JPH06163615A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06163615A JPH06163615A JP30859892A JP30859892A JPH06163615A JP H06163615 A JPH06163615 A JP H06163615A JP 30859892 A JP30859892 A JP 30859892A JP 30859892 A JP30859892 A JP 30859892A JP H06163615 A JPH06163615 A JP H06163615A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、バンプ２を埋めることなくバンプ
付きの半導体チップ１の外周部に外装樹脂を設け、半導
体チップ１の損傷を防止することを目的とするものであ
る。 【構成】 半導体チップ１のバンプ２の周囲に連続的な
ダム３を設け、このダム３に上側金型４を当接させてモ
ールディングすることにより、バンプ２が露出するよう
に半導体チップ１に外装樹脂を設けるようにした。
付きの半導体チップ１の外周部に外装樹脂を設け、半導
体チップ１の損傷を防止することを目的とするものであ
る。 【構成】 半導体チップ１のバンプ２の周囲に連続的な
ダム３を設け、このダム３に上側金型４を当接させてモ
ールディングすることにより、バンプ２が露出するよう
に半導体チップ１に外装樹脂を設けるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法、特にバンプ付きの半導体チップを有する半導体装置
の製造方法に関するものである。
法、特にバンプ付きの半導体チップを有する半導体装置
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１１は従来の半導体装置の一例を示す
断面図である。図において、１は半導体チップ、２は半
導体チップ１の上面に多数突起して設けられたバンプ
（接続電極）である。
断面図である。図において、１は半導体チップ、２は半
導体チップ１の上面に多数突起して設けられたバンプ
（接続電極）である。
【０００３】従来、バンプ付きの半導体チップ１を有す
る半導体装置は、上記のように半導体チップ１の上面に
バンプ２を設けただけで、外装樹脂は設けない、いわゆ
る裸チップとして構成されていた。従って、半導体チッ
プ１は、裸の状態で外部荷重に対して保護なしで取り扱
われていた。
る半導体装置は、上記のように半導体チップ１の上面に
バンプ２を設けただけで、外装樹脂は設けない、いわゆ
る裸チップとして構成されていた。従って、半導体チッ
プ１は、裸の状態で外部荷重に対して保護なしで取り扱
われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の半導体装置においては、半導体チップ１に外装
モールドが施されていないため、半導体チップ１を損傷
する恐れがあるという問題点があった。
た従来の半導体装置においては、半導体チップ１に外装
モールドが施されていないため、半導体チップ１を損傷
する恐れがあるという問題点があった。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、バンプを埋め
ることなく半導体チップの外周部に外装樹脂を設けるこ
とができ、半導体チップの損傷を防止することができる
半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、バンプを埋め
ることなく半導体チップの外周部に外装樹脂を設けるこ
とができ、半導体チップの損傷を防止することができる
半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る半
導体装置の製造方法は、半導体チップのバンプの周囲に
連続的なダムを設け、このダムに金型を当接させてモー
ルディングすることにより、バンプが露出するように半
導体チップに外装樹脂を設けるものである。
導体装置の製造方法は、半導体チップのバンプの周囲に
連続的なダムを設け、このダムに金型を当接させてモー
ルディングすることにより、バンプが露出するように半
導体チップに外装樹脂を設けるものである。
【０００７】請求項２の発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダムを設
け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディング
することにより、バンプの先端面が露出するように半導
体チップに外装樹脂を設けるものである。
法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダムを設
け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディング
することにより、バンプの先端面が露出するように半導
体チップに外装樹脂を設けるものである。
【０００８】請求項３の発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダムを設
け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディング
することにより、バンプの先端面が露出するように半導
体チップに外装樹脂を設け、この後バンプの先端面上に
追加バンプを設けるものである。
法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダムを設
け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディング
することにより、バンプの先端面が露出するように半導
体チップに外装樹脂を設け、この後バンプの先端面上に
追加バンプを設けるものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、モールディング時に外装
樹脂がバンプ部に流入するのをダムによって阻止し、こ
れによりバンプを埋めることなく半導体チップに外装樹
脂を設ける。
樹脂がバンプ部に流入するのをダムによって阻止し、こ
れによりバンプを埋めることなく半導体チップに外装樹
脂を設ける。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１は請求項１の発明の一実施例による半導
体装置の製造方法を示すモールディング時の断面図、図
２は図１の方法により製造された半導体装置を示す平面
図、図３は図２の断面図であり、半導体チップ１及びバ
ンプ２は従来例と同様である。
る。 実施例１．図１は請求項１の発明の一実施例による半導
体装置の製造方法を示すモールディング時の断面図、図
２は図１の方法により製造された半導体装置を示す平面
図、図３は図２の断面図であり、半導体チップ１及びバ
ンプ２は従来例と同様である。
【００１１】図において、３は半導体チップ１のバンプ
２の周囲（外側）に連続的に設けられたダムであり、こ
こではバンプ２の高さ寸法をダム３の高さ寸法より高く
した例を示す。４は上側金型、５は下側金型、６は半導
体チップ１に設けられた外装樹脂である。
２の周囲（外側）に連続的に設けられたダムであり、こ
こではバンプ２の高さ寸法をダム３の高さ寸法より高く
した例を示す。４は上側金型、５は下側金型、６は半導
体チップ１に設けられた外装樹脂である。
【００１２】次に、この実施例１の製造方法について説
明する。まず、半導体チップ１を上側金型４と下側金型
５との間にセットする。このとき、半導体チップ１は、
チップ裏面より下側金型５の支持突起５ａで支えられ、
かつ上側金型４によりダム３が押さえられて、金型４，
５間に保持される。この状態で、半導体チップ１と下側
金型５との間の空間部５ｂに外装樹脂６が注入される。
明する。まず、半導体チップ１を上側金型４と下側金型
５との間にセットする。このとき、半導体チップ１は、
チップ裏面より下側金型５の支持突起５ａで支えられ、
かつ上側金型４によりダム３が押さえられて、金型４，
５間に保持される。この状態で、半導体チップ１と下側
金型５との間の空間部５ｂに外装樹脂６が注入される。
【００１３】このとき、上側金型４がダム３に当接して
いるため、半導体チップ１と上側金型４との間の空間部
４ａは密封されており、従って外装樹脂６は空間部４ａ
には侵入しない。また、薄バリは、ダム３の上面と上側
金型４との間に生じることはあっても、バンプ２の上面
には生じず、バンプ２の上面は清浄に保たれる。
いるため、半導体チップ１と上側金型４との間の空間部
４ａは密封されており、従って外装樹脂６は空間部４ａ
には侵入しない。また、薄バリは、ダム３の上面と上側
金型４との間に生じることはあっても、バンプ２の上面
には生じず、バンプ２の上面は清浄に保たれる。
【００１４】このように、半導体チップ１にダム３を設
けて外装モールドを施すことにより、バンプ付きの半導
体チップ１を用いる場合でも、バンプ２を埋めることな
く半導体チップ１に外装樹脂６を設けることができ、半
導体チップ１の強度を高めることができる。
けて外装モールドを施すことにより、バンプ付きの半導
体チップ１を用いる場合でも、バンプ２を埋めることな
く半導体チップ１に外装樹脂６を設けることができ、半
導体チップ１の強度を高めることができる。
【００１５】ここで、ダム３の幅は５０μｍ以上である
ことが望ましい。また、上記のような方法で樹脂封止す
るときには、ダム３の半導体チップ１表面からの高さ
は、バンプ２より低くても、バンプ２と同等でもよく、
いずれにしろ、バンプ２の表面が上側金型４に接しなけ
れば、モールディング時にバンプ２の表面はダメージを
受けず清浄に保たれる。さらに、外装樹脂６の注入位置
は適当な位置に設けることができ、設計的に自由度が大
きい。また、外装封止６の形状についても自由に設計で
きる利点を有している。
ことが望ましい。また、上記のような方法で樹脂封止す
るときには、ダム３の半導体チップ１表面からの高さ
は、バンプ２より低くても、バンプ２と同等でもよく、
いずれにしろ、バンプ２の表面が上側金型４に接しなけ
れば、モールディング時にバンプ２の表面はダメージを
受けず清浄に保たれる。さらに、外装樹脂６の注入位置
は適当な位置に設けることができ、設計的に自由度が大
きい。また、外装封止６の形状についても自由に設計で
きる利点を有している。
【００１６】この発明の特徴として、下型金型５で半導
体チップ１の裏面を支持し、上側金型４でダム３を押さ
えることで、半導体チップ１及びダム３の製造による寸
法許容差が大きい場合でも、ダム３の厚さ寸法を適当な
寸法に設計することにより自由に追従でき、生産性の高
いバンプ付き外装モールド半導体装置を得ることができ
る。
体チップ１の裏面を支持し、上側金型４でダム３を押さ
えることで、半導体チップ１及びダム３の製造による寸
法許容差が大きい場合でも、ダム３の厚さ寸法を適当な
寸法に設計することにより自由に追従でき、生産性の高
いバンプ付き外装モールド半導体装置を得ることができ
る。
【００１７】実施例２．次に、図４は請求項１の発明の
他の実施例による半導体装置の製造方法を示すモールデ
ィング時の断面図、図５は図４の方法により製造された
半導体装置を示す平面図、図６は図５の断面図である。
他の実施例による半導体装置の製造方法を示すモールデ
ィング時の断面図、図５は図４の方法により製造された
半導体装置を示す平面図、図６は図５の断面図である。
【００１８】この実施例は、バンプ２が半導体チップ１
の対向２辺に沿って配置されている場合の例である。こ
の場合、図４に示すように、バンプ部に対応する凹部７
ｂを有する上側金型７を用いることで、半導体チップ１
のバンプ２の周囲に設けたダム３の内側を除く全ての部
分を外装樹脂６で保護することが可能である。
の対向２辺に沿って配置されている場合の例である。こ
の場合、図４に示すように、バンプ部に対応する凹部７
ｂを有する上側金型７を用いることで、半導体チップ１
のバンプ２の周囲に設けたダム３の内側を除く全ての部
分を外装樹脂６で保護することが可能である。
【００１９】実施例３．次に、図７は請求項２の発明の
一実施例による半導体装置の製造方法を示すモールディ
ング時の断面図、図８は図７の方法により製造された半
導体装置を示す平面図、図９は図７の断面図である。図
において、８は半導体チップ１のバンプ２の周囲に断続
的に設けられたダムであり、このダム３の半導体チップ
１表面からの高さはバンプ２と等しくなっている。９は
下側金型５に対向する面が平面状になっておりバンプ２
及びダム３の上面に当接する上側金型である。
一実施例による半導体装置の製造方法を示すモールディ
ング時の断面図、図８は図７の方法により製造された半
導体装置を示す平面図、図９は図７の断面図である。図
において、８は半導体チップ１のバンプ２の周囲に断続
的に設けられたダムであり、このダム３の半導体チップ
１表面からの高さはバンプ２と等しくなっている。９は
下側金型５に対向する面が平面状になっておりバンプ２
及びダム３の上面に当接する上側金型である。
【００２０】この実施例３の製造方法では、下型金型５
により半導体チップ１の裏面を支え、上側金型９でバン
プ２及び部分的に設けられたダム８の表面を押圧して固
定する。このとき、バンプ２とダム８の半導体チップ１
の表面からの高さが等しく構成されているので、上側金
型９による押圧力のかなりの部分をダム８が受け持ち、
しかもバンプ２は上側金型９と隙間なく接することがで
きる。このため、外装樹脂６を注入して封止したとき、
バンプ２の先端面への薄バリの侵入を防止できる。
により半導体チップ１の裏面を支え、上側金型９でバン
プ２及び部分的に設けられたダム８の表面を押圧して固
定する。このとき、バンプ２とダム８の半導体チップ１
の表面からの高さが等しく構成されているので、上側金
型９による押圧力のかなりの部分をダム８が受け持ち、
しかもバンプ２は上側金型９と隙間なく接することがで
きる。このため、外装樹脂６を注入して封止したとき、
バンプ２の先端面への薄バリの侵入を防止できる。
【００２１】以上により、モールディング後のバリ取り
工程は不要であり、バリ取り工程でバンプ２の先端面に
ダメージを与えることもなく、清浄なバンプ表面を有す
るバンプ付き外装モールド半導体装置として、安価で品
質の良い、生産性の高いものが得られる。
工程は不要であり、バリ取り工程でバンプ２の先端面に
ダメージを与えることもなく、清浄なバンプ表面を有す
るバンプ付き外装モールド半導体装置として、安価で品
質の良い、生産性の高いものが得られる。
【００２２】実施例４．次に、図１０は請求項３の発明
の一実施例による方法で製造した半導体装置の要部断面
図である。この実施例４では、上記実施例３と同様の方
法で製造した後に、外装樹脂６から露出したバンプ２の
先端面上に追加バンプ２ａを設ける。
の一実施例による方法で製造した半導体装置の要部断面
図である。この実施例４では、上記実施例３と同様の方
法で製造した後に、外装樹脂６から露出したバンプ２の
先端面上に追加バンプ２ａを設ける。
【００２３】上記実施例３では、バンプ２とダム８の半
導体チップ１表面からの高さが等しいため、上側金型９
による押圧時にバンプ２の先端面が損傷を受ける場合が
ある。このため、この実施例４では、外装封止完了後の
工程でバンプ２の先端面上に追加バンプ２ａをかさ上げ
し、清浄な追加バンプ２ａの先端面を接続面としてい
る。この追加工程は、上側金型９の表面が清浄に管理さ
れて製造されるときは必要としないことは言うまでもな
い。
導体チップ１表面からの高さが等しいため、上側金型９
による押圧時にバンプ２の先端面が損傷を受ける場合が
ある。このため、この実施例４では、外装封止完了後の
工程でバンプ２の先端面上に追加バンプ２ａをかさ上げ
し、清浄な追加バンプ２ａの先端面を接続面としてい
る。この追加工程は、上側金型９の表面が清浄に管理さ
れて製造されるときは必要としないことは言うまでもな
い。
【００２４】なお、バンプ２の配置形状や個数は特に限
定されるものではなく、ダム３，８の形状もバンプ２に
応じて決めればよく、上記各実施例に限定されるもので
はない。
定されるものではなく、ダム３，８の形状もバンプ２に
応じて決めればよく、上記各実施例に限定されるもので
はない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明の
半導体装置の製造方法は、半導体チップのバンプの周囲
に連続的なダムを設け、このダムに金型を当接させてモ
ールディングすることにより、バンプが露出するように
半導体チップに外装樹脂を設けるようにしたので、バン
プを埋めることなくバンプ付きの半導体チップの外周部
に外装樹脂を設けることができ、半導体チップの損傷を
防止することができるという効果を奏する。また、バン
プの先端面上に薄バリが発生するのを防止することがで
き、バリ取り作業を不要にできるとともに、バリ取り作
業によりバンプの先端面にダメージを与えるのを防止す
ることができるなどの効果も奏する。
半導体装置の製造方法は、半導体チップのバンプの周囲
に連続的なダムを設け、このダムに金型を当接させてモ
ールディングすることにより、バンプが露出するように
半導体チップに外装樹脂を設けるようにしたので、バン
プを埋めることなくバンプ付きの半導体チップの外周部
に外装樹脂を設けることができ、半導体チップの損傷を
防止することができるという効果を奏する。また、バン
プの先端面上に薄バリが発生するのを防止することがで
き、バリ取り作業を不要にできるとともに、バリ取り作
業によりバンプの先端面にダメージを与えるのを防止す
ることができるなどの効果も奏する。
【００２６】また、請求項２の発明の半導体装置の製造
方法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダムを
設け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディン
グすることにより、バンプの先端面が露出するように半
導体チップに外装樹脂を設けるようにしたので、上記請
求項１の発明と同様の効果に加えて、バンプ先端面を除
いて外装樹脂を設けることができ、半導体チップの損傷
をより確実に防止することができるという効果を奏す
る。
方法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダムを
設け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディン
グすることにより、バンプの先端面が露出するように半
導体チップに外装樹脂を設けるようにしたので、上記請
求項１の発明と同様の効果に加えて、バンプ先端面を除
いて外装樹脂を設けることができ、半導体チップの損傷
をより確実に防止することができるという効果を奏す
る。
【００２７】さらに、請求項３の発明の半導体装置の製
造方法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダム
を設け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディ
ングすることにより、バンプの先端面が露出するように
半導体チップに外装樹脂を設け、この後バンプの先端面
上に追加バンプを設けるようにしたので、上記請求項２
の発明と同様の効果に加えて、モールディング時に金型
によりバンプ先端面が汚染，損傷された場合でも、追加
バンプにより清浄な接続面を得ることができるという効
果を奏する。
造方法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダム
を設け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディ
ングすることにより、バンプの先端面が露出するように
半導体チップに外装樹脂を設け、この後バンプの先端面
上に追加バンプを設けるようにしたので、上記請求項２
の発明と同様の効果に加えて、モールディング時に金型
によりバンプ先端面が汚染，損傷された場合でも、追加
バンプにより清浄な接続面を得ることができるという効
果を奏する。
【図１】請求項１の発明の一実施例による半導体装置の
製造方法を示すモールディング時の断面図である。
製造方法を示すモールディング時の断面図である。
【図２】図１の方法により製造された半導体装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】図２の断面図である。
【図４】請求項１の発明の他の実施例による半導体装置
の製造方法を示すモールディング時の断面図である。
の製造方法を示すモールディング時の断面図である。
【図５】図４の方法により製造された半導体装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図６】図５の断面図である。
【図７】請求項２の発明の一実施例による半導体装置の
製造方法を示すモールディング時の断面図である。
製造方法を示すモールディング時の断面図である。
【図８】図７の方法により製造された半導体装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図９】図７の断面図である。
【図１０】請求項３の発明の一実施例による方法で製造
した半導体装置の要部断面図である。
した半導体装置の要部断面図である。
【図１１】従来の半導体装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ 半導体チップ ２ バンプ ２ａ 追加バンプ ３ ダム ４ 上側金型 ５ 下側金型 ６ 外装樹脂 ７ 上側金型 ８ ダム ９ 上側金型
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年５月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】請求項３の発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダムを設
け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディング
することにより、バンプの先端面が露出するように半導
体チップに外装樹脂を設け、この後バンプの先端面上に
追加バンプを設けるものである。請求項４の発明に係る
半導体装置の製造方法は、金型を用いたモールディング
時に外装樹脂に切欠部を設けるものである。
法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダムを設
け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディング
することにより、バンプの先端面が露出するように半導
体チップに外装樹脂を設け、この後バンプの先端面上に
追加バンプを設けるものである。請求項４の発明に係る
半導体装置の製造方法は、金型を用いたモールディング
時に外装樹脂に切欠部を設けるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】なお、バンプ２の配置形状や個数は特に限
定されるものではなく、ダム３，８の形状もバンプ２に
応じて決めればよく、上記各実施例に限定されるもので
はない。実施例５．次に、請求項４の発明の実施例について説明
する。この実施例５は、上記各実施例のように半導体チ
ップ１に外装樹脂６を設ける際に、その外装樹脂６に図
２，図５及び図８に示すような切欠部６ａを設けるもの
である。この切欠部６ａは、下側金型５に切欠成形部
（図示せず）を予め設けておくことにより、モールディ
ング時に容易に設けることができる。このような切欠部
６ａを設けることにより、半導体チップ１の上下左右を
容易に確認することができ、半導体装置の取り扱いが容
易になる。
定されるものではなく、ダム３，８の形状もバンプ２に
応じて決めればよく、上記各実施例に限定されるもので
はない。実施例５．次に、請求項４の発明の実施例について説明
する。この実施例５は、上記各実施例のように半導体チ
ップ１に外装樹脂６を設ける際に、その外装樹脂６に図
２，図５及び図８に示すような切欠部６ａを設けるもの
である。この切欠部６ａは、下側金型５に切欠成形部
（図示せず）を予め設けておくことにより、モールディ
ング時に容易に設けることができる。このような切欠部
６ａを設けることにより、半導体チップ１の上下左右を
容易に確認することができ、半導体装置の取り扱いが容
易になる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】さらに、請求項３の発明の半導体装置の製
造方法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダム
を設け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディ
ングすることにより、バンプの先端面が露出するように
半導体チップに外装樹脂を設け、この後バンプの先端面
上に追加バンプを設けるようにしたので、上記請求項２
の発明と同様の効果に加えて、モールディング時に金型
によりバンプ先端面が汚染，損傷された場合でも、追加
バンプにより清浄な接続面を得ることができるという効
果を奏する。さらにまた、請求項４の発明の半導体装置
の製造方法は、外装樹脂に切欠部を設けるようにしたの
で、半導体チップの上下左右を容易に確認することがで
き、半導体装置の取り扱いを容易にすることができると
いう効果を奏する。
造方法は、半導体チップのバンプの周囲に断続的なダム
を設け、バンプ及びダムに金型を当接させてモールディ
ングすることにより、バンプの先端面が露出するように
半導体チップに外装樹脂を設け、この後バンプの先端面
上に追加バンプを設けるようにしたので、上記請求項２
の発明と同様の効果に加えて、モールディング時に金型
によりバンプ先端面が汚染，損傷された場合でも、追加
バンプにより清浄な接続面を得ることができるという効
果を奏する。さらにまた、請求項４の発明の半導体装置
の製造方法は、外装樹脂に切欠部を設けるようにしたの
で、半導体チップの上下左右を容易に確認することがで
き、半導体装置の取り扱いを容易にすることができると
いう効果を奏する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １ 半導体チップ ２ バンプ ２ａ 追加バンプ ３ ダム ４ 上側金型 ５ 下側金型 ６ 外装樹脂６ａ 切欠部 ７ 上側金型 ８ ダム ９ 上側金型
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップの表面のバンプの周囲に連
続的なダムを設け、このダムに金型を当接させてモール
ディングすることにより、上記バンプが露出するように
上記半導体チップに外装樹脂を設けることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体チップの表面のバンプの周囲に断
続的なダムを設け、上記バンプ及び上記ダムに金型を当
接させてモールディングすることにより、上記バンプの
先端面が露出するように上記半導体チップに外装樹脂を
設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体チップの表面のバンプの周囲に断
続的なダムを設け、上記バンプ及び上記ダムに金型を当
接させてモールディングすることにより、上記バンプの
先端面が露出するように上記半導体チップに外装樹脂を
設け、この後上記バンプの先端面上に追加バンプを設け
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30859892A JP3159808B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30859892A JP3159808B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163615A true JPH06163615A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3159808B2 JP3159808B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=17982970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30859892A Expired - Fee Related JP3159808B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3159808B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002181909A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | 磁気センサの製造方法 |
| US6492071B1 (en) | 2000-09-26 | 2002-12-10 | International Business Machines Corporation | Wafer scale encapsulation for integrated flip chip and surface mount technology assembly |
| KR100986829B1 (ko) * | 2007-11-07 | 2010-10-12 | 삼성전기주식회사 | 반도체칩 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP30859892A patent/JP3159808B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492071B1 (en) | 2000-09-26 | 2002-12-10 | International Business Machines Corporation | Wafer scale encapsulation for integrated flip chip and surface mount technology assembly |
| JP2002181909A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-26 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | 磁気センサの製造方法 |
| KR100986829B1 (ko) * | 2007-11-07 | 2010-10-12 | 삼성전기주식회사 | 반도체칩 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3159808B2 (ja) | 2001-04-23 |
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