JPH0616480B2

JPH0616480B2 - 縮小投影式アライメント方法およびその装置

Info

Publication number: JPH0616480B2
Application number: JP60118969A
Authority: JP
Inventors: 俊彦中田; 良忠押田; 正孝芝
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1985-06-03
Filing date: 1985-06-03
Publication date: 1994-03-02
Anticipated expiration: 2009-03-02
Also published as: JPS61278135A; US4777374A

Description

【発明の詳細な説明】（発明の利用分野）本発明は、マスクに形成された回路パターンをレジスト
が塗布された被露光基板上に縮小投影露光する縮小投影
レンズを通して被露光基板上に形成された直線状アライ
メントパターンを検出して前記マスクに対して前記被露
光基板をアライメントする縮小投影式アライメント方法
およびその装置に関するものである。

（発明の背景）縮小投影露光装置は一般に第10図に示すように、レチク
ル１上の回路パターン４と、ウエハステージ７上のウエ
ハ３とを離間して配置するとともに、その間に縮小投影
レンズ２を配置し、上記レチクル１上の回路パターン４
の上方位置にコンデンサレンズ18を配置したもので、露
光光源（図示せず）からの露光光をコンデンサレンズ18
を介して回路パターン４に照射し、該回路パターン４を
縮小投影レンズ２の入射瞳19を介してウエハ３のチップ
51，52，53等に繰り返し順次縮小投影露光転写する。こ
のさい、上記回路パターン４は上記各チップ51，52，53
等と正確に位置合せすることが必要であるが、この位置
合せは、例えば、チップ51に関しては、ウエハ３上にあ
らかじめ形成されているウエハターゲットパターン91，
92と、レチクル１上にあらかじめ形成されているレチク
ル基準パターン（窓パターン）81，82とを縮小投影レン
ズ２を通じて正確に位置合せする方式いわゆるＴＴＬ
（Ｔhrough Ｔhe Ｌens）アライメント方式が実施さ
れている。而して、従来の上記縮小投影露光装置12にお
いては、同図に示す如く、上記ウエハターゲットパター
ン照明光10は、ハーフミラー11、レチクル基準パターン
（窓パターン）81を介して縮小投影レンズ２の入射瞳19
の中心に入射してウエハターゲットパターン91を照明
し、該ウエハターゲットパターン91からの反射光が再び
縮小投影レンズ２を介してレチクル基準パターン（窓パ
ターン）81上に拡大結像される。そして、上記両パター
ン81，91が拡大レンズ12ａにより可動スリット13上に投
影され、その光強度分布が可動スリット13を走査するこ
とにより、リレーレンズ14を介してホトマル15から１次
元信号10ａが前処理回路16に出力され、ここでＡＤ変換
されたのち、計算機17に送られてレチクル基準パターン
81およびウエハターゲットパターン91の各々の中心位置
が求められ、両パターン81，91の中心位置の差によりア
ライメント量が求められて、このアライメント量に応じ
てウエハステージ７がｘ方向に駆動制御される。また上
記においてはウエハステージ７のｙ方向の駆動制御につ
いても上記ｘ方向の駆動制御と同様な方法によって行う
ことができ、レチクル基準パターン82およびウエハター
ゲットパターン92はそのために設けられている。なお、
この種の装置に関連するものは従来たとえば特開昭53−
144270号および特開昭54−99374 号等がある。

然るに、従来のアライメント方式においては、つぎに述
べるような課題を有していた。

一般に縮小投影レンズはｇ線等の単色光に対してのみ結
像特性が最良になるように設計されているため、ウエハ
ターゲットパターン照明光にも可能な限り単色光に近い
スペクトル幅の狭い光やレーザ光を使用する必要があ
る。

然るに、スペクトル幅の狭い光を使用すると、第11図
(a)および(b)に示すように基材30上にウエハターゲット
パターン91を有するパターン31を設け、このパターン31
上にレジスト32を設けた場合、ウエハターゲットパター
ン照明光10が上記レジスト32に入射したとき、パターン
31上を反射回析する光20ａとウエハターゲットパターン
91内を反射回析する光20ｂとの間に位相差を生じるの
で、これら位相差の異なる反射回析光20ａ，20ｂによっ
てけ多重干渉を発生する。とくに通常のパターンエッジ
部のように、レジスト32の膜厚が急峻な変化をするもの
においては、第11図(b)にＣにて示す如く、幅の狭い多
重干渉縞を発生する。そのため、上記多重干渉強度が細
かく変動して第11図(c)に示す如く、上記ホトマル15か
ら前処理回路16に出力される１次元信号10ａにノイズと
なって現われる。上記多重干渉強度と、上記レジスト32
の膜厚との関係は第12図に示す如く、今レジスト32への
光の入射角度が０のとき、即ち光がレジスト32に向って
垂直に入射されるとき（実線にて示す）と、レジスト32
への光の入射角度が20゜のとき（破線にて示す）とで
は、多重干渉強度曲線が左右にシフトする。

また第13図(a)は第10図において、上記入射瞳19の中心
に入射したウエハターゲットパターン照明光10がウエハ
ターゲットパターン91を照明する状態を示す拡大斜視図
である。同図に示す如く、従来のウエハターゲットパタ
ーン照明光10は、入射瞳19に対して均一な光量で入射し
ているが、垂直入射（α＝０゜）に相当する領域101 に
比較して、傾斜角度αが20゜で入射（縮小投影レンズＮ
Ａ＝0.38）する領域102 の方が面積が大きい。すなわ
ち、エネルギー的に大きいため、レジスト32の膜厚と、
多重干渉強度との関係は、第12図に示す如く、波線に近
い状態を示す。一方第13図(b)に示すように、上記垂直
入射に相当する領域101 からの光103 に対するウエハタ
ーゲットパターン照明光10の反射回析光21は、その大半
が縮小投影レンズ２の入射瞳19に入射する。然るに第13
図(c)に示すように、傾斜して入射する領域102 からの
光104 に対するウエハターゲットパターン91からの反射
回析光22は、その半分近くの高周波成分（斜線部）が、
上記縮小投影レンズ２の外枠２ａでけられて、入射瞳19
に入射することができない。そのため、ウエハターゲッ
トパターン91の検出信号10ａは第13図(e)に示すよう
に、垂直入射のとき（第13図(d)）に比較して、パター
ンエッジ部がなまって、検出信号10ａのコントラストが
低下し、アライメント精度の低下を招いている。

（発明の目的）本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決すべく、レ
ジストの塗布むらの影響を受けにくくしてしかも被露光
基板上に形成された直線状アライメントパターンの長手
方向とほぼ直交する検出方向からの反射回折光の高周波
成分を損なうことなくコントラストの高いアライメント
パターン検出信号を得て、被露光基板の高精度のアライ
メントを実現するようにした縮小投影式アライメント方
法およびその装置を提供することにある。

（発明の概要）マスクに形成された回路パターンをレジストが塗布され
た被露光基板上に縮小投影露光する縮小投影レンズを通
して被露光基板上に形成された直線状アライメントパタ
ーンを検出して前記マスクに対して前記被露光基板をア
ライメントする縮小投影式アライメント方法において、
光源から照射されるインコヒーレントの光束を、照明光
学系により被露光基板上の直線状アライメントパターン
の長手方向とほぼ直交する検出方向には該直線状アライ
メントパターンの検出方向における反射回折光の高周波
成分を多く前記縮小投影レンズに入射せしめるべく細帯
状にして空間的コヒーレンスを高めて指向性を有する並
行光束にすると共に該長手方向には集光させて空間的コ
ヒーレンスを低くして異なる複数の照射角度を有する集
光光束にした照明光に変換して前記縮小投影レンズを通
してレジストが塗布されて層構造を形成した前記直線状
アライメントパターンへ照射し、該照射された照明光に
よって前記直線状アライメントパターンから得られる反
射回折光について前記縮小投影レンズを通して結像光学
系で結像させて光電変換手段で受光して合成された信号
を検出し、該検出された信号により前記直線状アライメ
ントパターンの検出方向の位置を検出することを特徴と
する縮小投影式アライメント方法である。また、本発明
は、マスクに形成された回路パターンをレジストが塗布
された被露光基板上に縮小投影露光する縮小投影レンズ
を通して被露光基板上に形成された直線状アライメント
パターンを検出して前記マスクに対して前記被露光基板
をアライメントする縮小投影式アライメント装置におい
て、インコヒーレントの光束を照射する光源と、該光源
から照射されるインコヒーレントの光束を、被露光基板
上の直線状アライメントパターンの長手方向とほぼ直交
する検出方向には該直線状アライメントパターンの検出
方向における反射回折光の高周波成分を多く前記縮小投
影レンズに入射せしめるべく細帯状にして空間的コヒー
レンスを高めて指向性を有する平行光束にすると共に該
長手方向には集光させて空間的コヒーレンスを低くして
異なる複数の照射角度を有する集光光束にした照明光に
変換して前記縮小投影レンズを通してレジストが塗布さ
れて層構造を形成した前記直線状アライメントパターン
へ照射する照明光学系と、該照明光学系で照射された前
記直線状アライメントパターンから得られる反射回折光
について前記縮小投影レンズを通して結像光学系で結像
させて光電変換手段で受光して合成された信号を検出す
る検出光学系とを備え、該検出光学系で検出された信号
により前記直線状アライメントパターンの検出方向の位
置を検出するように構成したことを特徴とする縮小投影
式アライメント装置である。更に、本発明は、前記照明
光学系は、細帯状にして平行光束にする光学素子と前記
直線状アライメントパターンの長手方向に集光する集光
光学系とを有することを特徴とする。

（発明の実施例）以下、本発明の実施例を示す第１図乃至第９図について
説明する。第１図は本発明の一実施例を示すウエハター
ゲットパターン検出装置の斜視図、第２図(a)はその縮
小レンズの入射瞳における照明光とその反射回析光の広
がりを示す平面図、第２図(b)は、従来の縮小レンズの
入射瞳における照明光とその反射回析光の広がりを示す
平面図、第３図は本発明におけるウエハターゲットパタ
ーンに入射する照明光を示す斜視図、第４図(a)は本発
明におけるウエハターゲットパターンの検出信号波形を
示す図、(b)は従来のウエハターゲットパターンの検出
信号波形を示す図、第５図は本発明におけるレジスト膜
厚と、多重干渉強度との関係を示す図、第６図(a)〜(d)
は、レジスト膜厚の変動の影響の低減を示す図である。
なお上記図において、従来と同一構成のものは第10図乃
至第13図と同一符号をもって示す。

第１図に示すようにｇ線，ｄ線等の光28は集光レンズ23
を介してｙ方向（ウエハ３上に対し）に細長いストライ
プパターン形状のスリット24に入射したとき、このスリ
ット24から出射した光は、さらにシリンドリカルレンズ
25によりｘ方向（ウエハ３上に対し）に絞り込んで、ビ
ームスプリッタ26、ハーフミラー27およびレチクル基準
パターン（窓パターン）81を介して縮小投影レンズ２の
入射瞳19に入射する。なお上記光28は図示していない
が、水銀ランプ等の白色源から干渉フィルタにより選択
されている。ついで上記入射瞳19から出射した光28が、
ウエハターゲットパターン91を照射し、ウエハターゲッ
トパターン91からの反射回析光33が再び縮小投影レンズ
２を介してレチクル基準パターン（窓パターン）81上に
拡大結像する。ただし、上記ウエハターゲットパターン
照明光28として露光波長であるｇ線以外の光を使用した
場合には、上記縮小投影レンズ２の色収差によりウエハ
ターゲットパターン91の結像位置がレチクル１上から外
部にはずれた位置になるため、レチクル基準パターン
（窓パターン）81は別の光学系にて検出する必要がある
が、ここでは説明を省略する。

然る後、上記両パターン81，91が拡大レンズ12ａにより
可動スリット13上に結像し、可動スリット13を走査させ
ることによって、リレーレンズ14を介してホトマル15か
ら検出信号10ａが出力され、以下第10図に示すものと同
様にしてアライメント量を求め、ウエハステージをｘ方
向に駆動制御させる。上記ウエハステージ７のｙ方向へ
の駆動制御についても第10図と同様に行なうことにより
ウエハステージ７をｙ方向に駆動制御させることができ
る。而して、本発明においては、ウエハターゲットパタ
ーン照明光28はスリット24およびシリンドリカルレンズ
25によりｘ方向に絞り込まれ、入射瞳19では、ウエハタ
ーゲットパターン91の位置検出方向と直交する方向（ｙ
方向）に十分長いストライプパターンになるように形成
されているので、第３図に示す如く、ウエハターゲット
パターン91に入射する光28は、パターン位置検出方向
（ｘ方向）では、略平行状態を保持している。そのた
め、この方向（ｘ方向）では空間的コヒーレンスが高く
なっている。これに対してパターン位置検出方向（ｘ方
向）と直交する方向（ｙ方向）では、多数の角度から光
束 281〜 285が入射するので、空間的コヒーレンスは低
くなっている。したがって、ウエハターゲットパターン
91に入射する光束281 〜285 は丁度前記第17図(a)にお
ける、ウエハターゲットパターン照明光10が傾斜してウ
エハターゲットパターン91に入射する領域102 をパター
ン位置検出方向と直交する方向（ｙ方向）にそって切断
したときと全く等しくなる。その結果、第２図に実線で
示すように、ウエハターゲットパターン91からの反射回
析光33は上記ウエハターゲットパターン91の長手方向
（ｙ方向）と、直交する方向（ｘ方向）に広がった光束
331〜 335になる。しかしながら、上記光束 331〜 335
の大半が入射瞳19の範囲内にて入射するため、上記反射
回析光33の高周波成分はそのまゝ保持される。これに対
して従来のものにおいては、第２図(b)に示す如く、入
射光束281,283 に対応する反射回析光331,335 の１部
（斜線部分）とくに高周波成分が上記入射瞳19の範囲内
に入射することができない。そのため第４図(a)に示す
如く、本発明における検出信号強度は同図(b)に示す従
来のものと比較して高周波成分の損失が少なく、信号コ
ントラストが高くなる。さらに第３図に示すように、本
発明においてはパターン位置検出方向と直交する方向
（ｙ方向）にそって種々の角度から入射する光束 281〜
285は全てエネルギー的に等しいから、ウエハターゲッ
トパターン91からの反射回析光331〜 335は、種々な入
射角度θ_０〜θ_ｎにおけるレジスト32内での多重干渉が
重畳されたものになる。

したがって、レジスト膜厚と、多重干渉強度との関係
は、第12図において、入射角度０゜〜20゜（縮小投影レ
ンズＮＡ＝0.38の場合）まで変化させた時の各角度に応
じた曲線の加重平均となり、結局第５図の実線で示す曲
線(波線は入射角度０゜および20゜の場合を示す）とな
る。すなわち、第12図に波線で示す従来のウエハターゲ
ットパターン照明光10の場合に比較して、第５図に実線
で示す曲線は、振動が小さく、レジストの塗布むらの影
響を受けにくいことがわかる。この点の状況は第６図
(a)にウエハターゲットパターン91の構成と、それに入
射する光28および反射回析光33とを示し、(b)に上記ウ
エハターゲットパターン91近傍におけるレジスト膜厚分
布を示し、(c)にてその多重干渉縞を示し、(d)に検出信
号の強度分布を示す如く、第11図(b)，(c)に比較してパ
ターンエッジ部でのレジスト膜厚の急峻な変化による細
かい多重干渉縞C′の発生が低減され、ＳＮ比の高い検
出信号が得られる。これに加えて、本発明においては、
パターン位置検出方向（ｘ方向）と直交する方向（ｙ方
向）の空間的コヒーレンスが低いため、Ａｌパターンの
ように、粒状性の高いパターンを検出するさいに細かい
散乱光の発生を低減することができるので、パターンの
検出精度を向上させることができる。

つぎに、本発明の他の１実施例を示す第７図乃至第９図
について説明する。なお、第１図と同一の部品について
は、同図と同一符号をもって示す。第７図においては、
第１図に示すｘ方向ウエハターゲットパターン検出光学
系12と、該ｘ方向ウエハターゲットパターン検出光学系
12の可動スリット13、スリット24およびシリンドリカル
レンズ25を夫々光軸10ａに対して角度90゜だけ回転した
可動スリット42、スリット38およびシリンドリカルレン
ズ39の他に、該ｘ方向ウエハターゲットパターン検出光
学系12の集束レンズ23、ビームスプリッタ26、拡大レン
ズ12ａ、リレーレンズ14、ホトマル15、前処理回路16お
よび計算機17と同一構成をした集光レンズ37、ビームス
プリッタ40、拡大レンズ41、リレーレンズ43ａ、ホトマ
ル43ｂ、前記処理回路16および計算機17を有するｙ方向
ウエハターゲットパターン検出光学系36と、これら両光
学系12，36とを結合する可動ミラー34とを設け、ｘ方向
のアライメント量を検出するさいには、上記可動ミラー
34を図のａ矢印方向に回転して、ｘ方向ウエハターゲッ
トパターン検出光学系12によりｙ方向に細長いストライ
プパターン〔（Ｓtrip）パターン〕を検出し、ｙ方向の
アライメント量を検出するさいには、上記可動ミラー34
を図のｂ矢印方向に回転して、ｙ方向ウエハターゲット
パターン検出光学系36によりｘ方向に細長いストライプ
パターンを検出するようにしたものである。なお、図に
おいて35はミラーを示す。また、両光学系12，36の作動
およびウエハステージ７の駆動については、第１図に述
べたｘ方向ウエハターゲットパターン検出光学系12と同
一であるから、その説明を省略する。

さらに、第７図に示す如く、ウエハターゲットパターン
93を十文字形に形成し、かつ第８図に波線で示す如く、
縮小投影レンズ２の入射瞳９におけるウエハターゲット
パターン照明光44（第７図参照）の分布形状を、上記ウ
エハターゲットパターン93の形状に対応して十文字形に
形成している。そのため、第９図に示す如く、ウエハタ
ーゲットパターン93に入射する光は、ウエハターゲット
パターン93の中心部を除けば、ｘ方向およびｙ方向のい
ずれのストライプパターンに対しても互いに位置検出方
向には、平行光になって、空間的コヒーレンスが高くな
るが、位置検出方向と直交する方向については種々の入
射角度をもった光束 441〜 445になって、空間的コヒー
レンスが低くなる。したがって、ウエハターゲットパタ
ーン93からの反射回析光 501〜 505は、第８図に実線に
て示す如く、その大半が入射瞳19の範囲内に入射するこ
とができるので、コントラストの高いウエハターゲット
パターン検出信号を得ることができる。なお、上記ウエ
ハターゲットパターン照明光44を紫外光にすることによ
り、解像度がさらに向上し、より高精度のアライメント
検出が可能にすることができる。

上記に述べた実施例は、本発明を縮小投影装置のＴＴＬ
パターン検出光学系に実施した場合を示しているが、こ
れに限定されるものでなく、ウエハパターン検査装置の
位置決め等、一般のパターン位置合せ装置にも適用でき
る。なお、上記に述べた本発明におけるレンズとは、広
義の意味であって、透過形および反射形結像光学系をい
うものである。

（発明の効果）本発明によれば、マスクに形成された回路パターンをレ
ジストが塗布された被露光基板上に縮小投影露光する縮
小投影レンズを通して被露光基板上に形成された直線状
アライメントパターンを検出して前記マスクに対して前
記被露光基板をアライメントする縮小投影式アライメン
ト方法およびその装置において、レジストの塗布むらの
影響を受けにくく、しかも被露光基板上に形成された直
線状アライメントパターンの長手方向とほぼ直交する検
出方向からの反射回析光の高周波成分を損なうことなく
コントラストの高いアライメントパターン検出信号を得
て、被露光基板の高精度のアライメントを実現すること
ができる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例を示すウエハターゲットパタ
ーン検出系を示す斜視図、第２図(a)はその縮小投影レ
ンズの入射瞳における照明光と、その反射回析光の広が
りとを示す平面図、(b)は従来の照明光の広がりを示す
平面図、第３図はウエハターゲットパターンに入射する
照明光を示す斜視図、第４図(a)は本発明におけるウエ
ハターゲットパターンの検出信号波形を示す図、(b)は
従来のウエハターゲットパターンの検出信号波形を示す
図、第５図は本発明におけるレジスト膜厚と、多重干渉
強度との関係を示す図、第６図(a)はウエハターゲット
パターンを示す断面図〔(c)のA-A′線断面正面図〕、同
図(b)はウエハターゲットパターンを示す断面図、同図
(c)は多重干渉を示す平面図、同図(d)は検出信号強度の
波形を示す図、第７図は本発明の他の１実施例を示すウ
エハターゲットパターン検出系を示す斜面図、第８図は
その縮小投影レンズの入射瞳における照明光と、その反
射回析光の広がりとを示す平面図、第９図はウエハター
ゲットパターンに入射する照明光を示す斜視図、第10図
は従来の縮小投影露光装置のパターン検出系を示す斜視
図、第11図(a)は従来のウエハターゲットパターンを示
す断面正面図〔(b)のA-A′断面正面図〕、同図(b)は従
来のウエハターゲットパターンを示す平面図、同図(c)
は検出信号強度の波形を示す図、第12図は従来の照明光
の入射角度をパラメータとしてレジスト膜厚と多重干渉
強度との関係を示す図、第13図(a)は従来のウエハター
ゲットパターン照明光を示す斜視図、同図(b)は垂直入
射照明光に対応する反射回析光を示す図、同図(c)は角
度をもって入射する照明光に対応する反射回析光を示す
図、同図(d)は(b)図における検出信号強度の波形を示す
図、同図(e)は(c)図における検出信号強度の波形を示す
図である。１……レチクル、２……縮小投影レンズ、３……ウエ
ハ、４……回路パターン、10……入射光、12ａ，41，65
……拡大レンズ、13，42……可動スリット、15，43ｂ…
…ホトマル、16……前処理回路、17……計算機、18……
コンデンサレンズ、19……入射瞳、20，33，50，100 …
…反射回析光、23，37……集光レンズ、24，38……スリ
ット、25，39……シリンドリカルレンズ、26，40……ビ
ームスプリッタ、51，52，53……チップ、81，82，83…
…レチクル用基準パターン、91，92，93……ウエハター
ゲットパターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスクに形成された回路パターンをレジス
トが塗布された被露光基板上に縮小投影露光する縮小投
影レンズを通して被露光基板上に形成された直線状アラ
イメントパターンを検出して前記マスクに対して前記被
露光基板をアライメントする縮小投影式アライメント方
法において、光源から照射されるインコヒーレントの光
束を、照明光学系により被露光基板上の直線状アライメ
ントパターンの長手方向とほぼ直交する検出方向には該
直線状アライメントパターンの検出方向における反射回
折光の高周波成分を多く前記縮小投影レンズに入射せし
めるべく細帯状にして空間的コヒーレンスを高めて指向
性を有する並行光束にすると共に該長手方向には集光さ
せて空間的コヒーレンスを低くして異なる複数の照射角
度を有する集光光束にした照明光に変換して前記縮小投
影レンズを通してレジストが塗布されて層構造を形成し
た前記直線状アライメントパターンへ照射し、該照射さ
れた照明光によって前記直線状アライメントパターンか
ら得られる反射回折光について前記縮小投影レンズを通
して結像光学系で結像させて光電変換手段で受光して合
成された信号を検出し、該検出された信号により前記直
線状アライメントパターンの検出方向の位置を検出する
ことを特徴とする縮小投影式アライメント方法。
【請求項２】マスクに形成された回路パターンをレジス
トが塗布された被露光基板上に縮小投影露光する縮小投
影レンズを通して被露光基板上に形成された直線状アラ
イメントパターンを検出して前記マスクに対して前記被
露光基板をアライメントする縮小投影式アライメント装
置において、インコヒーレントの光束を照射する光源
と、該光源から照射されるインコヒーレントの光束を、
被露光基板上の直線状アライメントパターンの長手方向
とほぼ直交する検出方向には該直線状アライメントパタ
ーンの検出方向における反射回折光の高周波成分を多く
前記縮小投影レンズに入射せしめるべく細帯状にして空
間的コヒーレンスを高めて指向性を有する平行光束にす
ると共に該長手方向には集光させて空間的コヒーレンス
を低くして異なる複数の照射角度を有する集光光束にし
た照明光に変換して前記縮小投影レンズを通してレジス
トが塗布されて層構造を形成した前記直線状アライメン
トパターンへ照射する照明光学系と、該照明光学系で照
射された前記直線状アライメントパターンから得られる
反射回折光について前記縮小投影レンズを通して結像光
学系で結像させて光電変換手段で受光して合成された信
号を検出する検出光学系とを備え、該検出光学系で検出
された信号により前記直線状アライメントパターンの検
出方向の位置を検出するように構成したことを特徴とす
る縮小投影式アライメント装置。
【請求項３】前記照明光学系は、細帯状にして平行光束
にする光学素子と前記直線状アライメントパターンの長
手方向に集光する集光光学系とを有することを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の縮小投影式アライメント
装置。