JPH08116121A - 波長変換レーザー - Google Patents
波長変換レーザーInfo
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- JPH08116121A JPH08116121A JP6249814A JP24981494A JPH08116121A JP H08116121 A JPH08116121 A JP H08116121A JP 6249814 A JP6249814 A JP 6249814A JP 24981494 A JP24981494 A JP 24981494A JP H08116121 A JPH08116121 A JP H08116121A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3544—Particular phase matching techniques
- G02F1/3548—Quasi phase matching [QPM], e.g. using a periodic domain inverted structure
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1671—Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
- H01S3/1673—YVO4 [YVO]
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ネオジウム（Ｎｄ）が添加された固体レーザー
結晶を光によってポンピングし、それにより発せられた
固体レーザービームを、共振器内に配した非線形光学結
晶により波長変換するとともに、共振器内に配したエタ
ロン16によって単一縦モード化する波長変換レーザーに
おいて、温度が変化しても単一縦モードを安定して維持
できる。 【構成】非線形光学結晶として、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3
結晶15等のタイプＩの位相整合を果たすものを用いる。
結晶を光によってポンピングし、それにより発せられた
固体レーザービームを、共振器内に配した非線形光学結
晶により波長変換するとともに、共振器内に配したエタ
ロン16によって単一縦モード化する波長変換レーザーに
おいて、温度が変化しても単一縦モードを安定して維持
できる。 【構成】非線形光学結晶として、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3
結晶15等のタイプＩの位相整合を果たすものを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶を
レーザー媒質として用いる固体レーザーに関し、特に詳
細には、波長変換機能を備え、そして単一縦モード化が
図られた固体レーザーに関するものである。
レーザー媒質として用いる固体レーザーに関し、特に詳
細には、波長変換機能を備え、そして単一縦モード化が
図られた固体レーザーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号公報に示され
るように、ネオジウム（Ｎｄ）が添加された固体レーザ
ー結晶を半導体レーザー等から発せられた光によってポ
ンピングする固体レーザーが公知となっている。またこ
の種の固体レーザーにおいては、より短波長のレーザー
ビームを得るために、その共振器内に非線形光学材料の
結晶（非線形光学結晶）を配置して、固体レーザービー
ムを第２高調波等に波長変換することも広く行なわれて
いる。
るように、ネオジウム（Ｎｄ）が添加された固体レーザ
ー結晶を半導体レーザー等から発せられた光によってポ
ンピングする固体レーザーが公知となっている。またこ
の種の固体レーザーにおいては、より短波長のレーザー
ビームを得るために、その共振器内に非線形光学材料の
結晶（非線形光学結晶）を配置して、固体レーザービー
ムを第２高調波等に波長変換することも広く行なわれて
いる。
【０００３】上述のような波長変換レーザーに対して
は、その他の種類のレーザー装置と同様に、縦モード競
合による出力変動を抑えるために、単一縦モードで発振
させたいという要求がある。そのために従来より、固体
レーザー媒質として、単一縦モード発振が得られやすい
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶（Ｎｄが添加されたＹＶＯ4 結晶）
を適用する試みがなされている。
は、その他の種類のレーザー装置と同様に、縦モード競
合による出力変動を抑えるために、単一縦モードで発振
させたいという要求がある。そのために従来より、固体
レーザー媒質として、単一縦モード発振が得られやすい
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶（Ｎｄが添加されたＹＶＯ4 結晶）
を適用する試みがなされている。
【０００４】しかし、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶を固体レ
ーザーに適用した場合でも、励起パワーを高くすると多
重縦モード発振しやすくなることが明らかになってい
る。そこで、例えば1993年春季応用物理学会学術講演会
予稿集，31ｐ−Ｚ−４に記載されているように、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶を適用した固体レーザーにおいて、共振器
内に非線形光学結晶であるＫＴＰ結晶とともにエタロン
を配置して、このエタロンによってより確実に単一縦モ
ード化するようにした波長変換レーザーが提案されてい
る。
ーザーに適用した場合でも、励起パワーを高くすると多
重縦モード発振しやすくなることが明らかになってい
る。そこで、例えば1993年春季応用物理学会学術講演会
予稿集，31ｐ−Ｚ−４に記載されているように、Ｎｄ：
ＹＶＯ4 結晶を適用した固体レーザーにおいて、共振器
内に非線形光学結晶であるＫＴＰ結晶とともにエタロン
を配置して、このエタロンによってより確実に単一縦モ
ード化するようにした波長変換レーザーが提案されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにエ
タロンを利用する場合でも、レーザーの共振器温度が変
化すると、多重縦モード発振してしまうことがある。
タロンを利用する場合でも、レーザーの共振器温度が変
化すると、多重縦モード発振してしまうことがある。
【０００６】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、発振モードを安定して単一縦モード化すること
ができる波長変換レーザーを提供することを目的とする
ものである。
であり、発振モードを安定して単一縦モード化すること
ができる波長変換レーザーを提供することを目的とする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による波長変換レ
ーザーは、前述したようにＮｄ：ＹＶＯ4 結晶を光によ
ってポンピングし、それにより発せられた固体レーザー
ビームを、共振器内に配した非線形光学結晶により波長
変換するとともに、共振器内に配したエタロンにより発
振モードを単一縦モード化する波長変換レーザーにおい
て、上記非線形光学結晶として、タイプＩの位相整合を
果たすものが用いられていることを特徴とするものであ
る。
ーザーは、前述したようにＮｄ：ＹＶＯ4 結晶を光によ
ってポンピングし、それにより発せられた固体レーザー
ビームを、共振器内に配した非線形光学結晶により波長
変換するとともに、共振器内に配したエタロンにより発
振モードを単一縦モード化する波長変換レーザーにおい
て、上記非線形光学結晶として、タイプＩの位相整合を
果たすものが用いられていることを特徴とするものであ
る。
【０００８】
【作用および発明の効果】本発明者等の研究によると、
前述のＫＴＰ結晶とエタロンとを用いる従来装置が多重
縦モード発振しやすいのは、以下のような理由によるも
のであることが判明した。すなわち、ＫＴＰ結晶はタイ
プIIの位相整合を果たす非線形光学結晶であるため、そ
れとＮｄ：ＹＶＯ4 結晶とは方位角が互いに45°傾く状
態に配設される。そこで、ＫＴＰ結晶を含む共振器の温
度が変化すると固有偏光モードが変化し、π偏光発振の
他にσ偏光発振も起こり、多重縦モード化してしまうの
である。
前述のＫＴＰ結晶とエタロンとを用いる従来装置が多重
縦モード発振しやすいのは、以下のような理由によるも
のであることが判明した。すなわち、ＫＴＰ結晶はタイ
プIIの位相整合を果たす非線形光学結晶であるため、そ
れとＮｄ：ＹＶＯ4 結晶とは方位角が互いに45°傾く状
態に配設される。そこで、ＫＴＰ結晶を含む共振器の温
度が変化すると固有偏光モードが変化し、π偏光発振の
他にσ偏光発振も起こり、多重縦モード化してしまうの
である。
【０００９】それに対して本発明のように、非線形光学
結晶としてタイプＩの位相整合を果たすものを用いる場
合は、該非線形光学結晶とＮｄ：ＹＶＯ4 結晶とは方位
角が互いにほぼ一致する状態に配設される。この構成に
おいては、基本波である固体レーザービームがＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶の異方性（π偏光とσ偏光のゲインの差）に
よりπ偏光発振し、そして共振器温度が変化してもこの
固有偏光モードは変化しないので常にπ偏光発振が維持
され、縦モードも単一のまま保たれるようになる。
結晶としてタイプＩの位相整合を果たすものを用いる場
合は、該非線形光学結晶とＮｄ：ＹＶＯ4 結晶とは方位
角が互いにほぼ一致する状態に配設される。この構成に
おいては、基本波である固体レーザービームがＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶の異方性（π偏光とσ偏光のゲインの差）に
よりπ偏光発振し、そして共振器温度が変化してもこの
固有偏光モードは変化しないので常にπ偏光発振が維持
され、縦モードも単一のまま保たれるようになる。
【００１０】本発明の波長変換レーザーにおいては、以
上のようにして安定した単一縦モード化の効果が得られ
るので、共振器の温度調節の許容誤差が拡大し、比較的
簡単な低コストの温調手段が利用可能となる。また、こ
のように共振器の温度調節の許容誤差が拡大することに
より、経時安定性も従来に比べて格段に向上し、長時間
に亘る単一縦モード発振が可能となる。
上のようにして安定した単一縦モード化の効果が得られ
るので、共振器の温度調節の許容誤差が拡大し、比較的
簡単な低コストの温調手段が利用可能となる。また、こ
のように共振器の温度調節の許容誤差が拡大することに
より、経時安定性も従来に比べて格段に向上し、長時間
に亘る単一縦モード発振が可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例によるレー
ザーダイオードポンピング固体レーザーを示すものであ
る。このレーザーダイオードポンピング固体レーザー
は、ポンピング光としてのレーザービーム10を発する半
導体レーザー11と、例えば屈折率分布形レンズからなり
発散光である上記レーザービーム10を集光する集光レン
ズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）がドープされた固体レーザ
ー媒質であるＹＶＯ4 結晶（Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶）13
と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13の前方側（図中右方側）
に配された共振器ミラー14とを有している。
詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例によるレー
ザーダイオードポンピング固体レーザーを示すものであ
る。このレーザーダイオードポンピング固体レーザー
は、ポンピング光としてのレーザービーム10を発する半
導体レーザー11と、例えば屈折率分布形レンズからなり
発散光である上記レーザービーム10を集光する集光レン
ズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）がドープされた固体レーザ
ー媒質であるＹＶＯ4 結晶（Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶）13
と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13の前方側（図中右方側）
に配された共振器ミラー14とを有している。
【００１２】そして共振器ミラー14とＮｄ：ＹＶＯ4 結
晶13との間には、周期ドメイン反転構造を有する非線形
光学結晶であるＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 （ＭｇＯがドープ
されたＬｉＮｂＯ3 ）結晶15とエタロン16とが配置され
ている。
晶13との間には、周期ドメイン反転構造を有する非線形
光学結晶であるＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 （ＭｇＯがドープ
されたＬｉＮｂＯ3 ）結晶15とエタロン16とが配置され
ている。
【００１３】上に述べた要素13〜16は熱伝導率の高い例
えば銅製の筐体20に固定され、そしてこの筐体20の固体
レーザー共振器（後述のように共振器ミラー14およびＮ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶13で構成される）に近い部分には、温
度制御素子としてのペルチェ素子21が配されている。ま
た筐体20内には、共振器内部の温度を検出する温度セン
サ22が配設されている。ペルチェ素子21の駆動は、この
温度センサ22の出力を受ける温調回路23によって制御さ
れ、それにより共振器内温度が所定温度に保たれる。さ
らに、半導体レーザー11も図示しない温調手段により所
定温度に保たれる。
えば銅製の筐体20に固定され、そしてこの筐体20の固体
レーザー共振器（後述のように共振器ミラー14およびＮ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶13で構成される）に近い部分には、温
度制御素子としてのペルチェ素子21が配されている。ま
た筐体20内には、共振器内部の温度を検出する温度セン
サ22が配設されている。ペルチェ素子21の駆動は、この
温度センサ22の出力を受ける温調回路23によって制御さ
れ、それにより共振器内温度が所定温度に保たれる。さ
らに、半導体レーザー11も図示しない温調手段により所
定温度に保たれる。
【００１４】半導体レーザー11としては、波長808 ｎｍ
のレーザービーム10を発するものが用いられている。ま
たＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13はＮｄ濃度が１atm ％のもので
あり、そのｃ軸の方位がレーザービーム10の直線偏光の
向きと揃う状態に配設されている。このようにするの
は、レーザービーム10の直線偏光の向きにａ軸方位を合
わせる場合よりも、レーザービーム10の吸収効率が高い
からである。
のレーザービーム10を発するものが用いられている。ま
たＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13はＮｄ濃度が１atm ％のもので
あり、そのｃ軸の方位がレーザービーム10の直線偏光の
向きと揃う状態に配設されている。このようにするの
は、レーザービーム10の直線偏光の向きにａ軸方位を合
わせる場合よりも、レーザービーム10の吸収効率が高い
からである。
【００１５】一方ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15はＭｇＯ
濃度が５mol ％のもので、図２に示されるように、その
ｃ軸を含む面内で延びるドメイン反転部15ａの周期は6.
95μｍ、光通過端面のサイズは２×0.5 ｍｍ、厚さは２
ｍｍとされている。そしてこのＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結
晶15は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13とｃ軸の方位が一致する
状態に配設されている。
濃度が５mol ％のもので、図２に示されるように、その
ｃ軸を含む面内で延びるドメイン反転部15ａの周期は6.
95μｍ、光通過端面のサイズは２×0.5 ｍｍ、厚さは２
ｍｍとされている。そしてこのＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結
晶15は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13とｃ軸の方位が一致する
状態に配設されている。
【００１６】Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13は、入射したレーザ
ービーム10によってネオジウムイオンが励起されて、波
長が1064ｎｍのレーザービーム18を発する。このレーザ
ービーム18はＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端面13ａと共振器ミラ
ー14のミラー面14ａとの間で共振し、ＭｇＯ：ＬｉＮｂ
Ｏ3 結晶15により、タイプＩの位相整合が取られた上
で、波長が１／２すなわち532 ｎｍの第２高調波19に変
換される。
ービーム10によってネオジウムイオンが励起されて、波
長が1064ｎｍのレーザービーム18を発する。このレーザ
ービーム18はＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端面13ａと共振器ミラ
ー14のミラー面14ａとの間で共振し、ＭｇＯ：ＬｉＮｂ
Ｏ3 結晶15により、タイプＩの位相整合が取られた上
で、波長が１／２すなわち532 ｎｍの第２高調波19に変
換される。
【００１７】Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13の後側端面13ａに
は、上記レーザービーム10を良好に透過させる一方、レ
ーザービーム18および第２高調波19は良好に反射させる
コーティングが施されている。一方共振器ミラー14のミ
ラー面14ａには、レーザービーム18を良好に反射させる
一方、第２高調波19は一部透過させるコーティングが施
されている。またエタロン16は例えば石英板からなり、
その両端面には波長1064ｎｍに対して部分反射、波長53
2 ｎｍに対して無反射となるコーティングが施されてい
る。
は、上記レーザービーム10を良好に透過させる一方、レ
ーザービーム18および第２高調波19は良好に反射させる
コーティングが施されている。一方共振器ミラー14のミ
ラー面14ａには、レーザービーム18を良好に反射させる
一方、第２高調波19は一部透過させるコーティングが施
されている。またエタロン16は例えば石英板からなり、
その両端面には波長1064ｎｍに対して部分反射、波長53
2 ｎｍに対して無反射となるコーティングが施されてい
る。
【００１８】本実施例においては、エタロン16の作用で
レーザービーム18が単一縦モード化され、それにより第
２高調波19も単一縦モード化され、該第２高調波19の一
部が共振器ミラー14から出射する。そして、ＭｇＯ：Ｌ
ｉＮｂＯ3 結晶15とＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13とが、互いに
ｃ軸方位が一致する状態に配置されているので、レーザ
ービーム18はＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13の異方性（π偏光と
σ偏光のゲインの差）によりπ偏光発振し、共振器温度
が変化してもこの固有偏光モードは変化しないので常に
π偏光発振が維持され、縦モードも単一のまま保たれる
ようになる。
レーザービーム18が単一縦モード化され、それにより第
２高調波19も単一縦モード化され、該第２高調波19の一
部が共振器ミラー14から出射する。そして、ＭｇＯ：Ｌ
ｉＮｂＯ3 結晶15とＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13とが、互いに
ｃ軸方位が一致する状態に配置されているので、レーザ
ービーム18はＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13の異方性（π偏光と
σ偏光のゲインの差）によりπ偏光発振し、共振器温度
が変化してもこの固有偏光モードは変化しないので常に
π偏光発振が維持され、縦モードも単一のまま保たれる
ようになる。
【００１９】前述したように固体レーザー媒質としてＮ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶を用い、共振器内にＫＴＰ結晶ととも
にエタロンを配置した従来の波長変換レーザーにおいて
は、共振器温度が0.5 ℃変化すると、多重縦モード発振
したり、モードホップしてしまうが、上記実施例の場合
は共振器温度が約２℃変化しても、安定して単一縦モー
ド発振を維持できるようになった。このように、単一縦
モード発振を維持できる温度範囲が拡大したことによ
り、経時安定性も従来に比べて格段に向上し、10000 時
間以上に亘る単一縦モード発振も可能となった。
ｄ：ＹＶＯ4 結晶を用い、共振器内にＫＴＰ結晶ととも
にエタロンを配置した従来の波長変換レーザーにおいて
は、共振器温度が0.5 ℃変化すると、多重縦モード発振
したり、モードホップしてしまうが、上記実施例の場合
は共振器温度が約２℃変化しても、安定して単一縦モー
ド発振を維持できるようになった。このように、単一縦
モード発振を維持できる温度範囲が拡大したことによ
り、経時安定性も従来に比べて格段に向上し、10000 時
間以上に亘る単一縦モード発振も可能となった。
【００２０】なお、タイプＩの位相整合を果たす非線形
光学結晶としては、上に述べた周期ドメイン反転構造を
有するＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15に限らず、その他、
周期ドメイン反転構造を持たないＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3
や、さらにはＬｉＴａＯ3 、ＫＮｂＯ3 、β−ＢＢＯ、
ＬＢＯ、Ｂａ2 ＮａＮｂ5 Ｏ15等の結晶も使用可能であ
る。
光学結晶としては、上に述べた周期ドメイン反転構造を
有するＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15に限らず、その他、
周期ドメイン反転構造を持たないＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3
や、さらにはＬｉＴａＯ3 、ＫＮｂＯ3 、β−ＢＢＯ、
ＬＢＯ、Ｂａ2 ＮａＮｂ5 Ｏ15等の結晶も使用可能であ
る。
【００２１】また、このタイプＩの位相整合を果たす非
線形光学結晶として周期ドメイン反転構造を有するもの
を用いる場合は、上記ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の他
に、ＬｉＮｂＯ3 結晶や、ＬｉＴａＯ3 結晶や、ＫＴＰ
結晶に周期ドメイン反転構造を形成したもの等も使用可
能である。また、以上の他に、周期的に屈折率変調を有
する非線形光学結晶の使用も可能である。
線形光学結晶として周期ドメイン反転構造を有するもの
を用いる場合は、上記ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の他
に、ＬｉＮｂＯ3 結晶や、ＬｉＴａＯ3 結晶や、ＫＴＰ
結晶に周期ドメイン反転構造を形成したもの等も使用可
能である。また、以上の他に、周期的に屈折率変調を有
する非線形光学結晶の使用も可能である。
【図１】本発明の一実施例による波長変換レーザーを示
す概略側面図
す概略側面図
【図２】上記波長変換レーザーの要部を示す斜視図
10 レーザービーム（ポンピング光） 11 半導体レーザー 12 集光レンズ 13 Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶 14 共振器ミラー 15 ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶 16 エタロン 18 固体レーザービーム（基本波） 19 第２高調波 20 筐体 21 ペルチェ素子 22 温度センサ 23 温調回路
Claims (3)
- 【請求項１】 ネオジウム（Ｎｄ）が添加されたＹＶＯ
4 結晶を光によってポンピングし、 それにより発せられた固体レーザービームを、共振器内
に配した非線形光学結晶により波長変換するとともに、 共振器内に配したエタロンにより発振モードを単一縦モ
ード化する波長変換レーザーにおいて、 前記非線形光学結晶として、タイプＩの位相整合を果た
すものが用いられていることを特徴とする波長変換レー
ザー。 - 【請求項２】 前記非線形光学結晶が周期ドメイン反転
構造を有するものであることを特徴とする請求項１記載
の波長変換レーザー。 - 【請求項３】 前記周期ドメイン反転構造を有する非線
形光学結晶がＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶であることを特
徴とする請求項２記載の波長変換レーザー。
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