JPH01120535A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
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- JPH01120535A JPH01120535A JP27872487A JP27872487A JPH01120535A JP H01120535 A JPH01120535 A JP H01120535A JP 27872487 A JP27872487 A JP 27872487A JP 27872487 A JP27872487 A JP 27872487A JP H01120535 A JPH01120535 A JP H01120535A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は強誘電性液晶素子に関し、特に強誘電性液晶分
子の配向をコントロールすることによって、明、暗部を
形成する液晶表示素子に関するものである。
子の配向をコントロールすることによって、明、暗部を
形成する液晶表示素子に関するものである。
［従来の技術］
従来１強誘電性液晶素子における強誘電性液晶の配向方
法としては、セル内において温度勾配を形成して相転移
に伴い順次的な配向形成をさせる方法（湿層勾配法）や
、上下基板を一定方向に摺動させて配向させる方法（シ
アリング法）等が行なわれていたが、これらの方法は量
産性、安定性に乏しく、工業的には不適当な方法である
。
法としては、セル内において温度勾配を形成して相転移
に伴い順次的な配向形成をさせる方法（湿層勾配法）や
、上下基板を一定方向に摺動させて配向させる方法（シ
アリング法）等が行なわれていたが、これらの方法は量
産性、安定性に乏しく、工業的には不適当な方法である
。
他方、工業的に有利な方法としては、従来、 ＴＮ（ツ
ィステッド ネマチック： Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａ
ｔｉｃ）方式の液晶セルに使用されている方法であるラ
ビング法および斜方蒸着法が有用である。
ィステッド ネマチック： Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａ
ｔｉｃ）方式の液晶セルに使用されている方法であるラ
ビング法および斜方蒸着法が有用である。
ラビング法は、一般にはＩＴＯ（インジウム チン オ
キサイド）等の透明電極上にＰＩ（ポリイミド）、ＰＶ
Ａ（ポリビニルアルコール）等の有機酵１１ｉ（４００
〜２０００λ）を形成し、その上をナイロン、アセテー
ト、コツトン等の植毛布（毛足の長さがＯ，１ｍｍ〜２
．０ｍｍ ）で均一にこする（ラビング： Ｒｕｂｂｉ
ｎｇ ）ことによってネマチック液晶の分子長軸をラビ
ング方向に平均的にそろえようとする方法であり、 Ｔ
Ｎ、 ＳＢＥ等の液晶素子では実績がある。
キサイド）等の透明電極上にＰＩ（ポリイミド）、ＰＶ
Ａ（ポリビニルアルコール）等の有機酵１１ｉ（４００
〜２０００λ）を形成し、その上をナイロン、アセテー
ト、コツトン等の植毛布（毛足の長さがＯ，１ｍｍ〜２
．０ｍｍ ）で均一にこする（ラビング： Ｒｕｂｂｉ
ｎｇ ）ことによってネマチック液晶の分子長軸をラビ
ング方向に平均的にそろえようとする方法であり、 Ｔ
Ｎ、 ＳＢＥ等の液晶素子では実績がある。
ところが、この方法をそのまま強誘電性液晶の配向に適
用しようとすると、上下の基板間で分子（ダイレクタ）
の方向をねじる必要がないので、ＴＮ素子の配向の場合
と異なり、上下同方向もしくは相反する方向にラビング
処理を行なう。
用しようとすると、上下の基板間で分子（ダイレクタ）
の方向をねじる必要がないので、ＴＮ素子の配向の場合
と異なり、上下同方向もしくは相反する方向にラビング
処理を行なう。
このような配向処理方法で強誘電性液晶分子を配向させ
た場合に、は、Ｓ■Ｃ１相てスプレィ（ＳＰＬＡＹ）配
向を取り易い、このスプレィ配向では、セル厚方向にお
いて分子の方向がねじれているために、見かけのチルト
角θａが小さく、透過光量が少なくなり、ＴＮ素子では
３０％を越えるのに対して５％程度になってしまい、コ
ントラストが低下し、さらにジグザグ欠陥等の欠陥が多
く発生し、その制御が困難であるなど、デイスプレィと
しては望ましくない配向状態となる。
た場合に、は、Ｓ■Ｃ１相てスプレィ（ＳＰＬＡＹ）配
向を取り易い、このスプレィ配向では、セル厚方向にお
いて分子の方向がねじれているために、見かけのチルト
角θａが小さく、透過光量が少なくなり、ＴＮ素子では
３０％を越えるのに対して５％程度になってしまい、コ
ントラストが低下し、さらにジグザグ欠陥等の欠陥が多
く発生し、その制御が困難であるなど、デイスプレィと
しては望ましくない配向状態となる。
また、ＳｉＯの斜方蒸着膜を配向膜として用いる場合は
、−船釣にスイッチングの闇値を上げたり、その他にも
安定状態が多数存在することや。
、−船釣にスイッチングの闇値を上げたり、その他にも
安定状態が多数存在することや。
平均的に層方向に消光位をもつ配向状態が優勢になり、
マトリックス駆動し難いなどの問題かあった。
マトリックス駆動し難いなどの問題かあった。
［発明が解決しようとする問題点］
以上述べてた様に、対向して設けられた２極の電極基板
の両面に設けた有ａＷＩのラビング処理もしくは両面に
設けたＳｉＯの斜方蒸着などの方法を用いて配向処理を
施した場合には、■見かけのチルト角θａが小さく、透
過光量が少ない、■消光位でのもれ光が大きく、コント
ラストが低い、■その他のジグザグ欠陥等の欠陥が多く
生じ、表示品質が悪い等の欠点があった。
の両面に設けた有ａＷＩのラビング処理もしくは両面に
設けたＳｉＯの斜方蒸着などの方法を用いて配向処理を
施した場合には、■見かけのチルト角θａが小さく、透
過光量が少ない、■消光位でのもれ光が大きく、コント
ラストが低い、■その他のジグザグ欠陥等の欠陥が多く
生じ、表示品質が悪い等の欠点があった。
本発明は、この様な従来技術の欠点を改善するためにな
されたものであり、見かけのチルト角θａが大きく、透
過光量が多く、消光位での光学品質を向上した強誘電性
液晶素子を提供することを目的とするものである。
されたものであり、見かけのチルト角θａが大きく、透
過光量が多く、消光位での光学品質を向上した強誘電性
液晶素子を提供することを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］
即ち、本発明は、対向する二枚の電極間に強誘電性液晶
を挟持してなる液晶素子において、一方の電極上にはＳ
ｉＯの斜方蒸着膜からなる配向膜が設けられ、かつ他方
の電極上には前記一方の電極とは異る配向膜が設けられ
ていることを特徴とする強誘電性液晶素子である。
を挟持してなる液晶素子において、一方の電極上にはＳ
ｉＯの斜方蒸着膜からなる配向膜が設けられ、かつ他方
の電極上には前記一方の電極とは異る配向膜が設けられ
ていることを特徴とする強誘電性液晶素子である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の強誘電性液晶素子は、対向する二枚の電極の一
方の電極上にはＳｉＯの斜方蒸着膜からなる配向膜を設
け、他方の電極上には前記一方の電極とは異る配向膜を
設け、前記二枚の電極間に強誘電性液晶を挟持してなる
ものである。
方の電極上にはＳｉＯの斜方蒸着膜からなる配向膜を設
け、他方の電極上には前記一方の電極とは異る配向膜を
設け、前記二枚の電極間に強誘電性液晶を挟持してなる
ものである。
この様に二枚の電極上には配向膜が設けられているが、
その一方には上記の様にＳｉＯ斜方蒸着膜を形成してな
るものであるが、他方の配向膜は一方の電極に設けられ
たものと異るものであればよく、特に限定はないが、好
ましくは下記に示す様に。
その一方には上記の様にＳｉＯ斜方蒸着膜を形成してな
るものであるが、他方の配向膜は一方の電極に設けられ
たものと異るものであればよく、特に限定はないが、好
ましくは下記に示す様に。
■無方向性の有機膜からなるもの
■−輌性処理を施した有ａＷｉからなるもの■無ａＩＩ
からなるもの 等が挙げられる。
からなるもの 等が挙げられる。
本発明において、一方の電極上に設けられたＳｉＯの斜
方蒸着膜の膜厚は通常４００〜２０００人、好ましく５
００〜１０００人が望ましい。
方蒸着膜の膜厚は通常４００〜２０００人、好ましく５
００〜１０００人が望ましい。
本発明における有機膜には、ポリイミド、ポリビニルア
ルコール（（ＰＶＡ） 、ポリアクリロニトリル（ＰＡ
Ｎ）またはポリエチレンオキサイド （ＰＥＧ）等が用
いられ、その膜厚は通常２０〜２０００人、好まし＜２
０〜５００人が望ましい。
ルコール（（ＰＶＡ） 、ポリアクリロニトリル（ＰＡ
Ｎ）またはポリエチレンオキサイド （ＰＥＧ）等が用
いられ、その膜厚は通常２０〜２０００人、好まし＜２
０〜５００人が望ましい。
また、焦ａＩｌｌには５ｔｏ２． Ｔｉｌｔｓ丁ａ２０
５またはＡｌｚＯｘ等が用いられ、その膜厚は通常４０
０〜６０００ ’人、好ましく４００〜１０００人が望
ましい。
５またはＡｌｚＯｘ等が用いられ、その膜厚は通常４０
０〜６０００ ’人、好ましく４００〜１０００人が望
ましい。
本発明において、一方の電極上に設けられる配向膜は、
電極上に絶縁膜を形成した後、 ＳｉＯを斜方蒸着する
ことにより容易に形成することがてきる。 ＳｉＯを斜
方蒸着としては、基板法線から７０〜８８℃の傾きをも
つことが好ましい。
電極上に絶縁膜を形成した後、 ＳｉＯを斜方蒸着する
ことにより容易に形成することがてきる。 ＳｉＯを斜
方蒸着としては、基板法線から７０〜８８℃の傾きをも
つことが好ましい。
［作用］
本発明の強誘電性液晶素子は、対向する二枚の電極間に
強誘電性液晶を挟持してなる液晶素子において、一方の
電極上にはＳｉＯの斜方蒸着膜からなる配向膜が設けら
れ、かつ他方の電極上には前記一方の電極とは異る配向
膜が設けられているので、その詳細は不明であるが、配
向膜が異なることにより、見かけのチルト角θａが大き
く、透過光量が多く、消光位でのもれ光を少なく、コン
トラストを高くし、光学品質を向上することができる。
強誘電性液晶を挟持してなる液晶素子において、一方の
電極上にはＳｉＯの斜方蒸着膜からなる配向膜が設けら
れ、かつ他方の電極上には前記一方の電極とは異る配向
膜が設けられているので、その詳細は不明であるが、配
向膜が異なることにより、見かけのチルト角θａが大き
く、透過光量が多く、消光位でのもれ光を少なく、コン
トラストを高くし、光学品質を向上することができる。
［実施例］
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
第１図は本発明の強誘電性液晶素子の一実施例を示す断
面図である。同図に示す素子を下記の方法により作成し
た。
面図である。同図に示す素子を下記の方法により作成し
た。
先・ず、ガラス基板ｌの上に、ＥＢ蒸着法により膜厚約
１０００人のＩＴＯ電極２をパターン形成した０次いで
、該ＩＴＯ電極２上にスパッタ法によって膜厚約１００
０人の５ｉｎ２膜からなる絶縁＠３を形成して基板Ａを
得た。
１０００人のＩＴＯ電極２をパターン形成した０次いで
、該ＩＴＯ電極２上にスパッタ法によって膜厚約１００
０人の５ｉｎ２膜からなる絶縁＠３を形成して基板Ａを
得た。
次に、前記基板Ａと同様にして形成した基板の絶縁膜３
上に、約１０−’ｔｏｒｒの真空中でＳｉＯを基板法線
から８２°で入射して蒸着し、ＳｉＯの斜方蒸着膜６を
形成して基板Ｂを得た。まお、 ＳｉＯが構成する柱状
結晶の蒸発源方向の長さは約２０００人でありた。
上に、約１０−’ｔｏｒｒの真空中でＳｉＯを基板法線
から８２°で入射して蒸着し、ＳｉＯの斜方蒸着膜６を
形成して基板Ｂを得た。まお、 ＳｉＯが構成する柱状
結晶の蒸発源方向の長さは約２０００人でありた。
この様にして得られた一方の基板Ｂと他方の基板Ａとを
入射方向が反平行となる様に対向せしめて、シーリング
部材５として、チッソ社製ＬＩＸＯＮＢＯＮＤ １００
２ＡＢを使用し、セルギャップをコントロールする目的
で、直径的ＩＩＬｓのＳｉｎ、の粒子をセル内に均一に
散布し、上下基板間隔を約１．１ｇｍになる様に貼り合
せた。強誘電性液晶４として、チッソ社＠ （：Ｓ−１
０１４をセルに注入した。
入射方向が反平行となる様に対向せしめて、シーリング
部材５として、チッソ社製ＬＩＸＯＮＢＯＮＤ １００
２ＡＢを使用し、セルギャップをコントロールする目的
で、直径的ＩＩＬｓのＳｉｎ、の粒子をセル内に均一に
散布し、上下基板間隔を約１．１ｇｍになる様に貼り合
せた。強誘電性液晶４として、チッソ社＠ （：Ｓ−１
０１４をセルに注入した。
このようにして作成したセルを等吉相まて昇温した後、
ｃｈ相→ＳｍＡ相→Ｓａｃ’″相への相転移時に適度な
（〜１０°Ｃ／ｈｒ ）徐冷を行った。
ｃｈ相→ＳｍＡ相→Ｓａｃ’″相への相転移時に適度な
（〜１０°Ｃ／ｈｒ ）徐冷を行った。
この様にして得られた強誘電性液晶素子の配向状態をク
ロスニコル下で観察した結果、均一な黒／白のドメイン
を呈し、通常のラビングセルで見られるようなジグザグ
欠陥等の配向異常点はなく、より均一性のよい配向が得
られた。見かけのチルト角はＩｓ＠であった。
ロスニコル下で観察した結果、均一な黒／白のドメイン
を呈し、通常のラビングセルで見られるようなジグザグ
欠陥等の配向異常点はなく、より均一性のよい配向が得
られた。見かけのチルト角はＩｓ＠であった。
また、上記の例においては、基板上にＳｉＯの斜方蒸着
Ｈ６を形成する場合、 ＳｉＯを基板法線から８２°の
範囲で入射して蒸着しているが、これらの範囲を、例え
ば入射方向で±Ｉｎ” 、 ＳｉＯが構成する柱状結晶
のカラム（柱）の長さが６００Å以上でも上記と同じよ
うな傾向が見られた。
Ｈ６を形成する場合、 ＳｉＯを基板法線から８２°の
範囲で入射して蒸着しているが、これらの範囲を、例え
ば入射方向で±Ｉｎ” 、 ＳｉＯが構成する柱状結晶
のカラム（柱）の長さが６００Å以上でも上記と同じよ
うな傾向が見られた。
又、ＳｉＯの斜方蒸着膜の対向層の絶縁膜（誘電ｗ２）
にラビング等の処理を行っても、はぼ同様の結果が得ら
れた。
にラビング等の処理を行っても、はぼ同様の結果が得ら
れた。
実施例２
実施例１に示したセル構成において（第１図）、ＳｉＯ
の斜方蒸着膜の対向基板Ａの構成を次のように変えた。
の斜方蒸着膜の対向基板Ａの構成を次のように変えた。
絶縁１２３ （５ｉｆｔ層、厚さ １０００人）上に、
ポリイミド（東し社製 ５Ｐ−７１０）の４％溶液を３
５００「ｐｌの回転数でコーティング（スピンナー法）
した後、３００℃で焼成してポリイミド薄膜を形成した
基板を使用した。
ポリイミド（東し社製 ５Ｐ−７１０）の４％溶液を３
５００「ｐｌの回転数でコーティング（スピンナー法）
した後、３００℃で焼成してポリイミド薄膜を形成した
基板を使用した。
セル厚は粒径的１．０ ｇｍの５ｉｎ２ビーズを散布す
ることでコントロールして１強誘電性液晶としてチッソ
社！Ｉ！ｃｓ−１０１４を用いた。
ることでコントロールして１強誘電性液晶としてチッソ
社！Ｉ！ｃｓ−１０１４を用いた。
このような構成にした場合には１強誘電性液晶分子の配
向はミクロには整ってはいなく、欠陥が存在するが、全
体的に双安定なパルス応答を行い、前述の見かけのチル
ト角は約１５°近くに広かった。したがって、透過率が
著しく改善されていることが認められた。
向はミクロには整ってはいなく、欠陥が存在するが、全
体的に双安定なパルス応答を行い、前述の見かけのチル
ト角は約１５°近くに広かった。したがって、透過率が
著しく改善されていることが認められた。
実施例３
実施例２で示したセル構成において、有機膜上な斜方蒸
着の入射方向と並行にラビングを行った。
着の入射方向と並行にラビングを行った。
ラビングはアセテート布を用い、１０００ｒｐ■の回転
数で１０秒間処理を行った。アセテート布の毛先は約０
．１５■履基板面と接触させた。セルギャップは１．２
１Ｌ■、強誘電性液晶としてチッソ社製Ｃ８−１０１４
を用いた。
数で１０秒間処理を行った。アセテート布の毛先は約０
．１５■履基板面と接触させた。セルギャップは１．２
１Ｌ■、強誘電性液晶としてチッソ社製Ｃ８−１０１４
を用いた。
このように構成したセルでは、配向は一方向に均質な欠
陥は伴うものの規則的であり、青−白の良好な光学応答
を示した。見かけのチルト角は約１２．５＠であった。
陥は伴うものの規則的であり、青−白の良好な光学応答
を示した。見かけのチルト角は約１２．５＠であった。
［発明の効果］
本発明によれば、強誘電性液晶配向膜として、一方の配
向膜にＳｉＯの斜方蒸着膜を用いて、他方に有機、無機
膜もしくはそのラビング膜等を用いることにより、見か
けのチルト角θａが大きく。
向膜にＳｉＯの斜方蒸着膜を用いて、他方に有機、無機
膜もしくはそのラビング膜等を用いることにより、見か
けのチルト角θａが大きく。
透過光量が多く、消光位での光学品質を向上した強誘電
性液晶素子を得ることができる。
性液晶素子を得ることができる。
第１図は本発明の強誘電性液晶素子の一実施例を示す断
面図である。 ｌ・・・ガラス基板 ２−ＩＴＯ電極３・・・絶
縁膜 ４・−・強誘電性液晶５・・・シーリ
ング部材 ６・・・ＳｉＯの斜方蒸着膜Ａ、Ｂ−・・
基板
面図である。 ｌ・・・ガラス基板 ２−ＩＴＯ電極３・・・絶
縁膜 ４・−・強誘電性液晶５・・・シーリ
ング部材 ６・・・ＳｉＯの斜方蒸着膜Ａ、Ｂ−・・
基板
Claims (6)
- （１）対向する二枚の電極間に強誘電性液晶を挟持して
なる液晶素子において、一方の電極上にはＳｉＯの斜方
蒸着膜からなる配向膜が設けられ、かつ他方の電極上に
は前記一方の電極とは異る配向膜が設けられていること
を特徴とする強誘電性液晶素子。 - （２）他方の電極上に設けられた配向膜が無方向性の有
機膜である特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素
子。 - （３）他方の電極上に設けられた配向膜が一軸性処理を
施した有機膜である特許請求の範囲第１項記載の強誘電
性液晶素子。 - （４）有機膜がポリイミド、ポリビニルアルコール、ポ
リアクリロニトリルまたはポリエチレンオキサイドから
なる特許請求の範囲第２項または第３項記載の強誘電性
液晶素子。 - （５）他方の電極上に設けられた配向膜が無機膜である
特許請求の範囲第１項記載の強誘電性液晶素子。 - （６）無機膜がＳｉＯ＿２、ＴｉＯ＿２、Ｔａ＿２Ｏ＿
５またはＡｌ＿２Ｏ＿３である特許請求の範囲第５項記
載の強誘電性液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27872487A JPH01120535A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 強誘電性液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27872487A JPH01120535A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 強誘電性液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120535A true JPH01120535A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17601316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27872487A Pending JPH01120535A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 強誘電性液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120535A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0329926A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Seiko Instr Inc | 光書込液晶ライトバルブ |
| US5643654A (en) * | 1990-11-29 | 1997-07-01 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Pellicle structure and process for preparation thereof with dissolution of coating layer |
| JP2002148631A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JP2007033967A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Seiko Epson Corp | 液晶装置の製造方法、液晶装置および電子機器 |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP27872487A patent/JPH01120535A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0329926A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Seiko Instr Inc | 光書込液晶ライトバルブ |
| US5643654A (en) * | 1990-11-29 | 1997-07-01 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Pellicle structure and process for preparation thereof with dissolution of coating layer |
| JP2002148631A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JP2007033967A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Seiko Epson Corp | 液晶装置の製造方法、液晶装置および電子機器 |
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