JPH06160858A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH06160858A JPH06160858A JP30689492A JP30689492A JPH06160858A JP H06160858 A JPH06160858 A JP H06160858A JP 30689492 A JP30689492 A JP 30689492A JP 30689492 A JP30689492 A JP 30689492A JP H06160858 A JPH06160858 A JP H06160858A
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- Japan
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- liquid crystal
- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】液晶分子のプレチルト角を大きくして液晶分子
の配向の安定性を良くし、しかも配向膜を信頼性の高い
水平配向材で形成して表示の安定性も良くする。 【構成】水平配向膜６を、表面粗さが１０ｎｍ以上の凹
凸面膜とした。
の配向の安定性を良くし、しかも配向膜を信頼性の高い
水平配向材で形成して表示の安定性も良くする。 【構成】水平配向膜６を、表面粗さが１０ｎｍ以上の凹
凸面膜とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶分子をあるプレチ
ルト角をもたせて水平配向した液晶表示素子に関するも
のである。
ルト角をもたせて水平配向した液晶表示素子に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】液晶分子を水平配向させた液晶表示素子
には、ＴＮ（ツイステッド・ネマティック）モード、Ｓ
ＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマティック）モー
ド、ＥＣＢ（電界制御型複屈折）モードのうちの水平配
向型のもの、強誘電性液晶または反強誘電性液晶を用い
たもの等がある。
には、ＴＮ（ツイステッド・ネマティック）モード、Ｓ
ＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマティック）モー
ド、ＥＣＢ（電界制御型複屈折）モードのうちの水平配
向型のもの、強誘電性液晶または反強誘電性液晶を用い
たもの等がある。
【０００３】これらの液晶表示素子は、液晶層をはさん
で対向する一対の透明基板の互いに対向する面に、透明
電極と、液晶分子を水平に配向させるための水平配向膜
とを形成した構成となっている。なお、強誘電性液晶ま
たは反強誘電性液晶を用いた液晶表示素子には、一方の
基板のみに水平配向膜を設けているものもある。
で対向する一対の透明基板の互いに対向する面に、透明
電極と、液晶分子を水平に配向させるための水平配向膜
とを形成した構成となっている。なお、強誘電性液晶ま
たは反強誘電性液晶を用いた液晶表示素子には、一方の
基板のみに水平配向膜を設けているものもある。
【０００４】これらの液晶表示素子の基板上に設けられ
る水平配向膜は、一般に、基板上にポリイミド等からな
る水平配向材の膜を形成し、その膜面を一方向にラビン
グ処理して形成されており、液晶分子は、基板面に対し
あるプレチルト角をもって水平配向されている。
る水平配向膜は、一般に、基板上にポリイミド等からな
る水平配向材の膜を形成し、その膜面を一方向にラビン
グ処理して形成されており、液晶分子は、基板面に対し
あるプレチルト角をもって水平配向されている。
【０００５】このプレチルト角は、液晶分子の配向の安
定性を左右する重要な要素であり、プレチルト角をある
程度大きくしてやれば、配向膜の配向規制力による液晶
分子の配向の安定性を良くすることができる。
定性を左右する重要な要素であり、プレチルト角をある
程度大きくしてやれば、配向膜の配向規制力による液晶
分子の配向の安定性を良くすることができる。
【０００６】ところで、上記液晶表示素子における液晶
分子のプレチルト角は、主に配向膜の材質によって決ま
るが、現在開発されている水平配向材は、比較的大きな
プレチルト角が得られるものほど信頼性が低いため、こ
のような配向材で配向膜を形成すると、液晶表示素子の
表示の安定性が悪くなり、長期間の使用にともなって表
示むら等の欠陥が発生してしまう。
分子のプレチルト角は、主に配向膜の材質によって決ま
るが、現在開発されている水平配向材は、比較的大きな
プレチルト角が得られるものほど信頼性が低いため、こ
のような配向材で配向膜を形成すると、液晶表示素子の
表示の安定性が悪くなり、長期間の使用にともなって表
示むら等の欠陥が発生してしまう。
【０００７】このため、液晶表示素子の配向膜には、プ
レチルト角はあまり大きくとれないが、液晶表示素子の
表示の安定性は良くすることができる、信頼性の高い水
平配向材が用いられている。
レチルト角はあまり大きくとれないが、液晶表示素子の
表示の安定性は良くすることができる、信頼性の高い水
平配向材が用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記信
頼性の高い水平配向材で配向膜を形成している従来の液
晶表示素子は、液晶分子のプレチルト角が小さいため
に、液晶分子の初期配向状態が不均一になってしまい、
そのため、液晶表示素子が表示むらのある低品質のもの
となってしまうという問題をもっていた。
頼性の高い水平配向材で配向膜を形成している従来の液
晶表示素子は、液晶分子のプレチルト角が小さいため
に、液晶分子の初期配向状態が不均一になってしまい、
そのため、液晶表示素子が表示むらのある低品質のもの
となってしまうという問題をもっていた。
【０００９】本発明の目的は、液晶分子のプレチルト角
を大きくして液晶分子の配向の安定性を良くすることが
でき、しかも、配向膜を信頼性の高い水平配向材で形成
して表示の安定性も良くすることができる液晶表示素子
を提供することにある。
を大きくして液晶分子の配向の安定性を良くすることが
でき、しかも、配向膜を信頼性の高い水平配向材で形成
して表示の安定性も良くすることができる液晶表示素子
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、液晶分子をあ
るプレチルト角をもたせて水平配向した液晶表示素子に
おいて、少なくとも一方の基板の水平配向膜を、表面粗
さが１０ｎｍ以上の凹凸面膜としたことを特徴とするも
のである。
るプレチルト角をもたせて水平配向した液晶表示素子に
おいて、少なくとも一方の基板の水平配向膜を、表面粗
さが１０ｎｍ以上の凹凸面膜としたことを特徴とするも
のである。
【００１１】
【作用】このように、配向膜を表面粗さが１０ｎｍ以上
の凹凸面膜とすると、この配向膜によって配向される液
晶分子が、配向膜の材質に応じたプレチルト角より大き
なプレチルト角をもって配向するため、液晶分子のプレ
チルト角を大きくとれない水平配向材で配向膜を形成し
ても、実際の液晶分子のプレチルト角を大きくして液晶
分子の配向の安定性を良くすることができる。また前記
水平配向材は、液晶分子のプレチルト角は大きくとれな
いが高い信頼性をもっているため、表示の安定性も良す
ることができる。
の凹凸面膜とすると、この配向膜によって配向される液
晶分子が、配向膜の材質に応じたプレチルト角より大き
なプレチルト角をもって配向するため、液晶分子のプレ
チルト角を大きくとれない水平配向材で配向膜を形成し
ても、実際の液晶分子のプレチルト角を大きくして液晶
分子の配向の安定性を良くすることができる。また前記
水平配向材は、液晶分子のプレチルト角は大きくとれな
いが高い信頼性をもっているため、表示の安定性も良す
ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２を
参照して説明する。図２は液晶表示素子の断面図、図１
は図２のＩ部分の拡大図である。
参照して説明する。図２は液晶表示素子の断面図、図１
は図２のＩ部分の拡大図である。
【００１３】まず、液晶表示素子の全体構成を説明す
る。この液晶表示素子は、図２に示すように、ガラス等
からなる一対の透明基板１，２を枠状のシール材３を介
して接着し、この両基板１，２間のシール材３で囲まれ
た領域に液晶８を封入したもので、両方基板１の内面に
はそれぞれ表示用の透明電極４，５が設けられており、
その上には、液晶分子を水平に配向させるための水平配
向膜６，７が設けられている。
る。この液晶表示素子は、図２に示すように、ガラス等
からなる一対の透明基板１，２を枠状のシール材３を介
して接着し、この両基板１，２間のシール材３で囲まれ
た領域に液晶８を封入したもので、両方基板１の内面に
はそれぞれ表示用の透明電極４，５が設けられており、
その上には、液晶分子を水平に配向させるための水平配
向膜６，７が設けられている。
【００１４】上記水平配向膜６，７は、ポリイミド等の
水平配向材で形成されており、その膜面にはラビング処
理が施されている。そして、これら配向膜６，７は、図
１に示すように、微細な凹凸をもつ凹凸面膜とされてお
り、その凸部と凹部との高低差、つまり表面粗さ（Ｒ
ａ）は、１０ｎｍ以上とされている。
水平配向材で形成されており、その膜面にはラビング処
理が施されている。そして、これら配向膜６，７は、図
１に示すように、微細な凹凸をもつ凹凸面膜とされてお
り、その凸部と凹部との高低差、つまり表面粗さ（Ｒ
ａ）は、１０ｎｍ以上とされている。
【００１５】この配向膜６，７は、その下の配向膜形成
面、つまり透明電極４，５の表面を、表面粗さが１０ｎ
ｍ以上の凹凸面とすることによって上記のような凹凸面
膜とされている。
面、つまり透明電極４，５の表面を、表面粗さが１０ｎ
ｍ以上の凹凸面とすることによって上記のような凹凸面
膜とされている。
【００１６】上記透明電極４，５は、基板１，２上に透
明導電膜、例えばＩＴＯ膜を真空蒸着法により成膜し、
このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニン
グして形成されたものであり、真空蒸着法により成膜さ
れる被膜の表面粗さは、その堆積厚さが厚くなるのにと
もなって大きくなるため、この実施例では、前記ＩＴＯ
膜をその表面粗さが１０ｎｍ以上になる膜厚に成膜し、
このＩＴＯ膜をパターニングして、上記表面粗さをもつ
電極４，５を形成している。
明導電膜、例えばＩＴＯ膜を真空蒸着法により成膜し、
このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニン
グして形成されたものであり、真空蒸着法により成膜さ
れる被膜の表面粗さは、その堆積厚さが厚くなるのにと
もなって大きくなるため、この実施例では、前記ＩＴＯ
膜をその表面粗さが１０ｎｍ以上になる膜厚に成膜し、
このＩＴＯ膜をパターニングして、上記表面粗さをもつ
電極４，５を形成している。
【００１７】そして、配向膜６，７は、上記電極４，５
の上にほぼ均一な膜厚に形成されており、このように、
表面を凹凸面とした電極４，５の上にほぼ均一な膜厚に
配向膜６，７を形成すると、この配向膜６，７が、電極
４，５の表面粗さとほぼ同じ表面粗さをもつ凹凸面膜と
なる。
の上にほぼ均一な膜厚に形成されており、このように、
表面を凹凸面とした電極４，５の上にほぼ均一な膜厚に
配向膜６，７を形成すると、この配向膜６，７が、電極
４，５の表面粗さとほぼ同じ表面粗さをもつ凹凸面膜と
なる。
【００１８】なお、上記配向膜６，７の膜厚は５００〜
１０００ｎｍであり、配向膜６，７の膜厚がこの程度で
あれば、配向膜６，７の表面粗さが電極４，５の表面粗
さとほぼ同じになる。
１０００ｎｍであり、配向膜６，７の膜厚がこの程度で
あれば、配向膜６，７の表面粗さが電極４，５の表面粗
さとほぼ同じになる。
【００１９】すなわち、上記液晶表示素子は、その両基
板１，２に設ける透明電極４，５の表面を、表面粗さが
１０ｎｍ以上の凹凸面とし、この電極４，５の上にほぼ
均一な膜厚に配向膜６，７を形成することによって、こ
れら配向膜６，７を表面粗さが１０ｎｍ以上の凹凸面膜
としたものであり、配向膜６，７をこのような凹凸面膜
とすると、この配向膜６，７によって配向される液晶分
子が、配向膜６，７の材質に応じたプレチルト角より大
きなプレチルト角をもって配向する。なお、図１におい
て、矢印ａは液晶分子のプレチルト方向、θは基板面に
対する液晶分子のプレチルト角を示している。
板１，２に設ける透明電極４，５の表面を、表面粗さが
１０ｎｍ以上の凹凸面とし、この電極４，５の上にほぼ
均一な膜厚に配向膜６，７を形成することによって、こ
れら配向膜６，７を表面粗さが１０ｎｍ以上の凹凸面膜
としたものであり、配向膜６，７をこのような凹凸面膜
とすると、この配向膜６，７によって配向される液晶分
子が、配向膜６，７の材質に応じたプレチルト角より大
きなプレチルト角をもって配向する。なお、図１におい
て、矢印ａは液晶分子のプレチルト方向、θは基板面に
対する液晶分子のプレチルト角を示している。
【００２０】下記の［表１］は、透明電極４，５の表面
粗さを異ならせた３種類の液晶表示素子を試作し、これ
ら各素子について液晶分子のプレチルト角（平均値）を
調べた結果を示している。
粗さを異ならせた３種類の液晶表示素子を試作し、これ
ら各素子について液晶分子のプレチルト角（平均値）を
調べた結果を示している。
【００２１】なお、ここでは、各素子の電極表面粗さを
それぞれ８．２ｎｍ（電極膜厚１００ｎｍ），９．５ｎ
ｍ（電極膜厚１４０ｎｍ），１３．２ｎｍ（電極膜厚２
６０ｎｍ）とした。また配向膜としては、固有の液晶分
子プレチルト角が異なる４種類の配向膜を選び、これら
配向膜を各素子にそれぞれ同じ膜厚（５００〜６００ｎ
ｍ）に形成した。
それぞれ８．２ｎｍ（電極膜厚１００ｎｍ），９．５ｎ
ｍ（電極膜厚１４０ｎｍ），１３．２ｎｍ（電極膜厚２
６０ｎｍ）とした。また配向膜としては、固有の液晶分
子プレチルト角が異なる４種類の配向膜を選び、これら
配向膜を各素子にそれぞれ同じ膜厚（５００〜６００ｎ
ｍ）に形成した。
【００２２】
【表１】
【００２３】この［表１］のように、電極表面粗さを
８．２ｎｍ（配向膜の表面粗さも同じ）とした素子１
は、配向膜Ａを用いた場合のプレチルト角が３．０°、
配向膜Ｂを用いた場合のプレチルト角が２．４°、配向
膜Ｃを用いた場合のプレチルト角が４．２°、配向膜Ｄ
を用いた場合のプレチルト角が４．５°であり、これら
プレチルト角は、各配向膜の固有のプレチルト角（配向
膜面を凹凸面としないときのプレチルト角）とほとんど
同じである。これは、電極表面粗さを９．５ｎｍ（配向
膜の表面粗さも同じ）とした素子２においても同様であ
る。
８．２ｎｍ（配向膜の表面粗さも同じ）とした素子１
は、配向膜Ａを用いた場合のプレチルト角が３．０°、
配向膜Ｂを用いた場合のプレチルト角が２．４°、配向
膜Ｃを用いた場合のプレチルト角が４．２°、配向膜Ｄ
を用いた場合のプレチルト角が４．５°であり、これら
プレチルト角は、各配向膜の固有のプレチルト角（配向
膜面を凹凸面としないときのプレチルト角）とほとんど
同じである。これは、電極表面粗さを９．５ｎｍ（配向
膜の表面粗さも同じ）とした素子２においても同様であ
る。
【００２４】これに対して、電極表面粗さを１３．２ｎ
ｍ（配向膜の表面粗さも同じ）と大きくした素子３は、
配向膜Ａを用いた場合のプレチルト角が３．２°、配向
膜Ｂを用いた場合のプレチルト角が２．６°、配向膜Ｃ
を用いた場合のプレチルト角が４．７°、配向膜Ｄを用
いた場合のプレチルト角が４．９°と、上記素子１およ
び素子２よりプレチルト角が大きくなっている。
ｍ（配向膜の表面粗さも同じ）と大きくした素子３は、
配向膜Ａを用いた場合のプレチルト角が３．２°、配向
膜Ｂを用いた場合のプレチルト角が２．６°、配向膜Ｃ
を用いた場合のプレチルト角が４．７°、配向膜Ｄを用
いた場合のプレチルト角が４．９°と、上記素子１およ
び素子２よりプレチルト角が大きくなっている。
【００２５】これは、配向膜６，７の表面粗さを１０ｎ
ｍ以上にすると、液晶分子が配向膜６，７の材質に応じ
たプレチルト角より大きなプレチルト角をもって配向す
ることを示している。
ｍ以上にすると、液晶分子が配向膜６，７の材質に応じ
たプレチルト角より大きなプレチルト角をもって配向す
ることを示している。
【００２６】そして、上記液晶表示素子においては、両
基板１，２の配向膜６，７を表面粗さが１０ｎｍ以上の
凹凸面膜としているため、液晶分子のプレチルト角を大
きくとれない水平配向材で配向膜を形成しても、実際の
液晶分子のプレチルト角θを大きくして、液晶分子の配
向の安定性を良くすることができ、したがって、液晶分
子の初期配向状態を均一にして、その表示品質を向上さ
せることができる。
基板１，２の配向膜６，７を表面粗さが１０ｎｍ以上の
凹凸面膜としているため、液晶分子のプレチルト角を大
きくとれない水平配向材で配向膜を形成しても、実際の
液晶分子のプレチルト角θを大きくして、液晶分子の配
向の安定性を良くすることができ、したがって、液晶分
子の初期配向状態を均一にして、その表示品質を向上さ
せることができる。
【００２７】また、前記水平配向材は、液晶分子のプレ
チルト角は大きくとれないが高い信頼性をもっているた
め、表示の安定性が良いから、長期間の使用にともなっ
て表示むら等の欠陥が発生することはない。
チルト角は大きくとれないが高い信頼性をもっているた
め、表示の安定性が良いから、長期間の使用にともなっ
て表示むら等の欠陥が発生することはない。
【００２８】また、上記実施例では、透明電極４，５の
表面を表面粗さが１０ｎｍ以上の凹凸面とするために、
この電極４，５の膜厚（ＩＴＯ膜の堆積厚さ）を厚くし
ているが、このように電極４，５の膜厚を厚くすると、
上記［表１］に示したように電極の面抵抗が小さくなる
ため、電極４，５での電圧降下を小さくできるという効
果も得ることができる。
表面を表面粗さが１０ｎｍ以上の凹凸面とするために、
この電極４，５の膜厚（ＩＴＯ膜の堆積厚さ）を厚くし
ているが、このように電極４，５の膜厚を厚くすると、
上記［表１］に示したように電極の面抵抗が小さくなる
ため、電極４，５での電圧降下を小さくできるという効
果も得ることができる。
【００２９】なお、上記実施例の液晶表示素子は、透明
電極４，５の上に配向膜６，７を形成したものである
が、本発明は、透明電極４，５をＳi Ｎ（窒化硅素）ま
たはＳi Ｏ2 （酸化硅素）等からなる透明な絶縁膜で覆
ってその上に配向膜６，７を形成している液晶表示素子
にも適用できるもので、その場合は、前記絶縁膜を、そ
の表面粗さが１０ｎｍ以上になるように成膜（プラズマ
ＣＶＤ装置によって成膜）すればよい。
電極４，５の上に配向膜６，７を形成したものである
が、本発明は、透明電極４，５をＳi Ｎ（窒化硅素）ま
たはＳi Ｏ2 （酸化硅素）等からなる透明な絶縁膜で覆
ってその上に配向膜６，７を形成している液晶表示素子
にも適用できるもので、その場合は、前記絶縁膜を、そ
の表面粗さが１０ｎｍ以上になるように成膜（プラズマ
ＣＶＤ装置によって成膜）すればよい。
【００３０】また、上記実施例では、配向膜形成面（透
明電極４，５の表面）を表面粗さが１０ｎｍ以上の凹凸
面とし、その上に配向膜６，７をほぼ均一な膜厚に形成
することによって、この配向膜６，７を上記表面粗さの
凹凸面膜としているが、この配向膜６，７を凹凸面膜と
する手段は、上記実施例に限られるものではない。
明電極４，５の表面）を表面粗さが１０ｎｍ以上の凹凸
面とし、その上に配向膜６，７をほぼ均一な膜厚に形成
することによって、この配向膜６，７を上記表面粗さの
凹凸面膜としているが、この配向膜６，７を凹凸面膜と
する手段は、上記実施例に限られるものではない。
【００３１】さらに、上記実施例では、液晶表示素子の
両方の基板１，２の配向膜６，７をそれぞれ表面粗さが
１０ｎｍ以上の凹凸面膜としているが、いずれか一方の
基板の配向膜は、表面粗さが１０ｎｍより小さい凹凸面
膜としても、また凹凸がほとんどない平坦膜としてもよ
い。
両方の基板１，２の配向膜６，７をそれぞれ表面粗さが
１０ｎｍ以上の凹凸面膜としているが、いずれか一方の
基板の配向膜は、表面粗さが１０ｎｍより小さい凹凸面
膜としても、また凹凸がほとんどない平坦膜としてもよ
い。
【００３２】また、上記実施例の液晶表示素子は、その
両基板１，２に水平配向膜６，７を設けたものである
が、本発明は、一方の基板のみに水平配向膜を設けてい
る液晶表示素子（強誘電性液晶または反強誘電性液晶を
用いた液晶表示素子）にも適用することができる。
両基板１，２に水平配向膜６，７を設けたものである
が、本発明は、一方の基板のみに水平配向膜を設けてい
る液晶表示素子（強誘電性液晶または反強誘電性液晶を
用いた液晶表示素子）にも適用することができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の液晶表示素子は、少なくとも一
方の基板の水平配向膜を、表面粗さが１０ｎｍ以上の凹
凸面膜としたものであるから、液晶分子のプレチルト角
を大きくして液晶分子の配向の安定性を良くすることが
でき、しかも、配向膜を信頼性の高い水平配向材で形成
して表示の安定性も良くすることができる。
方の基板の水平配向膜を、表面粗さが１０ｎｍ以上の凹
凸面膜としたものであるから、液晶分子のプレチルト角
を大きくして液晶分子の配向の安定性を良くすることが
でき、しかも、配向膜を信頼性の高い水平配向材で形成
して表示の安定性も良くすることができる。
【図１】図２のＩ部分の拡大図。
【図２】液晶表示素子の断面図。
１，２…基板 ３…シール材 ４，５…電極 ６，７…配向膜 ８…液晶 ａ…液晶分子のプレチルト方向 θ…プレチルト角
Claims (2)
- 【請求項１】液晶分子をあるプレチルト角をもたせて水
平配向した液晶表示素子において、少なくとも一方の基
板の水平配向膜を、表面粗さが１０ｎｍ以上の凹凸面膜
としたことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】水平配向膜は、表面粗さが１０ｎｍ以上の
配向膜形成面上にほぼ均一な膜厚に形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30689492A JP3252294B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30689492A JP3252294B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160858A true JPH06160858A (ja) | 1994-06-07 |
| JP3252294B2 JP3252294B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=17962543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30689492A Expired - Fee Related JP3252294B2 (ja) | 1992-11-17 | 1992-11-17 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3252294B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06317802A (ja) * | 1993-05-06 | 1994-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8349413B2 (en) | 2008-07-21 | 2013-01-08 | Au Optronics Corporation | Liquid crystal display panel and fabricating method thereof |
| CN110058459A (zh) * | 2014-05-28 | 2019-07-26 | 群创光电股份有限公司 | 液晶显示面板及包含其的液晶显示设备 |
-
1992
- 1992-11-17 JP JP30689492A patent/JP3252294B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06317802A (ja) * | 1993-05-06 | 1994-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US6525795B1 (en) | 1993-05-06 | 2003-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US8349413B2 (en) | 2008-07-21 | 2013-01-08 | Au Optronics Corporation | Liquid crystal display panel and fabricating method thereof |
| CN110058459A (zh) * | 2014-05-28 | 2019-07-26 | 群创光电股份有限公司 | 液晶显示面板及包含其的液晶显示设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3252294B2 (ja) | 2002-02-04 |
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