JPH06160175A - 赤外線検出素子 - Google Patents
赤外線検出素子Info
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- JPH06160175A JPH06160175A JP31463192A JP31463192A JPH06160175A JP H06160175 A JPH06160175 A JP H06160175A JP 31463192 A JP31463192 A JP 31463192A JP 31463192 A JP31463192 A JP 31463192A JP H06160175 A JPH06160175 A JP H06160175A
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Links
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型で安価に構成すること。
【構成】 温度補償部８を赤外線検出部Ａ〜Ｄと同性能
の薄膜抵抗体５で構成する。しかし、温度補償部８の表
面には赤外線吸収膜７は設けない。そのため、入射した
赤外線の大部分は電極６の表面で反射してしまう。更
に、温度補償部８の下方には半導体基板１があり、赤外
線が吸収されても半導体基板１を通して熱が逃げてしま
うため、薄膜抵抗体５の温度が上昇しない。従って、温
度補償部８は赤外線の入射する位置に設けることがで
き、赤外線検出素子１０を小型にすることができる。そ
のため、安価に構成できる。
の薄膜抵抗体５で構成する。しかし、温度補償部８の表
面には赤外線吸収膜７は設けない。そのため、入射した
赤外線の大部分は電極６の表面で反射してしまう。更
に、温度補償部８の下方には半導体基板１があり、赤外
線が吸収されても半導体基板１を通して熱が逃げてしま
うため、薄膜抵抗体５の温度が上昇しない。従って、温
度補償部８は赤外線の入射する位置に設けることがで
き、赤外線検出素子１０を小型にすることができる。そ
のため、安価に構成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、温度による抵抗の変化
を利用して赤外線を検出する赤外線検出素子に関するも
のである。
を利用して赤外線を検出する赤外線検出素子に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、本件出願人らは、特開昭６４−
８４１７９号公報等で、複数の赤外線検出素子を用い、
各々の赤外線検出素子の出力を比較することにより、信
頼性高く人体を検出できる人体検出装置を既に提案して
いる。上記従来の人体検出装置の全体構成のブロック図
を図７に示す。図７において、検知領域からの赤外線を
光学系２１により集光し、集光された赤外線を複数の赤
外線検出部Ａ〜Ｄから成る赤外線検出素子２２を用いて
受光し、複数の赤外線検出部Ａ〜Ｄの各出力を増幅部２
３により独立に増幅している。
８４１７９号公報等で、複数の赤外線検出素子を用い、
各々の赤外線検出素子の出力を比較することにより、信
頼性高く人体を検出できる人体検出装置を既に提案して
いる。上記従来の人体検出装置の全体構成のブロック図
を図７に示す。図７において、検知領域からの赤外線を
光学系２１により集光し、集光された赤外線を複数の赤
外線検出部Ａ〜Ｄから成る赤外線検出素子２２を用いて
受光し、複数の赤外線検出部Ａ〜Ｄの各出力を増幅部２
３により独立に増幅している。
【０００３】そして、更に、増幅部２３からの出力を信
号処理部２４により人体検出に適した信号に変換し、判
断部２５によりピーク値と出力時刻とを検出し、これら
を相互に比較して人体の有無を判定し、この判定結果を
出力部２６から出力するというものである。上記人体検
出装置における赤外線検出素子２２としては、図８に示
すような焦電素子が考えられる。図示するように、４個
の赤外線検出部Ａ〜Ｄを有し、各赤外線検出部Ａ〜Ｄに
対し環境温度変化を相殺する目的で温度補償部２０が接
続されている。
号処理部２４により人体検出に適した信号に変換し、判
断部２５によりピーク値と出力時刻とを検出し、これら
を相互に比較して人体の有無を判定し、この判定結果を
出力部２６から出力するというものである。上記人体検
出装置における赤外線検出素子２２としては、図８に示
すような焦電素子が考えられる。図示するように、４個
の赤外線検出部Ａ〜Ｄを有し、各赤外線検出部Ａ〜Ｄに
対し環境温度変化を相殺する目的で温度補償部２０が接
続されている。
【０００４】図９は焦電素子の内部回路を示すものであ
り、各赤外線検出部Ａ〜Ｄに対応してＦＥＴ・Ｑ1 〜Ｑ
4 が設けられ、ＦＥＴ・Ｑ1 〜Ｑ4 のゲート・ドレイン
間には上記赤外線検出部Ａ〜Ｄと温度補償部２０との直
列回路が接続されている。そして、各ＦＥＴ・Ｑ1 〜Ｑ
4 のソース端子から各出力Ａ〜Ｄが出力されるようにな
っている。
り、各赤外線検出部Ａ〜Ｄに対応してＦＥＴ・Ｑ1 〜Ｑ
4 が設けられ、ＦＥＴ・Ｑ1 〜Ｑ4 のゲート・ドレイン
間には上記赤外線検出部Ａ〜Ｄと温度補償部２０との直
列回路が接続されている。そして、各ＦＥＴ・Ｑ1 〜Ｑ
4 のソース端子から各出力Ａ〜Ｄが出力されるようにな
っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来例におい
て、赤外線検出部Ａ〜Ｄの感度を得るためには、温度補
償部２０に赤外線が入射しないように遮光する必要があ
る。そのため、一般的には、温度補償部２０を赤外線が
入射しない位置、すなわち、赤外線検出素子２２の周辺
部に設けることになる。
て、赤外線検出部Ａ〜Ｄの感度を得るためには、温度補
償部２０に赤外線が入射しないように遮光する必要があ
る。そのため、一般的には、温度補償部２０を赤外線が
入射しない位置、すなわち、赤外線検出素子２２の周辺
部に設けることになる。
【０００６】また、焦電素子の場合、クロストークの問
題もあり、温度補償部２０を赤外線検出部Ａ〜Ｄに接近
させることはできない。以上の理由により、素子サイズ
が大きくなるという問題があった。さらに、４出力を独
立に取り出すためには、４個のＦＥＴ・Ｑ1 〜Ｑ4 がパ
ッケージ内に必要となり、サイズが大きく、高価となる
という問題があった。
題もあり、温度補償部２０を赤外線検出部Ａ〜Ｄに接近
させることはできない。以上の理由により、素子サイズ
が大きくなるという問題があった。さらに、４出力を独
立に取り出すためには、４個のＦＥＴ・Ｑ1 〜Ｑ4 がパ
ッケージ内に必要となり、サイズが大きく、高価となる
という問題があった。
【０００７】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、小型で安価に構成することを目的とした赤外線
検出素子を提供するものである。
あって、小型で安価に構成することを目的とした赤外線
検出素子を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板の
一面上に絶縁膜を介して赤外線検出部及び温度補償部を
備え、赤外線検出部の下方の下部の基板がエッチングに
より取り除かれた構造であり、赤外線検出部より独立し
た信号出力端子より信号を出力するようにした赤外線検
出素子において、上記赤外線検出部を、薄膜抵抗体と、
この上下面に設けた電極と、上側の電極の上面に設けた
赤外線吸収膜とで構成し、上記温度補償部を、薄膜抵抗
体と、この上下面に設けた電極とで構成したものであ
る。
一面上に絶縁膜を介して赤外線検出部及び温度補償部を
備え、赤外線検出部の下方の下部の基板がエッチングに
より取り除かれた構造であり、赤外線検出部より独立し
た信号出力端子より信号を出力するようにした赤外線検
出素子において、上記赤外線検出部を、薄膜抵抗体と、
この上下面に設けた電極と、上側の電極の上面に設けた
赤外線吸収膜とで構成し、上記温度補償部を、薄膜抵抗
体と、この上下面に設けた電極とで構成したものであ
る。
【０００９】また、請求項２においては、複数の赤外線
検出部と、１つの温度補償部と、上記赤外線検出部と温
度補償部とを切り換え接続する手段とを設けたものであ
る。
検出部と、１つの温度補償部と、上記赤外線検出部と温
度補償部とを切り換え接続する手段とを設けたものであ
る。
【００１０】
【作用】而して、温度補償部は、赤外線検出部と同性能
の薄膜抵抗体からなるが、表面には赤外線吸収膜が設け
られていないために、入射した赤外線の大部分は上側の
電極の表面で反射してしまい、更に、温度補償部の下方
には半導体基板があり、赤外線が吸収されても半導体基
板を通して熱が逃げてしまうため、薄膜抵抗体の温度が
上昇しない。従って、温度補償部は赤外線の入射する位
置に設けることができ、赤外線検出素子を小型にするこ
とができる。そのため、安価に構成できるものである。
の薄膜抵抗体からなるが、表面には赤外線吸収膜が設け
られていないために、入射した赤外線の大部分は上側の
電極の表面で反射してしまい、更に、温度補償部の下方
には半導体基板があり、赤外線が吸収されても半導体基
板を通して熱が逃げてしまうため、薄膜抵抗体の温度が
上昇しない。従って、温度補償部は赤外線の入射する位
置に設けることができ、赤外線検出素子を小型にするこ
とができる。そのため、安価に構成できるものである。
【００１１】また、請求項２においては、複数の赤外線
検出部と、１つの温度補償部と、上記赤外線検出部と温
度補償部とを切り換え接続する手段とを設けたものであ
るから、温度補償部が１つのため、小型化が図れ、ま
た、同一の温度補償部を用いるために、感度のバラツキ
を小さくすることができる。
検出部と、１つの温度補償部と、上記赤外線検出部と温
度補償部とを切り換え接続する手段とを設けたものであ
るから、温度補償部が１つのため、小型化が図れ、ま
た、同一の温度補償部を用いるために、感度のバラツキ
を小さくすることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。本発明における赤外線検出素子１０では、図１に
示すように半導体基板１の一面に４つの赤外線検出部Ａ
〜Ｄと、４つの温度補償部８を備え、赤外線検出部Ａ〜
Ｄの下部の基板がエッチングにより取り除かれた構造を
有するものである。
する。本発明における赤外線検出素子１０では、図１に
示すように半導体基板１の一面に４つの赤外線検出部Ａ
〜Ｄと、４つの温度補償部８を備え、赤外線検出部Ａ〜
Ｄの下部の基板がエッチングにより取り除かれた構造を
有するものである。
【００１３】図１（ａ）は赤外線検出素子１０の平面図
を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ断面図を示
している。赤外線検出部Ａ〜Ｄ及び温度補償部８は、膜
厚０．１〜５．０μｍの多結晶シリコン又は非晶質シリ
コンからなる薄膜抵抗体５と、この薄膜抵抗体５の表面
を覆う複数の電極６から成り、赤外線検出部Ａ〜Ｄの表
面には赤外線を吸収する赤外線吸収膜７を設けている。
を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ断面図を示
している。赤外線検出部Ａ〜Ｄ及び温度補償部８は、膜
厚０．１〜５．０μｍの多結晶シリコン又は非晶質シリ
コンからなる薄膜抵抗体５と、この薄膜抵抗体５の表面
を覆う複数の電極６から成り、赤外線検出部Ａ〜Ｄの表
面には赤外線を吸収する赤外線吸収膜７を設けている。
【００１４】尚、３は半導体基板１の上面に形成されて
いる熱絶縁薄膜で、４は薄膜抵抗体５の下側に設けた電
極である。電極４，６は薄膜抵抗体５の抵抗値を計測す
るものであり、一般に半導体プロセスで作製できるよう
にアルミやクロムなどを用いている。赤外線検出部Ａ〜
Ｄと半導体基板１とは熱分離空間２にて熱的に分離して
おり、これにより、赤外線検出部Ａ〜Ｄの感度を良好に
している。また、赤外線検出部Ａ〜Ｄと半導体基板１と
を熱分離するために、赤外線検出部Ａ〜Ｄの下部の基板
をエッチング等により取り除いている。
いる熱絶縁薄膜で、４は薄膜抵抗体５の下側に設けた電
極である。電極４，６は薄膜抵抗体５の抵抗値を計測す
るものであり、一般に半導体プロセスで作製できるよう
にアルミやクロムなどを用いている。赤外線検出部Ａ〜
Ｄと半導体基板１とは熱分離空間２にて熱的に分離して
おり、これにより、赤外線検出部Ａ〜Ｄの感度を良好に
している。また、赤外線検出部Ａ〜Ｄと半導体基板１と
を熱分離するために、赤外線検出部Ａ〜Ｄの下部の基板
をエッチング等により取り除いている。
【００１５】赤外線検出部Ａ〜Ｄは、シリコン酸化膜あ
るいは、シリコン窒化膜あるいはそれらの多層膜から成
る上記熱絶縁薄膜３上に形成されている。なお、半導体
基板１には、赤外線検出部Ａ〜Ｄと共に、検出された信
号を増幅したり、雑音を除去したり、適当な処理を行う
信号処理回路を設けておくようにしておいても良い。
るいは、シリコン窒化膜あるいはそれらの多層膜から成
る上記熱絶縁薄膜３上に形成されている。なお、半導体
基板１には、赤外線検出部Ａ〜Ｄと共に、検出された信
号を増幅したり、雑音を除去したり、適当な処理を行う
信号処理回路を設けておくようにしておいても良い。
【００１６】図２は赤外線検出素子１０の内部回路図を
示し、この図２及び図１に示すように、各赤外線検出部
Ａ〜Ｄは、赤外線検出素子１０の四隅に設けた温度補償
部８と配線１１により接続され、温度補償部８の一端は
アース側のＧＮＤ端子１２に接続されている。また、赤
外線検出部Ａ〜Ｄの一端は中央側で共通接続されて、電
源が印加されるＶｄｄ端子１３に接続されている。更
に、各赤外線検出部Ａ〜Ｄと温度補償部８との接続点よ
り、信号出力端子１４〜１７が延出形成されている。
示し、この図２及び図１に示すように、各赤外線検出部
Ａ〜Ｄは、赤外線検出素子１０の四隅に設けた温度補償
部８と配線１１により接続され、温度補償部８の一端は
アース側のＧＮＤ端子１２に接続されている。また、赤
外線検出部Ａ〜Ｄの一端は中央側で共通接続されて、電
源が印加されるＶｄｄ端子１３に接続されている。更
に、各赤外線検出部Ａ〜Ｄと温度補償部８との接続点よ
り、信号出力端子１４〜１７が延出形成されている。
【００１７】ここで、入射した赤外線は、ＳｉＯ2 等か
ら成る赤外線吸収膜７によって吸収され、薄膜抵抗体５
の温度を変化させる。この温度変化によって変わる薄膜
抵抗体５の抵抗値を電極４，６によって検出する。Ｓｉ
基板、つまり半導体基板１の表面にはＳｉＯ2 あるいは
Ｓｉ3 Ｎ4 等からなる熱絶縁薄膜３が形成されており、
この熱絶縁薄膜３上に赤外線吸収膜７と電極４，６と薄
膜抵抗体５からなる赤外線検出部Ａ〜Ｄ、及び電極４，
６と薄膜抵抗体５からなる温度補償部８が設けられてい
る。
ら成る赤外線吸収膜７によって吸収され、薄膜抵抗体５
の温度を変化させる。この温度変化によって変わる薄膜
抵抗体５の抵抗値を電極４，６によって検出する。Ｓｉ
基板、つまり半導体基板１の表面にはＳｉＯ2 あるいは
Ｓｉ3 Ｎ4 等からなる熱絶縁薄膜３が形成されており、
この熱絶縁薄膜３上に赤外線吸収膜７と電極４，６と薄
膜抵抗体５からなる赤外線検出部Ａ〜Ｄ、及び電極４，
６と薄膜抵抗体５からなる温度補償部８が設けられてい
る。
【００１８】赤外線吸収膜７は、例えば、ＳｉＯ2 のよ
うな半導体プロセスにて形成できる物質を用いているた
め、簡単に形成できる。また、半導体基板１と赤外線検
出部Ａ〜Ｄとの熱分離をするために、赤外線検出部Ａ〜
Ｄの下方の半導体基板１をエッチングにより除去した熱
分離空間２を設けている。
うな半導体プロセスにて形成できる物質を用いているた
め、簡単に形成できる。また、半導体基板１と赤外線検
出部Ａ〜Ｄとの熱分離をするために、赤外線検出部Ａ〜
Ｄの下方の半導体基板１をエッチングにより除去した熱
分離空間２を設けている。
【００１９】温度補償部８は、赤外線検出部Ａ〜Ｄと同
性能の薄膜抵抗体５からなるが、表面には赤外線吸収膜
７が設けられておらず、入射した赤外線の大部分は電極
６の表面で反射してしまう。更に、温度補償部８の下方
には半導体基板１があり、赤外線が吸収されても半導体
基板１を通して熱が逃げてしまうため、薄膜抵抗体５の
温度が上昇しない。
性能の薄膜抵抗体５からなるが、表面には赤外線吸収膜
７が設けられておらず、入射した赤外線の大部分は電極
６の表面で反射してしまう。更に、温度補償部８の下方
には半導体基板１があり、赤外線が吸収されても半導体
基板１を通して熱が逃げてしまうため、薄膜抵抗体５の
温度が上昇しない。
【００２０】従って、温度補償部８は赤外線の入射する
位置に設けることができ、赤外線検出素子１０を小型に
することができる。そのため、安価に構成できる。 （実施例２）実施例２を図３に示す。本実施例では、温
度補償部８を赤外線検出素子１０の中央部分に配置した
ものであり、これにより更に小型化することが可能とな
るものである。
位置に設けることができ、赤外線検出素子１０を小型に
することができる。そのため、安価に構成できる。 （実施例２）実施例２を図３に示す。本実施例では、温
度補償部８を赤外線検出素子１０の中央部分に配置した
ものであり、これにより更に小型化することが可能とな
るものである。
【００２１】（実施例３）図４は実施例３を示し、温度
補償部８を１つにし、各赤外線検出部Ａ〜Ｄと切り換え
ながら出力を取り出すようにしたものである。赤外線検
出素子１０には先の実施例と同様の構成の赤外線検出部
Ａ〜Ｄが４つ形成されており、赤外線検出素子１０の中
央には１つだけ温度補償部８が形成されている。この温
度補償部８の構成も先の実施例と同様に形成してある。
補償部８を１つにし、各赤外線検出部Ａ〜Ｄと切り換え
ながら出力を取り出すようにしたものである。赤外線検
出素子１０には先の実施例と同様の構成の赤外線検出部
Ａ〜Ｄが４つ形成されており、赤外線検出素子１０の中
央には１つだけ温度補償部８が形成されている。この温
度補償部８の構成も先の実施例と同様に形成してある。
【００２２】図５は、本実施例にかかる赤外線検出素子
１０の接続を示す回路図である。本実施例では、図５に
示すように、各赤外線検出部Ａ〜Ｄと１つの温度補償部
８とを直列に接続し、各接続点に信号出力端子１４〜１
７を設けている。赤外線検出部Ａの出力を取り出す場合
は、信号出力端子１４と１７を短絡し、信号出力端子Ａ
の出力を読めば良い。
１０の接続を示す回路図である。本実施例では、図５に
示すように、各赤外線検出部Ａ〜Ｄと１つの温度補償部
８とを直列に接続し、各接続点に信号出力端子１４〜１
７を設けている。赤外線検出部Ａの出力を取り出す場合
は、信号出力端子１４と１７を短絡し、信号出力端子Ａ
の出力を読めば良い。
【００２３】また、赤外線検出部Ｂの出力を取り出す場
合は、Ｖｄｄ端子１３と信号出力端子１４、信号出力端
子１５と１７を短絡し、信号出力端子１５の出力を読め
ば良い。更に、赤外線検出部Ｃの出力を取り出す場合
は、Ｖｄｄ端子１３と信号出力端子１５、信号出力端子
１６と１７を短絡し、信号出力端子１６の出力を読めば
良い。
合は、Ｖｄｄ端子１３と信号出力端子１４、信号出力端
子１５と１７を短絡し、信号出力端子１５の出力を読め
ば良い。更に、赤外線検出部Ｃの出力を取り出す場合
は、Ｖｄｄ端子１３と信号出力端子１５、信号出力端子
１６と１７を短絡し、信号出力端子１６の出力を読めば
良い。
【００２４】また、赤外線検出部Ｄの出力を取り出す場
合は、Ｖｄｄ端子１３と信号出力端子１６を短絡し、信
号出力端子１７の出力を読めば良い。以上のように構成
することで、４個の赤外線検出部Ａ〜Ｄの出力を独立に
得ることができる。 （実施例４）図６に実施例４を示す。本実施例では、４
個の赤外線検出部Ａ〜Ｄを並列に配し、各赤外線検出部
Ａ〜Ｄと温度補償部８は外部で直列に接続するようにし
ている。
合は、Ｖｄｄ端子１３と信号出力端子１６を短絡し、信
号出力端子１７の出力を読めば良い。以上のように構成
することで、４個の赤外線検出部Ａ〜Ｄの出力を独立に
得ることができる。 （実施例４）図６に実施例４を示す。本実施例では、４
個の赤外線検出部Ａ〜Ｄを並列に配し、各赤外線検出部
Ａ〜Ｄと温度補償部８は外部で直列に接続するようにし
ている。
【００２５】赤外線検出部Ａの出力を取り出す場合は、
信号出力端子１４と端子１８を接続し、信号出力端子１
４の出力を読めば良い。赤外線検出部Ｂの出力を取り出
す場合は、信号出力端子１５と端子１８を接続し、信号
出力端子１５の出力を読めば良い。赤外線検出部Ｃの出
力を取り出す場合は、信号出力端子１６と端子１８を接
続し、信号出力端子１６の出力を読めば良い。
信号出力端子１４と端子１８を接続し、信号出力端子１
４の出力を読めば良い。赤外線検出部Ｂの出力を取り出
す場合は、信号出力端子１５と端子１８を接続し、信号
出力端子１５の出力を読めば良い。赤外線検出部Ｃの出
力を取り出す場合は、信号出力端子１６と端子１８を接
続し、信号出力端子１６の出力を読めば良い。
【００２６】赤外線検出部Ｄの出力を取り出す場合は、
信号出力端子１７と端子１８を接続し、信号出力端子１
７の出力を読めば良い。尚、上記各実施例において、絶
縁膜（熱絶縁薄膜３）の材料、構成、電極４，６の構造
（櫛型かサンドイッチ型）には、影響されないものであ
る。また、赤外線検出部Ａ〜Ｄの数は、４つに限定され
るものではない。
信号出力端子１７と端子１８を接続し、信号出力端子１
７の出力を読めば良い。尚、上記各実施例において、絶
縁膜（熱絶縁薄膜３）の材料、構成、電極４，６の構造
（櫛型かサンドイッチ型）には、影響されないものであ
る。また、赤外線検出部Ａ〜Ｄの数は、４つに限定され
るものではない。
【００２７】
【発明の効果】本発明は上述のように、半導体基板の一
面上に絶縁膜を介して赤外線検出部及び温度補償部を備
え、赤外線検出部の下方の下部の基板がエッチングによ
り取り除かれた構造であり、赤外線検出部より独立した
信号出力端子より信号を出力するようにした赤外線検出
素子において、上記赤外線検出部を、薄膜抵抗体と、こ
の上下面に設けた電極と、上側の電極の上面に設けた赤
外線吸収膜とで構成し、上記温度補償部を、薄膜抵抗体
と、この上下面に設けた電極とで構成したものであるか
ら、温度補償部は、赤外線検出部と同性能の薄膜抵抗体
からなるが、表面には赤外線吸収膜が設けられていない
ために、入射した赤外線の大部分は上側の電極の表面で
反射してしまい、更に、温度補償部の下方には半導体基
板があり、赤外線が吸収されても半導体基板を通して熱
が逃げてしまうため、薄膜抵抗体の温度が上昇しない。
従って、温度補償部は赤外線の入射する位置に設けるこ
とができ、赤外線検出素子を小型にすることができる。
そのため、安価に構成できる効果を奏するものである。
面上に絶縁膜を介して赤外線検出部及び温度補償部を備
え、赤外線検出部の下方の下部の基板がエッチングによ
り取り除かれた構造であり、赤外線検出部より独立した
信号出力端子より信号を出力するようにした赤外線検出
素子において、上記赤外線検出部を、薄膜抵抗体と、こ
の上下面に設けた電極と、上側の電極の上面に設けた赤
外線吸収膜とで構成し、上記温度補償部を、薄膜抵抗体
と、この上下面に設けた電極とで構成したものであるか
ら、温度補償部は、赤外線検出部と同性能の薄膜抵抗体
からなるが、表面には赤外線吸収膜が設けられていない
ために、入射した赤外線の大部分は上側の電極の表面で
反射してしまい、更に、温度補償部の下方には半導体基
板があり、赤外線が吸収されても半導体基板を通して熱
が逃げてしまうため、薄膜抵抗体の温度が上昇しない。
従って、温度補償部は赤外線の入射する位置に設けるこ
とができ、赤外線検出素子を小型にすることができる。
そのため、安価に構成できる効果を奏するものである。
【００２８】また、請求項２においては、複数の赤外線
検出部と、１つの温度補償部と、上記赤外線検出部と温
度補償部とを切り換え接続する手段とを設けたものであ
るから、温度補償部が１つのため、小型化が図れ、ま
た、同一の温度補償部を用いるために、感度のバラツキ
を小さくすることができる。
検出部と、１つの温度補償部と、上記赤外線検出部と温
度補償部とを切り換え接続する手段とを設けたものであ
るから、温度補償部が１つのため、小型化が図れ、ま
た、同一の温度補償部を用いるために、感度のバラツキ
を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施例の赤外線検出素子の平
面図である。（ｂ）は本発明の実施例の図１（ａ）のＸ
−Ｘ線断面図である。
面図である。（ｂ）は本発明の実施例の図１（ａ）のＸ
−Ｘ線断面図である。
【図２】同上の赤外線検出素子の内部回路図である。
【図３】同上の他の実施例の赤外線検出素子の平面図で
ある。
ある。
【図４】（ａ）は同上の実施例３の赤外線検出素子の平
面図である。（ｂ）は図４（ａ）のＸ−Ｘ線断面図であ
る。
面図である。（ｂ）は図４（ａ）のＸ−Ｘ線断面図であ
る。
【図５】同上の実施例３の赤外線検出部と温度補償部と
の接続を示す回路図である。
の接続を示す回路図である。
【図６】同上の実施例４の赤外線検出部と温度補償部と
の接続を示す回路図である。
の接続を示す回路図である。
【図７】従来例の人体検出装置のブロック図である。
【図８】従来例の赤外線検出素子の平面図である。
【図９】従来例の赤外線検出素子の内部回路図である。
１ 半導体基板 ２ 熱分離空間 ３ 熱絶縁薄膜 ４ 電極 ５ 薄膜抵抗体 ６ 電極 ７ 赤外線吸収膜 ８ 温度補償部 １０ 赤外線検出素子 １４ 信号出力端子 １５ 信号出力端子 １６ 信号出力端子 １７ 信号出力端子 Ａ 赤外線検出部 Ｂ 赤外線検出部 Ｃ 赤外線検出部 Ｄ 赤外線検出部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の一面上に絶縁膜を介して赤
外線検出部及び温度補償部を備え、赤外線検出部の下方
の下部の基板がエッチングにより取り除かれた構造であ
り、赤外線検出部より独立した信号出力端子より信号を
出力するようにした赤外線検出素子において、上記赤外
線検出部を、薄膜抵抗体と、この上下面に設けた電極
と、上側の電極の上面に設けた赤外線吸収膜とで構成
し、上記温度補償部を、薄膜抵抗体と、この上下面に設
けた電極とで構成したことを特徴とする赤外線検出素
子。 - 【請求項２】 複数の赤外線検出部と、１つの温度補償
部と、上記赤外線検出部と温度補償部とを切り換え接続
する手段とを設けたことを特徴とする請求項１記載の赤
外線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31463192A JPH06160175A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 赤外線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31463192A JPH06160175A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 赤外線検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160175A true JPH06160175A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=18055645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31463192A Pending JPH06160175A (ja) | 1992-11-25 | 1992-11-25 | 赤外線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06160175A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006043384A1 (ja) * | 2004-10-18 | 2008-05-22 | 松下電器産業株式会社 | 赤外線センサ及び赤外線センサアレイ |
| JP2009264877A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサ、赤外線センサの製造方法 |
| US9528879B2 (en) | 2013-01-21 | 2016-12-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detection element, infrared detector, and infrared type gas sensor |
-
1992
- 1992-11-25 JP JP31463192A patent/JPH06160175A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006043384A1 (ja) * | 2004-10-18 | 2008-05-22 | 松下電器産業株式会社 | 赤外線センサ及び赤外線センサアレイ |
| JP2009264877A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサ、赤外線センサの製造方法 |
| US9528879B2 (en) | 2013-01-21 | 2016-12-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared detection element, infrared detector, and infrared type gas sensor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011113 |