JPH06152016A - レーザ光発生装置 - Google Patents

レーザ光発生装置

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JPH06152016A
JPH06152016A JP32382092A JP32382092A JPH06152016A JP H06152016 A JPH06152016 A JP H06152016A JP 32382092 A JP32382092 A JP 32382092A JP 32382092 A JP32382092 A JP 32382092A JP H06152016 A JPH06152016 A JP H06152016A
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JP
Japan
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resonator
fixing block
laser light
laser
temperature
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Application number
JP32382092A
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English (en)
Inventor
Kazuyoshi Horie
和由 堀江
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 1/4波長板3、レーザ媒質4及び非線形光
学結晶素子5を密接させて一体に構成した、四角柱形状
の共振器7は、四角柱の断面を持つ溝を有した共振器固
定ブロック12中に埋め込まれ、上記共振器7の一面は
上記共振器固定ブロック12の一面と略同一面となって
いる。上記共振器固定ブロック12は基台20上にマウ
ントされ、TEクーラ21は共振器7を温度制御する。 【効果】 TEクーラの温度変化に追従して、共振器の
温度をすばやく変化させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光発生装置に関
し、特に、非線形光学結晶素子を用いて高次高調波レー
ザ光を発生させるレーザ光源を有するレーザ光発生装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】共振器内部の高いパワー密度を利用して
効率良く波長変換を行うことが従来より提案されてお
り、例えば、外部共振型のSHG(第2高調波発生)
や、共振器内部の非線形光学素子によるSHG等が試み
られている。
【0003】共振器内第2高調波発生タイプの例として
は、共振器を構成する少なくとも1対の反射鏡の間にレ
ーザ媒質及び非線形光学結晶素子を配置したものが知ら
れている。このタイプのレーザ光発生装置の場合には、
共振器内部の非線形光学結晶素子において、基本波レー
ザ光に対して第2高調波レーザ光を位相整合させること
により、効率良く第2高調波レーザ光を取り出すことが
できる。
【0004】上記位相整合を実現する方法としては、基
本波レーザ光及び第2高調波レーザ光間にタイプI又は
タイプIIの位相整合条件を成り立たせるようにする。
すなわち、タイプIの位相整合は、基本波レーザ光の常
光線を利用して、同一方向に偏光した2つの光子から周
波数が2倍の1つの光子を作るような現象を生じさせる
ことを原理とするものである。これに対して、タイプI
Iの位相整合は、互いに直交する2つの基本波固有偏光
を非線形光学結晶素子に入射することにより、2つの固
有偏光についてそれぞれ位相整合条件を成り立たせるよ
うにするもので、基本波レーザ光は非線形光学結晶素子
の内部において常光線及び異常光線に分かれて第2高調
波レーザ光の異常光線に対して位相整合を生じる。
【0005】図4は、レーザ光発生光学装置の一例を示
している。この図4に示すレーザ光発生装置は、Nd:
YAGを用いたレーザ媒質(レーザロッド)102の入
射面に形成された反射面(ダイクロイックミラー)10
3と、出力用凹面鏡104の内側の反射面(ダイクロイ
ックミラー)とから成る共振器101を有しており、こ
の共振器101内に、Nd:YAGのレーザ媒質102
と、KTP(KTiOPO4 )より成る非線形光学結晶
素子106と、例えば水晶板により構成された1/4波
長板である複屈折素子107とが配置されている。
【0006】この共振器101内のレーザ媒質102
は、その入射面103に、励起用半導体レーザ素子11
1から射出された励起用レーザ光が、レンズ112を通
って入射されることにより、基本波レーザ光LA(ω)
を発生する。この基本波レーザ光LA(ω)は、非線形
光学結晶素子106、複屈折素子107を通って凹面鏡
104の反射面で反射され、再び複屈折素子107、非
線形光学結晶素子106、レーザ媒質102を順次通っ
て、上記入射面(反射面)103で反射される。従っ
て、基本波レーザ光LA(ω)は、共振器101のレー
ザ媒質102の入射面の反射面103と出力用凹面鏡1
04の内側の反射面との間を往復するように共振動作す
ることになる。
【0007】上記1/4波長板のような複屈折素子10
7は、光の伝播方向に垂直な面内において、図5に示す
ように、異常光方向屈折率ne(7)の方向が、非線形光学
結晶素子106の異常光方向屈折率ne(6)の方向に対し
て所定の方位角θだけ、例えばθ=45°だけ傾くよう
な光軸位置に設定される。
【0008】以上の構成において、基本波レーザ光LA
(ω)は共振光路を通って非線形光学結晶素子106を
通過する際に第2高調波レーザ光LA(2ω)を発生さ
せ、この第2高調波レーザ光LA(2ω)が凹面鏡10
4を透過して、出力レーザ光として送出される。
【0009】この状態において、基本波レーザ光LA
(ω)を形成する各光線は、非線形光学結晶素子106
に対して方位角θ=45°だけ傾いた方位に設定された
複屈折素子(基本波の1/4波長板)107を通ること
により、共振器101の各部におけるレーザ光のパワー
は所定のレベルに安定化される。これは、レーザ媒質1
02で発生した基本波レーザ光LA(ω)を非線形光学
結晶素子106を通過するように共振動作させてタイプ
IIの第2高調波レーザ光LA(2ω)を発生させる際
に、基本波レーザ光LA(ω)の互いに直交する2つの
固有偏光モード間の和周波発生によるカップリングを複
屈折素子107により抑制することにより、発振を安定
化させるものである。
【0010】図6及び図7は、基本的なレーザ光発生装
置の概略構成を示す断面図及び正面図であり、図8は、
上記レーザ光発生装置内の共振器の概略構成を示す図で
ある。半導体レーザ素子1から出射された励起用のレー
ザ光がレンズ2で集光されて、1/4波長板3の入射面
を介してNd:YAGを用いたレーザ媒質(レーザロッ
ド)4に入射される。1/4波長板3の入射面には、上
記励起用レーザ光(例えば810nm)を透過し、レー
ザ媒質4で発生された波長1064nmの基本波レーザ
光を反射するような波長選択性をもった反射面3Rが、
例えばコーティングにより形成され、この反射面3Rは
レーザ媒質4側から見て凹面鏡となっている。レーザ媒
質4で発生した基本波レーザ光は、例えばKTP(KT
iOPO4 )より成る非線形光学結晶素子5に入射され
ることにより、第2高調波発生(SHG)が行われ、こ
の非線形光学結晶素子5の入射面には、上記基本波レー
ザ光を反射し、第2高調波レーザ光(波長532nm)
を透過するような反射面5Rが形成されている。従っ
て、反射面3Rと5Rとの間に共振器7が構成される。
【0011】共振器7の出射面(反射面)5Rから導出
されたZ軸方向のSHGレーザ光は、45°の立ち上げ
ミラー6により垂直方向のY軸方向に偏向される。上記
半導体レーザ素子1の取り付けブロック10、レンズ2
のレンズ固定ブロック11、共振器7の共振器固定ブロ
ック12、立ち上げミラー6のミラー固定ブロック13
は、一つの基台(ベース)20上にマウントされ、いわ
ゆるTE(サーモ・エレクトリック)クーラ等の単一の
温度制御素子21で温度制御されるようになっており、
これらがパッケージ22内に収納されている。
【0012】すなわち、上記共振器7は、上記1/4波
長板3の入射面と非線形光学結晶素子5の出射面とにそ
れぞれ波長選択性を持った反射面3R、5Rを設け、各
素子(1/4波長板3、レーザ媒質4及び非線形光学結
晶素子5)を密接させるように一体に構成したものであ
り、上記共振器固定ブロック12は三角柱の溝を持つ断
面を有し、この溝に四角柱の共振器7の一部が突出する
形状で置かれている。
【0013】上記TEクーラは、電子冷却ユニットとも
呼ばれ、直流電流により冷却や加熱や温度制御を自由に
行える半導体素子を組み合わせたものである。図9は、
半導体素子の温度制御の原理を示す回路図である。2つ
の異なったP型半導体30及びN型半導体31を金属3
2、33及び34で接合し、I方向に直流電流を流す
と、図中左側の接合部35が低温となり、この接合部3
5で吸熱Qabが生じ、図中右側の接合部36は高温とな
り、この接合部36では発熱Q0が生じる。上記現象は
ペルチェ効果と呼ばれ、可逆的であり、電流の方向Iを
逆にするとそれぞれの接合部35及び36の吸熱と発熱
が逆になる。ペルチェ効果は、P型半導体30とN型半
導体31のエネルギーレベルの違いに起因するが、高温
側の熱を効率良く処理すれば、熱は低温側から高温側に
連続的にポンピングされるため、この半導体素子を複数
個組み合わせた電子冷却ユニットはヒートポンプ(熱ポ
ンプ)として機能する。
【0014】図10は、上記レーザ光発生装置のレーザ
光源を定電流で駆動させ、温度を変化させて共振器から
の出射光の出力パワー(破線)とノイズレベル(実線)
とをプロットしたものである。ここで、図中の破線に示
す出力パワーは、主としてレーザ光源からの励起レーザ
光がレーザ共振器内の非線形光学結晶素子に吸収される
割合、すなわち実効吸収係数によって決まり、図中の実
線に示すノイズレベルは、共振器の動作の安定性によっ
て決まる。上記ノイズレベルの小さな共振器の安定動作
温度範囲RX (点aから点bまで)は約4.5°Cであ
り、共振器が上記安定温度範囲RX を有するように温度
制御を行うことにより、安定性の良い出射光を得ること
ができる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うなレーザ光発生装置において、上記共振器を固定する
基台は平らであるか、あるいは、三角柱の断面を有して
おり、共振器全体が埋め込まれておらずに、その一部が
突出している。そのため、TEクーラの温度を変化させ
ても、共振器の温度が変化を始める時間が遅れる現象が
ある。上記現象により共振器が熱膨張し、共振器よりの
出射光にノイズが発生する現象が生じている。
【0016】そこで本発明は上述の実情に鑑み、共振器
よりの出射光にノイズが発生しないことを行い得るよう
なレーザ光発生装置の提供を目的とするものである。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザ光発
生装置は、少なくとも一対の反射手段を用いて構成され
る共振器内部に設けられたレーザ媒質への入射レーザ光
を共振動作させることによりレーザ光を発生させる共振
器と、上記共振器を固定支持する共振器固定ブロック
と、上記共振器が出射光を発生する際に共振器固定ブロ
ックを介して上記共振器の温度を調節する温度制御手段
とを有するレーザ光発生装置において、多角柱形状の共
振器の光軸方向に平行な一側面が、共振器固定ブロック
の一面と略同一面となり、残りの側面が共振器固定ブロ
ック内に埋め込まれた構造を有することにより上述した
課題を解決する。
【0018】
【作用】本発明においては、TEクーラの温度変化に追
従して、共振器の温度をすばやく変化させることができ
るため、出射光のノイズの発生を抑制することができ
る。
【0019】
【実施例】図1及び図2は、本発明に係るレーザ光発生
装置の一実施例の概略構成を示す断面図及び正面図であ
り、図3は、上記レーザ光発生装置内の共振器の概略構
成を示す図である。半導体レーザ素子1から出射された
励起用のレーザ光がレンズ2で集光されて、1/4波長
板3の入射面を介してNd:YAGを用いたレーザ媒質
(レーザロッド)4に入射される。1/4波長板3の入
射面には、上記励起用レーザ光を透過し、レーザ媒質4
で発生された基本波レーザ光を反射するような波長選択
性をもった反射面3Rが、例えばコーティングにより形
成され、この反射面3Rはレーザ媒質4側から見て凹面
鏡となっている。レーザ媒質4で発生した基本波レーザ
光は、例えばKTP(KTiOPO4 )より成る非線形
光学結晶素子5に入射されることにより、第2高調波発
生(SHG)が行われ、この非線形光学結晶素子5の入
射面には、上記基本波レーザ光を反射し、第2高調波レ
ーザ光を透過するような反射面5Rが形成されている。
従って、反射面3Rと5Rとの間に共振器7が構成され
る。
【0020】共振器7の出射面(反射面)5Rから導出
されたZ軸方向のSHGレーザ光は、45°の立ち上げ
ミラー6により垂直方向のY軸方向に偏向される。上記
半導体レーザ素子1の取り付けブロック10、レンズ2
のレンズ固定ブロック11、共振器固定ブロック12、
立ち上げミラー6のミラー固定ブロック13は、一つの
基台(ベース)20上にマウントされ、TE(サーモ・
エレクトリック)クーラ21で温度制御されるようにな
っており、これらがパッケージ22内に収納されてい
る。
【0021】すなわち、上記共振器7は、上記1/4波
長板3の入射面と非線形光学結晶素子5の出射面とにそ
れぞれ波長選択性を持った反射面3R、5Rを設け、各
素子(1/4波長板3、レーザ媒質4及び非線形光学結
晶素子5)を密接させるように一体に構成したものであ
る。上記共振器固定ブロック12は四角柱の断面を持つ
溝を有し、この溝に四角柱の上記共振器7が埋め込んで
あり、上記四角柱の一面は共振器固定ブロック12の一
面と略同一面となって露出している。共振器7を共振器
固定ブロック12上に固定するには、接着剤による接着
方法や溶接方法や機械的な方法を用いる。また、共振器
固定ブロック12をTEクーラ21に固定するには、半
田付けや銀ペーストによる接着方法を用いる。
【0022】また、上記共振器固定ブロック12に埋め
込んだ、四角柱の共振器7上の露出面を覆う蓋を取り付
けることにより、さらにTEクーラ21の温度変化に対
する共振器7の温度追従性を高め、ノイズの発生を抑え
ることができる。
【0023】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、励起用レーザ光源とレーザ媒質を挟んだ一対
の反射鏡から成る共振器から構成される固体レーザを用
いるようにしてもよい。また、レーザ媒質や非線形光学
結晶素子は、Nd:YAGやKTPに限定されないこと
は勿論である。
【0024】また、共振器固定ブロックの溝の断面とし
ては、四角柱の他に多角柱を用いるようにしてもよい
が、その場合には、ほぼ一側面のみを露出させて残りの
側面を共振器固定ブロック内に埋め込むことにより、共
振器固定ブロックと共振器とが接触する面積が大きくな
るようにする。
【0025】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係るレーザ光発生装置によれば、TEクーラの温度
変化に追従して、共振器の温度をすばやく変化させるこ
とができるため、共振器の熱膨張等による出射光のノイ
ズの発生を抑制することができる。また、各素子より形
成される共振器の構造体全体を共振器固定ブロック中に
埋め込んでいるため、レーザ光発生装置を小型化するこ
とができる。さらに、共振器固定ブロックの溝の断面を
四角柱にした場合には、固体レーザを構成する共振器が
四角柱となるので、結晶軸の方位角が設定し易く、量産
時に形成し易くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るレーザ光発生装置の実施例の概略
構成を示す断面図である。
【図2】上記実施例の概略構成を示す正面図である。
【図3】上記実施例における共振器の概略構成を示す構
成図である。
【図4】レーザ光発生光学装置の従来例の概略構成を示
す構成図である。
【図5】図4の従来例に用いられる複屈折素子の方位角
の説明図である。
【図6】レーザ光発生装置の従来例の概略構成を示す断
面図である。
【図7】レーザ光発生装置の従来例の概略構成を示す正
面図である。
【図8】レーザ光発生装置の従来例における共振器の概
略構成を示す構成図である。
【図9】半導体素子の温度制御の原理を示す回路図であ
る。
【図10】出射光の出力パワーとノイズレベルの関係を
示す波形図である。
【符号の説明】
1・・・・・・・・半導体レーザ素子 2・・・・・・・・レンズ 3R、5R・・・・反射面 3・・・・・・・・1/4波長板 4・・・・・・・・レーザ媒質 5・・・・・・・・非線形光学結晶素子 6・・・・・・・・立ち上げミラー 7・・・・・・・・共振器 10・・・・・・・取り付けブロック 11・・・・・・・レンズ固定ブロック 12・・・・・・・共振器固定ブロック 13・・・・・・・ミラー固定ブロック 20・・・・・・・基台 21・・・・・・・TEクーラ 22・・・・・・・パッケージ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一対の反射手段を用いて構成
    される共振器内部に設けられたレーザ媒質への入射レー
    ザ光を共振動作させることによりレーザ光を発生させる
    共振器と、 上記共振器を固定支持する共振器固定ブロックと、 上記共振器が出射光を発生する際に共振器固定ブロック
    を介して上記共振器の温度を調節する温度制御手段とを
    有するレーザ光発生装置において、 多角柱形状の共振器の光軸方向に平行な一側面が、共振
    器固定ブロックの一面と略同一面となり、残りの側面が
    共振器固定ブロック内に埋め込まれた構造を有すること
    を特徴とするレーザ光発生装置。
  2. 【請求項2】 上記多角柱形状の共振器が四角柱形状で
    あることを特徴とする、請求項1記載のレーザ光発生装
    置。
  3. 【請求項3】 上記共振器固定ブロックの一面と略同一
    面となっている多角柱の一側面を覆う蓋を取り付けるこ
    とを特徴とする、請求項1記載のレーザ光発生装置。
JP32382092A 1992-11-10 1992-11-10 レーザ光発生装置 Pending JPH06152016A (ja)

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JP32382092A JPH06152016A (ja) 1992-11-10 1992-11-10 レーザ光発生装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007136478A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 V Technology Co Ltd レーザ発生装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007136478A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 V Technology Co Ltd レーザ発生装置

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020507