向上することもできる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明のセラミックスヒーター１の構
造を説明するための図である。図１に示す例において、
例えば円盤状のセラミックス基材２の内部に、Ｗ、Ｍｏ
等の高融点金属からなる抵抗発熱体３が埋設されてい
る。この抵抗発熱体３は好ましくは螺旋状に巻回される
とともに、円盤状のセラミックス基体２を平面的にみる
と、抵抗発熱体３は渦巻形をなすように設置されてい
る。抵抗発熱体３の両端部には、電力供給用の端子４と
それに続く電力供給用ケーブル５を設けている。また、
セラミックス基材２の内部の抵抗発熱体３の上側に、セ
ラミックス基材２よりも若干小さい直径を有する円盤状
のプラズマ発生用電極６を設け、このプラズマ発生用電
極６には、高周波供給用の端子７とそれに続くケーブル
８を供給する高周波信号に応じた必要な本数（ここでは
１本）だけ設けている。
造を説明するための図である。図１に示す例において、
例えば円盤状のセラミックス基材２の内部に、Ｗ、Ｍｏ
等の高融点金属からなる抵抗発熱体３が埋設されてい
る。この抵抗発熱体３は好ましくは螺旋状に巻回される
とともに、円盤状のセラミックス基体２を平面的にみる
と、抵抗発熱体３は渦巻形をなすように設置されてい
る。抵抗発熱体３の両端部には、電力供給用の端子４と
それに続く電力供給用ケーブル５を設けている。また、
セラミックス基材２の内部の抵抗発熱体３の上側に、セ
ラミックス基材２よりも若干小さい直径を有する円盤状
のプラズマ発生用電極６を設け、このプラズマ発生用電
極６には、高周波供給用の端子７とそれに続くケーブル
８を供給する高周波信号に応じた必要な本数（ここでは
１本）だけ設けている。
【００１０】セラミックス基体２は、例えば熱ＣＶＤ装
置においては最大６００℃から１１００℃程度まで加熱
されるので、耐熱性の点で、アルミナ、窒化珪素焼結
体、サイアロン、炭化珪素、窒化アルミニウム、アルミ
ナ−炭化珪素複合材料等から形成することが好ましい。
特に、セラミックス基体２は非酸化物系セラミックスで
形成することが好ましい。これは、アルミナ等の酸化物
系セラミックスに比べて、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａ１Ｎ
等の非酸化物系共有結合セラミックスは、高真空中での
ガス放出量が少ないためである。このうち、特に窒化珪
素を使用すると、セラミックスヒーター１全体の強度が
高くなり、熱膨張係数がウェハーとして代表的なシリコ
ンとほぼ同等であり、さらに腐食性ガスにも耐久性が高
いため好ましい。
置においては最大６００℃から１１００℃程度まで加熱
されるので、耐熱性の点で、アルミナ、窒化珪素焼結
体、サイアロン、炭化珪素、窒化アルミニウム、アルミ
ナ−炭化珪素複合材料等から形成することが好ましい。
特に、セラミックス基体２は非酸化物系セラミックスで
形成することが好ましい。これは、アルミナ等の酸化物
系セラミックスに比べて、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａ１Ｎ
等の非酸化物系共有結合セラミックスは、高真空中での
ガス放出量が少ないためである。このうち、特に窒化珪
素を使用すると、セラミックスヒーター１全体の強度が
高くなり、熱膨張係数がウェハーとして代表的なシリコ
ンとほぼ同等であり、さらに腐食性ガスにも耐久性が高
いため好ましい。
【００１１】セラミックス基板２は、プラズマ電極を埋
設するため、膜状基材２ａと板状基材２ｂとからなり、
共材質のみでなく異種材質によって構成することも可能
である。膜状基材２ａは、ウェハーに電流が流れること
よる半導体デバイスへの影響をさけるため、体積抵抗率
が１０8 Ωcm以上で厚さ１０μm 以上が好ましい。ま
た、膜状基材２ａはプラズマシース内に置かれ、電極６
のバイアス印加によって活性化した分子によるイオンボ
ンバートメントによってたたかれる。このため、膜状基
材２ａはイオンボンバートメントによる耐久性を要求さ
れ、厚さ１００μm 以上が好ましい。しかしながら、膜
状基材２ａが厚くなると高周波印加による誘電体損失に
よって高周波パワーロスになるため、厚さ１mm以下が好
ましい。また、膜状基材２ａと板状基材２ｂは、１体成
形以外に、絶縁性を有する接合材のホウ珪酸ガラス、オ
キシナイトライドガラスによって接合することが可能で
ある。電極６は、充分に高周波を伝えるためにリアクタ
ンス成分を低減する必要があり、１Ω以下となるように
充分な肉厚が必要である。このため、タングステン、モ
リブデンから電極６を構成する場合、８μm 以上の厚さ
が必要となる。
設するため、膜状基材２ａと板状基材２ｂとからなり、
共材質のみでなく異種材質によって構成することも可能
である。膜状基材２ａは、ウェハーに電流が流れること
よる半導体デバイスへの影響をさけるため、体積抵抗率
が１０8 Ωcm以上で厚さ１０μm 以上が好ましい。ま
た、膜状基材２ａはプラズマシース内に置かれ、電極６
のバイアス印加によって活性化した分子によるイオンボ
ンバートメントによってたたかれる。このため、膜状基
材２ａはイオンボンバートメントによる耐久性を要求さ
れ、厚さ１００μm 以上が好ましい。しかしながら、膜
状基材２ａが厚くなると高周波印加による誘電体損失に
よって高周波パワーロスになるため、厚さ１mm以下が好
ましい。また、膜状基材２ａと板状基材２ｂは、１体成
形以外に、絶縁性を有する接合材のホウ珪酸ガラス、オ
キシナイトライドガラスによって接合することが可能で
ある。電極６は、充分に高周波を伝えるためにリアクタ
ンス成分を低減する必要があり、１Ω以下となるように
充分な肉厚が必要である。このため、タングステン、モ
リブデンから電極６を構成する場合、８μm 以上の厚さ
が必要となる。
【００１２】図２は本発明のセラミックスヒーター１を
組み込んだ加熱装置の一例の構造を説明するための図で
ある。図２に示す例において、デポジション用ガス等に
曝露される容器１１内に、アーム１２を介してセラミッ
クスヒーター１を設置する。この際、プラズマ発生用電
極６が上面となるようにセラミックスヒーター１を設置
し、このセラミックスヒーター１の上面にウェハーＷを
載置する。また、一対の電力供給用のケーブル５および
高周波信号供給用のケーブル８は、それぞれ容器１１の
外部へ導通するよう構成する。この状態で、一対のケー
ブル５を介して抵抗発熱体３を加熱するための電力を供
給するとともに、ケーブル８を介して電極６においてプ
ラズマを発生させるための高周波信号を供給することに
より、加熱とプラズマ発生を実施することができる。
組み込んだ加熱装置の一例の構造を説明するための図で
ある。図２に示す例において、デポジション用ガス等に
曝露される容器１１内に、アーム１２を介してセラミッ
クスヒーター１を設置する。この際、プラズマ発生用電
極６が上面となるようにセラミックスヒーター１を設置
し、このセラミックスヒーター１の上面にウェハーＷを
載置する。また、一対の電力供給用のケーブル５および
高周波信号供給用のケーブル８は、それぞれ容器１１の
外部へ導通するよう構成する。この状態で、一対のケー
ブル５を介して抵抗発熱体３を加熱するための電力を供
給するとともに、ケーブル８を介して電極６においてプ
ラズマを発生させるための高周波信号を供給することに
より、加熱とプラズマ発生を実施することができる。
【００１３】本発明は上述した実施例にのみ限定される
ものでなく、幾多の変形、変更が可能である。例えば、
上述した実施例では、電極６をプラズマ発生用の電極と
してのみ使用したが、この電極６を同時にウェハーＷを
静電容量によりチャックするための静電チャック電極と
して働かせることができる。例えば、電極６に静電容量
を発生させるための直流電圧を印加すると同時に絶縁ト
ランスを介して高周波信号を供給すれば、ウェハーＷを
セラミックスヒーター１の上面に吸着すると同時にプラ
ズマを発生することが可能となる。なお、高周波信号を
供給する際は、ケーブルとして抵抗値が１Ω以下でタン
グステンの場合は少なくとも直径１０ｍｍのものが４本
必要となり、静電チャック電極のみとして使用する際の
抵抗値０〜数１００Ωで直径０．１ｍｍ程度でも可能な
場合と比べて大きく異なっている。
ものでなく、幾多の変形、変更が可能である。例えば、
上述した実施例では、電極６をプラズマ発生用の電極と
してのみ使用したが、この電極６を同時にウェハーＷを
静電容量によりチャックするための静電チャック電極と
して働かせることができる。例えば、電極６に静電容量
を発生させるための直流電圧を印加すると同時に絶縁ト
ランスを介して高周波信号を供給すれば、ウェハーＷを
セラミックスヒーター１の上面に吸着すると同時にプラ
ズマを発生することが可能となる。なお、高周波信号を
供給する際は、ケーブルとして抵抗値が１Ω以下でタン
グステンの場合は少なくとも直径１０ｍｍのものが４本
必要となり、静電チャック電極のみとして使用する際の
抵抗値０〜数１００Ωで直径０．１ｍｍ程度でも可能な
場合と比べて大きく異なっている。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ヒーター部を緻密なセラミックス基材に高融
点金属からなる抵抗発熱体を埋設した構造であるため、
ウェハーを載置した状態で直接ウェハーを加熱でき、均
熱性および加熱時のレスポンスを向上させることができ
るとともに、プラズマ発生用の電極がセラミックス基材
内に埋設されているため、セラミックスヒーター上に直
接ウェハーをコンタミネーションの危険なく載置でき、
絶縁層を設ける等の手段が必要なく、さらにプラズマの
発生する位置がウェハーの近傍となるため、プラズマ発
生状況およびプラズマによるクリーニング性能を向上す
ることもできる。
によれば、ヒーター部を緻密なセラミックス基材に高融
点金属からなる抵抗発熱体を埋設した構造であるため、
ウェハーを載置した状態で直接ウェハーを加熱でき、均
熱性および加熱時のレスポンスを向上させることができ
るとともに、プラズマ発生用の電極がセラミックス基材
内に埋設されているため、セラミックスヒーター上に直
接ウェハーをコンタミネーションの危険なく載置でき、
絶縁層を設ける等の手段が必要なく、さらにプラズマの
発生する位置がウェハーの近傍となるため、プラズマ発
生状況およびプラズマによるクリーニング性能を向上す
ることもできる。
【図１】本発明のセラミックスヒーターの一例の構造を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図２】本発明のセラミックスヒーターを組み込んだ加
熱装置の一例の構造を説明するための図である。
熱装置の一例の構造を説明するための図である。
【図３】従来の加熱装置の一例の構造を説明するための
図である。
図である。
【図４】従来の加熱装置の他の例の構造を説明するため
の図である。
の図である。
１ セラミックスヒーター ２ セラミックス基材 ３ 抵抗発熱体 ４，７ 端子 ５，８ ケーブル ６ プラズマ発生用電極
Claims (1)
- 【請求項１】 緻密なセラミックス基材に高融点金属か
らなる抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒーターにお
いて、プラズマ発生用電極を前記セラミックス基材に埋
設し、ウェハー設置面に対し前記プラズマ発生用電極が
絶縁性を有する構造としたことを特徴とするセラミック
スヒーター。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30235192A JPH06151332A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | セラミックスヒーター |
| US08/491,999 US5800618A (en) | 1992-11-12 | 1994-06-30 | Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof |
| US09/094,674 US6101969A (en) | 1992-11-12 | 1998-06-15 | Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof |
| US09/517,312 US6197246B1 (en) | 1992-11-12 | 2000-03-02 | Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30235192A JPH06151332A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | セラミックスヒーター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151332A true JPH06151332A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17907873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30235192A Pending JPH06151332A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | セラミックスヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151332A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153706A (ja) * | 1993-05-27 | 1995-06-16 | Applied Materials Inc | サセプタ装置 |
| US6444957B1 (en) | 2000-04-26 | 2002-09-03 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd | Heating apparatus |
| US6693789B2 (en) | 2000-04-05 | 2004-02-17 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Susceptor and manufacturing method thereof |
| US6768079B2 (en) | 2001-11-08 | 2004-07-27 | Sumitomo Osaka Cement Co. Ltd. | Susceptor with built-in plasma generation electrode and manufacturing method therefor |
| US6815646B2 (en) | 2000-07-25 | 2004-11-09 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic substrate for semiconductor manufacture/inspection apparatus, ceramic heater, electrostatic clampless holder, and substrate for wafer prober |
| JP2005029458A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-02-03 | Ngk Insulators Ltd | 窒化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウムの製造方法、及び窒化アルミニウムの評価方法 |
| US6900149B1 (en) | 1999-09-06 | 2005-05-31 | Ibiden Co., Ltd. | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact and ceramic substrate for use in equipment for manufacturing or inspecting semiconductor |
| US7078655B1 (en) | 1999-08-12 | 2006-07-18 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic substrate, ceramic heater, electrostatic chuck and wafer prober for use in semiconductor producing and inspecting devices |
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| US7175714B2 (en) | 2002-07-05 | 2007-02-13 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrode-built-in susceptor and a manufacturing method therefor |
| US7211154B2 (en) | 2002-07-16 | 2007-05-01 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrode-built-in susceptor |
| US8394199B2 (en) | 2005-03-16 | 2013-03-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Processing device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0235438B2 (ja) * | 1981-11-30 | 1990-08-10 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH04304941A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-28 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー保持具の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-12 JP JP30235192A patent/JPH06151332A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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