JPH0616122B2 - チップ型多層干渉フィルタの製造方法 - Google Patents
チップ型多層干渉フィルタの製造方法Info
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- JPH0616122B2 JPH0616122B2 JP59118779A JP11877984A JPH0616122B2 JP H0616122 B2 JPH0616122 B2 JP H0616122B2 JP 59118779 A JP59118779 A JP 59118779A JP 11877984 A JP11877984 A JP 11877984A JP H0616122 B2 JPH0616122 B2 JP H0616122B2
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- Optical Filters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば赤外線分析計の検出基として用いられ
るパイロセンサの受光面に取り付けられるなどして利用
されるチップ型多層干渉フィルタを製造する方法に関す
る。
るパイロセンサの受光面に取り付けられるなどして利用
されるチップ型多層干渉フィルタを製造する方法に関す
る。
パイロセンサは、その感度がかなり広い波長域にわたっ
てフラットであるため、このパイロセンサを赤外線分析
計の検出基として用いて特定波長を検出しようとする場
合、バンドパスフィルタが必要となる。一方、パイロセ
ンサは、2〜3mm角というように非常に小さいもので
あるから、バンドパスフィルタもそれに応じた小さいも
のが必要になる。
てフラットであるため、このパイロセンサを赤外線分析
計の検出基として用いて特定波長を検出しようとする場
合、バンドパスフィルタが必要となる。一方、パイロセ
ンサは、2〜3mm角というように非常に小さいもので
あるから、バンドパスフィルタもそれに応じた小さいも
のが必要になる。
ところで、、バンドパスフィルタとして従来より存する
多層干渉フィルタは、ベンチのセル径が16mm、20
mmというようにかなり大きいものであり、それをパイ
ロセンサのフィルタに使用するには小チップに切断する
必要があった。
多層干渉フィルタは、ベンチのセル径が16mm、20
mmというようにかなり大きいものであり、それをパイ
ロセンサのフィルタに使用するには小チップに切断する
必要があった。
しかるに、いかなる切断手段によるにしろ、フィルタを
切断することは、切断端縁の多層膜が剥離しやすく、そ
のため、歩留りうが悪く量産がきかないという欠点があ
ると共に、性能上も切断によって剥離した部分がフィル
タの特製に悪影響を与えるといった欠点もある。特に、
小チップのフィルタになるほど、剥離部分の占有比率が
高くなるので、上記欠点はより顕著になり、使用に耐え
ないものとなる。
切断することは、切断端縁の多層膜が剥離しやすく、そ
のため、歩留りうが悪く量産がきかないという欠点があ
ると共に、性能上も切断によって剥離した部分がフィル
タの特製に悪影響を与えるといった欠点もある。特に、
小チップのフィルタになるほど、剥離部分の占有比率が
高くなるので、上記欠点はより顕著になり、使用に耐え
ないものとなる。
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その
目的は、性能のよいチップ型多層干渉フィルタフィルタ
を歩留りよく製造することができる方法を提供すること
にある。
目的は、性能のよいチップ型多層干渉フィルタフィルタ
を歩留りよく製造することができる方法を提供すること
にある。
上記目的を達成するため、本発明においては、高温状態
の基板に対して基板との密着性を維持しうる程度の厚み
を有し、かつ、所望の大きさの開孔を複数備えたマスク
を密着させ、その状態でマスクの開光を介して露出する
基板上に、蒸着源から高屈折率物質粒子と低屈折率物質
粒子とを交互に真空蒸着させるようにしたチップ型多層
干渉フィルタの製造方法において、前記マスクとしてそ
の開孔における基板側の開口周縁を薄くするよう開孔内
法に向けて突出させ、開孔面の法線方向に対して斜め方
向から飛来する各屈折率物質粒子がより広い入口を通過
し、狭い出口側に至ることでこの出口側に対向配置され
た基板上の前記露出面に蒸着物質を着かせうる段差をエ
ッチング処理によって一体的に形成したものを用い、高
屈折率物質粒子と低屈折率物質粒子とを、基板の切断予
定部分に着かないよう、かつ、前記露出面にマスクの開
孔の縁に蒸着されない陰を持たないよう、順次多層に積
層するようにしている。
の基板に対して基板との密着性を維持しうる程度の厚み
を有し、かつ、所望の大きさの開孔を複数備えたマスク
を密着させ、その状態でマスクの開光を介して露出する
基板上に、蒸着源から高屈折率物質粒子と低屈折率物質
粒子とを交互に真空蒸着させるようにしたチップ型多層
干渉フィルタの製造方法において、前記マスクとしてそ
の開孔における基板側の開口周縁を薄くするよう開孔内
法に向けて突出させ、開孔面の法線方向に対して斜め方
向から飛来する各屈折率物質粒子がより広い入口を通過
し、狭い出口側に至ることでこの出口側に対向配置され
た基板上の前記露出面に蒸着物質を着かせうる段差をエ
ッチング処理によって一体的に形成したものを用い、高
屈折率物質粒子と低屈折率物質粒子とを、基板の切断予
定部分に着かないよう、かつ、前記露出面にマスクの開
孔の縁に蒸着されない陰を持たないよう、順次多層に積
層するようにしている。
第1図は、本発明に係るチップ型多層干渉フィルタの製
造方法における製造工程の一例を示すもので、この図に
おいて、1は例えばサファイヤよりなる基板、2は所望
の大きさの開孔3を複数あけたマスクである。開孔3の
大きさは必要とするフィルタの大きさに応じて決定すれ
ばよく、パイロセンサに用いるフィルタを製作する場合
であれば、2〜3mm蛎とすればよい。また、開孔3の
数はできる限り多いのが好ましい。その方が量産による
コスト低減が図れるからである。
造方法における製造工程の一例を示すもので、この図に
おいて、1は例えばサファイヤよりなる基板、2は所望
の大きさの開孔3を複数あけたマスクである。開孔3の
大きさは必要とするフィルタの大きさに応じて決定すれ
ばよく、パイロセンサに用いるフィルタを製作する場合
であれば、2〜3mm蛎とすればよい。また、開孔3の
数はできる限り多いのが好ましい。その方が量産による
コスト低減が図れるからである。
マスク2の表面側の開孔4周辺は、第2図および第3図
に示すように、段差4をつけることによって薄く形成さ
れている。この段差4は、例えばエッチング処理によっ
て形成することができる。このように段差4を設けた理
由は、次の通りである。すなわち、マスク2が厚いと、
基板1に向けて、高屈折率物質粒子と低屈折率粒子とを
交互に飛ばす際、これら各屈折率物質粒子の飛ぶ方向が
第4図に示すように斜め方向であった場合、開孔3の縁
に陰になる部分Aが生じ、この部分Aに蒸着物質が着か
ないようになるからである。従って、マスク2は薄い方
がよいのであるが、薄すぎると真空蒸着の際、基板1の
温度が200℃以上に達するため、熱によってマスクが
撓んでしまい、基板1とマスク2との密着性が悪くなる
という不都合がある。
に示すように、段差4をつけることによって薄く形成さ
れている。この段差4は、例えばエッチング処理によっ
て形成することができる。このように段差4を設けた理
由は、次の通りである。すなわち、マスク2が厚いと、
基板1に向けて、高屈折率物質粒子と低屈折率粒子とを
交互に飛ばす際、これら各屈折率物質粒子の飛ぶ方向が
第4図に示すように斜め方向であった場合、開孔3の縁
に陰になる部分Aが生じ、この部分Aに蒸着物質が着か
ないようになるからである。従って、マスク2は薄い方
がよいのであるが、薄すぎると真空蒸着の際、基板1の
温度が200℃以上に達するため、熱によってマスクが
撓んでしまい、基板1とマスク2との密着性が悪くなる
という不都合がある。
そこで、マスク2自体は、厚くして基板1の温度によっ
て撓まないようにすると共に、開孔3の縁に蒸着物質が
蒸着されない陰ができることのないように、段差4によ
って開孔周辺を薄く形成し、マスク2が厚いことによる
不都合とマスク2が薄いことによる不都合の双方を一挙
に解消したのである。
て撓まないようにすると共に、開孔3の縁に蒸着物質が
蒸着されない陰ができることのないように、段差4によ
って開孔周辺を薄く形成し、マスク2が厚いことによる
不都合とマスク2が薄いことによる不都合の双方を一挙
に解消したのである。
チップ型多層干渉フィルタを製造するに際しては、第1
図(イ)に示すように、マスク2を基板1に位置合わせ
した状態で固定する。両者1,2の固定は、例えばポリ
イミド粘着テープを周部数カ所に貼着することによって
行うことができる。マスク2を基板1に固定すると、そ
の状態で同図図(ロ)、(ハ)に示すように、ホルダ5
に固定し、それを真空蒸着装置のドーム6上の所定位置
に取り付ける。そして、蒸着源7より高屈折率物質粒子
と低屈折率物質粒子とを交互に飛ばして真空蒸着する。
この場合、基板1には、開孔3のあいたマスク2が固定
されているので、蒸着物質は、マスク2の開孔3から露
出した基板1上にのみ付着する。しかも、マスク2の開
孔3周辺には、段差4が形成されているため、開孔3の
周辺に陰ができることなく開孔3から露出した基板1上
に余すところなく蒸着される。この場合、高屈折率物
質、低屈折率物質としては例えばGe、ZnSをそれぞ
れ用いる。
図(イ)に示すように、マスク2を基板1に位置合わせ
した状態で固定する。両者1,2の固定は、例えばポリ
イミド粘着テープを周部数カ所に貼着することによって
行うことができる。マスク2を基板1に固定すると、そ
の状態で同図図(ロ)、(ハ)に示すように、ホルダ5
に固定し、それを真空蒸着装置のドーム6上の所定位置
に取り付ける。そして、蒸着源7より高屈折率物質粒子
と低屈折率物質粒子とを交互に飛ばして真空蒸着する。
この場合、基板1には、開孔3のあいたマスク2が固定
されているので、蒸着物質は、マスク2の開孔3から露
出した基板1上にのみ付着する。しかも、マスク2の開
孔3周辺には、段差4が形成されているため、開孔3の
周辺に陰ができることなく開孔3から露出した基板1上
に余すところなく蒸着される。この場合、高屈折率物
質、低屈折率物質としては例えばGe、ZnSをそれぞ
れ用いる。
そして、上述の真空蒸着は、基板1の両面に対して所定
回数交互に行われる。この場合、表裏面両の同一位置に
蒸着物質が蒸着されるようにマスク2を基板1に対して
位置合わせすることはいうまでもない。
回数交互に行われる。この場合、表裏面両の同一位置に
蒸着物質が蒸着されるようにマスク2を基板1に対して
位置合わせすることはいうまでもない。
このようにして、基板1の両面に対する真空蒸着が完了
すると、基板1をホルダ5から取外し、次いで、第1図
(ニ)に示すように、マスク2を基板1から取外し、最
後に、同図(ホ)に示すように、基板1上で蒸着物質8
が付着してない切断予定部分9に沿って基板1を切断す
る。この切断により、同図(ヘ)に示すようなチップ型
多層干渉フィルタを得ることができる。
すると、基板1をホルダ5から取外し、次いで、第1図
(ニ)に示すように、マスク2を基板1から取外し、最
後に、同図(ホ)に示すように、基板1上で蒸着物質8
が付着してない切断予定部分9に沿って基板1を切断す
る。この切断により、同図(ヘ)に示すようなチップ型
多層干渉フィルタを得ることができる。
そして、前記切断は、蒸着物質8が付着してないところ
に沿って行なえるので、蒸着物質8が剥離することがな
い。
に沿って行なえるので、蒸着物質8が剥離することがな
い。
また、本実施例では、マスク2が厚いと、基板1に向け
て高屈折率物質粒子と低屈折率物質粒子とを交互に飛ば
す際、これら各屈折率物質粒子の飛ぶ方向が斜め方向で
あった場合、開孔3の縁に陰になる部分Aができ、その
部分Aに蒸着物質が着かないようになることから、マス
ク2の開孔周縁を薄く形成している。従って、真空蒸着
を終了した後、マスク2を基板1から取り外した場合、
基板上には所望の大きさの開孔3に対応した大きさの、
蒸着物質がくまなく付着されたチップ型多層干渉フィル
タが形成される。
て高屈折率物質粒子と低屈折率物質粒子とを交互に飛ば
す際、これら各屈折率物質粒子の飛ぶ方向が斜め方向で
あった場合、開孔3の縁に陰になる部分Aができ、その
部分Aに蒸着物質が着かないようになることから、マス
ク2の開孔周縁を薄く形成している。従って、真空蒸着
を終了した後、マスク2を基板1から取り外した場合、
基板上には所望の大きさの開孔3に対応した大きさの、
蒸着物質がくまなく付着されたチップ型多層干渉フィル
タが形成される。
このように、本実施例では、斜め蒸着方に用いるマスク
は、その開孔3の縁に蒸着されない陰になる部分をなく
すのに薄い方がよいのであるが、逆に薄いと、真空蒸着
の際、基板温度が200℃以上に達するため、マスク2
が熱によって撓みを生じ、基板1とマスク2との密着性
が悪くなるのを、開孔3の縁に蒸着物質が蒸着されない
陰がでることがないよう、段差4によって開孔周縁を薄
く形成し、マスク2が厚いことによる不都合とマスク2
が薄いことによる不都合を双方を一挙に解決できる。
は、その開孔3の縁に蒸着されない陰になる部分をなく
すのに薄い方がよいのであるが、逆に薄いと、真空蒸着
の際、基板温度が200℃以上に達するため、マスク2
が熱によって撓みを生じ、基板1とマスク2との密着性
が悪くなるのを、開孔3の縁に蒸着物質が蒸着されない
陰がでることがないよう、段差4によって開孔周縁を薄
く形成し、マスク2が厚いことによる不都合とマスク2
が薄いことによる不都合を双方を一挙に解決できる。
そして、上述した実施例においては、マスク2の開孔3
に段差4を形成するのに、マスク2にエッチング処理を
施すようにしているので、段差4をマスク2と一体的に
形成することができ、その加工が容易である。
に段差4を形成するのに、マスク2にエッチング処理を
施すようにしているので、段差4をマスク2と一体的に
形成することができ、その加工が容易である。
以上説明したように、本発明によれば、次の効果を奏す
る。
る。
a.複数の開孔の開いたマスクを基板の植に固定して基
板の切断予定部分に蒸着物質が着かないようにし、その
状態でマスクの開孔より露出する基板上に高屈折率物質
粒子と低屈折率物質粒子とを交互に真空蒸着させている
ので、真空蒸着の後、基板を小チップ切断しても蒸着物
質が基板から剥離するといった問題が生ずることがな
く、従って、歩留りの向上が図れると共に、性能のよい
フィルタを得ることができる。
板の切断予定部分に蒸着物質が着かないようにし、その
状態でマスクの開孔より露出する基板上に高屈折率物質
粒子と低屈折率物質粒子とを交互に真空蒸着させている
ので、真空蒸着の後、基板を小チップ切断しても蒸着物
質が基板から剥離するといった問題が生ずることがな
く、従って、歩留りの向上が図れると共に、性能のよい
フィルタを得ることができる。
b.高屈折率物質粒子および低屈折率物質粒子の斜め通
過(斜め蒸着法)に対し、開孔の出口側に開孔周縁を薄
くするように形成された段差を有するマスクを用いたの
で、より広い開孔入口を通過した前記各屈折率物質粒子
は、狭い開孔出口に至ることで、対向配置された基板上
の露出面にマスクの開孔の縁に蒸着されない陰になる部
分をなくし、露出面全体にわたり蒸着物質を付着させる
ことができる。
過(斜め蒸着法)に対し、開孔の出口側に開孔周縁を薄
くするように形成された段差を有するマスクを用いたの
で、より広い開孔入口を通過した前記各屈折率物質粒子
は、狭い開孔出口に至ることで、対向配置された基板上
の露出面にマスクの開孔の縁に蒸着されない陰になる部
分をなくし、露出面全体にわたり蒸着物質を付着させる
ことができる。
すなわち、マスクが厚いと、基板に向けて高屈折率物質
粒子と低屈折率物質粒子とを交互に飛ばす際、これら各
屈折率物質粒子の飛ぶ方向が斜めの方向であった場合、
開孔の縁の陰になる部分ができ、その部分に蒸着物質が
着かないようになることから、マスクの開孔周縁を薄く
形成したものである。従って、真空蒸着を終了した後、
マスクを基板から取り外して、蒸着物質が付着してない
切断予定部分に沿って切断することにより、その切断さ
れた基板上に、所望の大きさの開孔に応じた蒸着されな
い陰部分のない大きさの蒸着物質を有するチップ型多層
干渉フィルタを形成することができるのである。
粒子と低屈折率物質粒子とを交互に飛ばす際、これら各
屈折率物質粒子の飛ぶ方向が斜めの方向であった場合、
開孔の縁の陰になる部分ができ、その部分に蒸着物質が
着かないようになることから、マスクの開孔周縁を薄く
形成したものである。従って、真空蒸着を終了した後、
マスクを基板から取り外して、蒸着物質が付着してない
切断予定部分に沿って切断することにより、その切断さ
れた基板上に、所望の大きさの開孔に応じた蒸着されな
い陰部分のない大きさの蒸着物質を有するチップ型多層
干渉フィルタを形成することができるのである。
.そして、本発明方法に用いるマスクは、それに形成さ
れた開孔のそれぞれに、マスクをエッチング処理を施す
ようにして形成された段差を備えており、従って、その
ような特徴的構成を有するマスクを容易に形成すること
ができると共に、段差がマスクと一体的に形成されるこ
とにより、撓みを生じない、基板に対して密着性に優れ
たマスクが得られ、このマスクを用いて基板に真空蒸着
を行うものであるから、所望の特性を有するチップ型多
層干渉フィルタを一度に大量に得ることができる。
れた開孔のそれぞれに、マスクをエッチング処理を施す
ようにして形成された段差を備えており、従って、その
ような特徴的構成を有するマスクを容易に形成すること
ができると共に、段差がマスクと一体的に形成されるこ
とにより、撓みを生じない、基板に対して密着性に優れ
たマスクが得られ、このマスクを用いて基板に真空蒸着
を行うものであるから、所望の特性を有するチップ型多
層干渉フィルタを一度に大量に得ることができる。
第1図〜第3図は本発明の一実施例を示し、第1図はチ
ップ型多層干渉フィルタの製造方法の製造工程を示す
図、第2図は前記製造方法において用いるマスクの正面
図、第3図は前記マスクの断面図である。 第4図はマスクの孔周辺に段差が設けられてない場合に
生ずる不都合を説明する図である。 1……基板、2……マスク、3……開孔、4……段差、
8……蒸着物質、9……切断予定部分。
ップ型多層干渉フィルタの製造方法の製造工程を示す
図、第2図は前記製造方法において用いるマスクの正面
図、第3図は前記マスクの断面図である。 第4図はマスクの孔周辺に段差が設けられてない場合に
生ずる不都合を説明する図である。 1……基板、2……マスク、3……開孔、4……段差、
8……蒸着物質、9……切断予定部分。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−115004(JP,A) 特開 昭58−73127(JP,A) 特開 昭53−75858(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】高温状態の基板に対して基板との密着性を
維持しうる程度の厚みを有し、かつ、所望の大きさの開
孔を複数備えたマスクを密着させ、その状態でマスクの
開孔を介して露出する基板上に、蒸着源から高屈折率物
質粒子と低屈折率物質粒子とを交互に真空蒸着させるよ
うにしたチップ型多層干渉フィルタの製造方法におい
て、前期マスクとしてその開孔における基板側の開口周
縁を薄くするように開孔内方に向けて突出させ、開孔面
の法線方向に対して斜め方向から飛来する各屈折率物質
粒子がより広い入口を通過し、狭い出口側に至ることで
この出口側に対向配置された基板上の前記露出面に蒸着
物質を着かせうる段差をエッチング処理によって一体的
に形成したものを用い、高屈折率物質粒子と低屈折率物
質粒子とを、基板の切断予定部分に着かないよう、か
つ、前記露出面にマスクの開孔の縁に蒸着されない陰を
持たないよう、順次多層に積層するようにしたことを特
徴とするチップ型多層干渉フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118779A JPH0616122B2 (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | チップ型多層干渉フィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118779A JPH0616122B2 (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | チップ型多層干渉フィルタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262102A JPS60262102A (ja) | 1985-12-25 |
| JPH0616122B2 true JPH0616122B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=14744867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59118779A Expired - Fee Related JPH0616122B2 (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | チップ型多層干渉フィルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616122B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4957371A (en) * | 1987-12-11 | 1990-09-18 | Santa Barbara Research Center | Wedge-filter spectrometer |
| JPH0658982B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1994-08-03 | 株式会社トーキン | Ld励起固体レーザ素子の製造方法 |
| JP2608633B2 (ja) * | 1990-02-13 | 1997-05-07 | 日本電信電話株式会社 | 誘電体多層膜フィルタおよびその製造方法並びにこれを用いた光学要素 |
| JP3778621B2 (ja) * | 1996-07-29 | 2006-05-24 | 三洋電機株式会社 | 光学部品のコーティング方法 |
| JP5284636B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-09-11 | 株式会社日本触媒 | 積層フィルム、積層体、光選択透過フィルター及びその積層フィルムの製造方法 |
| JP5517405B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2014-06-11 | 株式会社日本触媒 | 光選択透過フィルター |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55115004A (en) * | 1979-02-27 | 1980-09-04 | Nec Corp | Preparation of microfilter |
| JPS5873127A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-02 | Hitachi Ltd | Icチツプのはんだ溶融接続方法 |
-
1984
- 1984-06-09 JP JP59118779A patent/JPH0616122B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60262102A (ja) | 1985-12-25 |
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