JPH0616170B2 - フオトマスクブランクとフオトマスク - Google Patents
フオトマスクブランクとフオトマスクInfo
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路の製造工程
で用いられるフォトマスクブランク及びフォトマスクに
関する。
で用いられるフォトマスクブランク及びフォトマスクに
関する。
半導体集積回路の製造工程においては、フォトレジスト
を塗布したシリコンウェハ等の半導体基板に所定のパタ
ーンを形成する為、所定パターンを有するフォトマスク
が用いられている。
を塗布したシリコンウェハ等の半導体基板に所定のパタ
ーンを形成する為、所定パターンを有するフォトマスク
が用いられている。
また、このフォトマスクを製作する為に、フォトマスク
ブランク（以下、単にブランクという。）が用いられて
いる。ブランクは、例えば、石英ガラス等の透光性基板
の一主表面上に、スパッタリング法等の成膜方法によっ
て、遮光性膜としてのクロム膜を被着している。また、
ブランクには低反射フォトマスクブランク（以下、単に
低反射ブランクという。）と呼ばれるものもあり、この
低反射ブランクは、例えば、透光性基板の一主表面上
に、アルゴンガスを用いるスパッタリング法によって、
遮光性膜としてのクロム膜を被着し、更に、酸素ガス及
び窒素ガスをアルゴンガスに混合してなる反応性ガスを
用いるスパッタリング法によって、クロム酸化物及びク
ロム窒化物を含有するクロムからなる反射防止膜を前記
したクロム膜上に被着してなり、この反射防止膜によっ
てブランクの表面反射率を低下させており、近年広く用
いられている。
ブランク（以下、単にブランクという。）が用いられて
いる。ブランクは、例えば、石英ガラス等の透光性基板
の一主表面上に、スパッタリング法等の成膜方法によっ
て、遮光性膜としてのクロム膜を被着している。また、
ブランクには低反射フォトマスクブランク（以下、単に
低反射ブランクという。）と呼ばれるものもあり、この
低反射ブランクは、例えば、透光性基板の一主表面上
に、アルゴンガスを用いるスパッタリング法によって、
遮光性膜としてのクロム膜を被着し、更に、酸素ガス及
び窒素ガスをアルゴンガスに混合してなる反応性ガスを
用いるスパッタリング法によって、クロム酸化物及びク
ロム窒化物を含有するクロムからなる反射防止膜を前記
したクロム膜上に被着してなり、この反射防止膜によっ
てブランクの表面反射率を低下させており、近年広く用
いられている。
次に、上記した低反射ブランクからフォトマスクを製作
する方法について以下に記す。
する方法について以下に記す。
先ず、低反射ブランクの反射防止膜上にフォトレジスト
を塗布し、転写すべきパターンを有する露光マスクを通
してフォトレジストを露光し、現像し、次にエッチング
液を用いて反射防止膜及びクロム膜をエッチングし、次
にフォトレジストを剥離して、露光マスクのパターンを
転写したフォトマスクを製作している。
を塗布し、転写すべきパターンを有する露光マスクを通
してフォトレジストを露光し、現像し、次にエッチング
液を用いて反射防止膜及びクロム膜をエッチングし、次
にフォトレジストを剥離して、露光マスクのパターンを
転写したフォトマスクを製作している。
しかしながら、クロム酸化物及びクロム窒化物を含有す
るクロムからなる反射防止膜を有する低反射ブランクか
らフォトマスクを製作した場合、以下に記すような問題
点がある。
るクロムからなる反射防止膜を有する低反射ブランクか
らフォトマスクを製作した場合、以下に記すような問題
点がある。
すなわち、上記した低反射ブランクにおいては、所定の
低い表面反射率（例えば10％）を得る為に、反射防止膜
を構成するクロム酸化物及びクロム窒化物の含有量を適
宜選択・制御しなければならない。このようにクロム酸
化物及びクロム窒化物の含有量を適宜選択・制御する
と、その含有量に対応して反射防止膜のエッチング速度
が変化してしまう。前述したように反応性スパッタリン
グ法により反射防止膜を被着して成膜した場合、一般的
にはクロム酸化物及びクロム窒化物の含有量が多くなる
程、そのエッチング速度は速くなる。その結果、クロム
膜のエッチング速度と比べて反射防止膜のエッチング速
度が速くなり、第４図に示すように、反射防止膜からな
るパターン１のエッチングがクロム膜からなるパターン
２のエッチングよりも過剰に進行し、単位時間あたりの
パターン線幅の減少量（いわゆる、サイドエッチ量）が
増大してしまう。なお、第４図中に図示した３は透光性
基板であり、また図示した４はレジストパターンであ
る。
低い表面反射率（例えば10％）を得る為に、反射防止膜
を構成するクロム酸化物及びクロム窒化物の含有量を適
宜選択・制御しなければならない。このようにクロム酸
化物及びクロム窒化物の含有量を適宜選択・制御する
と、その含有量に対応して反射防止膜のエッチング速度
が変化してしまう。前述したように反応性スパッタリン
グ法により反射防止膜を被着して成膜した場合、一般的
にはクロム酸化物及びクロム窒化物の含有量が多くなる
程、そのエッチング速度は速くなる。その結果、クロム
膜のエッチング速度と比べて反射防止膜のエッチング速
度が速くなり、第４図に示すように、反射防止膜からな
るパターン１のエッチングがクロム膜からなるパターン
２のエッチングよりも過剰に進行し、単位時間あたりの
パターン線幅の減少量（いわゆる、サイドエッチ量）が
増大してしまう。なお、第４図中に図示した３は透光性
基板であり、また図示した４はレジストパターンであ
る。
本発明は、以上のような事情を鑑みてなされたものであ
り、サイドエッチ量を少なくして所望線幅のパターンを
形成することができるフォトマスクブランク、及びその
フォトマスクブランクを用いて製作されるフォトマスク
を提供することを目的とする。
り、サイドエッチ量を少なくして所望線幅のパターンを
形成することができるフォトマスクブランク、及びその
フォトマスクブランクを用いて製作されるフォトマスク
を提供することを目的とする。
本発明は、上記した目的を達成するためになされたもの
であり、第１発明は、透光性基板の一主表面上に遮光性
膜と反射防止膜とを備えたフォトマスクブランクにおい
て、 前記反射防止膜は、該反射防止膜のエッチング速度を前
記遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、 クロム弗化物とを少なくとも含有したクロムからなるこ
とを特徴とするフォトマスクブランクである。また、第
２発明は、透光性基板の一主表面上に遮光性膜と反射防
止膜とを形成し、前記遮光性膜及び前記反射防止膜を選
択的にパターン化してなるフォトマスクにおいて、 前記反射防止膜は、該反射防止膜のエッチング速度を前
記遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、 クロム弗化物とを少なくとも含有したクロムからなるこ
とを特徴とするフォトマスクである。
であり、第１発明は、透光性基板の一主表面上に遮光性
膜と反射防止膜とを備えたフォトマスクブランクにおい
て、 前記反射防止膜は、該反射防止膜のエッチング速度を前
記遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、 クロム弗化物とを少なくとも含有したクロムからなるこ
とを特徴とするフォトマスクブランクである。また、第
２発明は、透光性基板の一主表面上に遮光性膜と反射防
止膜とを形成し、前記遮光性膜及び前記反射防止膜を選
択的にパターン化してなるフォトマスクにおいて、 前記反射防止膜は、該反射防止膜のエッチング速度を前
記遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、 クロム弗化物とを少なくとも含有したクロムからなるこ
とを特徴とするフォトマスクである。
本発明は、反射防止膜中に、反射防止膜のエッチング速
度を遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、クロム弗
化物とを少なくとも含有している。クロム弗化物は、エ
ッチング速度を遅延させることができるので、遮光性膜
よりも速くなった反射防止膜のエッチング速度をこのク
ロム弗化物によって抑制することができる。
度を遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、クロム弗
化物とを少なくとも含有している。クロム弗化物は、エ
ッチング速度を遅延させることができるので、遮光性膜
よりも速くなった反射防止膜のエッチング速度をこのク
ロム弗化物によって抑制することができる。
以下、先ず第１発明の実施例による低反射ブランクにつ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
第１図に示すように、本実施例による低反射ブランク５
は、石英ガラスからなる透光性基板６と、この透光性基
板６の一主表面上に被着された遮光性膜７（膜厚：550
Å）と、遮光性膜７上に被着された反射防止膜８（膜
厚：250Å）とからなる。なお、遮光性膜７はクロムか
らなり、また、反射防止膜８はクロム弗化物，クロム窒
化物及びクロム酸化物を含有するクロムからなる。
は、石英ガラスからなる透光性基板６と、この透光性基
板６の一主表面上に被着された遮光性膜７（膜厚：550
Å）と、遮光性膜７上に被着された反射防止膜８（膜
厚：250Å）とからなる。なお、遮光性膜７はクロムか
らなり、また、反射防止膜８はクロム弗化物，クロム窒
化物及びクロム酸化物を含有するクロムからなる。
次に、低反射ブランク５を製作する方法について説明す
る。
る。
先ず、石英ガラスの両主表面を精密研磨し透光性基板６
（寸法：５×５×0.09インチ）を得る。次に、圧力２×
10-3Torrのアルゴン(Ar)のガス雰囲気中で、スパッタリ
ング法によりクロムからなる遮光性膜７（膜厚：550
Å）を透光性基板６の一主表面上に被着する。次に、圧
力２×10-3Torrのアルゴン(Ar)と酸素(O2)と窒素(N2)と
四弗化炭素(CF4)との混合ガス（体積比65:15:15:5）雰
囲気中で、反応性スパッタリング法により、クロム弗化
物とクロム窒化物とクロム酸化物とを含有してなる反射
防止膜８（膜厚：250Å）を遮光性膜７上に被着して、
低反射ブランク５を製作した。なお、この低反射ブラン
ク５の表面反射率は、波長436nmの紫外光に対して約10
％であった。尚、本例において、反射防止膜のエッチン
グ速度を遮光性膜より速くするクロム化合物は、クロム
窒化物とクロム酸化物である。
（寸法：５×５×0.09インチ）を得る。次に、圧力２×
10-3Torrのアルゴン(Ar)のガス雰囲気中で、スパッタリ
ング法によりクロムからなる遮光性膜７（膜厚：550
Å）を透光性基板６の一主表面上に被着する。次に、圧
力２×10-3Torrのアルゴン(Ar)と酸素(O2)と窒素(N2)と
四弗化炭素(CF4)との混合ガス（体積比65:15:15:5）雰
囲気中で、反応性スパッタリング法により、クロム弗化
物とクロム窒化物とクロム酸化物とを含有してなる反射
防止膜８（膜厚：250Å）を遮光性膜７上に被着して、
低反射ブランク５を製作した。なお、この低反射ブラン
ク５の表面反射率は、波長436nmの紫外光に対して約10
％であった。尚、本例において、反射防止膜のエッチン
グ速度を遮光性膜より速くするクロム化合物は、クロム
窒化物とクロム酸化物である。
次に、低反射ブランク５を用いて製作される、第２発明
の実施例によるフォトマスクについて詳細に説明する。
の実施例によるフォトマスクについて詳細に説明する。
第２図に示すように、本実施例によるフォトマスク９
は、前記の透光性基板６と、この透光性基板６の一主表
面上に形成された遮光性膜パターン７ａと、遮光性膜パ
ターン７ａ上に形成された反射防止膜パターン８ａとか
らなる。
は、前記の透光性基板６と、この透光性基板６の一主表
面上に形成された遮光性膜パターン７ａと、遮光性膜パ
ターン７ａ上に形成された反射防止膜パターン８ａとか
らなる。
次に、フォトマスク９を製作する方法について説明す
る。
る。
先ず、低反射ブランク５の反射防止膜８（第１図参照）
上にポジ型フォトレジスト（例；ヘキスト社製AZ-135
0，膜厚：5000Å）をスピンコート法により塗布する。
次に、遮光パターンを有する露光マスクを通して紫外光
あるいは遠紫外光によりポジ型フォトレジストを露光
し、次に現像液（例；AZ専用現像液）により現像し、ポ
ジ型フォトレジストの被露光部分を除去してレジストパ
ターンを形成する。続いて、エッチング液（例；硝酸第
２セリウムアンモニウム165ｇと過塩素酸（70％）42ｍ
に純水を加えて1000ｍにした溶液，液温20℃）を用
いて、反射防止膜８及び遮光性膜７（第１図参照）を所
定時間（本例；35秒）エッチングし、遮光性膜パターン
７ａ及び反射防止膜パターン８ａ（第２図参照）を形成
する。このとき、反射防止膜８中にクロム弗化物が含有
されている為、反射防止膜８のエッチング速度がクロム
弗化物の含有されていない場合と比べて遅くなり、反射
防止膜８のエッチング速度が遮光性膜７のエッチング速
度と略等しくなっている。それ故、第３図に示したよう
に、反射防止膜パターン８ａのエッチングが遮光性膜パ
ターン７ａのエッチングより過剰に進行してしまうこと
が抑制・防止されて、反射防止膜パターン８ａ及び遮光
性膜パターン７ａからなるパターン10のパターンエッヂ
が透光性基板６の一主表面に対して略垂直状態となり、
また、この場合のサイドエッチ量も0.07/10secと極めて
微小であった。なお、第３図中に図示した11はレジスト
パターンである。
上にポジ型フォトレジスト（例；ヘキスト社製AZ-135
0，膜厚：5000Å）をスピンコート法により塗布する。
次に、遮光パターンを有する露光マスクを通して紫外光
あるいは遠紫外光によりポジ型フォトレジストを露光
し、次に現像液（例；AZ専用現像液）により現像し、ポ
ジ型フォトレジストの被露光部分を除去してレジストパ
ターンを形成する。続いて、エッチング液（例；硝酸第
２セリウムアンモニウム165ｇと過塩素酸（70％）42ｍ
に純水を加えて1000ｍにした溶液，液温20℃）を用
いて、反射防止膜８及び遮光性膜７（第１図参照）を所
定時間（本例；35秒）エッチングし、遮光性膜パターン
７ａ及び反射防止膜パターン８ａ（第２図参照）を形成
する。このとき、反射防止膜８中にクロム弗化物が含有
されている為、反射防止膜８のエッチング速度がクロム
弗化物の含有されていない場合と比べて遅くなり、反射
防止膜８のエッチング速度が遮光性膜７のエッチング速
度と略等しくなっている。それ故、第３図に示したよう
に、反射防止膜パターン８ａのエッチングが遮光性膜パ
ターン７ａのエッチングより過剰に進行してしまうこと
が抑制・防止されて、反射防止膜パターン８ａ及び遮光
性膜パターン７ａからなるパターン10のパターンエッヂ
が透光性基板６の一主表面に対して略垂直状態となり、
また、この場合のサイドエッチ量も0.07/10secと極めて
微小であった。なお、第３図中に図示した11はレジスト
パターンである。
なお、ここで比較例として、前述した低反射ブランク５
の反射防止膜８の代わりに、クロム弗化物を含有せずク
ロム窒化物及びクロム酸化物を含有するクロムからなる
反射防止膜を具備してなる低反射ブランクを用意した。
そして、低反射ブランク５からフォトマスク９を製作し
た場合と同様のフォトリソグラフィー工程を経てフォト
マスクを製作した場合、そのサイドエッチ量は0.13μｍ
／10secであった。
の反射防止膜８の代わりに、クロム弗化物を含有せずク
ロム窒化物及びクロム酸化物を含有するクロムからなる
反射防止膜を具備してなる低反射ブランクを用意した。
そして、低反射ブランク５からフォトマスク９を製作し
た場合と同様のフォトリソグラフィー工程を経てフォト
マスクを製作した場合、そのサイドエッチ量は0.13μｍ
／10secであった。
以上のように、第１発明の実施例による低反射ブランク
５によれば、反射防止膜８がクロム弗化物を含有するの
で、反射防止膜のエッチング速度を遅くして反射防止膜
パターン８ａの過剰なエッチングの進行を抑制・防止す
ることができる。そして、パターン10のパターンエッヂ
を透光性基板６の一主表面に対して略垂直状にし、サイ
ドエッチ量を微小にして、所望線幅のパターンを有する
フォトマスク９を製作することができる。また、反射防
止膜８へのクロム弗化物の含有量を変化させることによ
って、反射防止膜８のエッチング速度を変化させること
ができる。従って、反射防止膜８の下の遮光性膜のエッ
チング速度に対応して反射防止膜８のエッチング速度を
制御して、上記したと同様に所望線幅のパターンを有す
るフォトマスクを製作することができる。
５によれば、反射防止膜８がクロム弗化物を含有するの
で、反射防止膜のエッチング速度を遅くして反射防止膜
パターン８ａの過剰なエッチングの進行を抑制・防止す
ることができる。そして、パターン10のパターンエッヂ
を透光性基板６の一主表面に対して略垂直状にし、サイ
ドエッチ量を微小にして、所望線幅のパターンを有する
フォトマスク９を製作することができる。また、反射防
止膜８へのクロム弗化物の含有量を変化させることによ
って、反射防止膜８のエッチング速度を変化させること
ができる。従って、反射防止膜８の下の遮光性膜のエッ
チング速度に対応して反射防止膜８のエッチング速度を
制御して、上記したと同様に所望線幅のパターンを有す
るフォトマスクを製作することができる。
一方、第２発明の実施例によるフォトマスク９によれ
ば、所望線幅のパターンが形成されているので、レジス
ト付きシリコンウェハ等の被転写板にパターンを確実に
転写することができる。
ば、所望線幅のパターンが形成されているので、レジス
ト付きシリコンウェハ等の被転写板にパターンを確実に
転写することができる。
本発明は、上記した実施例に限定されるものではない。
本実施例中の低反射ブランク５の反射防止膜８は、クロ
ム弗化物，クロム窒化物及びクロム酸化物を含有するク
ロムからなったが、クロム弗化物と、クロム窒化物，ク
ロム酸化物及びクロム炭化物のうち少なくとも一つとを
含有してなるクロムからなってもよく、要は、所望の表
面反射率を得ることができて、かつクロム弗化物を少な
くとも含有するクロムからなればよい。また、その膜厚
も250Åに限定されず、所望する表面反射率等に応じて
適宜決定してよい。
ム弗化物，クロム窒化物及びクロム酸化物を含有するク
ロムからなったが、クロム弗化物と、クロム窒化物，ク
ロム酸化物及びクロム炭化物のうち少なくとも一つとを
含有してなるクロムからなってもよく、要は、所望の表
面反射率を得ることができて、かつクロム弗化物を少な
くとも含有するクロムからなればよい。また、その膜厚
も250Åに限定されず、所望する表面反射率等に応じて
適宜決定してよい。
また、遮光性膜７はクロムからなったが、所望の遮光性
（光学濃度）を有すればクロム中にクロム炭化物，クロ
ム硼化物，クロム窒化物等を含有してなってもよく、ま
た、その膜厚も550Åに限定されず所望する光学濃度等
に応じて適宜決定してよい。さらに、遮光性膜７はタン
タル，チタン，アルミニウム，モリブデン，タングステ
ン，ニッケル等のエッチング可能な金属や、これらの金
属の窒化物，炭化物，酸化物，珪化物等の膜や、これら
の二層以上の多層膜からなってもよい。
（光学濃度）を有すればクロム中にクロム炭化物，クロ
ム硼化物，クロム窒化物等を含有してなってもよく、ま
た、その膜厚も550Åに限定されず所望する光学濃度等
に応じて適宜決定してよい。さらに、遮光性膜７はタン
タル，チタン，アルミニウム，モリブデン，タングステ
ン，ニッケル等のエッチング可能な金属や、これらの金
属の窒化物，炭化物，酸化物，珪化物等の膜や、これら
の二層以上の多層膜からなってもよい。
また、透光性基板６は石英ガラス以外に、ソーダライム
ガラス，アルミノシリケートガラス，アルミノボロシリ
ケートガラス及びサファイア等からなってもよく、その
寸法も必要に応じて選択決定してよい。
ガラス，アルミノシリケートガラス，アルミノボロシリ
ケートガラス及びサファイア等からなってもよく、その
寸法も必要に応じて選択決定してよい。
次に、低反射ブランク５を製作する方法において、反射
防止膜８を成膜するとき、混合ガスとしてArとO2とN2と
CF4とからなるものを用いたが、CF4ガスの代わりにNF3,
HF,C2F6,C Cl2F2,CBrF3等の弗素を含有するガスを用い
てもよく、また、O2及びN2ガスの代わりにNO,NO2,N2Oガ
ス等を用いてもよく、また、反射防止膜８を成膜する方
法も反応性スパッタリング法以外に、CVD法やイオンプ
レーティング法等を採用してもよい。また、反射防止膜
８を成膜するときの圧力も２×10-3Torrに限定されず、
また、ArとO2とN2とCF4との混合ガスの体積比も適宜決
定してよい。
防止膜８を成膜するとき、混合ガスとしてArとO2とN2と
CF4とからなるものを用いたが、CF4ガスの代わりにNF3,
HF,C2F6,C Cl2F2,CBrF3等の弗素を含有するガスを用い
てもよく、また、O2及びN2ガスの代わりにNO,NO2,N2Oガ
ス等を用いてもよく、また、反射防止膜８を成膜する方
法も反応性スパッタリング法以外に、CVD法やイオンプ
レーティング法等を採用してもよい。また、反射防止膜
８を成膜するときの圧力も２×10-3Torrに限定されず、
また、ArとO2とN2とCF4との混合ガスの体積比も適宜決
定してよい。
また、遮光性膜７を成膜する方法において、その成膜時
の圧力も２×10-3Torrに限定されず適宜選択決定してよ
く、また、その成膜方法もスパッタリング法以外に、真
空蒸着法，CVD法，イオンプレーティング法等を採用し
てもよい。
の圧力も２×10-3Torrに限定されず適宜選択決定してよ
く、また、その成膜方法もスパッタリング法以外に、真
空蒸着法，CVD法，イオンプレーティング法等を採用し
てもよい。
次に、フォトマスク９を製作する方法において、低反射
ブランク５の反射防止膜８上にポジ型フォトレジストを
塗布したが、フォトレジストとしてはネガ型のものであ
ってもよく、また、その膜厚も適宜決定してよく、さら
に、フォトレジストの塗布方法もスピンコート法以外に
ロールコート法やスプレーコート法等を採用してもよ
い。さらに、レジストとしてはポジ型あるいはネガ型フ
ォトレジスト以外に、ポジ型あるいはネガ型電子線レジ
ストを使用した電子線による露光法を採用してもよい。
ブランク５の反射防止膜８上にポジ型フォトレジストを
塗布したが、フォトレジストとしてはネガ型のものであ
ってもよく、また、その膜厚も適宜決定してよく、さら
に、フォトレジストの塗布方法もスピンコート法以外に
ロールコート法やスプレーコート法等を採用してもよ
い。さらに、レジストとしてはポジ型あるいはネガ型フ
ォトレジスト以外に、ポジ型あるいはネガ型電子線レジ
ストを使用した電子線による露光法を採用してもよい。
また、エッチング液としては実施例中に例示したものに
限定されず、反射防止膜８及び遮光性膜７の各組成及び
膜厚等に応じて適宜選択してよい。
限定されず、反射防止膜８及び遮光性膜７の各組成及び
膜厚等に応じて適宜選択してよい。
第１発明の低反射ブランクによれば、反射防止膜は、反
射防止膜のエッチング速度を遮光性膜より速くさせるク
ロム化合物と、クロム弗化物とを少なくとも含有してい
る。この結果、そのクロム弗化物の含有量を制御するこ
とによって反射防止膜のエッチング速度を適宜制御し
て、形成される反射防止膜パターンの過剰なエッチング
の進行を抑制・防止でき、サイドエッチ量を微小にして
所望線幅のパターンを有するフォトマスクを製作するこ
とができる。
射防止膜のエッチング速度を遮光性膜より速くさせるク
ロム化合物と、クロム弗化物とを少なくとも含有してい
る。この結果、そのクロム弗化物の含有量を制御するこ
とによって反射防止膜のエッチング速度を適宜制御し
て、形成される反射防止膜パターンの過剰なエッチング
の進行を抑制・防止でき、サイドエッチ量を微小にして
所望線幅のパターンを有するフォトマスクを製作するこ
とができる。
また、第２発明のフォトマスクによれば、被転写板に所
望線幅のパターンを確実に転写することができる。
望線幅のパターンを確実に転写することができる。
第１図は第１発明の実施例による低反射フォトマスクブ
ランクをを示す断面図、第２図は第２発明の実施例によ
るフォトマスクを示す断面図、第３図は第１発明の実施
例による低反射フォトマスクブランクを用いることによ
って形成された、反射防止膜パターン及び遮光性膜パタ
ーンからなるパターンの断面を示す断面図、並びに第４
図は従来の低反射フォトマスクブランクを用いることに
よって形成された、反射防止膜パターン及び遮光性膜パ
ターンの断面を示す断面図である。 ５…低反射フォトマスクブランク、６…透光性基板、７
…遮光性膜、７ａ…遮光性膜パターン、８…反射防止
膜、８ａ…反射防止膜パターン、９…フォトマスク、10
…パターン
ランクをを示す断面図、第２図は第２発明の実施例によ
るフォトマスクを示す断面図、第３図は第１発明の実施
例による低反射フォトマスクブランクを用いることによ
って形成された、反射防止膜パターン及び遮光性膜パタ
ーンからなるパターンの断面を示す断面図、並びに第４
図は従来の低反射フォトマスクブランクを用いることに
よって形成された、反射防止膜パターン及び遮光性膜パ
ターンの断面を示す断面図である。 ５…低反射フォトマスクブランク、６…透光性基板、７
…遮光性膜、７ａ…遮光性膜パターン、８…反射防止
膜、８ａ…反射防止膜パターン、９…フォトマスク、10
…パターン
Claims (3)
- 【請求項１】透光性基板の一主表面上に遮光性膜と反射
防止膜とを備えたフォトマスクブランクにおいて、 前記反射防止膜は、該反射防止膜のエッチング速度を前
記遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、 クロム弗化物とを少なくとも含有したクロムからなるこ
とを特徴とするフォトマスクブランク。 - 【請求項２】反射防止膜がクロム弗化物と、クロム窒化
物及びクロム酸化物のうち少なくとも一つとを含有して
なるクロムからなることを特徴とする特許請求の範囲第
(1)項記載のフォトマスクブランク。 - 【請求項３】透光性基板の一主表面上に遮光性膜と反射
防止膜とを形成し、前記遮光性膜及び前記反射防止膜を
選択的にパターン化してなるフォトマスクにおいて、 前記反射防止膜は、該反射防止膜のエッチング速度を前
記遮光性膜より速くさせるクロム化合物と、 クロム弗化物とを少なくとも含有したクロムからなるこ
とを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17636186A JPH0616170B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17636186A JPH0616170B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332553A JPS6332553A (ja) | 1988-02-12 |
| JPH0616170B2 true JPH0616170B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=16012268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17636186A Expired - Lifetime JPH0616170B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | フオトマスクブランクとフオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616170B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102692813A (zh) * | 2011-03-23 | 2012-09-26 | Hoya株式会社 | 光掩模的制造方法、图案转印方法及显示装置的制造方法 |
| US8833199B2 (en) | 2006-02-23 | 2014-09-16 | Campagnolo S.R.L. | Bicycle brake control device |
| US9027433B2 (en) | 2007-03-01 | 2015-05-12 | Campagnolo S.R.L. | Control device for a bicycle and bicycle comprising such a device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2785313B2 (ja) * | 1989-04-05 | 1998-08-13 | 凸版印刷株式会社 | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
| JP4497263B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2010-07-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクス及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5322426B2 (ja) * | 1975-02-15 | 1978-07-08 | ||
| JPS55121441A (en) * | 1979-03-14 | 1980-09-18 | Fujitsu Ltd | Mask for far ultraviolet exposure |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17636186A patent/JPH0616170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8833199B2 (en) | 2006-02-23 | 2014-09-16 | Campagnolo S.R.L. | Bicycle brake control device |
| US9027433B2 (en) | 2007-03-01 | 2015-05-12 | Campagnolo S.R.L. | Control device for a bicycle and bicycle comprising such a device |
| CN102692813A (zh) * | 2011-03-23 | 2012-09-26 | Hoya株式会社 | 光掩模的制造方法、图案转印方法及显示装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6332553A (ja) | 1988-02-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |