JPS6146768B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特許請求の範囲第１項の前文に記載さ
れているようなピロ電気式検出器に関する。

たとえば空間監視用としてWiesbaden所在の
Heimann社のこの種のピロ電気式検出器があ
り、この検出器では凹面鏡の焦点に感温エレメン
トが位置している。このセンサエレメントの前に
多数の蒸着層を有するゲルマニウム板から成る窓
が位置しており、それにより可視光線および近赤
外線が除去される。従つて、センサエレメントは
生体から絶えず放出されるような長波長の赤外線
のみにさらされることになる。

他の目的、すなわち熱線の強度の定量的測定の
ために、たとえば米国特許第2855402号明細書に
記載されているようなポロメータが知られてい
る。これは同じく凹面鏡のなかに記載されたサー
モセンサを有する装置であり、凹面鏡の内部が特
に真空にされている。この明細書から知られてい
る装置は、熱源に応答する本来の電気抵抗のほか
に、この熱源に対して遮蔽された第２の電気抵抗
を補償用として含んでいる。補償はホイートスト
ンブリツジ回路により電気的に行なわれる。

同様に他の目的、すなわち測定対象物の表面温
度の遠隔指示、のために、ドイツ連邦共和国特許
第2137848号明細書に記載されている熱源測定装
置が知られている。この測定装置は２つのセラミ
ツクPTSサーミスタにより作動し、両サーミスタ
は互いに異なるキユリー温度を有していなければ
ならず、しかもその互いに一致しない特性曲線が
少なくとも測定範囲内では相い等しく傾斜を有し
ていなければならない。これらのサーミスタの１
つは温度測定用として鏡の焦点に配置されてい
る。もう１つのサーミスタは補償用として温度測
定用サーミスタとともにブリツジ回路に接続され
ており、零点補償の役割をする。

本発明に目的は、所定の指向性検出範囲内で遠
方の点から検出器に入射する熱源（赤外線）の強
度の定性的変化を検出し、その際、検出器の入射
窓の特に瞬間的な温度上昇には応答することな
く、かつ10秒以内の時定数をもつて生ずる熱線強
度の変化のみを検出し得るピロ電気式検出器をで
きる限り簡単な技術的手段で構成することであ
る。特にこの検出器を多くの用途に、たとえば扉
出入りセンサとしても経済的に使用可能とするた
め、検出器の技術的費用は、検出の信頼性を犠性
にすることなく、できるだけ少なくしなければな
らない。さらに、本発明によるピロ電気式検出器
は、波長が５μｍよりも長い赤外線のみに応答
し、可視光線および近赤外線には応答しないよう
に、簡単な手段で構成されていなければならな
い。

この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲
第１項に記載のピロ電気式検出器により達成され
る。

なお本明細書において、光または光線束という
用語は、可視波長から、熱作用を生ずる赤外波長
までの波長範囲にわたる光または光線束を指すも
のとする。

本発明によるピロ電気式検出器の基本原理は、
第１センサエレメントのほかに少なくとももう１
つの追加センサエレメントが用いられており、そ
のうち第１センサエレメントは焦点に配置されて
おり、従つて遠方の点から到来し焦点に結像する
ように入射する赤外線を当てられ、それに対して
１つまたはすべての追加センサエレメントは鏡の
焦点の外側に配置されていることにある。そこで
これらの追加センサエレメントは鏡の近くから鏡
に入射する光線を当てられる。この光線としては
特に鏡および（または）センサエレメントの窓あ
るいはカバーから発する光線がある。焦点に配置
されたセンサエレメントはこの光線を追加センサ
エレメントと同じように当てられる。

特に一定の永久的配向分極を有する材料とし
て、本発明によるピロ電気式検出器にポリビニリ
デンジフルオリド（PVDF）または強誘電性セラ
ミツクスから成る箔を用いることは好ましい。

複数個の追加センサエレメントを有する実施例
において、それらを焦点の外側範囲に分布して配
置することは好ましい。

本発明の特に好ましい実施例では、第１センサ
のセンサエレメントと１個または複数個の追加セ
ンサのセンサエレメントとが単一のチツプ、たと
えば単一のセラミツク板片または単一のPVDF箔
の形態をなしている。この場合、個々のセンサエ
レメントは単一のチツプの個々の部分である。特
に、これらの個々の部分の電極は板片または箔の
両面に形成された各１つの共通の電極であつてよ
い。本発明によるピロ電気式検出器では、第１セ
ンサエレメントの出力信号と１個または紛数個の
追加センサエレメントの出力信号との差として検
出器出力信号が形成されるが、電極の形態によつ
ては個々のセンサエレメントに対して単一の共通
の出力抵抗（終端抵抗）を設けるだけで十分であ
る。このことは、本発明の１つの実施例によれ
ば、この１つのチツプ、板片または箔のなかに相
い異なる一定の永久的配向分極を生じさせておく
ことにより達成される。その詳細については後で
図示の実施例により説明する。

本発明の実施にあたり重要なこととして、本発
明により設けられる窓の材料および（または）形
状の選択がある。この窓としてポリエチレンから
成る箔、特に可視光線を透過しないように着色さ
れた市販のポリエチレンから成る箔を使用するこ
とは有利である。この着色ポリエチレンは赤外線
透過性であり、検出すべき赤外線（熱源）をほと
んど吸収しない。ピロ電気式検出器の付近から発
せられた、検出すべきではない赤外線により温度
上昇する窓に対して、窓とセンサとの間の間隔
は、窓からの熱作用が鏡の焦点に取付けられた第
１センサエレメントおよび焦点の外側に取付けら
れた追加センサエレメントに少なくともほぼ均等
に及ぶような大きさに選定すべきである。

検出すべき遠方の点から入射する可視光線およ
び（または）特に５μｍ以下の波長の近赤外線を
除去するため、本発明の１つの有利な実施例で
は、窓の表面すなわち窓を形成する箔を粗くして
おく。たとえば２ないし５μｍの凹凸を有する粗
さにしておけば、約５μｍ以下の波長の近赤外線
および特に可視光線は、あたかも窓がこれらの近
赤外線および可視光線の光源であるかのように著
しく散乱される。この散乱光は窓の近くで鏡に当
るけれども、窓の熱作用について先に記載したと
同様に、第１センサエレメントおよび追加センサ
エレメントに均等に作用するので、本発明による
検出器では検出されない。

前記のように窓を粗くしておくかわりに、また
はそれに追加して、原理的に窓と同一の作用をす
る鏡の表面を粗くしておくこともできる。

検出器材料として、すなわちピロ電気効果を呈
するセンサの材料としてポリビニリデンジフルオ
リド（PVDF）を使用する場合、PVDF材料が７
ないし20μｍの波長範囲では大きな吸収特性を呈
し、それよりも短い波長範囲ではほぼ完全に透過
性であるという本発明に関連して発見された効果
が有利に利用され得る。PVDF箔から成るセンサ
エレメントの電極として、約５μｍよりも短い波
長の光に対して透過性の電極を用いれば、すなわ
ち両側に透過性の電極を用いるか、一方の側には
透過性、他方の側には反射性の電極を用いるかす
れば、検出対象である７ないし10μｍの長波長の
光は箔の材料のなかで吸収される。この実施例で
は、短波長の（ピロ電気式検出器が応答すべきで
はない）光はセンサを貫いて直接、または反射性
の電極において反射した後に、検出器を去る。こ
のような透過性電極としては、スパツタリングに
より形成されたZnO層または約10〜100nmの厚さ
の銀層が適している。

本発明によるピロ電気式検出器の応答時定数を
できる限り小さくするため、検出すべき赤外線を
鏡のなかで両側からセンサのチツプ（板片または
箔）に入射させること、または片側入射の場合に
は入射側の電極だけを検出すべき熱源に対して透
過性に、それと反対側の電極を熱源に対して反射
性に構成することは有利である。片側入射の場合
には、特に湾曲した鏡を透明なセンサ範囲の後に
配置することもできる。鏡の焦点面の外側にも追
加センサエレメントが配置されている本発明の検
出器では、焦点への結像の仕方に応じて鏡の軸線
の方向に指向性を有する検出感度が得られる。

以下、図面に示されている実施例により本発明
を一層詳細に説明する。

第１図はパラボラ反射鏡２およびセンサ３を有
する本発明によるピロ電気式検出器１の原理図で
ある。窓４によりセンサ３および好ましくは鏡の
全内面がおおわれており、損傷に対して保護され
ると同時に検出器の正常な作動を阻害するような
温度変化を生ずる外気に対して遮断されている。
５は遠方の点から発せられて鏡２に入射する赤外
線（または熱線）束を示している。なお本明細書
において“遠方”とは、鏡２と検出すべき熱源を
発する物体との間の距離が鏡２の寸法にくらべて
十分に大きく、入射する赤外線が鏡２の焦点に結
像するほぼ平行な赤外線束とみなされ得ることを
意味する。その他の特に鏡２の近傍から入射する
熱線は、窓４のフイルタ作用により吸収されなけ
れば、あらゆる方向から鏡２の内部に入射する
が、このような熱源はいかなる場合にも焦点に集
中しない。

特に可視光線に対する感度をなくすため、前記
のように、鏡２および（または）窓４を部分的に
２０１および４０１で示すように粗くしておくこ
とができる。従つて、符号５を付されている光線
束は本発明によるピロ電気式検出器の感度の鋭く
郭定された指向性範囲を示している。この範囲内
の光線は周知のようにしてパラボラ鏡２の焦点に
集められる。この焦点に感温性センサ３のエレメ
ント１１が位置している。このエレメントは入射
する光線束５の強さの変化を定性的に検出する機
能のみを有する。しかし、光線束５の強さの変化
とそれ以外の方向特に窓４の近傍から発して鏡２
に入射する光線の強さの変化とを区別するため、
１個または複数個の付加センサエレメント１２，
１３が設けられている。

第１図に全体として符号３を付して簡略に示さ
れているセンサが第２図には拡大した尺度で示さ
れている。本発明の１つの好ましい実施例では、
このセンサ３はたとえば強誘電性のチタン酸バリ
ウム、チタン酸・ジルコン酸鉛またはPVDF箔か
ら成る好ましくは単一のチツプ１０として構成さ
れている。

チツプ１０は図示の実施例ではたとえばエレメ
ント１１，１２および１３に対する３つの部分に
わけられている。そのうち部分１１における配向
分極の方向１１１は他の２つの部分１２および１
３における配向分極の方向１１２および１１３と
反対になつている。チツプ１０の部分１１は第１
のセンサの感温性エレメントである。従つて、こ
の部分１１は少なくとも大部分において鏡２の焦
点に位置するように配置されている。部分１１と
隣接する部分１２および１３は鏡２の焦点の外側
に位置している。矢印ｌで示されているチツプ１
０の長手方向軸線は、直径に比して深い鏡の場
合、光学軸線ａ（第１図参照）の方向に向けられ
ている。このようにして鏡で反射された熱源のみ
がセンサ３に当るので、指向性範囲外から入射す
る熱線に対しては検出器が感じないようにするこ
とができる。さらに、第１図に示されている好ま
しい実施例は、鏡に入射する光線が２つの側から
センサ３に到達し得るので、測定感度を一層高
く、また時定数を一層短くすることができるとい
う利点をも有する。

センサ３またはセンサエレメント１１，１２お
よび１３の材料としては特にTGS（硫酸三グリ
シン）単結晶、タルタン酸リチウム（LiTaO₃）単
結晶、セラミツク材料Pb₀.₀₈，Bi₀.₀₈（Zr₀.₉）
Ti₀.₁）O₃およびPb〔Ti₀.₀₂Zr₀.₈₈（Fe1/2Ta1/2）
₀.₁〕O₃ならびに前述のPVF₂（PVDF）が適して
いる。

上記のセラミツク材料は厚さ0.03ないし0.1mm
の円板または板片として使用するのが有利であ
る。PVF₂は厚さ20μｍ以下の箔として使用する
のが有利である。板片および箔の厚さを薄くする
ことは、熱容量が微小になるので時定数が小さく
なる点で好ましく、また周囲への放熱抵抗を高く
することが簡単に可能になる。

第３図には、実施例として、枠３２の上に張ら
れたPVDF箔３１を有するセンサ３の構成が示さ
れている。箔３１は透明であるから、破線で示さ
れている輪郭は箔を通して見ることができる。

箔３１のうち中央の範囲のみを前記エレメント
１１，１２および１３として利用し、これらのエ
レメントから枠３２の内縁まで箔が十分に高い放
熱抵抗を形成し得るように十分な間隔をおくこと
は有利である。第３図には詳細には図示されてい
ないが箔３１の両側の表面に位置する（好ましく
は透明の）電極はそれぞれの側で薄く蒸着された
プリント配線３３および３４（後者は透明な箔の
裏側）を介して電気的に接続されている。枠３２
には２つの差込ピン３６および３７を有する突出
部３５が設けられている。差込ピン３６および３
７はピロ電気式検出器のなかでセンサ３を電気的
に接続するだけでなく、それを鏡２のなかに保持
する役割をすることができる。

第４図には、片側にPVDF箔３１を張られた第
３図の枠３２の側面が示されている。第４図から
わかるように、枠３２はそれと一体に結合された
枠４１および４２を有し、その上に好ましくは高
圧ポリエチレンから成る箔４３および４４が張ら
れている。これらの箔４３および４４はセンサ３
の箔３１を損傷から保護しまた外気と遮断する役
割をする。箔４３および４４は前記の窓４と同様
の役割をし、窓４に追加して、またはその代替と
して用いられ得る。これらの箔４３，４４から発
せられる光線による有害な温度上省を避けるた
め、これらの箔はできる限り吸収性の小さいもの
とすべきであり、または、５μｍ以下の波長の光
を著しく吸収する箔の場合には、その構造たとえ
ば厚さを熱時定数が10秒以上になるように選定す
べきである。

次に、本発明によるピロ電気式検出器の電気回
路と、それに接続される電極の特に有利な配置と
について詳細に説明する。第５図には本発明によ
るピロ電気式検出器の電気回路が原理的に示され
ている。第５図でセンサは互いに離されて図示さ
れているエレメント１１および１２から成り、こ
こでエレメント１２は焦点の外側に配置されたセ
ンサエレメントの全体を代表している。センサエ
レメントのそれぞれの出力抵抗はR₁およびR₂で
示されている。VOはエレメント１１および１２
のピロ電気信号を適当に増幅するための増幅器で
ある。重みづけ回路Ｂにより増幅器VOの両出力
信号は等しくされ得るので、増幅された両信号の
差を形成する差引回路Ｄの出力端Ａに現われる出
力信号は、検出すべき物体が存在しない状態では
最小値または零になる。

前記のように、第５図の原理によれば差引回路
Ｄで形成される信号差をセンサ３のチツプ１０に
おける電極および配向分極の適当な分割により形
成するように本発明を実施することもできる。こ
のような実施例では、１個または複数個のエレメ
ント１１および１２の大きな信号が増幅器をその
飽和領域までオーバードライブするときに生じ得
る誤差が回避される。さらに、それによつて、セ
ンサ付近の熱線放射物体による過大なオーバード
ライブの結果として検出器が検出不能状態となる
ことも回避される。

第６図に原理回路を示されている実施例では、
チツプ１０または箔３１の余面にそれぞれエレメ
ント１１および１２にまたがる共通電極６１およ
び６２が設けられている。この場合、電極間のキ
ヤパシタンスは２・Cxであり、その間に接続さ
れる出力抵抗の値はＲ＝Rx／２に選定される。
エレメント１１および１２を形成するチツプ１０
の２つの部分における分極方向は、矢印１１１お
よび１１２により示されているように、互いに逆
向きである。チツプ１０（または箔３１）のセン
サエレメント１１および１２の面積比または体積
比は、検出対象物体が指向性検出範囲内に存在し
ない場合にチツプ１０内で生ずるピロ電気効果が
互いに平衡し、出力抵抗に現われる出力信号が零
になるように選定されている。すなわち、通常両
エレメントの寸法および分極の度合は互いに等し
く選定されている。

第７図には直列接続の実施例として、後側電極
７２がセンサエレメント１１および１２を形成す
るチツプ１０の２つの部分にまたがつており、そ
れに対して前側にはこれらのセンサエレメント１
１および１２に別々の電極６３および６４が設け
られている例が示されている。原理的には、電極
６３の出力導線１６３と電極６４の出力導線１６
４との間の単一の（破線で図示されている）出力
抵抗Ｒ＝2Rxを設ければ十分であるが、電気的平
衡を確実に行なうためには、出力導線１６３およ
び１６４にそれぞれ１つの出力抵抗R′＝Rxおよ
びR″＝Rxを設け、第７図のように両抵抗の一端
を互いに接続し、かつ電極７２と接続しておくこ
とは有利である。この接続点が接地電位にあるこ
とは好ましい。符号VOは同じく増幅器を、また
符号Ａは同じく差信号の出溶端を示す。

第６図の例における出力抵抗Ｒの値は、両セン
サエレメントが並列接続されているために、第５
図の例にくらべて半分の値に選定される。第７図
の例における出力抵抗R′およびR″の値は、第５
図の例と同様に、両センサエレメント１１および
１２の時定数を等しくするため、個々のエレメン
ト１１および１２の電極間キヤパシタンスが等し
い場合には、R′＝R″＝Rxに選定される。

第８図には第６図の変形として、両センサエレ
メント１１および１２が同一の分極方向を有し、
ただし図示のように逆並列に接続された電極対６
４，２７２および６３，１７２を有する例が示さ
れている。第８図の出力抵抗Ｒの選定について
は、第６図のそれについて記載したことがあては
まる。

第９図、第１０図および第１１図には本発明に
よるピロ電気式検出器のもう１つの実施例が示さ
れている。この実施例では、焦点を結ぶ凹面鏡と
してカセグレン反射鏡９１が設けられており、そ
の焦点に同じく第１のセンサエレメントが位置し
ている。符号９５により、第１図に符号５を付さ
れている光線束が示されている。符号９３はセン
サ全体に付されており、このセンサは同じく第１
センサエレメントおよび追加センサエレメントを
含んでいる。センサ９３の第１センサエレメント
は鏡９１，１９１の焦点に位置している。これら
の鏡の鏡面９１０，１９１０も、第１図の鏡２と
同様に、短波長の近赤外線および特に可視光線が
焦点を結ぶのを避けるため、粗くしておくことが
できる。いまの場合にも、鏡面を粗くすることに
加えて、またはその代替として、窓４に粗面４０
１を形成しておくこともできる。第１０図および
第１１図にはセンサ９３の正面および縦断面が拡
大図で示されている。符号１００を付されている
のは、第１図および第２図で符号１０を付されて
いるチツプに対応するチツプ、たとえばセラミツ
ク板片またはPVDF箔である。符号１１４および
１１５は（鏡１９１および入射光線束９５から見
て）前側の電極を、また符号１１６は後側の電極
を示す。電極１１４および１１５は光透過性であ
つてもよいし、光吸収性であつてもよい。前者の
場合、電極１１６は透過光を反射させるものであ
ることが好ましい。なぜならば、それにより光線
特に検出すべき光線９５がチツプ１００の材料を
２回連続し、従つて２倍の感度が得られるからで
ある。第１０図に示されているように、電極１１
４はチツプの中心に円形部分１１４′を有し、こ
の部分に第１センサエレメントが形成されてい
る。この部分１１４′はカセグレン反射鏡１９１
の焦点に位置している。電極１１５は還状部分１
１５′を有し、この部分に追加センサエレメント
が形成されている。電極部分１１４′および１１
５′の半径および相互間隔は、遠方の点から鏡に
入射する光線束９５が環状部分１１５′には当ら
ないように選定されている。円形部分１１４′お
よび環状部分１１５′の面積比は約１：１に選定
されているので、第５図ないし第８図で説明した
ように、並列回路または直列回路で１個または複
数個の出力抵抗を使用することができる。そのた
めにセンサ９３では、先に図面に示したような分
極の区分、すなわち分極方向の選択が円形部分１
１４′および環状部分１１５′に形成されるセンサ
エレメントに対して行なわれる。

本発明によるピロ電気式検出器では、検出すべ
き物体が指向性検出範囲内に入らない限り、出力
端における差信号としての出力信号値は零であ
る。この出力信号値は零ではない２つの信号、す
なわち第１センサエレメントの信号および追加セ
ンサエレメントの全体の信号の差である。両信号
を等しくするためには、チツプまたは箔の厚みが
同一であれば、第１センサエレメントの面積と追
加センサエレメント１２，１３の全体の面積とを
等しくすればよい。このようなセンサは、場合に
よつては実験に基いて作成したモデルを用いて、
簡単に量産し得る。第５図のように別々の増幅器
を用いる場合には、構造的にではなく電気的に第
１センサエレメントの出力と追加センサエレメン
トの出力とを平衡させることもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるピロ電気式検出器の第１
の実施例の全体図、第２図は第１図の検出器内に
設けられているセンサの実施例の詳細図、第３図
は特に箔を用いた実施例に適するセンサの機械的
構造を示す図、第４図はカバーを追加した状態の
第３図のセンサの断面図、第５図は本発明による
ピロ電気式検出器の電子回路部分の特徴を説明す
るための原理回路図、第６図は本発明によるピロ
電気式検出器のセンサに対する第１の電気回路の
原理を示す図、第７図は本発明によるピロ電気式
検出器のセンサに対する第２の電気回路の原理を
示す図、第８図は本発明によるピロ電気式検出器
のセンサに対する第３の電気回路の原理を示す
図、第９図は本発明によるピロ電気式検出器の第
２の実施例の全体図、第１０図および第１１図は
それぞれ第９図の実施例に対するセンサの平面図
および断面図である。 １……ピロ電気式検出器、２……反射鏡、３…
…センサ、４……窓、５……光線束、１０……チ
ツプ、１１〜１３……センサエレメント、１４，
１５……電極、３１……PVDF箔、３２……枠、
３３，３４……プリント配線、３５……突出部、
３６，３７……差込ピン、４１，４２……枠、４
３，４４……箔、６１〜６４，７２……電極、９
１……反射鏡、９３……センサ、９５……光線
束、１００……チツプ、１１１〜１１３……配向
分極、１１４，１１５……電極、１１４′，１１
５′……電極の環状部分、１１６……電極、１６
３，１６４……電極の出力導線、１７２……電
極、１９１……反射鏡、２０１，４０１，９１
０，１９１０……粗面、Ａ……出力端、Ｂ……重
みづけ回路、Ｄ……差引回路、VO……増幅器。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 周囲と異なる温度を有し検出器の指向性検出
   範囲に入る物体を検出するため、この物体から発
   せられる熱源に焦点を結ばせるための凹面鏡２
   と、この鏡の焦点に取付けられる第１のセンサエ
   レメント１１と、この第１センサエレメントに隣
   接するが所定の指向性検出範囲の焦点の外側で鏡
   の中に配置される周囲の影響を補償するための少
   なくとも一個の追加センサエレメント１２，１３
   と、入射する熱源に対し透過性の材料から成り鏡
   の開口付近の検出器の指向性検出範囲に取付けら
   れている窓４と、第１のセンサエレメントと追加
   センサエレメントとの出力信号との間の差を検出
   するための回路とを備えたピロ電気式検出器にお
   いて、第１および追加センサエレメントを形成す
   るため永久的配向分極を有する同一の非導電性材
   料から成る箔３１がその上にある電極とともに設
   けられ、各センサエレメント１１，１２，１３が
   前記箔３１の中央の範囲のみを占めており、前記
   箔３１が周縁で枠３２により保持されて全センサ
   エレメントが同じ熱時定数を有するようにされ、
   前記箔３１がセンサエレメント１１，１２，１３
   とともに前記鏡２のなかにこの鏡内で反射する熱
   源が箔３１の両表面に入射するように配置され、
   前記鏡がパラボラ状でその焦点は鏡２の内側半部
   に位置しており、前記箔３１がセンサエレメント
   １１，１２，１３とともに鏡２のなかに鏡の光学
   軸ａが箔３１の平面内にあつて、センサエレメン
   ト１１，１２，１３が主として遠方の検出すべき
   物体から発せられ鏡のなかで反射された熱線束５
   のみを当てられるように配置され、すべてのセン
   サエレメント１１，１２，１３の電極６１，６
   ２，６３，６４が対をなして電気的測定値処理回
   路と接続されており、前記電極対は１つの出力抵
   抗Ｒにより終端されており、すべての電極対に対
   して減衰時定数Ｋが Rx・Cx＝Ｋ ここに、Cxはそれぞれの電極対から形成され
   るコンデンサのキヤパシタンス値、Rxはそれぞ
   れの電極対に対する出力抵抗の抵抗値 で表わされていることを特徴とするピロ電気式検
   出器。 ２ 箔３１の両面に両センサエレメントにまたが
   る各１つの共通電極が設けられており、箔３１の
   第１のセンサエレメント１１を形成する部分の分
   極方向１１１が箔３１の追加センサエレメント１
   ２を形成する部分の分極方向１１２に対して反対
   向きであり、また共通の出力抵抗Ｒが設けられて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   のピロ電気式検出器。 ３ 箔３１の第１の側には両センサエレメントに
   またがる共通電極７２が、また反対向きの第２の
   側には第１センサエレメント１１に対する電極６
   ３とそれに対して電気的に絶縁されて１個または
   複数個の追加センサエレメント１２，１３に対す
   る電極６４とが設けられており、この箔３１の第
   ２の側のこれらの両電極６３，６４の間に出力抵
   抗Ｒが接続されており、また第１センサエレメン
   ト１１の範囲の分極方向１１１と追加センサエレ
   メント１２，１３の範囲の分極方向１１２とが互
   いに同一であることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項または第２項記載のピロ電気式検出器。 ４ 出力抵抗Ｒが２つの直列接続された抵抗
   R′およびR″にわけられており、これらの抵抗の
   間の中間タツプが箔３１の第１の側の共通電極７
   ２と電気的に接続されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第３項記載のピロ電気式検出器。 ５ 箔３１の両側に第１センサエレメント１１の
   各１つの電極６３，１７２とそれに対しそれぞれ
   電気的に絶縁されて追加センサエレメント１２，
   １３の各１つの電極６４，７２とが設けられてお
   り、第１センサエレメント１１の側の電極６３が
   追加センサエレメント１２の第２の側の電極２７
   ２とともに第１の接続点の電気的に接続されてお
   り、追加センサエレメント１２の第１の側の電極
   ６４が第１センサエレメント１１の第２の側の電
   極１７２と第２の接続点で電気的に接続されてお
   り、これらの接続点の間に出力抵抗Ｒが接続され
   ており、また第１センサエレメント１１の範囲の
   分極方向１１１が追加センサエレメント１２，１
   ３の範囲の分極方向１１２に対して反対向きであ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
   第４項のいずれか１項に記載のピロ電気式検出
   器。 ６ 箔３１がポリビニリデンジフルオリド
   （PVDF）から成ることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項ないし第５項のいずれか１項に記載の
   ピロ電気式検出器。 ７ 箔３１として強誘導性セラミツクスが用いら
   れることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
   し第５項のいずれか１項に記載のピロ電気式検出
   器。 ８ センサエレメント１１，１２，１３が両側で
   箔３１から間隔をおいて取付けられたカバー４
   ３，４４のなかに囲まれていることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれか１
   項に記載のピロ電気式検出器。 ９ カバー４３，４４が光透過性であることを特
   徴とする特許請求の範囲第８項記載のピロ電気式
   検出器。 １０ 鏡２の窓４が約５μｍよりも短い波長の光
   に散乱を生じさせるような粗さの表面を有するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第９
   項のいずれか１項に記載のピロ電気式検出器。