JPH06163766A - 半導体装置用パッケージ - Google Patents
半導体装置用パッケージInfo
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- JPH06163766A JPH06163766A JP4339694A JP33969492A JPH06163766A JP H06163766 A JPH06163766 A JP H06163766A JP 4339694 A JP4339694 A JP 4339694A JP 33969492 A JP33969492 A JP 33969492A JP H06163766 A JPH06163766 A JP H06163766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package body
- package
- heat slug
- molybdenum
- heat
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップが発する熱を放散させるヒート
スラッグをムライトセラミックからなるパッケージ本体
にろう付け接合してそれらを常温まで冷却した際に、パ
ッケージ本体にクラックが生じて、パッケージ本体の気
密性が損なわれるのを防ぐことのできる半導体装置用パ
ッケージを得る。 【構成】 ヒートスラッグ３０に、モリブデンを１０〜
５０重量％含み残りがタングステンの組成のモリブデン
―タングステン合金であって、熱膨張係数がムライトセ
ラミックにほぼ一致するモリブデン―タングステン合金
からなるヒートスラッグを用いる。そして、ヒートスラ
ッグ３０をパッケージ本体１０にろう付け接合してそれ
らを常温まで冷却した際の、ヒートスラッグ３０とパッ
ケージ本体１０との熱収縮率をマッチングさせる。
スラッグをムライトセラミックからなるパッケージ本体
にろう付け接合してそれらを常温まで冷却した際に、パ
ッケージ本体にクラックが生じて、パッケージ本体の気
密性が損なわれるのを防ぐことのできる半導体装置用パ
ッケージを得る。 【構成】 ヒートスラッグ３０に、モリブデンを１０〜
５０重量％含み残りがタングステンの組成のモリブデン
―タングステン合金であって、熱膨張係数がムライトセ
ラミックにほぼ一致するモリブデン―タングステン合金
からなるヒートスラッグを用いる。そして、ヒートスラ
ッグ３０をパッケージ本体１０にろう付け接合してそれ
らを常温まで冷却した際の、ヒートスラッグ３０とパッ
ケージ本体１０との熱収縮率をマッチングさせる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック本体をムラ
イトセラミックで形成した半導体チップを収容する半導
体装置用パッケージに関する。
イトセラミックで形成した半導体チップを収容する半導
体装置用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用パッケージにおいては、そ
れに収容する半導体チップの高周波化に伴って、パッケ
ージ本体をムライトセラミックで形成したパッケージが
多く用いられている。
れに収容する半導体チップの高周波化に伴って、パッケ
ージ本体をムライトセラミックで形成したパッケージが
多く用いられている。
【０００３】その理由は、ムライトセラミックは比誘電
率がアルミナセラミック等に比べて低く、パッケージ本
体をムライトセラミックで形成すれば、そのパッケージ
本体に備えた信号線路を伝わる高周波信号の遅延を抑え
て、その信号線路を高周波信号を迅速に伝えることがで
きるからである。
率がアルミナセラミック等に比べて低く、パッケージ本
体をムライトセラミックで形成すれば、そのパッケージ
本体に備えた信号線路を伝わる高周波信号の遅延を抑え
て、その信号線路を高周波信号を迅速に伝えることがで
きるからである。
【０００４】ところで、アルミナセラミックの熱伝導率
は１４〜２４Ｗ／ｍ・Ｋであるのに対して、ムライトセ
ラミックの熱伝導率は７Ｗ／ｍ・Ｋである。即ち、ムラ
イトセラミックの熱伝導率は、アルミナセラミックの熱
伝導率に比べて１／２以下と低い。
は１４〜２４Ｗ／ｍ・Ｋであるのに対して、ムライトセ
ラミックの熱伝導率は７Ｗ／ｍ・Ｋである。即ち、ムラ
イトセラミックの熱伝導率は、アルミナセラミックの熱
伝導率に比べて１／２以下と低い。
【０００５】そのため、パッケージ本体を熱伝導率の低
いムライトセラミックで形成した半導体装置用パッケー
ジにおいては、従来、そのパッケージ本体に高熱伝導性
の銅―タングステン合金、銅―モリブデン合金又はモリ
ブデンからなるヒートスラッグをろう付け接合して、そ
のヒートスラッグを通してパッケージ本体に収容した半
導体チップが発する熱をパッケージ外部に効率良く放散
させることができるようにしている。
いムライトセラミックで形成した半導体装置用パッケー
ジにおいては、従来、そのパッケージ本体に高熱伝導性
の銅―タングステン合金、銅―モリブデン合金又はモリ
ブデンからなるヒートスラッグをろう付け接合して、そ
のヒートスラッグを通してパッケージ本体に収容した半
導体チップが発する熱をパッケージ外部に効率良く放散
させることができるようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記半
導体装置用パッケージにおいては、そのムライトセラミ
ックからなるパッケージ本体に銅―タングステン合金、
銅―モリブデン合金又はモリブデンからなるヒートスラ
ッグをろう付け接合してそれらを常温まで冷却した際
に、パッケージ本体にクラックが生じて、半導体チップ
を収容するパッケージ本体の気密性が損なわれてしまっ
た。
導体装置用パッケージにおいては、そのムライトセラミ
ックからなるパッケージ本体に銅―タングステン合金、
銅―モリブデン合金又はモリブデンからなるヒートスラ
ッグをろう付け接合してそれらを常温まで冷却した際
に、パッケージ本体にクラックが生じて、半導体チップ
を収容するパッケージ本体の気密性が損なわれてしまっ
た。
【０００７】これは、次の理由による。ムライトセラミ
ックの常温からろう材の溶融温度に当たる８００℃前後
までの平均的な熱膨張係数は５．０〜５．３×１０-6／
℃であり、銅―タングステン合金、銅―モリブデン合金
の常温からろう材の溶融温度に当たる８００℃前後まで
の平均的な熱膨張係数は６．５〜８．０×１０-6／℃で
あり、モリブデンの常温からろう材の溶融温度に当たる
８００℃前後までの平均的な熱膨張係数は５．９×１０
-6／℃である。即ち、銅―タングステン合金、銅―モリ
ブデン合金又はモリブデンの熱膨張係数は、ムライトセ
ラミックに比べて大きい。そのため、銅―タングステン
合金、銅―モリブデン合金又はモリブデンからなるヒー
トスラッグを８００℃前後に加熱した高温炉内等に入れ
て銀ろう等のろう材を用いてムライトセラミックからな
るパッケージ本体にろう付け接合してそれらを常温まで
冷却した際に、両者の熱収縮率の差に基づき、ヒートス
ラッグからパッケージ本体に過大な応力が加わるからで
ある。
ックの常温からろう材の溶融温度に当たる８００℃前後
までの平均的な熱膨張係数は５．０〜５．３×１０-6／
℃であり、銅―タングステン合金、銅―モリブデン合金
の常温からろう材の溶融温度に当たる８００℃前後まで
の平均的な熱膨張係数は６．５〜８．０×１０-6／℃で
あり、モリブデンの常温からろう材の溶融温度に当たる
８００℃前後までの平均的な熱膨張係数は５．９×１０
-6／℃である。即ち、銅―タングステン合金、銅―モリ
ブデン合金又はモリブデンの熱膨張係数は、ムライトセ
ラミックに比べて大きい。そのため、銅―タングステン
合金、銅―モリブデン合金又はモリブデンからなるヒー
トスラッグを８００℃前後に加熱した高温炉内等に入れ
て銀ろう等のろう材を用いてムライトセラミックからな
るパッケージ本体にろう付け接合してそれらを常温まで
冷却した際に、両者の熱収縮率の差に基づき、ヒートス
ラッグからパッケージ本体に過大な応力が加わるからで
ある。
【０００８】なお、特開平４―７２６３９号公報には、
ムライトセラミックからなるパッケージ本体に高熱伝導
性のタングステンからなるヒートスラッグをろう付け接
合してなるパッケージが記載されている。
ムライトセラミックからなるパッケージ本体に高熱伝導
性のタングステンからなるヒートスラッグをろう付け接
合してなるパッケージが記載されている。
【０００９】タングステンの常温からろう材の溶融温度
に当たる８００℃前後までの平均的な熱膨張係数は４．
７×１０-6／℃であって、前述のムライトセラミックの
熱膨張係数の５．０〜５．３×１０-6／℃にほぼ近似し
ている。
に当たる８００℃前後までの平均的な熱膨張係数は４．
７×１０-6／℃であって、前述のムライトセラミックの
熱膨張係数の５．０〜５．３×１０-6／℃にほぼ近似し
ている。
【００１０】そのため、上記特開平４―７２６３９号公
報記載のパッケージにおいては、そのタングステンから
なるヒートスラッグをパッケージ本体にろう付け接合し
てそれらを常温まで冷却した際に、ヒートスラッグの熱
収縮率をパッケージ本体の熱収縮率に近づけて、ヒート
スラッグからパッケージ本体に加わる両者の熱収縮率の
差に基づく応力を少なく抑えることができる。
報記載のパッケージにおいては、そのタングステンから
なるヒートスラッグをパッケージ本体にろう付け接合し
てそれらを常温まで冷却した際に、ヒートスラッグの熱
収縮率をパッケージ本体の熱収縮率に近づけて、ヒート
スラッグからパッケージ本体に加わる両者の熱収縮率の
差に基づく応力を少なく抑えることができる。
【００１１】しかしながら、近時の高集積化した半導体
チップを収容するパッケージは、益々大型化していて、
そのような大型化したパッケージにおいては、その大型
化したムライトセラミックからなるパッケージ本体にタ
ングステンからなる大型化したヒートスラッグをろう付
け接合してそれらを常温まで冷却した際に、それらを形
成しているムライトセラミック自体とタングステン自体
の熱膨張係数の差がさほど大きくなくとも、ヒートスラ
ッグからパッケージ本体に加わる応力が大きなものとな
って、パッケージ本体にクラックが生じてしまった。
チップを収容するパッケージは、益々大型化していて、
そのような大型化したパッケージにおいては、その大型
化したムライトセラミックからなるパッケージ本体にタ
ングステンからなる大型化したヒートスラッグをろう付
け接合してそれらを常温まで冷却した際に、それらを形
成しているムライトセラミック自体とタングステン自体
の熱膨張係数の差がさほど大きくなくとも、ヒートスラ
ッグからパッケージ本体に加わる応力が大きなものとな
って、パッケージ本体にクラックが生じてしまった。
【００１２】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、大型化等したヒートスラッグをムライトセラ
ミックからなる大型化等したパッケージ本体にろう付け
接合してそれらを常温まで冷却した際に、パッケージ本
体にクラックが生じてパッケージ本体の気密性が損なわ
れるのを防ぐことのできる半導体装置用パッケージ（以
下、パッケージという）を提供することを目的としてい
る。
たもので、大型化等したヒートスラッグをムライトセラ
ミックからなる大型化等したパッケージ本体にろう付け
接合してそれらを常温まで冷却した際に、パッケージ本
体にクラックが生じてパッケージ本体の気密性が損なわ
れるのを防ぐことのできる半導体装置用パッケージ（以
下、パッケージという）を提供することを目的としてい
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のパッケージは、ムライトセラミックからな
るパッケージ本体に半導体チップが発する熱を放散させ
るヒートスラッグをろう付け接合した半導体装置用パッ
ケージにおいて、前記ヒートスラッグにモリブデンを１
０〜５０重量％含み残りがタングステンの組成のモリブ
デン―タングステン合金からなるヒートスラッグを用い
たことを特徴としている。
に、本発明のパッケージは、ムライトセラミックからな
るパッケージ本体に半導体チップが発する熱を放散させ
るヒートスラッグをろう付け接合した半導体装置用パッ
ケージにおいて、前記ヒートスラッグにモリブデンを１
０〜５０重量％含み残りがタングステンの組成のモリブ
デン―タングステン合金からなるヒートスラッグを用い
たことを特徴としている。
【００１４】
【作用】例えばモリブデンを３０重量％含み残りがタン
グステンの組成のモリブデン―タングステン合金の常温
からろう材の溶融温度に当たる８００℃前後までの平均
的な熱膨張係数は、５．２×１０-6／℃である。このモ
リブデン―タングステン合金の熱膨張係数は、ムライト
セラミックの常温からろう材の溶融温度に当たる８００
℃前後までの平均的な熱膨張係数の前述５．０〜５．３
×１０-6／℃にほぼ一致する。
グステンの組成のモリブデン―タングステン合金の常温
からろう材の溶融温度に当たる８００℃前後までの平均
的な熱膨張係数は、５．２×１０-6／℃である。このモ
リブデン―タングステン合金の熱膨張係数は、ムライト
セラミックの常温からろう材の溶融温度に当たる８００
℃前後までの平均的な熱膨張係数の前述５．０〜５．３
×１０-6／℃にほぼ一致する。
【００１５】上記構成のパッケージにおいては、モリブ
デンを１０〜５０重量％含み残りがタングステンの組成
のモリブデン―タングステン合金からなるヒートスラッ
グをムライトセラミックからなるパッケージ本体にろう
付け接合していて、ヒートスラッグとパッケージ本体と
を共に８００℃前後に加熱した高温炉内等に入れてヒー
トスラッグをパッケージ本体にろう付け接合してそれら
を常温まで冷却した際の、ヒートスラッグとパッケージ
本体との熱収縮率をマッチングさせている。
デンを１０〜５０重量％含み残りがタングステンの組成
のモリブデン―タングステン合金からなるヒートスラッ
グをムライトセラミックからなるパッケージ本体にろう
付け接合していて、ヒートスラッグとパッケージ本体と
を共に８００℃前後に加熱した高温炉内等に入れてヒー
トスラッグをパッケージ本体にろう付け接合してそれら
を常温まで冷却した際の、ヒートスラッグとパッケージ
本体との熱収縮率をマッチングさせている。
【００１６】そのため、ヒートスラッグをパッケージ本
体にろう付け接合して常温まで冷却した際に、それらの
ヒートスラッグやパッケージ本体が大型化したものであ
っても、両者の熱収縮率の差に基づき、ヒートスラッグ
からパッケージ本体に過大な応力が加わって、パッケー
ジ本体にクラックが生ずるのを防止できる。
体にろう付け接合して常温まで冷却した際に、それらの
ヒートスラッグやパッケージ本体が大型化したものであ
っても、両者の熱収縮率の差に基づき、ヒートスラッグ
からパッケージ本体に過大な応力が加わって、パッケー
ジ本体にクラックが生ずるのを防止できる。
【００１７】また、上記構成のパッケージにおいては、
ヒートスラッグに高熱伝導性の金属からなるモリブデン
―タングステン合金を用いているので、そのモリブデン
―タングステン合金を通してパッケージ本体に収容した
半導体チップが発する熱をパッケージ外部に効率良く放
散させることができる。
ヒートスラッグに高熱伝導性の金属からなるモリブデン
―タングステン合金を用いているので、そのモリブデン
―タングステン合金を通してパッケージ本体に収容した
半導体チップが発する熱をパッケージ外部に効率良く放
散させることができる。
【００１８】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図１又は図２は本発明のパッケージの好適な実施例
を示し、詳しくはその正面断面図を示している。以下
に、このパッケージを説明する。
る。図１又は図２は本発明のパッケージの好適な実施例
を示し、詳しくはその正面断面図を示している。以下
に、このパッケージを説明する。
【００１９】図１のパッケージにおいては、ムライトセ
ラミックからなるパッケージ本体１０中央に半導体チッ
プ５０を収容するキャビティ２０をパッケージ本体１０
を貫通して形成している。
ラミックからなるパッケージ本体１０中央に半導体チッ
プ５０を収容するキャビティ２０をパッケージ本体１０
を貫通して形成している。
【００２０】キャビティ２０周囲のパッケージ本体１０
上面には、キャビティ２０の開口部を覆うキャップ（図
示せず）封着用のメタライズ層６０を帯状に備えてい
る。
上面には、キャビティ２０の開口部を覆うキャップ（図
示せず）封着用のメタライズ層６０を帯状に備えてい
る。
【００２１】パッケージ本体１０底面には、モリブデン
を１０〜５０重量％含み残りがタングステンの組成のモ
リブデン―タングステン合金であって、ムライトセラミ
ックと熱膨張係数がほぼ一致する高熱伝導性のモリブデ
ン―タングステン合金からなるヒートスラッグ３０をろ
う付け接合している。具体的には、上記組成のモリブデ
ン―タングステン合金のうちの所定の組成のモリブデン
―タングステン合金からなるヒートスラッグ３０であっ
て、パッケージ本体１０を形成している所定の組成のム
ライトセラミックの熱膨張係数にほぼ一致する熱膨張係
数を持つモリブデン―タングステン合金からなるヒート
スラッグ３０を、パッケージ本体１０底面にろう付け接
合している。そして、ヒートスラッグ３０をパッケージ
本体１０底面にろう付け接合してそれらを常温まで冷却
した際の、両者の熱収縮率をマッチングさせて、ヒート
スラッグ３０からパッケージ本体１０に過大な応力が加
わるのを防いでいる。ヒートスラッグ３０は、その表面
とパッケージ本体１０底面に備えたメタライズ層１２表
面とにろう材に濡れやすいニッケルめっき等のめっきを
それぞれ施した後、パッケージ本体１０底面のメタライ
ズ層１２に銀ろう等のろう材を用いて接合している。そ
して、パッケージ本体１０に開口したキャビティ２０底
面をヒートスラッグ３０で気密に封じていて、ヒートス
ラッグ３０上面が半導体チップ５０の搭載面を形成して
いる。そして、キャビティ２０内のヒートスラッグ３０
上面に搭載した半導体チップ５０が発する熱をヒートス
ラッグ３０を通してパッケージ外部に効率良く放散させ
ることができるようにしている。
を１０〜５０重量％含み残りがタングステンの組成のモ
リブデン―タングステン合金であって、ムライトセラミ
ックと熱膨張係数がほぼ一致する高熱伝導性のモリブデ
ン―タングステン合金からなるヒートスラッグ３０をろ
う付け接合している。具体的には、上記組成のモリブデ
ン―タングステン合金のうちの所定の組成のモリブデン
―タングステン合金からなるヒートスラッグ３０であっ
て、パッケージ本体１０を形成している所定の組成のム
ライトセラミックの熱膨張係数にほぼ一致する熱膨張係
数を持つモリブデン―タングステン合金からなるヒート
スラッグ３０を、パッケージ本体１０底面にろう付け接
合している。そして、ヒートスラッグ３０をパッケージ
本体１０底面にろう付け接合してそれらを常温まで冷却
した際の、両者の熱収縮率をマッチングさせて、ヒート
スラッグ３０からパッケージ本体１０に過大な応力が加
わるのを防いでいる。ヒートスラッグ３０は、その表面
とパッケージ本体１０底面に備えたメタライズ層１２表
面とにろう材に濡れやすいニッケルめっき等のめっきを
それぞれ施した後、パッケージ本体１０底面のメタライ
ズ層１２に銀ろう等のろう材を用いて接合している。そ
して、パッケージ本体１０に開口したキャビティ２０底
面をヒートスラッグ３０で気密に封じていて、ヒートス
ラッグ３０上面が半導体チップ５０の搭載面を形成して
いる。そして、キャビティ２０内のヒートスラッグ３０
上面に搭載した半導体チップ５０が発する熱をヒートス
ラッグ３０を通してパッケージ外部に効率良く放散させ
ることができるようにしている。
【００２２】図２のパッケージにおいては、ムライトセ
ラミックからなるパッケージ本体１００中央に半導体チ
ップ５０を収容する有底のキャビティ２００を開口して
いる。
ラミックからなるパッケージ本体１００中央に半導体チ
ップ５０を収容する有底のキャビティ２００を開口して
いる。
【００２３】キャビティ２００周囲のパッケージ本体１
００上面には、キャビティ２００の開口部を覆うキャッ
プ（図示せず）封着用のメタライズ層６００を帯状に備
えている。
００上面には、キャビティ２００の開口部を覆うキャッ
プ（図示せず）封着用のメタライズ層６００を帯状に備
えている。
【００２４】キャビティ２００下方に位置するパッケー
ジ本体１００底面には、モリブデンを１０〜５０重量％
含み残りがタングステンの組成のモリブデン―タングス
テン合金であって、ムライトセラミックと熱膨張係数が
ほぼ一致するモリブデン―タングステン合金からなる高
熱伝導性のヒートスラッグ３００をろう付け接合してい
る。具体的には、上記組成のモリブデン―タングステン
合金のうちの所定の組成のモリブデン―タングステン合
金からなるヒートスラッグ３０であって、パッケージ本
体１００を形成している所定の組成のムライトセラミッ
クの熱膨張係数にほぼ一致する熱膨張係数を持つモリブ
デン―タングステン合金からなるヒートスラッグ３００
を、パッケージ本体１００底面にろう付け接合してい
る。そして、ヒートスラッグ３００をパッケージ本体１
００底面にろう付け接合してそれらを常温まで冷却した
際の、両者の熱収縮率をマッチングさせて、ヒートスラ
ッグ３００からパッケージ本体１００に過大な応力が加
わるのを防いでいる。ヒートスラッグ３００は、その表
面とパッケージ本体１００底面に備えたメタライズ層１
２０表面とにろう材に濡れやすいニッケルめっき等のめ
っきをそれぞれ施した後、パッケージ本体１００底面の
メタライズ層１２０に銀ろう等のろう材を用いて接合し
ている。そして、キャビティ２００内に収容した半導体
チップ５０が発する熱をキャビティ２００底壁を形成し
ているムライトセラミックからなるパッケージ本体部分
１００ａ及びヒートスラッグ３００を通してパッケージ
外部に効率良く放散させることができるようにしてい
る。
ジ本体１００底面には、モリブデンを１０〜５０重量％
含み残りがタングステンの組成のモリブデン―タングス
テン合金であって、ムライトセラミックと熱膨張係数が
ほぼ一致するモリブデン―タングステン合金からなる高
熱伝導性のヒートスラッグ３００をろう付け接合してい
る。具体的には、上記組成のモリブデン―タングステン
合金のうちの所定の組成のモリブデン―タングステン合
金からなるヒートスラッグ３０であって、パッケージ本
体１００を形成している所定の組成のムライトセラミッ
クの熱膨張係数にほぼ一致する熱膨張係数を持つモリブ
デン―タングステン合金からなるヒートスラッグ３００
を、パッケージ本体１００底面にろう付け接合してい
る。そして、ヒートスラッグ３００をパッケージ本体１
００底面にろう付け接合してそれらを常温まで冷却した
際の、両者の熱収縮率をマッチングさせて、ヒートスラ
ッグ３００からパッケージ本体１００に過大な応力が加
わるのを防いでいる。ヒートスラッグ３００は、その表
面とパッケージ本体１００底面に備えたメタライズ層１
２０表面とにろう材に濡れやすいニッケルめっき等のめ
っきをそれぞれ施した後、パッケージ本体１００底面の
メタライズ層１２０に銀ろう等のろう材を用いて接合し
ている。そして、キャビティ２００内に収容した半導体
チップ５０が発する熱をキャビティ２００底壁を形成し
ているムライトセラミックからなるパッケージ本体部分
１００ａ及びヒートスラッグ３００を通してパッケージ
外部に効率良く放散させることができるようにしてい
る。
【００２５】なお、図１又は図２では、パッケージ本体
１０又は１００上面に線状のリード４０を複数本格子状
に起立させて並べて備えたＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙ）タイプのパッケージを示しているが、本発
明は、ムライトセラミックからなるパッケージ本体周囲
の四方又は二方にリードをそれぞれ延出してなるＱＦＰ
（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）又はＤＩＰ
（Ｄｕａｌ Ｉｎ―ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）にも利
用可能である。
１０又は１００上面に線状のリード４０を複数本格子状
に起立させて並べて備えたＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙ）タイプのパッケージを示しているが、本発
明は、ムライトセラミックからなるパッケージ本体周囲
の四方又は二方にリードをそれぞれ延出してなるＱＦＰ
（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）又はＤＩＰ
（Ｄｕａｌ Ｉｎ―ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）にも利
用可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパッケー
ジによれば、ムライトセラミックからなるパッケージ本
体にヒートスラッグをろう付け接合してそれらを常温ま
で冷却した際に、ヒートスラッグからパッケージ本体に
過大な応力が加わって、パッケージ本体にクラックが生
じ、半導体チップを収容するパッケージ本体の気密性が
損なわれるのを的確に防止できる。
ジによれば、ムライトセラミックからなるパッケージ本
体にヒートスラッグをろう付け接合してそれらを常温ま
で冷却した際に、ヒートスラッグからパッケージ本体に
過大な応力が加わって、パッケージ本体にクラックが生
じ、半導体チップを収容するパッケージ本体の気密性が
損なわれるのを的確に防止できる。
【００２７】また、高熱伝導性のモリブデン―タングス
テン合金からなるヒートスラッグを通してパッケージ本
体に収容した半導体チップが発する熱をパッケージ外部
に効率良く放散させることができる。
テン合金からなるヒートスラッグを通してパッケージ本
体に収容した半導体チップが発する熱をパッケージ外部
に効率良く放散させることができる。
【図１】本発明のパッケージの正面断面図である。
【図２】本発明のパッケージの正面断面図である。
１０、１００ パッケージ本体 ２０、２００ キャビティ ３０、３００ ヒートスラッグ ４０ リード ５０ 半導体チップ
Claims (1)
- 【請求項１】 ムライトセラミックからなるパッケージ
本体に半導体チップが発する熱を放散させるヒートスラ
ッグをろう付け接合した半導体装置用パッケージにおい
て、前記ヒートスラッグにモリブデンを１０〜５０重量
％含み残りがタングステンの組成のモリブデン―タング
ステン合金からなるヒートスラッグを用いたことを特徴
とする半導体装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4339694A JPH06163766A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体装置用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4339694A JPH06163766A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体装置用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163766A true JPH06163766A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18329916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4339694A Pending JPH06163766A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体装置用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163766A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798566A (en) * | 1996-01-11 | 1998-08-25 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic IC package base and ceramic cover |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP4339694A patent/JPH06163766A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798566A (en) * | 1996-01-11 | 1998-08-25 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic IC package base and ceramic cover |
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