JPH06165509A - インバータ装置 - Google Patents
インバータ装置Info
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- JPH06165509A JPH06165509A JP4304121A JP30412192A JPH06165509A JP H06165509 A JPH06165509 A JP H06165509A JP 4304121 A JP4304121 A JP 4304121A JP 30412192 A JP30412192 A JP 30412192A JP H06165509 A JPH06165509 A JP H06165509A
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- switching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】周波数を変化することなく、負荷に供給する電
力を調整し、且つ負荷が放電灯である場合において、調
光を深くしたときに放電灯を安定動作させる。 【構成】直流電源にスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及びＳ
3 ，Ｓ4 を直列接続し、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及
びＳ3 ，Ｓ4 の接続点間に、インダクタＬ1 、コンデン
サＣ2 及び負荷Ｚを接続する。スイッチング素子Ｓ1 ，
Ｓ2 のオン，オフのタイミングに対して、スイッチング
素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフのタイミングを同位相から
１８０度ずれた位相までの範囲で可変する。対角位置の
スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ 4 及びＳ2 ，Ｓ3 の同時オン
期間を変化させて、スイッチング周波数を変化させず
に、負荷Ｚに供給される電力を調整する。スイッチング
素子Ｓ 1 ，Ｓ4 のスイッチング周期を一致させ、且つＳ
2 ，Ｓ3 のスイッチング周期を異ならせ、共振回路への
正負の供給電力をアンバランスにして直流分を負荷Ｚに
供給し、例えば負荷Ｚが放電灯である場合に立消えや移
動縞によるちらつきを起こすことを防止する。
力を調整し、且つ負荷が放電灯である場合において、調
光を深くしたときに放電灯を安定動作させる。 【構成】直流電源にスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及びＳ
3 ，Ｓ4 を直列接続し、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及
びＳ3 ，Ｓ4 の接続点間に、インダクタＬ1 、コンデン
サＣ2 及び負荷Ｚを接続する。スイッチング素子Ｓ1 ，
Ｓ2 のオン，オフのタイミングに対して、スイッチング
素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフのタイミングを同位相から
１８０度ずれた位相までの範囲で可変する。対角位置の
スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ 4 及びＳ2 ，Ｓ3 の同時オン
期間を変化させて、スイッチング周波数を変化させず
に、負荷Ｚに供給される電力を調整する。スイッチング
素子Ｓ 1 ，Ｓ4 のスイッチング周期を一致させ、且つＳ
2 ，Ｓ3 のスイッチング周期を異ならせ、共振回路への
正負の供給電力をアンバランスにして直流分を負荷Ｚに
供給し、例えば負荷Ｚが放電灯である場合に立消えや移
動縞によるちらつきを起こすことを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、直流電力を交流電力に
変換するインバータ装置に関するものである。
変換するインバータ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のハーフブリッジ構成のインバータ
装置を放電灯点灯装置として用いたものを図２６に示
す。このインバータ装置では、直流電源Ｅの両端にＭＯ
ＳＦＥＴからなるスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 を直列接
続し、少なくともインダクタＬ1とコンデンサＣ2 とか
らなる共振回路と、負荷としての放電灯Ｌａとからなる
負荷回路を、直流カット用コンデンサＣ1 を介してスイ
ッチング素子Ｓ2 の両端に接続してある。また、直流カ
ット用コンデンサＣ1 はその容量が通常はコンデンサＣ
2 の容量より相当に大きいため、通常は共振回路には含
まれないが、その容量によっては共振回路に含まれる場
合もある。
装置を放電灯点灯装置として用いたものを図２６に示
す。このインバータ装置では、直流電源Ｅの両端にＭＯ
ＳＦＥＴからなるスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 を直列接
続し、少なくともインダクタＬ1とコンデンサＣ2 とか
らなる共振回路と、負荷としての放電灯Ｌａとからなる
負荷回路を、直流カット用コンデンサＣ1 を介してスイ
ッチング素子Ｓ2 の両端に接続してある。また、直流カ
ット用コンデンサＣ1 はその容量が通常はコンデンサＣ
2 の容量より相当に大きいため、通常は共振回路には含
まれないが、その容量によっては共振回路に含まれる場
合もある。
【０００３】上記インバータ装置の各スイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ2 は、制御回路１の制御の下で図２７（ａ），
（ｂ）に示すように交互にオン，オフされ、直流電源Ｅ
の電圧を交流電圧（この場合には高周波電圧）に変換し
て放電灯Ｌａに供給し、放電灯Ｌａを高周波点灯する。
この動作を以下に詳述する。いま、時刻ｔ0 で、図２７
（ａ）に示すように制御回路１の制御出力Ｖ1 がハイレ
ベル、同図（ｂ）に示すように制御出力Ｖ2 がローレベ
ルになったとすると、スイッチング素子Ｓ1 がオンとな
ると共に、スイッチング素子Ｓ2 がオフとなる。このと
き、直流電源Ｅから、スイッチング素子Ｓ1 、インダク
タＬ1 、直流カット用コンデンサＣ1 、コンデンサＣ2
及び放電灯Ｌａの経路で、放電灯Ｌａに電流が供給され
る。
Ｓ1 ，Ｓ2 は、制御回路１の制御の下で図２７（ａ），
（ｂ）に示すように交互にオン，オフされ、直流電源Ｅ
の電圧を交流電圧（この場合には高周波電圧）に変換し
て放電灯Ｌａに供給し、放電灯Ｌａを高周波点灯する。
この動作を以下に詳述する。いま、時刻ｔ0 で、図２７
（ａ）に示すように制御回路１の制御出力Ｖ1 がハイレ
ベル、同図（ｂ）に示すように制御出力Ｖ2 がローレベ
ルになったとすると、スイッチング素子Ｓ1 がオンとな
ると共に、スイッチング素子Ｓ2 がオフとなる。このと
き、直流電源Ｅから、スイッチング素子Ｓ1 、インダク
タＬ1 、直流カット用コンデンサＣ1 、コンデンサＣ2
及び放電灯Ｌａの経路で、放電灯Ｌａに電流が供給され
る。
【０００４】このとき、直流カット用コンデンサＣ1 が
充電される。また、共振回路にもエネルギが蓄積され
る。なお、インバータ回路の動作周波数を共振回路の共
振周波数よりも高い範囲に設定してある場合について以
下の説明を行う。この場合には、インダクタＬ1 に蓄積
されるエネルギが以下に説明するように回路動作に主に
影響する。
充電される。また、共振回路にもエネルギが蓄積され
る。なお、インバータ回路の動作周波数を共振回路の共
振周波数よりも高い範囲に設定してある場合について以
下の説明を行う。この場合には、インダクタＬ1 に蓄積
されるエネルギが以下に説明するように回路動作に主に
影響する。
【０００５】そして、時刻ｔ1 になると、図２７（ａ）
に示すように制御回路１の制御出力Ｖ1 がローレベル、
同図（ｂ）に示すように制御出力Ｖ2 がハイレベルにな
り、スイッチング素子Ｓ1 がオフとなると共に、スイッ
チング素子Ｓ2 がオンとなる。但し、上記スイッチング
素子Ｓ1 ，Ｓ2 では純然たるスイッチとは異なり、通常
と逆極性の電圧（直流電源Ｅの極性とは逆の極性の電
圧）が印加された場合に、スイッチング素子Ｓ2 に本来
電流ＩS2が流れる方向（図２６中の矢印で示す電流方
向）とは逆の方向に電流を流す働きを持つ寄生ダイオー
ドを有する。このため、スイッチング素子Ｓ2 をオンし
たとき、本来の電流方向にはオンとはならず、インダク
タＬ2 に蓄積されたエネルギでスイッチング素子Ｓ2 の
寄生ダイオードがオンなる。つまり、スイッチング素子
Ｓ2 は逆方向に導通した状態になる。そして、インダク
タＬ1 のそれまでと同じ方向に電流を流す作用により、
インダクタＬ1 に蓄積されたエネルギが、直流カット用
コンデンサＣ1 、コンデンサＣ 2 及び放電灯Ｌａ、スイ
ッチング素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で放出され
る。即ち、インバータ回路の動作周波数は共振回路の共
振周波数よりも高い範囲に設定してあるので、負荷回路
は上述のような動作を行う。
に示すように制御回路１の制御出力Ｖ1 がローレベル、
同図（ｂ）に示すように制御出力Ｖ2 がハイレベルにな
り、スイッチング素子Ｓ1 がオフとなると共に、スイッ
チング素子Ｓ2 がオンとなる。但し、上記スイッチング
素子Ｓ1 ，Ｓ2 では純然たるスイッチとは異なり、通常
と逆極性の電圧（直流電源Ｅの極性とは逆の極性の電
圧）が印加された場合に、スイッチング素子Ｓ2 に本来
電流ＩS2が流れる方向（図２６中の矢印で示す電流方
向）とは逆の方向に電流を流す働きを持つ寄生ダイオー
ドを有する。このため、スイッチング素子Ｓ2 をオンし
たとき、本来の電流方向にはオンとはならず、インダク
タＬ2 に蓄積されたエネルギでスイッチング素子Ｓ2 の
寄生ダイオードがオンなる。つまり、スイッチング素子
Ｓ2 は逆方向に導通した状態になる。そして、インダク
タＬ1 のそれまでと同じ方向に電流を流す作用により、
インダクタＬ1 に蓄積されたエネルギが、直流カット用
コンデンサＣ1 、コンデンサＣ 2 及び放電灯Ｌａ、スイ
ッチング素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で放出され
る。即ち、インバータ回路の動作周波数は共振回路の共
振周波数よりも高い範囲に設定してあるので、負荷回路
は上述のような動作を行う。
【０００６】そして、インダクタＬ1 のエネルギが放出
された時点で、スイッチング素子Ｓ 2 が本来のオン状態
となり（図２６中の矢印で示す方向に電流ＩS2が流れる
状態となり）、直流カット用コンデンサＣ1 に蓄積され
た電荷を電源として、直流カット用コンデンサＣ1 、イ
ンダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ2 、コンデンサＣ 2
及び放電灯Ｌａの経路で、それまでと逆方向の電流が流
れる。
された時点で、スイッチング素子Ｓ 2 が本来のオン状態
となり（図２６中の矢印で示す方向に電流ＩS2が流れる
状態となり）、直流カット用コンデンサＣ1 に蓄積され
た電荷を電源として、直流カット用コンデンサＣ1 、イ
ンダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ2 、コンデンサＣ 2
及び放電灯Ｌａの経路で、それまでと逆方向の電流が流
れる。
【０００７】その後、時刻ｔ2 で、時刻ｔ0 の場合と同
様に、制御回路１の制御出力Ｖ1 がハイレベル、図２７
（ｂ）に示すように制御出力Ｖ2 がローレベルになるた
め、スイッチング素子Ｓ1 がオンとなると共に、スイッ
チング素子Ｓ2 がオフとなる。しかし、この場合にもス
イッチング素子Ｓ1 は本来の電流ＩS1が流れる方向（図
２６中の矢印で示す方向）にはオンとはならず、インダ
クタＬ1 に蓄積されたエネルギでスイッチング素子Ｓ1
の寄生ダイオードがオンとなる。つまり、スイッチング
素子Ｓ1 は逆方向に導通した状態になる。そして、イン
ダクタＬ1 に蓄積されたエネルギが、スイッチング素子
Ｓ1 の寄生ダイオード、直流電源Ｅ、コンデンサＣ2 及
び放電灯Ｌａ、直流カット用コンデンサＣ1 の経路で放
出される。
様に、制御回路１の制御出力Ｖ1 がハイレベル、図２７
（ｂ）に示すように制御出力Ｖ2 がローレベルになるた
め、スイッチング素子Ｓ1 がオンとなると共に、スイッ
チング素子Ｓ2 がオフとなる。しかし、この場合にもス
イッチング素子Ｓ1 は本来の電流ＩS1が流れる方向（図
２６中の矢印で示す方向）にはオンとはならず、インダ
クタＬ1 に蓄積されたエネルギでスイッチング素子Ｓ1
の寄生ダイオードがオンとなる。つまり、スイッチング
素子Ｓ1 は逆方向に導通した状態になる。そして、イン
ダクタＬ1 に蓄積されたエネルギが、スイッチング素子
Ｓ1 の寄生ダイオード、直流電源Ｅ、コンデンサＣ2 及
び放電灯Ｌａ、直流カット用コンデンサＣ1 の経路で放
出される。
【０００８】そして、インダクタＬ1 のエネルギが放出
されると、スイッチング素子Ｓ1 が本来のオン状態とな
り、直流電源Ｅ、スイッチング素子Ｓ1 、インダクタＬ
1 、直流カット用コンデンサＣ1 、コンデンサＣ2 及び
放電灯Ｌａの経路で電流が流れる。以下、上記一連の動
作を繰り返すことにより、直流電源Ｅを高周波電力に変
換して、放電灯Ｌａに高周波電力が供給される。このと
き、インダクタＬ1 に流れる電流ＩL1は図２７（ｅ）に
示すようになる。
されると、スイッチング素子Ｓ1 が本来のオン状態とな
り、直流電源Ｅ、スイッチング素子Ｓ1 、インダクタＬ
1 、直流カット用コンデンサＣ1 、コンデンサＣ2 及び
放電灯Ｌａの経路で電流が流れる。以下、上記一連の動
作を繰り返すことにより、直流電源Ｅを高周波電力に変
換して、放電灯Ｌａに高周波電力が供給される。このと
き、インダクタＬ1 に流れる電流ＩL1は図２７（ｅ）に
示すようになる。
【０００９】なお、上述の説明では、時刻ｔ0 の場合
に、スイッチング素子Ｓ1 が本来の電流方向にオンとな
ると説明したが、それまでスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2
が交互にオン，オフしている定常点灯時には、時刻ｔ0
においてもスイッチング素子Ｓ 1 の寄生ダイオードのオ
ンによりインダクタＬ1 に蓄積されたエネルギを放出
し、その後に本来のスイッチング素子Ｓ1 の電流ＩS1が
流れる方向にオンとなることは言うまでもない。また、
上述の説明では、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 の寄生ダ
イオードをインダクタＬ1 のエネルギを放出するために
用いたが、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 に夫々逆並列に
ダイオードを接続するようにしてもよい。
に、スイッチング素子Ｓ1 が本来の電流方向にオンとな
ると説明したが、それまでスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2
が交互にオン，オフしている定常点灯時には、時刻ｔ0
においてもスイッチング素子Ｓ 1 の寄生ダイオードのオ
ンによりインダクタＬ1 に蓄積されたエネルギを放出
し、その後に本来のスイッチング素子Ｓ1 の電流ＩS1が
流れる方向にオンとなることは言うまでもない。また、
上述の説明では、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 の寄生ダ
イオードをインダクタＬ1 のエネルギを放出するために
用いたが、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 に夫々逆並列に
ダイオードを接続するようにしてもよい。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記インバータ装置に
おいて負荷に供給される電力（つまりは、インバータ装
置の出力）を可変する場合、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 のスイッチング周波数を変化させる。なお、負荷が上
述のように放電灯Ｌａである場合には、放電灯Ｌａを調
光制御することになる。
おいて負荷に供給される電力（つまりは、インバータ装
置の出力）を可変する場合、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 のスイッチング周波数を変化させる。なお、負荷が上
述のように放電灯Ｌａである場合には、放電灯Ｌａを調
光制御することになる。
【００１１】ここで、上述したようにスイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ2 のスイッチング周波数を共振回路の共振周波
数より高い範囲に設定してある場合、スイッチング周波
数を低くすれば、スイッチング周波数が共振回路の共振
周波数に近付き、放電灯Ｌａに供給される電力が大きく
なる。また、逆にスイッチング周波数を高くすれば、ス
イッチング周波数が共振回路の共振周波数から遠ざか
り、放電灯Ｌａに供給される電力が小さくなる。
Ｓ1 ，Ｓ2 のスイッチング周波数を共振回路の共振周波
数より高い範囲に設定してある場合、スイッチング周波
数を低くすれば、スイッチング周波数が共振回路の共振
周波数に近付き、放電灯Ｌａに供給される電力が大きく
なる。また、逆にスイッチング周波数を高くすれば、ス
イッチング周波数が共振回路の共振周波数から遠ざか
り、放電灯Ｌａに供給される電力が小さくなる。
【００１２】ところが、上記直流電源Ｅを交流電源を整
流平滑して作成する場合において、スイッチング素子Ｓ
1 ，Ｓ2 のスイッチング周波数を変化させると、交流電
源側に高周波が漏れる問題がある。そこで、交流電源を
整流するダイオードブリッジの入力端などに高周波成分
が交流電源側に漏れることを防止するフィルタが設けら
れる。しかし、上述のようにインバータ装置の動作周波
数が変化すると、高周波成分を除去する上記フィルタの
設計が複雑になるという問題があった。
流平滑して作成する場合において、スイッチング素子Ｓ
1 ，Ｓ2 のスイッチング周波数を変化させると、交流電
源側に高周波が漏れる問題がある。そこで、交流電源を
整流するダイオードブリッジの入力端などに高周波成分
が交流電源側に漏れることを防止するフィルタが設けら
れる。しかし、上述のようにインバータ装置の動作周波
数が変化すると、高周波成分を除去する上記フィルタの
設計が複雑になるという問題があった。
【００１３】また、負荷が放電灯Ｌａである場合に、イ
ンバータ装置の動作周波数を変化させると、それに伴っ
て放電灯Ｌａから放出される光の周波数も変化し、赤外
線リモコンなどの他の機器に悪影響を及ぼすという問題
もある。さらに、放電灯ＬａがＨＩＤランプである場
合、出力の周波数変化によって音響的共鳴現象を起こす
恐れが高くなり、放電灯Ｌａの破壊などを起こすという
信頼性に関わる問題を生じる。つまり、インバータ装置
の動作周波数が高くなると、ＨＩＤランプが音響的共鳴
現象を起こす周波数と一致する可能性が高くなるからで
ある。
ンバータ装置の動作周波数を変化させると、それに伴っ
て放電灯Ｌａから放出される光の周波数も変化し、赤外
線リモコンなどの他の機器に悪影響を及ぼすという問題
もある。さらに、放電灯ＬａがＨＩＤランプである場
合、出力の周波数変化によって音響的共鳴現象を起こす
恐れが高くなり、放電灯Ｌａの破壊などを起こすという
信頼性に関わる問題を生じる。つまり、インバータ装置
の動作周波数が高くなると、ＨＩＤランプが音響的共鳴
現象を起こす周波数と一致する可能性が高くなるからで
ある。
【００１４】そこで、この点を改善した従来例とし
て、”Off-Line Application of Fixed-Frequency Clam
ped Mode Series Resonant Converter”,IEEE Tansacti
on on Power Electronics,Vol.6;No.1,January,1991 な
る文献がある。この従来例では、２つのスイッチング素
子の直列回路を直流電源と並列に２組接続すると共に、
夫々の直列回路のスイッチング素子の接続点間に少なく
ともＬＣ共振回路と負荷からなる負荷回路を接続し、夫
々の直列回路のスイッチング素子を同時にオンしないよ
うに交互にオン，オフさせ、一方の直列回路のスイッチ
ング素子のオン，オフのタイミングに対して、他方の直
列回路のスイッチング素子のオン，オフのタイミングを
ずらすようにしてある。
て、”Off-Line Application of Fixed-Frequency Clam
ped Mode Series Resonant Converter”,IEEE Tansacti
on on Power Electronics,Vol.6;No.1,January,1991 な
る文献がある。この従来例では、２つのスイッチング素
子の直列回路を直流電源と並列に２組接続すると共に、
夫々の直列回路のスイッチング素子の接続点間に少なく
ともＬＣ共振回路と負荷からなる負荷回路を接続し、夫
々の直列回路のスイッチング素子を同時にオンしないよ
うに交互にオン，オフさせ、一方の直列回路のスイッチ
ング素子のオン，オフのタイミングに対して、他方の直
列回路のスイッチング素子のオン，オフのタイミングを
ずらすようにしてある。
【００１５】なお、上記従来例の動作説明は本発明の実
施例の項で詳述する。この従来例によれば、動作周波数
を変化させずに、負荷に供給する電力を変化させること
ができる。ところが、上述の従来例を特に放電灯点灯装
置として適用し、低温時に放電灯Ｌａに供給される電力
を小さくしぼった状態で、放電灯Ｌａが立消えを起こす
という問題があった。このため、放電灯Ｌａの調光範囲
に制限を生じるという問題があった。
施例の項で詳述する。この従来例によれば、動作周波数
を変化させずに、負荷に供給する電力を変化させること
ができる。ところが、上述の従来例を特に放電灯点灯装
置として適用し、低温時に放電灯Ｌａに供給される電力
を小さくしぼった状態で、放電灯Ｌａが立消えを起こす
という問題があった。このため、放電灯Ｌａの調光範囲
に制限を生じるという問題があった。
【００１６】本発明は上述の点に鑑みて為されたもので
あり、その目的とするところは、スイッチング素子のス
イッチング周波数を変化させることなく、負荷に供給す
る電力を調整でき、且つ供給電力を小さく抑えた場合に
も負荷を安定動作させることができるインバータ装置を
提供することにある。
あり、その目的とするところは、スイッチング素子のス
イッチング周波数を変化させることなく、負荷に供給す
る電力を調整でき、且つ供給電力を小さく抑えた場合に
も負荷を安定動作させることができるインバータ装置を
提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明では、上
記目的を達成するために、２つのスイッチング素子の直
列回路を直流電源と並列に２組接続すると共に、夫々の
直列回路のスイッチング素子の接続点間に少なくともＬ
Ｃ共振回路と負荷からなる負荷回路を接続し、上記スイ
ッチング素子の内のいずれか２つのスイッチング周期を
一致させ、そのスイッチング周期に対して他のスイッチ
ング素子のスイッチング周期を夫々異ならせてオン，オ
フさせ、一方の直列回路のスイッチング素子のオン，オ
フのタイミングに対して、他方の直列回路のスイッチン
グ素子のオン，オフのタイミングを同位相から１８０度
ずれた位相までの範囲で可変してある。
記目的を達成するために、２つのスイッチング素子の直
列回路を直流電源と並列に２組接続すると共に、夫々の
直列回路のスイッチング素子の接続点間に少なくともＬ
Ｃ共振回路と負荷からなる負荷回路を接続し、上記スイ
ッチング素子の内のいずれか２つのスイッチング周期を
一致させ、そのスイッチング周期に対して他のスイッチ
ング素子のスイッチング周期を夫々異ならせてオン，オ
フさせ、一方の直列回路のスイッチング素子のオン，オ
フのタイミングに対して、他方の直列回路のスイッチン
グ素子のオン，オフのタイミングを同位相から１８０度
ずれた位相までの範囲で可変してある。
【００１８】また、請求項２の発明では、上記目的を達
成するために、２つのスイッチング素子の直列回路を直
流電源と並列に２組接続すると共に、夫々の直列回路の
スイッチング素子の接続点間に少なくともＬＣ共振回路
と負荷からなる負荷回路を接続し、上記スイッチング素
子のスイッチング周期をすべて異ならせてオン，オフさ
せ、一方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフの
タイミングに対して、他方の直列回路のスイッチング素
子のオン，オフのタイミングを同位相から１８０度ずれ
た位相までの範囲で可変してもよい。
成するために、２つのスイッチング素子の直列回路を直
流電源と並列に２組接続すると共に、夫々の直列回路の
スイッチング素子の接続点間に少なくともＬＣ共振回路
と負荷からなる負荷回路を接続し、上記スイッチング素
子のスイッチング周期をすべて異ならせてオン，オフさ
せ、一方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフの
タイミングに対して、他方の直列回路のスイッチング素
子のオン，オフのタイミングを同位相から１８０度ずれ
た位相までの範囲で可変してもよい。
【００１９】なお、電源電圧変動による負荷への供給電
力の変動を防止するため、請求項３のように、電源電圧
変動を検出して、一方の直列回路のスイッチング素子の
オン，オフのタイミングに対して、他方の直列回路のス
イッチング素子のオン，オフのタイミングを調整して、
負荷に供給される電力を一定に制御してもよい。また、
負荷に一定の電力を供給できるようにするために、請求
項４に示すように、負荷電流を検出して、一方の直列回
路のスイッチング素子のオン，オフのタイミングに対し
て、他方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフの
タイミングを調整して、負荷電流を一定に制御するよう
にしてもよい。
力の変動を防止するため、請求項３のように、電源電圧
変動を検出して、一方の直列回路のスイッチング素子の
オン，オフのタイミングに対して、他方の直列回路のス
イッチング素子のオン，オフのタイミングを調整して、
負荷に供給される電力を一定に制御してもよい。また、
負荷に一定の電力を供給できるようにするために、請求
項４に示すように、負荷電流を検出して、一方の直列回
路のスイッチング素子のオン，オフのタイミングに対し
て、他方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフの
タイミングを調整して、負荷電流を一定に制御するよう
にしてもよい。
【００２０】さらに、複数の負荷に電力を供給する場
合、請求項５に示すように、他方の２つのスイッチング
素子からなる直列回路を複数設け、一方の直列回路のス
イッチング素子の接続点と夫々の他の直列回路の接続点
との間に、少なくともＬＣ共振回路と負荷からなる複数
の負荷回路を夫々接続することができる。なお、この場
合において、請求項６に示すように、他方の直列回路の
夫々のスイッチング素子がすべて同時オンしないように
してもよい。
合、請求項５に示すように、他方の２つのスイッチング
素子からなる直列回路を複数設け、一方の直列回路のス
イッチング素子の接続点と夫々の他の直列回路の接続点
との間に、少なくともＬＣ共振回路と負荷からなる複数
の負荷回路を夫々接続することができる。なお、この場
合において、請求項６に示すように、他方の直列回路の
夫々のスイッチング素子がすべて同時オンしないように
してもよい。
【００２１】請求項７に示すように、負荷が放電灯であ
る場合に、放電灯を始動するときには、少なくとも放電
灯の不点時にＬＣ共振回路の共振周波数よりも、スイッ
チング素子のスイッチング周波数を高く設定し、放電灯
の始動時にスイッチング素子のスイッチング周波数をＬ
Ｃ共振回路の共振周波数に近づけるようにすればよい。
る場合に、放電灯を始動するときには、少なくとも放電
灯の不点時にＬＣ共振回路の共振周波数よりも、スイッ
チング素子のスイッチング周波数を高く設定し、放電灯
の始動時にスイッチング素子のスイッチング周波数をＬ
Ｃ共振回路の共振周波数に近づけるようにすればよい。
【００２２】また、請求項８に示すように、負荷が放電
灯である場合に、放電灯を始動するときには、少なくと
も放電灯の不点時にＬＣ共振回路の共振周波数よりも、
スイッチング素子のスイッチング周波数を高く設定し、
放電灯の始動時に一方の直列回路のスイッチング素子の
オン，オフのタイミングに対して、他方の直列回路のス
イッチング素子のオン，オフのタイミングを１８０度ず
れた位相から同位相まで変化させるようにしてもよい。
灯である場合に、放電灯を始動するときには、少なくと
も放電灯の不点時にＬＣ共振回路の共振周波数よりも、
スイッチング素子のスイッチング周波数を高く設定し、
放電灯の始動時に一方の直列回路のスイッチング素子の
オン，オフのタイミングに対して、他方の直列回路のス
イッチング素子のオン，オフのタイミングを１８０度ず
れた位相から同位相まで変化させるようにしてもよい。
【００２３】さらに、請求項９に示すように、複数の負
荷を設け、夫々の負荷に交流分と直流分とを別個に供給
することも可能である。
荷を設け、夫々の負荷に交流分と直流分とを別個に供給
することも可能である。
【００２４】
【作用】請求項１の発明は、上述のように一方の直列回
路のスイッチング素子のオン，オフのタイミングに対し
て、他方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフの
タイミングを同位相から１８０度ずれた位相までの範囲
で可変していることにより、対角位置のスイッチング素
子の同時オン期間を変化させて、スイッチング周波数を
変化させずに、負荷に供給される電力を調整することを
可能とし、スイッチング周波数が変化することに伴う種
々の問題点を回避する。また、スイッチング素子の内の
いずれか２つのスイッチング周期を一致させ、そのスイ
ッチング周期に対して他のスイッチング素子のスイッチ
ング周期を夫々異ならせてオン，オフさせることによ
り、ＬＣ共振回路への正負の供給電力をアンバランスに
して、ＬＣ共振回路に蓄積されるエネルギを直流分とし
て負荷に供給可能とし、例えば負荷が放電灯である場合
に立消えを起こすことを防止する。
路のスイッチング素子のオン，オフのタイミングに対し
て、他方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフの
タイミングを同位相から１８０度ずれた位相までの範囲
で可変していることにより、対角位置のスイッチング素
子の同時オン期間を変化させて、スイッチング周波数を
変化させずに、負荷に供給される電力を調整することを
可能とし、スイッチング周波数が変化することに伴う種
々の問題点を回避する。また、スイッチング素子の内の
いずれか２つのスイッチング周期を一致させ、そのスイ
ッチング周期に対して他のスイッチング素子のスイッチ
ング周期を夫々異ならせてオン，オフさせることによ
り、ＬＣ共振回路への正負の供給電力をアンバランスに
して、ＬＣ共振回路に蓄積されるエネルギを直流分とし
て負荷に供給可能とし、例えば負荷が放電灯である場合
に立消えを起こすことを防止する。
【００２５】また、請求項２の発明は、スイッチング素
子のスイッチング周期をすべて異ならせてオン，オフさ
せることにより、ＬＣ共振回路への正負の供給電力をア
ンバランスにして、ＬＣ共振回路に蓄積されるエネルギ
を直流分として負荷に供給可能とし、例えば負荷が放電
灯である場合に立消えを起こすことを防止する。
子のスイッチング周期をすべて異ならせてオン，オフさ
せることにより、ＬＣ共振回路への正負の供給電力をア
ンバランスにして、ＬＣ共振回路に蓄積されるエネルギ
を直流分として負荷に供給可能とし、例えば負荷が放電
灯である場合に立消えを起こすことを防止する。
【００２６】
【実施例】（実施例１）図１に本発明の一実施例を示
す。本実施例のインバータ装置は、交流電源ＡＣをダイ
オードブリッジＤＢで整流して得られた直流電圧を交流
電圧に変換するものであり、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 及びスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 をダイオードブリッ
ジＤＢの出力端間に夫々接続し、スイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ2 の接続点と、スイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の
接続点との間に、インダクタＬ1 とコンデンサＣ2 から
なる直列共振回路と負荷Ｚとからなる負荷回路を接続し
てある。なお、負荷ＺはコンデンサＣ2 と並列に接続し
てある。つまり、このインバータ装置はスイッチング素
子Ｓ1 〜Ｓ4 をブリッジ接続したいわゆるフルブリッジ
構成となっている。
す。本実施例のインバータ装置は、交流電源ＡＣをダイ
オードブリッジＤＢで整流して得られた直流電圧を交流
電圧に変換するものであり、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 及びスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 をダイオードブリッ
ジＤＢの出力端間に夫々接続し、スイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ2 の接続点と、スイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の
接続点との間に、インダクタＬ1 とコンデンサＣ2 から
なる直列共振回路と負荷Ｚとからなる負荷回路を接続し
てある。なお、負荷ＺはコンデンサＣ2 と並列に接続し
てある。つまり、このインバータ装置はスイッチング素
子Ｓ1 〜Ｓ4 をブリッジ接続したいわゆるフルブリッジ
構成となっている。
【００２７】この種の通常のフルブリッジ構成のインバ
ータ装置では、一般に対角位置に設けられたスイッチン
グ素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 を組
として制御回路１で交互にオン，オフして、負荷回路に
交流電流を供給する。まず、本発明の動作を容易に理解
できるように、上述の一般動作をさらに詳述しておく。
いま、時刻ｔ0 で制御回路１の制御出力Ｖ1 ，Ｖ4 がハ
イレベルとなり、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 がローレベルとな
る。このとき、スイッチング素子Ｓ1，Ｓ4 が図２
（ａ），（ｄ）に示すようにオンとなり、スイッチング
素子Ｓ2 ，Ｓ3 が同図（ｂ），（ｃ）に示すようにオフ
となり、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素
子Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、
スイッチング素子Ｓ4 の経路で、負荷Ｚに電流が流され
る。つまり、図１の矢印で示す方向の負荷電流ＩZ が供
給される。
ータ装置では、一般に対角位置に設けられたスイッチン
グ素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 を組
として制御回路１で交互にオン，オフして、負荷回路に
交流電流を供給する。まず、本発明の動作を容易に理解
できるように、上述の一般動作をさらに詳述しておく。
いま、時刻ｔ0 で制御回路１の制御出力Ｖ1 ，Ｖ4 がハ
イレベルとなり、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 がローレベルとな
る。このとき、スイッチング素子Ｓ1，Ｓ4 が図２
（ａ），（ｄ）に示すようにオンとなり、スイッチング
素子Ｓ2 ，Ｓ3 が同図（ｂ），（ｃ）に示すようにオフ
となり、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素
子Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、
スイッチング素子Ｓ4 の経路で、負荷Ｚに電流が流され
る。つまり、図１の矢印で示す方向の負荷電流ＩZ が供
給される。
【００２８】時刻ｔ2 では、制御回路１の制御出力
Ｖ1 ，Ｖ4 がローレベルとなり、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 が
ハイレベルとなる。すると、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
4 が図２（ａ），（ｄ）に示すようにオフとなり、スイ
ッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 が同図（ｂ），（ｃ）に示すよ
うにオンとなる。ここで、上記インバータ装置のスイッ
チング周波数をインダクタＬ1 とコンデンサＣ2 からな
る共振回路の共振周波数よりも高く設定した場合には、
従来技術の項で説明したように、インダクタＬ1 に蓄積
されたエネルギが、インダクタＬ 1 、コンデンサＣ2 及
び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ3 の寄生ダイオード、ダ
イオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ2 の寄生ダ
イオードの経路で放出される。
Ｖ1 ，Ｖ4 がローレベルとなり、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 が
ハイレベルとなる。すると、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
4 が図２（ａ），（ｄ）に示すようにオフとなり、スイ
ッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 が同図（ｂ），（ｃ）に示すよ
うにオンとなる。ここで、上記インバータ装置のスイッ
チング周波数をインダクタＬ1 とコンデンサＣ2 からな
る共振回路の共振周波数よりも高く設定した場合には、
従来技術の項で説明したように、インダクタＬ1 に蓄積
されたエネルギが、インダクタＬ 1 、コンデンサＣ2 及
び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ3 の寄生ダイオード、ダ
イオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ2 の寄生ダ
イオードの経路で放出される。
【００２９】そして、上記インダクタＬ1 のエネルギが
放出されると、スイッチング素子Ｓ 2 ，Ｓ3 がオンとな
り、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ3 ，
コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイッチ
ング素子Ｓ2 の経路で、負荷電流ＩZ がそれまでと逆方
向（図１の矢印と逆方向）で流される。時刻ｔ4 では、
時刻ｔ0 の場合と同様に、制御回路１の制御出力Ｖ1 ，
Ｖ4 がハイレベルとなると共に、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 が
ローレベルとなり、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 がオン
となると共に、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 がオフとな
る。このときにも、インダクタＬ1 に蓄積されたエネル
ギが、インダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ1 の寄生ダ
イオード、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子
Ｓ4 の寄生ダイオード、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚの経
路で放出される。
放出されると、スイッチング素子Ｓ 2 ，Ｓ3 がオンとな
り、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ3 ，
コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイッチ
ング素子Ｓ2 の経路で、負荷電流ＩZ がそれまでと逆方
向（図１の矢印と逆方向）で流される。時刻ｔ4 では、
時刻ｔ0 の場合と同様に、制御回路１の制御出力Ｖ1 ，
Ｖ4 がハイレベルとなると共に、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 が
ローレベルとなり、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 がオン
となると共に、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 がオフとな
る。このときにも、インダクタＬ1 に蓄積されたエネル
ギが、インダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ1 の寄生ダ
イオード、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子
Ｓ4 の寄生ダイオード、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚの経
路で放出される。
【００３０】そして、インダクタＬ1 のエネルギの放出
後に、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素子
Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、ス
イッチング素子Ｓ4 の経路で、負荷Ｚに電流が流され
る。なお、インバータ装置が定常動作している場合に
は、上記時刻ｔ0 の時点でも、インダクタＬ1 の蓄積エ
ネルギをスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 の寄生ダイオード
を介して放出した後に、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 を
介して負荷電流ＩZ が供給される。また、スイッチング
素子Ｓ1 〜Ｓ4 に夫々逆並列にダイオードを接続して、
インダクタＬ1 のエネルギを放出するものもある。
後に、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素子
Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、ス
イッチング素子Ｓ4 の経路で、負荷Ｚに電流が流され
る。なお、インバータ装置が定常動作している場合に
は、上記時刻ｔ0 の時点でも、インダクタＬ1 の蓄積エ
ネルギをスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 の寄生ダイオード
を介して放出した後に、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 を
介して負荷電流ＩZ が供給される。また、スイッチング
素子Ｓ1 〜Ｓ4 に夫々逆並列にダイオードを接続して、
インダクタＬ1 のエネルギを放出するものもある。
【００３１】ところで、従来技術の項で説明した後者の
従来例としてのインバータ装置の場合、負荷Ｚに供給す
る電力を変化させるとき、図３（ａ），（ｂ）に示す直
列接続されたスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 のオン，オフ
のタイミングと、同図（ｃ），（ｄ）に示すスイッチン
グ素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフのタイミングとをずらす
ようにしてある。なお、ダイオードブリッジＤＢの出力
端間に直列接続されたスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及び
スイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 は交互にオン，オフするよ
うにしてある。
従来例としてのインバータ装置の場合、負荷Ｚに供給す
る電力を変化させるとき、図３（ａ），（ｂ）に示す直
列接続されたスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 のオン，オフ
のタイミングと、同図（ｃ），（ｄ）に示すスイッチン
グ素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフのタイミングとをずらす
ようにしてある。なお、ダイオードブリッジＤＢの出力
端間に直列接続されたスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及び
スイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 は交互にオン，オフするよ
うにしてある。
【００３２】さらに、この従来のインバータ装置の動作
を詳述する。なお、以下の説明は上述の場合と同様に、
インバータ装置のスイッチング周波数が共振回路の共振
周波数よりも高く設定してある場合を例として行う。時
刻ｔ1 では、同図（ｃ）に示すようにスイッチング素子
Ｓ3 がオンし、これによりダイオードブリッジＤＢ、ス
イッチング素子Ｓ3 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、イン
ダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ2 の経路で、負荷電流
ＩZ が供給される。
を詳述する。なお、以下の説明は上述の場合と同様に、
インバータ装置のスイッチング周波数が共振回路の共振
周波数よりも高く設定してある場合を例として行う。時
刻ｔ1 では、同図（ｃ）に示すようにスイッチング素子
Ｓ3 がオンし、これによりダイオードブリッジＤＢ、ス
イッチング素子Ｓ3 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、イン
ダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ2 の経路で、負荷電流
ＩZ が供給される。
【００３３】時刻ｔ2 では、図３（ｂ）に示すようにス
イッチング素子Ｓ2 がオフとなることにより、上記負荷
電流ＩZ の供給が停止される。また、スイッチングＳ2
のオフと同時に、スイッチング素子Ｓ1 を図３（ａ）に
示すようにオンとするように制御回路１から制御出力Ｖ
1 が印加される。この場合には、インダクタＬ1 に蓄積
されたエネルギで、インダクタＬ1 、スイッチング素子
Ｓ1 の寄生ダイオード、スイッチング素子Ｓ3 、コンデ
ンサＣ2 及び負荷Ｚの経路で、それまでと同一方向に負
荷電流ＩZ が流され、インダクタＬ1 に蓄積されたエネ
ルギの放出が行われる。
イッチング素子Ｓ2 がオフとなることにより、上記負荷
電流ＩZ の供給が停止される。また、スイッチングＳ2
のオフと同時に、スイッチング素子Ｓ1 を図３（ａ）に
示すようにオンとするように制御回路１から制御出力Ｖ
1 が印加される。この場合には、インダクタＬ1 に蓄積
されたエネルギで、インダクタＬ1 、スイッチング素子
Ｓ1 の寄生ダイオード、スイッチング素子Ｓ3 、コンデ
ンサＣ2 及び負荷Ｚの経路で、それまでと同一方向に負
荷電流ＩZ が流され、インダクタＬ1 に蓄積されたエネ
ルギの放出が行われる。
【００３４】時刻ｔ3 では、図３（ｃ）に示すように、
スイッチング素子Ｓ3 がオフとなるので、上記経路での
インダクタＬ1 に蓄積されたエネルギの放出が停止され
る。但し、このときにはスイッチング素子Ｓ4 を図３
（ｄ）に示すようにオンとするように制御回路１から制
御出力Ｖ4 が印加される。このため、インダクタＬ1 の
エネルギが残っている場合には、インダクタＬ1 、スイ
ッチング素子Ｓ1 の寄生ダイオード、ダイオードブリッ
ジＤＢ、スイッチング素子Ｓ4 の寄生ダイオード、コン
デンサＣ2 及び負荷Ｚの経路で、上述したエネルギの放
出が継続される。
スイッチング素子Ｓ3 がオフとなるので、上記経路での
インダクタＬ1 に蓄積されたエネルギの放出が停止され
る。但し、このときにはスイッチング素子Ｓ4 を図３
（ｄ）に示すようにオンとするように制御回路１から制
御出力Ｖ4 が印加される。このため、インダクタＬ1 の
エネルギが残っている場合には、インダクタＬ1 、スイ
ッチング素子Ｓ1 の寄生ダイオード、ダイオードブリッ
ジＤＢ、スイッチング素子Ｓ4 の寄生ダイオード、コン
デンサＣ2 及び負荷Ｚの経路で、上述したエネルギの放
出が継続される。
【００３５】そして、インダクタＬ1 のエネルギが放出
されると、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 が共にオンとな
り、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ1 、
インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチ
ング素子Ｓ4 の経路で、それまでとは逆方向の負荷電流
ＩZ が流される。但し、上記時刻ｔ3 の時点にインダク
タＬ1 のエネルギが放出されてしまっている場合には、
制御回路１の制御出力Ｖ4 がハイレベルとなると同時
に、スイッチング素子Ｓ4 がオンとなる。この場合に
は、この時刻ｔ3 で既にスイッチング素子Ｓ1 がオンで
あるので、時刻ｔ3 において、ダイオードブリッジＤ
Ｂ、スイッチング素子Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデン
サＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ4 の経路で、負
荷電流ＩZ が流される。
されると、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 が共にオンとな
り、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ1 、
インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチ
ング素子Ｓ4 の経路で、それまでとは逆方向の負荷電流
ＩZ が流される。但し、上記時刻ｔ3 の時点にインダク
タＬ1 のエネルギが放出されてしまっている場合には、
制御回路１の制御出力Ｖ4 がハイレベルとなると同時
に、スイッチング素子Ｓ4 がオンとなる。この場合に
は、この時刻ｔ3 で既にスイッチング素子Ｓ1 がオンで
あるので、時刻ｔ3 において、ダイオードブリッジＤ
Ｂ、スイッチング素子Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデン
サＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ4 の経路で、負
荷電流ＩZ が流される。
【００３６】時刻ｔ4 では、スイッチング素子Ｓ1 がオ
フとなり、上記経路での負荷電流Ｉ Z の供給が停止され
る。このとき、同時にスイッチング素子Ｓ2 に制御回路
１からオンとする制御信号Ｖ2 が印加され、インダクタ
Ｌ1 に蓄積されたエネルギが、インダクタＬ1 、コンデ
ンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ4 、スイッチ
ング素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で放出される。
フとなり、上記経路での負荷電流Ｉ Z の供給が停止され
る。このとき、同時にスイッチング素子Ｓ2 に制御回路
１からオンとする制御信号Ｖ2 が印加され、インダクタ
Ｌ1 に蓄積されたエネルギが、インダクタＬ1 、コンデ
ンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ4 、スイッチ
ング素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で放出される。
【００３７】時刻ｔ5 では、スイッチング素子Ｓ4 がオ
フとなると共に、図３（ｃ）に示すようにスイッチング
素子Ｓ3 をオンとする制御回路１のハイレベルの制御出
力Ｖ 3 が与えられる。このとき、インダクタＬ1 のエネ
ルギが残っている場合には、インダクタＬ1 、コンデン
サＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ3 の寄生ダイオ
ード、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ2
の寄生ダイオードの経路で、インダクタＬ1 のエネルギ
の放出が行われる。そして、そのエネルギが放出された
時点で、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ
3 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイ
ッチング素子Ｓ2 の経路で、負荷電流Ｉ Z が流される。
フとなると共に、図３（ｃ）に示すようにスイッチング
素子Ｓ3 をオンとする制御回路１のハイレベルの制御出
力Ｖ 3 が与えられる。このとき、インダクタＬ1 のエネ
ルギが残っている場合には、インダクタＬ1 、コンデン
サＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ3 の寄生ダイオ
ード、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ2
の寄生ダイオードの経路で、インダクタＬ1 のエネルギ
の放出が行われる。そして、そのエネルギが放出された
時点で、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ
3 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイ
ッチング素子Ｓ2 の経路で、負荷電流Ｉ Z が流される。
【００３８】この場合にも、時刻ｔ5 で、インダクタＬ
1 のエネルギが放出されていると、時刻ｔ5 の時点で、
ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ3 、コン
デンサＣ2 及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイッチング
素子Ｓ2 の経路で、負荷電流ＩZ が流される。なお、定
常動作時には、上記時刻ｔ1 でも時刻ｔ5 で説明したと
同様の動作状態となる。そして、上記一連の動作を繰り
返すことにより、ダイオードブリッジＤＢの出力である
直流電圧を交流電圧に変換して、交流電圧が負荷回路に
供給される。このインバータ装置では、対角位置のスイ
ッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ
3 の同時オン期間が、図２に示すように一致している場
合よりも短くなり、従って負荷Ｚに供給される電力が低
減される。なお、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ4 のスイッ
チング周波数を共振回路の共振周波数よりも高く設定し
てある場合に、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ4 のスイッチ
ング周波数を最も低く設定しておく。
1 のエネルギが放出されていると、時刻ｔ5 の時点で、
ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ3 、コン
デンサＣ2 及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイッチング
素子Ｓ2 の経路で、負荷電流ＩZ が流される。なお、定
常動作時には、上記時刻ｔ1 でも時刻ｔ5 で説明したと
同様の動作状態となる。そして、上記一連の動作を繰り
返すことにより、ダイオードブリッジＤＢの出力である
直流電圧を交流電圧に変換して、交流電圧が負荷回路に
供給される。このインバータ装置では、対角位置のスイ
ッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ
3 の同時オン期間が、図２に示すように一致している場
合よりも短くなり、従って負荷Ｚに供給される電力が低
減される。なお、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ4 のスイッ
チング周波数を共振回路の共振周波数よりも高く設定し
てある場合に、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ4 のスイッチ
ング周波数を最も低く設定しておく。
【００３９】つまり、このインバータ装置では、スイッ
チング素子Ｓ1 ，Ｓ2 のオン，オフのタイミングに対し
て、スイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフのオン，
オフのタイミングを変化させることにより、スイッチン
グ素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 が同
時オンする時間を変化させ、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ
4 のスイッチング周波数を変化させずに、負荷回路に供
給される電力を変化させることができるのである。この
ため、交流電源ＡＣへの高周波出力の漏れを防止するフ
ィルタ（図示せず）の設計が容易となる。また、負荷Ｚ
が放電灯である場合に、放電灯の発する光の周波数が変
化し、赤外線リモコンなどの他の機器に悪影響を及ぼす
ということがない。さらに、放電灯がＨＩＤランプであ
る場合、出力の周波数変化によって音響的共鳴現象を起
こす恐れも少なくできる。
チング素子Ｓ1 ，Ｓ2 のオン，オフのタイミングに対し
て、スイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフのオン，
オフのタイミングを変化させることにより、スイッチン
グ素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 が同
時オンする時間を変化させ、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ
4 のスイッチング周波数を変化させずに、負荷回路に供
給される電力を変化させることができるのである。この
ため、交流電源ＡＣへの高周波出力の漏れを防止するフ
ィルタ（図示せず）の設計が容易となる。また、負荷Ｚ
が放電灯である場合に、放電灯の発する光の周波数が変
化し、赤外線リモコンなどの他の機器に悪影響を及ぼす
ということがない。さらに、放電灯がＨＩＤランプであ
る場合、出力の周波数変化によって音響的共鳴現象を起
こす恐れも少なくできる。
【００４０】なお、上述の説明はスイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ2 のスイッチング位相に対してスイッチング素
子Ｓ3 ，Ｓ4 のスイッチング位相を遅らせた場合につい
て説明したが、逆に進ませても、同様に負荷回路に供給
される電力を変化させることができる。しかし、上記イ
ンバータ装置で負荷Ｚが放電灯である場合、低温時に放
電灯への供給電力を小さくしぼった場合に、放電灯が立
消えを起こし、放電灯の調光制御範囲が狭くなるという
問題がある。
Ｓ1 ，Ｓ2 のスイッチング位相に対してスイッチング素
子Ｓ3 ，Ｓ4 のスイッチング位相を遅らせた場合につい
て説明したが、逆に進ませても、同様に負荷回路に供給
される電力を変化させることができる。しかし、上記イ
ンバータ装置で負荷Ｚが放電灯である場合、低温時に放
電灯への供給電力を小さくしぼった場合に、放電灯が立
消えを起こし、放電灯の調光制御範囲が狭くなるという
問題がある。
【００４１】そこで、本実施例ではこの点を改善するた
めに、図４に示すように、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4
のスイッチング周波数（スイッチング周期）をスイッチ
ング素子Ｓ2 ，Ｓ3 のスイッチング周波数（スイッチン
グ周期）と異ならせると共に、スイッチング素子Ｓ2 ，
Ｓ3 のスイッチング周波数を異ならせてある。以下、動
作を図４で説明する。なお、時刻ｔ0 〜ｔ3 の動作は図
２で説明した動作と同じであるので、説明は省略する。
また、この説明もインバータ装置のスイッチング周波数
が共振回路の共振周波数よりも高い場合について行う。
めに、図４に示すように、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4
のスイッチング周波数（スイッチング周期）をスイッチ
ング素子Ｓ2 ，Ｓ3 のスイッチング周波数（スイッチン
グ周期）と異ならせると共に、スイッチング素子Ｓ2 ，
Ｓ3 のスイッチング周波数を異ならせてある。以下、動
作を図４で説明する。なお、時刻ｔ0 〜ｔ3 の動作は図
２で説明した動作と同じであるので、説明は省略する。
また、この説明もインバータ装置のスイッチング周波数
が共振回路の共振周波数よりも高い場合について行う。
【００４２】時刻ｔ3 では、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ
3 がオンとならない。このため、インダクタＬ1 に蓄積
されたエネルギが放出されることなく、そのままインダ
クタＬ1 に蓄えられる。時刻ｔ4 では、スイッチング素
子Ｓ1 ，Ｓ4 のオンにより、ダイオードブリッジＤＢ、
スイッチング素子Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ
2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ4 の経路で、負荷電
流ＩZ が流される。なお、このときには、インダクタＬ
1 に蓄積されたエネルギが、ダイオードブリッジＤＢの
出力に加算された形で、負荷電流ＩZ が流され、インダ
クタＬ1 に蓄積されるエネルギはさらに大きくなる。
3 がオンとならない。このため、インダクタＬ1 に蓄積
されたエネルギが放出されることなく、そのままインダ
クタＬ1 に蓄えられる。時刻ｔ4 では、スイッチング素
子Ｓ1 ，Ｓ4 のオンにより、ダイオードブリッジＤＢ、
スイッチング素子Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ
2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ4 の経路で、負荷電
流ＩZ が流される。なお、このときには、インダクタＬ
1 に蓄積されたエネルギが、ダイオードブリッジＤＢの
出力に加算された形で、負荷電流ＩZ が流され、インダ
クタＬ1 に蓄積されるエネルギはさらに大きくなる。
【００４３】時刻ｔ5 では、スイッチング素子Ｓ2 はオ
ンとなるが、スイッチング素子Ｓ3がオンとならず、且
つスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 もオフである。このた
め、インダクタＬ1 に蓄積されたエネルギが放出される
ことなく、そのままインダクタＬ1 に蓄えられる。時刻
ｔ6 〜ｔ8 では上述した時刻ｔ2 〜ｔ4 までの動作が繰
り返され、インダクタＬ1 はエネルギを蓄積した状態に
保たれる。
ンとなるが、スイッチング素子Ｓ3がオンとならず、且
つスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 もオフである。このた
め、インダクタＬ1 に蓄積されたエネルギが放出される
ことなく、そのままインダクタＬ1 に蓄えられる。時刻
ｔ6 〜ｔ8 では上述した時刻ｔ2 〜ｔ4 までの動作が繰
り返され、インダクタＬ1 はエネルギを蓄積した状態に
保たれる。
【００４４】時刻ｔ9 では、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ
3 をオンとする制御信号Ｖ2 ，Ｖ3が与えられた時点
で、インダクタＬ1 に蓄積されたエネルギが、インダク
タＬ1、負荷Ｚ及びコンデンサＣ2 、スイッチング素子
Ｓ3 の寄生ダイオード、ダイオードブリッジＤＢ、スイ
ッチング素子Ｓ2 の寄生ダイオードを介して放出され、
そのエネルギの放出後はスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の
オンにより、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素
子Ｓ3 、負荷Ｚ及びコンデンサＣ2 、インダクタＬ1 、
スイッチング素子Ｓ2 の経路で、負荷電流ＩZ が供給さ
れる。なお、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 はオン可能期
間内にオンとなるようにしてある。
3 をオンとする制御信号Ｖ2 ，Ｖ3が与えられた時点
で、インダクタＬ1 に蓄積されたエネルギが、インダク
タＬ1、負荷Ｚ及びコンデンサＣ2 、スイッチング素子
Ｓ3 の寄生ダイオード、ダイオードブリッジＤＢ、スイ
ッチング素子Ｓ2 の寄生ダイオードを介して放出され、
そのエネルギの放出後はスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の
オンにより、ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素
子Ｓ3 、負荷Ｚ及びコンデンサＣ2 、インダクタＬ1 、
スイッチング素子Ｓ2 の経路で、負荷電流ＩZ が供給さ
れる。なお、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 はオン可能期
間内にオンとなるようにしてある。
【００４５】このようにすれば、共振回路に印加される
正負の電圧がアンバランスとなり、インダクタＬ1 に蓄
積されたエネルギが負荷Ｚに直流成分として印加され
る。図５は、上述した図３のように、スイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ2 のオン，オフのタイミングとスイッチング素
子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフのタイミングをずらし、対角
位置のスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素
子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オンの期間を短くし、負荷Ｚに供給
される電力を低減した場合を示す。
正負の電圧がアンバランスとなり、インダクタＬ1 に蓄
積されたエネルギが負荷Ｚに直流成分として印加され
る。図５は、上述した図３のように、スイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ2 のオン，オフのタイミングとスイッチング素
子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフのタイミングをずらし、対角
位置のスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素
子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オンの期間を短くし、負荷Ｚに供給
される電力を低減した場合を示す。
【００４６】このようにすれば、図３で説明したと同様
に、スイッチング周波数を変化させずに、負荷Ｚに供給
される電力を変化させることができる。しかも、スイッ
チング素子Ｓ1 ，Ｓ4 とスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 と
のスイッチング周波数が異なる（本実施例の場合、スイ
ッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 のスイッチング周波数がスイッ
チング素子Ｓ2 ，Ｓ3 のスイッチング周波数よりも高
い）ため、共振回路に印加される正負の電圧がアンバラ
ンスとなり、負荷Ｚに直流電圧が印加される。従って、
負荷Ｚが放電灯である場合に、低温時に調光状態を深く
した場合にも放電灯を安定点灯させることができ、調光
可能範囲が狭くなることがない。
に、スイッチング周波数を変化させずに、負荷Ｚに供給
される電力を変化させることができる。しかも、スイッ
チング素子Ｓ1 ，Ｓ4 とスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 と
のスイッチング周波数が異なる（本実施例の場合、スイ
ッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 のスイッチング周波数がスイッ
チング素子Ｓ2 ，Ｓ3 のスイッチング周波数よりも高
い）ため、共振回路に印加される正負の電圧がアンバラ
ンスとなり、負荷Ｚに直流電圧が印加される。従って、
負荷Ｚが放電灯である場合に、低温時に調光状態を深く
した場合にも放電灯を安定点灯させることができ、調光
可能範囲が狭くなることがない。
【００４７】図６及び図７に上記インバータ装置におけ
る制御回路１の具体回路を示す。この制御回路１は、基
本周波数の矩形波信号を発生する発振回路２と、この発
振回路２の出力に応じてスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 を
駆動する駆動回路３，４と、発振回路２の出力を一定時
間遅延させた信号を作成する遅延回路５と、この遅延回
路５の出力に応じてスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 を駆動
する駆動回路６，７とで構成してある。
る制御回路１の具体回路を示す。この制御回路１は、基
本周波数の矩形波信号を発生する発振回路２と、この発
振回路２の出力に応じてスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 を
駆動する駆動回路３，４と、発振回路２の出力を一定時
間遅延させた信号を作成する遅延回路５と、この遅延回
路５の出力に応じてスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 を駆動
する駆動回路６，７とで構成してある。
【００４８】発振回路２は、タイマＩＣ２ａと、このタ
イマＩＣ２ａの外付け抵抗Ｒ11、可変抵抗ＶＲ11，ＶＲ
12、ダイオードＤ11，Ｄ12及びコンデンサＣ11で構成さ
れ、図８（ａ）の矩形波信号を発生する。ここで、可変
抵抗ＶＲ11，ＶＲ12の調整により、矩形波信号のハイレ
ベル期間とローレベル期間との比率を可変できるように
なっている。
イマＩＣ２ａの外付け抵抗Ｒ11、可変抵抗ＶＲ11，ＶＲ
12、ダイオードＤ11，Ｄ12及びコンデンサＣ11で構成さ
れ、図８（ａ）の矩形波信号を発生する。ここで、可変
抵抗ＶＲ11，ＶＲ12の調整により、矩形波信号のハイレ
ベル期間とローレベル期間との比率を可変できるように
なっている。
【００４９】スイッチング素子Ｓ1 を駆動する駆動回路
３は、スイッチング素子Ｓ2 と同時オンしてダイオード
ブリッジＤＢ間を短絡することを防止するデッドオフ期
間を発振回路２の出力Ｖａに設定するデッドオフ回路３
１と、このデッド回路３１の出力をレベルシフトしてス
イッチング素子Ｓ1 に与えるレベルシフト回路３２とで
構成してある。
３は、スイッチング素子Ｓ2 と同時オンしてダイオード
ブリッジＤＢ間を短絡することを防止するデッドオフ期
間を発振回路２の出力Ｖａに設定するデッドオフ回路３
１と、このデッド回路３１の出力をレベルシフトしてス
イッチング素子Ｓ1 に与えるレベルシフト回路３２とで
構成してある。
【００５０】ところで、上述の場合には説明しなかった
が、ダイオードブリッジＤＢに対して直列に接続された
スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及びスイッチング素子
Ｓ3 ，Ｓ 4 が同時にオンすると、電源短絡状態になるた
め、それを防止するためにスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2
あるいはスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 がオン，オフに切
り換わる時点には、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 あるい
はスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 が共にオフとなるいわゆ
るデットオフ期間が設けられる。
が、ダイオードブリッジＤＢに対して直列に接続された
スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及びスイッチング素子
Ｓ3 ，Ｓ 4 が同時にオンすると、電源短絡状態になるた
め、それを防止するためにスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2
あるいはスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 がオン，オフに切
り換わる時点には、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 あるい
はスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 が共にオフとなるいわゆ
るデットオフ期間が設けられる。
【００５１】デッドオフ回路３１は、可変抵抗ＶＲ13〜
ＶＲ15、ダイオードＤ13，Ｄ14、コンデンサＣ12及びバ
ッファアンプＢ1 で構成してある。つまり、可変抵抗Ｖ
Ｒ13，ＶＲ14とコンデンサＣ12の時定数で決まる時間
（図８におけるｔ0 −ｔ1 の期間）だけ、発振回路２の
出力Ｖａの立上りを遅らせた図８（ｃ）の信号を作成す
る。レベルシフト回路３２は、トランジスタＱ11〜Ｑ14
からなるカレントミラー回路ＣＭ3 と、バッファアンプ
Ｂ2 と、ダイオードブリッジＤＢの出力電圧を定電圧化
するツェナダイオードＺＤ1 及びコンデンサＣ18からな
る定電圧回路３３とで構成してある。このレベルシフト
回路３２では、カレントミラー回路ＣＭ3 でデッドオフ
回路３１の出力を電流に代えて、異なる電位で動作する
バッファアンプＢ2 に信号を伝達し、バッファアンプＢ
2 の出力を制御信号Ｖ1 としてスイッチング素子Ｓ1 に
与える。
ＶＲ15、ダイオードＤ13，Ｄ14、コンデンサＣ12及びバ
ッファアンプＢ1 で構成してある。つまり、可変抵抗Ｖ
Ｒ13，ＶＲ14とコンデンサＣ12の時定数で決まる時間
（図８におけるｔ0 −ｔ1 の期間）だけ、発振回路２の
出力Ｖａの立上りを遅らせた図８（ｃ）の信号を作成す
る。レベルシフト回路３２は、トランジスタＱ11〜Ｑ14
からなるカレントミラー回路ＣＭ3 と、バッファアンプ
Ｂ2 と、ダイオードブリッジＤＢの出力電圧を定電圧化
するツェナダイオードＺＤ1 及びコンデンサＣ18からな
る定電圧回路３３とで構成してある。このレベルシフト
回路３２では、カレントミラー回路ＣＭ3 でデッドオフ
回路３１の出力を電流に代えて、異なる電位で動作する
バッファアンプＢ2 に信号を伝達し、バッファアンプＢ
2 の出力を制御信号Ｖ1 としてスイッチング素子Ｓ1 に
与える。
【００５２】スイッチング素子Ｓ2 の駆動回路４は、ス
イッチング素子Ｓ2 と同時オンしてダイオードブリッジ
ＤＢ間を短絡することを防止するデッドオフ期間を発振
回路２の出力Ｖａに設定するデッドオフ回路４１と、こ
のデッドオフ回路４１の出力からスイッチング素子Ｓ1
がオフとなる時点に同期して２倍のスイッチング周期で
スイッチング素子Ｓ2 をオンとする制御信号Ｖ2 を作成
する周波数変換回路４２とで構成してある。なお、スイ
ッチング素子Ｓ2 の基準電位は制御回路１の基準電位と
一致しているので、レベルシフト回路は必要ない。
イッチング素子Ｓ2 と同時オンしてダイオードブリッジ
ＤＢ間を短絡することを防止するデッドオフ期間を発振
回路２の出力Ｖａに設定するデッドオフ回路４１と、こ
のデッドオフ回路４１の出力からスイッチング素子Ｓ1
がオフとなる時点に同期して２倍のスイッチング周期で
スイッチング素子Ｓ2 をオンとする制御信号Ｖ2 を作成
する周波数変換回路４２とで構成してある。なお、スイ
ッチング素子Ｓ2 の基準電位は制御回路１の基準電位と
一致しているので、レベルシフト回路は必要ない。
【００５３】上記デッドオフ回路４１は、インバータゲ
ートＩ1 、可変抵抗ＶＲ16〜ＶＲ18、ダイオードＤ15，
Ｄ16、コンデンサＣ13及びバッファアンプＢ3 で構成し
てある。このデッドオフ回路４１では、インバータゲー
トＩ1 で発振回路２の出力Ｖａを反転し（その反転信号
Ｖｂを図８（ｂ）に示す）、可変抵抗ＶＲ16，ＶＲ17と
コンデンサＣ13の時定数で決まる時間（図８のｔ4 −ｔ
5 で示す期間）だけ、反転信号Ｖｂの立上りを遅らせた
図８（ｄ）の信号を作成する。
ートＩ1 、可変抵抗ＶＲ16〜ＶＲ18、ダイオードＤ15，
Ｄ16、コンデンサＣ13及びバッファアンプＢ3 で構成し
てある。このデッドオフ回路４１では、インバータゲー
トＩ1 で発振回路２の出力Ｖａを反転し（その反転信号
Ｖｂを図８（ｂ）に示す）、可変抵抗ＶＲ16，ＶＲ17と
コンデンサＣ13の時定数で決まる時間（図８のｔ4 −ｔ
5 で示す期間）だけ、反転信号Ｖｂの立上りを遅らせた
図８（ｄ）の信号を作成する。
【００５４】周波数変換回路４２は、デッドオフ回路４
１の出力Ｖｎの立上りをクロックとして２分周した出力
を生じる分周用ＩＣ（例えば、４５１６Ｂ）４２ａと、
この分周用ＩＣ４２ａの出力Ｏ0 とデッドオフ回路４１
の出力ＶｎとのアンドをとるアンドゲートＡＮＤ4 とで
構成してある。分周用ＩＣ４２ａの出力としては図８
（ｒ）に示すものが得られ、その出力Ｖｏとデッドオフ
回路４１の出力Ｖｎとのアンドをとると、同図（ｓ）に
示すように、スイッチング素子Ｓ1 がオフとなる時点に
同期して２倍のスイッチング周期でスイッチング素子Ｓ
2 をオンとする制御信号Ｖ2 が作成される。
１の出力Ｖｎの立上りをクロックとして２分周した出力
を生じる分周用ＩＣ（例えば、４５１６Ｂ）４２ａと、
この分周用ＩＣ４２ａの出力Ｏ0 とデッドオフ回路４１
の出力ＶｎとのアンドをとるアンドゲートＡＮＤ4 とで
構成してある。分周用ＩＣ４２ａの出力としては図８
（ｒ）に示すものが得られ、その出力Ｖｏとデッドオフ
回路４１の出力Ｖｎとのアンドをとると、同図（ｓ）に
示すように、スイッチング素子Ｓ1 がオフとなる時点に
同期して２倍のスイッチング周期でスイッチング素子Ｓ
2 をオンとする制御信号Ｖ2 が作成される。
【００５５】遅延回路５は、発振回路２の出力Ｖａを遅
延する時間を設定する遅延時間設定部５１と、この遅延
時間設定部５１の遅延時間に応じて発振回路２の出力Ｖ
ａを全体的に遅延させた信号を作成する遅延信号作成部
５２とで構成してある。遅延時間設定部５１は、可変抵
抗ＶＲ19，ＶＲ20、ダイオードＤ17、コンデンサＣ14、
インバータゲートＩ3 ，Ｉ4 とで構成し、可変抵抗ＶＲ
19とコンデンサＣ14の時定数で決まる時間（例えば、図
８のｔ0 −ｔ2 で示す期間）が、発振回路２の出力Ｖａ
を遅延する時間となる。さらに詳しくは、発振回路２の
出力Ｖａの立上りから図８（ｅ）に示すようにコンデン
サＣ14の充電が開始され、コンデンサＣ14の両端電圧が
インバータゲートＩ3 のスレッショルド電圧に達したと
き、インバータゲートＩ3 の出力Ｖｄは図８（ｆ）のよ
うになる。
延する時間を設定する遅延時間設定部５１と、この遅延
時間設定部５１の遅延時間に応じて発振回路２の出力Ｖ
ａを全体的に遅延させた信号を作成する遅延信号作成部
５２とで構成してある。遅延時間設定部５１は、可変抵
抗ＶＲ19，ＶＲ20、ダイオードＤ17、コンデンサＣ14、
インバータゲートＩ3 ，Ｉ4 とで構成し、可変抵抗ＶＲ
19とコンデンサＣ14の時定数で決まる時間（例えば、図
８のｔ0 −ｔ2 で示す期間）が、発振回路２の出力Ｖａ
を遅延する時間となる。さらに詳しくは、発振回路２の
出力Ｖａの立上りから図８（ｅ）に示すようにコンデン
サＣ14の充電が開始され、コンデンサＣ14の両端電圧が
インバータゲートＩ3 のスレッショルド電圧に達したと
き、インバータゲートＩ3 の出力Ｖｄは図８（ｆ）のよ
うになる。
【００５６】遅延信号作成部５２は、遅延時間設定部５
１のインバータゲートＩ3 の出力Ｖｄと発振回路２の出
力ＶａとのアンドをとるアンドゲートＡＮＤ1 と、遅延
時間を得るためのコンデンサＣ15と、アンドゲートＡＮ
Ｄ1 の出力ＶｇでコンデンサＣ15を充電するトランジス
タＱ20〜Ｑ24からなるカレントミラー回路ＣＭ1 と、コ
ンデンサＣ15の両端電圧を所定電圧と比較するコンパレ
ータＣＰ1 と、発振回路２の出力Ｖａを反転するインバ
ータゲートＩ2 と、インバータゲートＩ2 の出力Ｖｆと
コンパレータＣＰ1 の出力Ｖｉとのアンドをとるアンド
ゲートＡＮＤ2と、アンドゲートＡＮＤ2 の出力Ｖｊと
遅延時間設定部５１の出力Ｖｅとのオアをとるオアゲー
トＯＲ1 と、オアゲートＯＲ1 の出力Ｖｋとインバータ
ゲートＩ 2 の出力ＶｆとのアンドをとるアンドゲートＡ
ＮＤ3 と、アンドゲートＡＮＤ3の出力Ｖｌに応じてコ
ンデンサＣ15の放電を行うトランジスタＱ25，Ｑ26から
なるカレントミラー回路ＣＭ2 とで構成してある。
１のインバータゲートＩ3 の出力Ｖｄと発振回路２の出
力ＶａとのアンドをとるアンドゲートＡＮＤ1 と、遅延
時間を得るためのコンデンサＣ15と、アンドゲートＡＮ
Ｄ1 の出力ＶｇでコンデンサＣ15を充電するトランジス
タＱ20〜Ｑ24からなるカレントミラー回路ＣＭ1 と、コ
ンデンサＣ15の両端電圧を所定電圧と比較するコンパレ
ータＣＰ1 と、発振回路２の出力Ｖａを反転するインバ
ータゲートＩ2 と、インバータゲートＩ2 の出力Ｖｆと
コンパレータＣＰ1 の出力Ｖｉとのアンドをとるアンド
ゲートＡＮＤ2と、アンドゲートＡＮＤ2 の出力Ｖｊと
遅延時間設定部５１の出力Ｖｅとのオアをとるオアゲー
トＯＲ1 と、オアゲートＯＲ1 の出力Ｖｋとインバータ
ゲートＩ 2 の出力ＶｆとのアンドをとるアンドゲートＡ
ＮＤ3 と、アンドゲートＡＮＤ3の出力Ｖｌに応じてコ
ンデンサＣ15の放電を行うトランジスタＱ25，Ｑ26から
なるカレントミラー回路ＣＭ2 とで構成してある。
【００５７】以下、この遅延信号作成部５２の動作を説
明する。アンドゲートＡＮＤ1 で、図８（ｆ）に示す遅
延時間設定部５１のインバータゲートＩ3 の出力Ｖｄ
と、発振回路２の出力Ｖａとのアンドをとると、このア
ンドゲートＡＮＤ1 の出力Ｖｇは、図８（ｉ）に示すよ
うに、遅延時間設定部５１で設定した遅延時間に相当す
る期間ハイレベルとなる。このアンドゲートＡＮＤ1 の
出力Ｖｇがハイレベルである期間、図８（ｊ）に示すよ
うにコンデンサＣ15がカレントミラー回路ＣＭ1で充電
される。ここで、コンパレータＣＰ1 の基準電圧はほぼ
０Ｖに設定してあるので、その出力Ｖｉは図８（ｋ）に
示すようにハイレベルに保たれる。
明する。アンドゲートＡＮＤ1 で、図８（ｆ）に示す遅
延時間設定部５１のインバータゲートＩ3 の出力Ｖｄ
と、発振回路２の出力Ｖａとのアンドをとると、このア
ンドゲートＡＮＤ1 の出力Ｖｇは、図８（ｉ）に示すよ
うに、遅延時間設定部５１で設定した遅延時間に相当す
る期間ハイレベルとなる。このアンドゲートＡＮＤ1 の
出力Ｖｇがハイレベルである期間、図８（ｊ）に示すよ
うにコンデンサＣ15がカレントミラー回路ＣＭ1で充電
される。ここで、コンパレータＣＰ1 の基準電圧はほぼ
０Ｖに設定してあるので、その出力Ｖｉは図８（ｋ）に
示すようにハイレベルに保たれる。
【００５８】上述の動作時点では、図８（ｈ）に示すよ
うにインバータゲートＩ2 の出力Ｖｆはローレベルであ
るので、同図（ｌ）に示すようにアンドゲートＡＮＤ2
の出力Ｖｊはローレベルとなっている。そして、上記コ
ンパレータＣＰ1 の出力ＶｉはコンデンサＣ15が充電さ
れている期間ハイレベルに保たれる。いま、図８（ａ）
に示すように発振回路２の出力Ｖａがローレベルとなる
と、同図（ｈ）に示すようにインバータゲートＩ2 の出
力Ｖｆがハイレベルとなる。このため、同図（ｌ）に示
すようにアンドゲートＡＮＤ2 の出力Ｖｊがハイレベル
となる。これにより、遅延時間設定部５１のインバータ
ゲートＩ4 の出力Ｖｅがローレベルに立ち下がった後
も、オアゲートＯＲ1 の出力Ｖｋは図８（ｍ）に示すよ
うにハイレベルに保たれる。
うにインバータゲートＩ2 の出力Ｖｆはローレベルであ
るので、同図（ｌ）に示すようにアンドゲートＡＮＤ2
の出力Ｖｊはローレベルとなっている。そして、上記コ
ンパレータＣＰ1 の出力ＶｉはコンデンサＣ15が充電さ
れている期間ハイレベルに保たれる。いま、図８（ａ）
に示すように発振回路２の出力Ｖａがローレベルとなる
と、同図（ｈ）に示すようにインバータゲートＩ2 の出
力Ｖｆがハイレベルとなる。このため、同図（ｌ）に示
すようにアンドゲートＡＮＤ2 の出力Ｖｊがハイレベル
となる。これにより、遅延時間設定部５１のインバータ
ゲートＩ4 の出力Ｖｅがローレベルに立ち下がった後
も、オアゲートＯＲ1 の出力Ｖｋは図８（ｍ）に示すよ
うにハイレベルに保たれる。
【００５９】このとき、アンドゲートＡＮＤ3 の出力Ｖ
ｌが図８（ｎ）に示すようにハイレベルになることによ
り、カレントミラー回路ＣＭ2 が動作し、コンデンサＣ
15の放電が開始される。ここで、カレントミラー回路Ｃ
Ｍ2 と上記カレントミラー回路ＣＭ1 はミラー比が１：
１に設定してあるので、図８（ｊ）に示すように、遅延
時間設定部５１で設定した遅延時間と同じ時間後に、コ
ンデンサＣ15が完全に放電される。
ｌが図８（ｎ）に示すようにハイレベルになることによ
り、カレントミラー回路ＣＭ2 が動作し、コンデンサＣ
15の放電が開始される。ここで、カレントミラー回路Ｃ
Ｍ2 と上記カレントミラー回路ＣＭ1 はミラー比が１：
１に設定してあるので、図８（ｊ）に示すように、遅延
時間設定部５１で設定した遅延時間と同じ時間後に、コ
ンデンサＣ15が完全に放電される。
【００６０】そして、コンデンサＣ15が完全に放電され
ると、コンパレータＣＰ1 の出力Ｖｉは図８（ｋ）に示
すようにローレベルとなる。これにより、アンドゲート
ＡＮＤ2 の出力Ｖｊが図８（ｌ）に示すようにローレベ
ルとなり、オアゲートＯＲ1の出力Ｖｋも同図（ｍ）に
示すようにローレベルとなる。そして、そのオアゲート
ＯＲ1 の出力ＶｋによりアンドゲートＡＮＤ3 の出力Ｖ
ｌが図８（ｎ）に示すようにローレベルになり、カレン
トミラー回路ＣＭ2 の動作が停止される。
ると、コンパレータＣＰ1 の出力Ｖｉは図８（ｋ）に示
すようにローレベルとなる。これにより、アンドゲート
ＡＮＤ2 の出力Ｖｊが図８（ｌ）に示すようにローレベ
ルとなり、オアゲートＯＲ1の出力Ｖｋも同図（ｍ）に
示すようにローレベルとなる。そして、そのオアゲート
ＯＲ1 の出力ＶｋによりアンドゲートＡＮＤ3 の出力Ｖ
ｌが図８（ｎ）に示すようにローレベルになり、カレン
トミラー回路ＣＭ2 の動作が停止される。
【００６１】つまり、上記遅延信号作成部５２は、遅延
時間設定部５１で設定された時間と同じだけの時間、オ
アゲートＯＲ1 の出力Ｖｋの立下りを遅らせるために設
けてあり、遅延時間設定部５１の遅延時間に応じて発振
回路２の出力Ｖａを全体的に遅延させた信号を作成して
いる。そして、この信号Ｖｋを基にして駆動回路６，７
がスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ 4 を駆動する。スイッチン
グ素子Ｓ3 の駆動回路６は、デッドオフ回路６１、周波
数変換回路６２及びレベルシフト回路６３で構成し、ス
イッチング素子Ｓ4 の駆動回路７は、デッドオフ回路７
１で構成してある。
時間設定部５１で設定された時間と同じだけの時間、オ
アゲートＯＲ1 の出力Ｖｋの立下りを遅らせるために設
けてあり、遅延時間設定部５１の遅延時間に応じて発振
回路２の出力Ｖａを全体的に遅延させた信号を作成して
いる。そして、この信号Ｖｋを基にして駆動回路６，７
がスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ 4 を駆動する。スイッチン
グ素子Ｓ3 の駆動回路６は、デッドオフ回路６１、周波
数変換回路６２及びレベルシフト回路６３で構成し、ス
イッチング素子Ｓ4 の駆動回路７は、デッドオフ回路７
１で構成してある。
【００６２】デッドオフ回路６１は、インバータゲート
Ｉ5 、可変抵抗ＶＲ24〜ＶＲ26、ダイオードＤ20，
Ｄ21、コンデンサＣ17及びバッファアンプＢ5 で構成し
てあり、オアゲートＯＲ1 の出力ＶｋをインバータＩ5
で反転した出力Ｖｍ（図８（ｏ）に示す）の立上りを、
可変抵抗ＶＲ24，ＶＲ26及びコンデンサＣ17の時定数で
決まる時間（図８のｔ6 −ｔ7 で示す）期間遅延させて
デッドオフ期間を設定する。この出力Ｖｐは図８（ｔ）
に示すようになる。
Ｉ5 、可変抵抗ＶＲ24〜ＶＲ26、ダイオードＤ20，
Ｄ21、コンデンサＣ17及びバッファアンプＢ5 で構成し
てあり、オアゲートＯＲ1 の出力ＶｋをインバータＩ5
で反転した出力Ｖｍ（図８（ｏ）に示す）の立上りを、
可変抵抗ＶＲ24，ＶＲ26及びコンデンサＣ17の時定数で
決まる時間（図８のｔ6 −ｔ7 で示す）期間遅延させて
デッドオフ期間を設定する。この出力Ｖｐは図８（ｔ）
に示すようになる。
【００６３】周波数変換回路６２は、デッドオフ回路６
１の出力Ｖｐの立上りをクロックとして２分周した出力
Ｖｑ及び４分周した出力Ｖｓを生じる分周用ＩＣ（例え
ば、４５１６Ｂ）６２ａと、この分周用ＩＣ６２ａの出
力Ｖｑとデッドオフ回路６１の出力Ｖｐとのアンドをと
るアンドゲートＡＮＤ5 と、このアンドゲートＡＮＤ 5
の出力Ｖｒと分周用ＩＣ６２ａの出力Ｖｓとのアンドを
とるアンドゲートＡＮＤ6 とで構成してある。
１の出力Ｖｐの立上りをクロックとして２分周した出力
Ｖｑ及び４分周した出力Ｖｓを生じる分周用ＩＣ（例え
ば、４５１６Ｂ）６２ａと、この分周用ＩＣ６２ａの出
力Ｖｑとデッドオフ回路６１の出力Ｖｐとのアンドをと
るアンドゲートＡＮＤ5 と、このアンドゲートＡＮＤ 5
の出力Ｖｒと分周用ＩＣ６２ａの出力Ｖｓとのアンドを
とるアンドゲートＡＮＤ6 とで構成してある。
【００６４】分周用ＩＣ６２ａの出力Ｖｑとしては図８
（ｕ）に示すものが得られ、その出力Ｖｑとデッドオフ
回路６１の出力Ｖｐとのアンドをとると、同図（ｖ）に
示す出力Ｖｒが得られる。そして、この出力Ｖｒと図８
（ｗ）に示す分周用ＩＣ６２ａの出力Ｖｓとのアンドを
とると、スイッチング素子Ｓ4 がオフとなる時点に同期
して４倍にスイッチング周期でスイッチング素子Ｓ3 を
オンとする制御信号Ｖ 3 が作成される。
（ｕ）に示すものが得られ、その出力Ｖｑとデッドオフ
回路６１の出力Ｖｐとのアンドをとると、同図（ｖ）に
示す出力Ｖｒが得られる。そして、この出力Ｖｒと図８
（ｗ）に示す分周用ＩＣ６２ａの出力Ｖｓとのアンドを
とると、スイッチング素子Ｓ4 がオフとなる時点に同期
して４倍にスイッチング周期でスイッチング素子Ｓ3 を
オンとする制御信号Ｖ 3 が作成される。
【００６５】また、レベルシフト回路６３は、トランジ
スタＱ15〜Ｑ18からなるカレントミラー回路ＣＭ4 と、
バッファアンプＢ6 と、ダイオードブリッジＤＢの出力
電圧を定電圧化するツェナダイオードＺＤ2 及びコンデ
ンサＣ19からなる定電圧回路６４とで構成してある。そ
の動作はレベルシフト回路３２と同じである。デッドオ
フ回路７１は、可変抵抗ＶＲ21〜ＶＲ23、ダイオードＤ
18，Ｄ19、コンデンサＣ16及びバッファアンプＢ4 で構
成してあり、オアゲートＯＲ1 の出力Ｖｋの立上りを可
変抵抗ＶＲ21，ＶＲ22及びコンデンサＣ16の時定数で決
まる時間（図８のｔ2 −ｔ3 で示す期間）遅延させて、
デッドオフ期間を設定する。その出力Ｖ4 は図（ｑ）の
ようになる。
スタＱ15〜Ｑ18からなるカレントミラー回路ＣＭ4 と、
バッファアンプＢ6 と、ダイオードブリッジＤＢの出力
電圧を定電圧化するツェナダイオードＺＤ2 及びコンデ
ンサＣ19からなる定電圧回路６４とで構成してある。そ
の動作はレベルシフト回路３２と同じである。デッドオ
フ回路７１は、可変抵抗ＶＲ21〜ＶＲ23、ダイオードＤ
18，Ｄ19、コンデンサＣ16及びバッファアンプＢ4 で構
成してあり、オアゲートＯＲ1 の出力Ｖｋの立上りを可
変抵抗ＶＲ21，ＶＲ22及びコンデンサＣ16の時定数で決
まる時間（図８のｔ2 −ｔ3 で示す期間）遅延させて、
デッドオフ期間を設定する。その出力Ｖ4 は図（ｑ）の
ようになる。
【００６６】このようにすれば、スイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ2 及びスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オ
フタイミングの位相差θは、図８における時刻ｔ1 −ｔ
3 で与えられる。 （実施例２）図９に本発明の他の実施例を示す。本実施
例は基本的には上記実施例の場合と同様にして動作する
もので、本実施例の特徴とするところは、負荷Ｚが放電
灯Ｌａであり、上記実施例の動作を適用して、この放電
灯Ｌａを良好に予熱して始動点灯させる点にある。
Ｓ1 ，Ｓ2 及びスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オ
フタイミングの位相差θは、図８における時刻ｔ1 −ｔ
3 で与えられる。 （実施例２）図９に本発明の他の実施例を示す。本実施
例は基本的には上記実施例の場合と同様にして動作する
もので、本実施例の特徴とするところは、負荷Ｚが放電
灯Ｌａであり、上記実施例の動作を適用して、この放電
灯Ｌａを良好に予熱して始動点灯させる点にある。
【００６７】放電灯Ｌａは不点時には、そのインピーダ
ンスが非常高くなり、共振回路の共振に影響しなくな
り、共振周波数が最も高くなる。そこで、スイッチング
素子Ｓ 1 〜Ｓ4 の中で一番スイッチング周波数の低いも
の（上記実施例の場合にはスイッチング素子Ｓ3 ）のス
イッチング周波数を、共振回路の共振周波数よりも僅か
に高く設定する。そして、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ4
の中で一番スイッチング周波数の高いもの（上記実施例
の場合にはスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 ）の制御信号を
基準として、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及びスイッチ
ング素子Ｓ3 ，Ｓ 4 のスイッチング位相を１８０度ずれ
た状態から同位相となるまで変化させる。このようにす
れば、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素
子Ｓ2 ，Ｓ 3 の同時オンする期間が短い状態から長い状
態へと変化し、放電灯Ｌａを不点の状態としてフィラメ
ントを予熱し、その後に放電灯Ｌａに放電開始電圧を印
加して始動点灯させることができる。
ンスが非常高くなり、共振回路の共振に影響しなくな
り、共振周波数が最も高くなる。そこで、スイッチング
素子Ｓ 1 〜Ｓ4 の中で一番スイッチング周波数の低いも
の（上記実施例の場合にはスイッチング素子Ｓ3 ）のス
イッチング周波数を、共振回路の共振周波数よりも僅か
に高く設定する。そして、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ4
の中で一番スイッチング周波数の高いもの（上記実施例
の場合にはスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 ）の制御信号を
基準として、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及びスイッチ
ング素子Ｓ3 ，Ｓ 4 のスイッチング位相を１８０度ずれ
た状態から同位相となるまで変化させる。このようにす
れば、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素
子Ｓ2 ，Ｓ 3 の同時オンする期間が短い状態から長い状
態へと変化し、放電灯Ｌａを不点の状態としてフィラメ
ントを予熱し、その後に放電灯Ｌａに放電開始電圧を印
加して始動点灯させることができる。
【００６８】ところで、上記放電灯Ｌａの予熱後の始動
方法としては、通常のこの種のインバータ装置を用いた
放電灯点灯装置の場合と同様に、インバータ装置のスイ
ッチング周波数を共振回路の共振周波数に近づけること
により、始動点灯させる方法を採用してもよいことは言
うまでもない。但し、定常点灯時にはスイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オン
期間を変化させて、調光制御を行うことは言うまでもな
い。
方法としては、通常のこの種のインバータ装置を用いた
放電灯点灯装置の場合と同様に、インバータ装置のスイ
ッチング周波数を共振回路の共振周波数に近づけること
により、始動点灯させる方法を採用してもよいことは言
うまでもない。但し、定常点灯時にはスイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オン
期間を変化させて、調光制御を行うことは言うまでもな
い。
【００６９】（実施例３）図１０に本発明の他の実施例
を示す。本実施例も基本的には上述した実施例１と同じ
もので、本実施例の場合には電源電圧変動に応じて負荷
Ｚに供給される電力が変動することを防止する構成とし
た点に特徴がある。本実施例の場合には、電源変動によ
り負荷Ｚに供給される電力が変動することを防止する電
力変動防止回路８を、ダイオードブリッジＤＢの出力変
動に応じて導通状態が変化するトランジスタＱ30と、こ
のトランジスタＱ30の導通状態に応じて入力電流が変化
するフォトカプラＰＣ1 とで構成してある。
を示す。本実施例も基本的には上述した実施例１と同じ
もので、本実施例の場合には電源電圧変動に応じて負荷
Ｚに供給される電力が変動することを防止する構成とし
た点に特徴がある。本実施例の場合には、電源変動によ
り負荷Ｚに供給される電力が変動することを防止する電
力変動防止回路８を、ダイオードブリッジＤＢの出力変
動に応じて導通状態が変化するトランジスタＱ30と、こ
のトランジスタＱ30の導通状態に応じて入力電流が変化
するフォトカプラＰＣ1 とで構成してある。
【００７０】つまり、ダイオードブリッジＤＢの出力電
圧が変化すると、制御回路１のダイオードブリッジＤＢ
の出力に接続される端子ａ，ｂ間の電圧が変化し、トラ
ンジスタＱ30の導通状態が変化する。従って、フォトカ
プラＰＣ1 の出力トランジスタに流れる電流が変化して
コンデンサＣ14の充電電流が変化し、遅延時間設定部５
１の遅延時間の設定状態が変化する。
圧が変化すると、制御回路１のダイオードブリッジＤＢ
の出力に接続される端子ａ，ｂ間の電圧が変化し、トラ
ンジスタＱ30の導通状態が変化する。従って、フォトカ
プラＰＣ1 の出力トランジスタに流れる電流が変化して
コンデンサＣ14の充電電流が変化し、遅延時間設定部５
１の遅延時間の設定状態が変化する。
【００７１】いま、電源電圧が高くなると、トランジス
タＱ30でバイパスされる電流が増加し、フォトカプラＰ
Ｃ1 に入力される電流が減少する。このため、フォトカ
プラＰＣ1 の出力電流が減少し、コンデンサＣ14の充電
時間が長くなる。従って、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4
及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オンの期間が短
くなり、負荷Ｚに供給される電力が減少する。これによ
り、電源電圧変動に応じて負荷Ｚに流れる電流を抑制で
きる。
タＱ30でバイパスされる電流が増加し、フォトカプラＰ
Ｃ1 に入力される電流が減少する。このため、フォトカ
プラＰＣ1 の出力電流が減少し、コンデンサＣ14の充電
時間が長くなる。従って、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4
及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オンの期間が短
くなり、負荷Ｚに供給される電力が減少する。これによ
り、電源電圧変動に応じて負荷Ｚに流れる電流を抑制で
きる。
【００７２】なお、逆に電源電圧が低くなると、負荷Ｚ
に供給される電力を増加させるように機能する。このよ
うに、電力変動防止回路８はフィードフォワードをかけ
ることにより、負荷Ｚに供給される電力を安定させるこ
とができ、例えば負荷Ｚが放電灯の場合には安定点灯さ
せることができる。 （実施例４）上述の実施例では負荷Ｚを１つとしていた
が、図１１に示すように、複数の負荷Ｚ，Ｚ’に同一の
インバータ装置から電力を供給するようにしてもよい。
図１１の場合には、コンデンサＣ4 と負荷Ｚとの直列回
路と、インダクタＬ2 と負荷Ｚ’の直列回路とを、コン
デンサＣ2 の両端に接続してある。このようにすれば、
負荷Ｚには共振による交流分の電流のみを流すことがで
き、負荷Ｚ’には直流分を主に流すことができる。な
お、負荷Ｚ’を放電灯とし、上記インダクタＬ2を放電
灯のフィラメントの非電源側の両端に接続すると、イン
ダクタＬ2 に発生する直流分でフィラメントに予熱電流
を流し、放電灯を低い調光レベルまで安定点灯させるこ
とが可能となる。
に供給される電力を増加させるように機能する。このよ
うに、電力変動防止回路８はフィードフォワードをかけ
ることにより、負荷Ｚに供給される電力を安定させるこ
とができ、例えば負荷Ｚが放電灯の場合には安定点灯さ
せることができる。 （実施例４）上述の実施例では負荷Ｚを１つとしていた
が、図１１に示すように、複数の負荷Ｚ，Ｚ’に同一の
インバータ装置から電力を供給するようにしてもよい。
図１１の場合には、コンデンサＣ4 と負荷Ｚとの直列回
路と、インダクタＬ2 と負荷Ｚ’の直列回路とを、コン
デンサＣ2 の両端に接続してある。このようにすれば、
負荷Ｚには共振による交流分の電流のみを流すことがで
き、負荷Ｚ’には直流分を主に流すことができる。な
お、負荷Ｚ’を放電灯とし、上記インダクタＬ2を放電
灯のフィラメントの非電源側の両端に接続すると、イン
ダクタＬ2 に発生する直流分でフィラメントに予熱電流
を流し、放電灯を低い調光レベルまで安定点灯させるこ
とが可能となる。
【００７３】（実施例５）図１２に本発明の他の実施例
を示す。本実施例では放電灯Ｌａに流れるランプ電流を
検出して、そのランプ電流に応じて放電灯Ｌａに供給さ
れる電力を自動調節するものである。本実施例では、ス
イッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の直列回路と並列に、スイッ
チング素子Ｓ5 ，Ｓ6 を接続し、インダクタＬ1 と放電
灯Ｌａとの直列回路をスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 の接
続点とスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の接続点との間に接
続し、インダクタＬ1 と放電灯Ｌａとの接続点とスイッ
チング素子Ｓ5 ，Ｓ6の接続点との間にコンデンサＣ2
を接続してある。そして、スイッチング素子Ｓ 4 のソー
ス側にはランプ電流を検出する電流検出抵抗Ｒ0 を接続
してある。なお、スイッチング素子Ｓ5 ，Ｓ6 はスイッ
チング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の夫々と同期してオン，オフさ
れ、インバータ装置の動作は上述した実施例と何等変わ
りなく動作する。
を示す。本実施例では放電灯Ｌａに流れるランプ電流を
検出して、そのランプ電流に応じて放電灯Ｌａに供給さ
れる電力を自動調節するものである。本実施例では、ス
イッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の直列回路と並列に、スイッ
チング素子Ｓ5 ，Ｓ6 を接続し、インダクタＬ1 と放電
灯Ｌａとの直列回路をスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 の接
続点とスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の接続点との間に接
続し、インダクタＬ1 と放電灯Ｌａとの接続点とスイッ
チング素子Ｓ5 ，Ｓ6の接続点との間にコンデンサＣ2
を接続してある。そして、スイッチング素子Ｓ 4 のソー
ス側にはランプ電流を検出する電流検出抵抗Ｒ0 を接続
してある。なお、スイッチング素子Ｓ5 ，Ｓ6 はスイッ
チング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の夫々と同期してオン，オフさ
れ、インバータ装置の動作は上述した実施例と何等変わ
りなく動作する。
【００７４】つまり、上述のように構成してあるのは、
放電灯Ｌａの電流を確実に検出できるように、ランプ電
流の流路と、共振電流の流路とを分離したものである。
そして、検出抵抗Ｒ0 の検出出力に応じて、ランプ電流
が減少すれば、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッ
チング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オン期間を長くして、ラン
プ電流を増加させ、逆にランプ電流が増加すれば、スイ
ッチング素子Ｓ1 ，Ｓ 4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ
3 の同時オン期間を短くして、ランプ電流を減少させる
ようにフィードバック制御をかけるようにすればよい。
放電灯Ｌａの電流を確実に検出できるように、ランプ電
流の流路と、共振電流の流路とを分離したものである。
そして、検出抵抗Ｒ0 の検出出力に応じて、ランプ電流
が減少すれば、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッ
チング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オン期間を長くして、ラン
プ電流を増加させ、逆にランプ電流が増加すれば、スイ
ッチング素子Ｓ1 ，Ｓ 4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ
3 の同時オン期間を短くして、ランプ電流を減少させる
ようにフィードバック制御をかけるようにすればよい。
【００７５】（実施例６）図１３は複数の放電灯Ｌａを
点灯するインバータ装置を用いた放電灯点灯装置を示
す。つまり、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 は夫々の放電
灯Ｌａの放電灯点灯装置として兼用し、スイッチング素
子Ｓ3 ，Ｓ4 側に新たにスイッチング素子Ｓ 5 ，Ｓ6 を
並列に接続し、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 の接続点と
スイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の接続点との間に第１の負
荷回路を接続し、スイッチング素子Ｓ 1 ，Ｓ2 の接続点
とスイッチング素子Ｓ5 ，Ｓ6 の接続点との間に第２の
負荷回路を接続したものである。そして、スイッチング
素子Ｓ5 ，Ｓ6 はスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の夫々と
同期してオン，オフさせている。
点灯するインバータ装置を用いた放電灯点灯装置を示
す。つまり、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 は夫々の放電
灯Ｌａの放電灯点灯装置として兼用し、スイッチング素
子Ｓ3 ，Ｓ4 側に新たにスイッチング素子Ｓ 5 ，Ｓ6 を
並列に接続し、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 の接続点と
スイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の接続点との間に第１の負
荷回路を接続し、スイッチング素子Ｓ 1 ，Ｓ2 の接続点
とスイッチング素子Ｓ5 ，Ｓ6 の接続点との間に第２の
負荷回路を接続したものである。そして、スイッチング
素子Ｓ5 ，Ｓ6 はスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の夫々と
同期してオン，オフさせている。
【００７６】本実施例の場合、図４及び図５で説明した
動作状態に応じて動作させてもよいのであるが、本実施
例の場合には図１４に示すように、スイッチング素子Ｓ
1 ，Ｓ2 を交互にオン，オフさせ、スイッチング素子Ｓ
3 は上記スイッチング素子Ｓ 1 ，Ｓ2 の２倍の周期でオ
ンさせ、且つそのオン期間をスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 の２倍のオン期間とし、さらにスイッチング素子Ｓ4
はスイッチング素子Ｓ 3 の２倍の周期でオンさせ、且つ
そのオン期間をスイッチング素子Ｓ3 と同じオン期間と
してある。
動作状態に応じて動作させてもよいのであるが、本実施
例の場合には図１４に示すように、スイッチング素子Ｓ
1 ，Ｓ2 を交互にオン，オフさせ、スイッチング素子Ｓ
3 は上記スイッチング素子Ｓ 1 ，Ｓ2 の２倍の周期でオ
ンさせ、且つそのオン期間をスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 の２倍のオン期間とし、さらにスイッチング素子Ｓ4
はスイッチング素子Ｓ 3 の２倍の周期でオンさせ、且つ
そのオン期間をスイッチング素子Ｓ3 と同じオン期間と
してある。
【００７７】この場合の詳細な動作説明は省略するが、
同図（ｅ）に示すように負荷回路に印加される電圧を負
方向でバランスを崩し、負の直流成分を負荷回路に印加
することになる。この場合にも、実質的には実施例１の
場合と同様に、負荷、特に放電灯Ｌａが立消えを起こす
ことを防止することができる。なお、放電灯Ｌａに供給
する電力を変える場合には、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 とスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフのタイミ
ングをずらし、実施例１の場合と同様に、周波数を変化
させることなく、負荷への供給電力を可変することがで
き、周波数を変化させる場合の問題を回避することがで
きる。
同図（ｅ）に示すように負荷回路に印加される電圧を負
方向でバランスを崩し、負の直流成分を負荷回路に印加
することになる。この場合にも、実質的には実施例１の
場合と同様に、負荷、特に放電灯Ｌａが立消えを起こす
ことを防止することができる。なお、放電灯Ｌａに供給
する電力を変える場合には、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 とスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフのタイミ
ングをずらし、実施例１の場合と同様に、周波数を変化
させることなく、負荷への供給電力を可変することがで
き、周波数を変化させる場合の問題を回避することがで
きる。
【００７８】また、図１３の回路構成とすれば、１組の
スイッチング素子の直列回路を追加することにより、多
灯の放電灯点灯装置を構成することができる。しかも、
いずれかの放電灯Ｌａが不点状態になっても、他の放電
灯Ｌａの点灯状態に影響を与えないという利点がある。
なお、上述の場合には２灯の場合について説明したが、
３灯以上の場合にも適用できる。
スイッチング素子の直列回路を追加することにより、多
灯の放電灯点灯装置を構成することができる。しかも、
いずれかの放電灯Ｌａが不点状態になっても、他の放電
灯Ｌａの点灯状態に影響を与えないという利点がある。
なお、上述の場合には２灯の場合について説明したが、
３灯以上の場合にも適用できる。
【００７９】（実施例７）実施例６と同様に複数の放電
灯Ｌａを点灯するインバータ装置を用いた放電灯点灯装
置において、図１５に示すように制御回路１でスイッチ
ング素子Ｓ3 〜Ｓ 6 を夫々個別に制御するようにしたも
のである。図１６がその動作状態を示す。本実施例は基
本的には図１４の動作と同じであり、本実施例の場合に
はスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ5 がスイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ2 の４倍のスイッチング周期でオンするように
してあり、スイッチング素子Ｓ 4 ，Ｓ6 がさらにスイッ
チング素子Ｓ3 ，Ｓ5 の２倍の周期でオンするようにし
てある。そして、スイッチング素子Ｓ3 〜Ｓ4 のオン期
間は同時にオンしないように設定してある。この場合に
も実施例３と同様の効果が得られる。
灯Ｌａを点灯するインバータ装置を用いた放電灯点灯装
置において、図１５に示すように制御回路１でスイッチ
ング素子Ｓ3 〜Ｓ 6 を夫々個別に制御するようにしたも
のである。図１６がその動作状態を示す。本実施例は基
本的には図１４の動作と同じであり、本実施例の場合に
はスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ5 がスイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ2 の４倍のスイッチング周期でオンするように
してあり、スイッチング素子Ｓ 4 ，Ｓ6 がさらにスイッ
チング素子Ｓ3 ，Ｓ5 の２倍の周期でオンするようにし
てある。そして、スイッチング素子Ｓ3 〜Ｓ4 のオン期
間は同時にオンしないように設定してある。この場合に
も実施例３と同様の効果が得られる。
【００８０】図１７は他の動作方法を示すもので、スイ
ッチング素子Ｓ3 ，Ｓ5 は同じスイッチング周期で交互
にオン，オフさせ、スイッチング素子Ｓ4 ，Ｓ6 をスイ
ッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の２倍の周期で、且つ直列接続
されたスイッチング素子Ｓ3，Ｓ4 がオフの期間に同期
してオンするようにしてある。このようにしても実施例
６の場合と略同様の動作で点灯制御することができる。
ッチング素子Ｓ3 ，Ｓ5 は同じスイッチング周期で交互
にオン，オフさせ、スイッチング素子Ｓ4 ，Ｓ6 をスイ
ッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の２倍の周期で、且つ直列接続
されたスイッチング素子Ｓ3，Ｓ4 がオフの期間に同期
してオンするようにしてある。このようにしても実施例
６の場合と略同様の動作で点灯制御することができる。
【００８１】（実施例８）以上で説明した各実施例では
スイッチング素子の内のいずれか２つのスイッチング周
期を一致させ、そのスイッチング周期に対して他のスイ
ッチング素子のスイッチング周期を夫々異ならせてオ
ン，オフさせるものであったが、以下にすべてのスイッ
チング素子のスイッチング周期を異ならせた場合の実施
例を説明する。
スイッチング素子の内のいずれか２つのスイッチング周
期を一致させ、そのスイッチング周期に対して他のスイ
ッチング素子のスイッチング周期を夫々異ならせてオ
ン，オフさせるものであったが、以下にすべてのスイッ
チング素子のスイッチング周期を異ならせた場合の実施
例を説明する。
【００８２】本実施例の回路は図１で示されたものと同
じであり、本実施例ではスイッチング素子Ｓ4 のスイッ
チング周期を最も短くしてあり、このスイッチング素子
Ｓ4のスイッチング周期に対して、スイッチング素子Ｓ
2 を２倍の周期、且つオフ時点に同期してオンとし、ス
イッチング素子Ｓ3 をスイッチング素子Ｓ4 のスイッチ
ング周期に対して４倍の周期（スイッチング素子Ｓ2 の
スイッチング周期に対しては２倍）、且つオフ時点に同
期してオンとし、スイッチング素子Ｓ1 を８倍の周期
（スイッチング素子Ｓ3 のスイッチング周期に対しては
２倍）、且つオン時点に同期してオンとするようにして
ある。
じであり、本実施例ではスイッチング素子Ｓ4 のスイッ
チング周期を最も短くしてあり、このスイッチング素子
Ｓ4のスイッチング周期に対して、スイッチング素子Ｓ
2 を２倍の周期、且つオフ時点に同期してオンとし、ス
イッチング素子Ｓ3 をスイッチング素子Ｓ4 のスイッチ
ング周期に対して４倍の周期（スイッチング素子Ｓ2 の
スイッチング周期に対しては２倍）、且つオフ時点に同
期してオンとし、スイッチング素子Ｓ1 を８倍の周期
（スイッチング素子Ｓ3 のスイッチング周期に対しては
２倍）、且つオン時点に同期してオンとするようにして
ある。
【００８３】動作を簡単に説明する。時刻ｔ0 〜ｔ1 の
期間には、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 がオンとなり、
ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ1 、負荷
回路、スイッチング素子Ｓ4 の経路で、負荷回路に電流
が流れる。時刻ｔ1 〜ｔ2 では、スイッチング素子
Ｓ2 ，Ｓ3 がオンとなり、ダイオードブリッジＤＢ、ス
イッチング素子Ｓ3 、負荷回路、スイッチング素子Ｓ2
の経路で、それまでと逆方向の電流が負荷回路に流れ
る。時刻ｔ2 〜ｔ3 の期間にはスイッチング素子Ｓ3，
スイッチング素子Ｓ4 がオンとなる期間はあるが、負荷
には電流が供給されない。時刻ｔ3 〜ｔ4 では、再びス
イッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 がオンとなり、ダイオードブ
リッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ3 、負荷回路、スイッ
チング素子Ｓ2の経路で、負荷回路に電流が流れる。時
刻ｔ4 〜ｔ5 では、スイッチング素子Ｓ 3 ，スイッチン
グ素子Ｓ4 がオンとなる期間はあるが、負荷には電流が
供給されない。そして、時刻ｔ5 の期間から時刻ｔ0 〜
ｔ5 で示す一連の動作が繰り返される。
期間には、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 がオンとなり、
ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ1 、負荷
回路、スイッチング素子Ｓ4 の経路で、負荷回路に電流
が流れる。時刻ｔ1 〜ｔ2 では、スイッチング素子
Ｓ2 ，Ｓ3 がオンとなり、ダイオードブリッジＤＢ、ス
イッチング素子Ｓ3 、負荷回路、スイッチング素子Ｓ2
の経路で、それまでと逆方向の電流が負荷回路に流れ
る。時刻ｔ2 〜ｔ3 の期間にはスイッチング素子Ｓ3，
スイッチング素子Ｓ4 がオンとなる期間はあるが、負荷
には電流が供給されない。時刻ｔ3 〜ｔ4 では、再びス
イッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 がオンとなり、ダイオードブ
リッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ3 、負荷回路、スイッ
チング素子Ｓ2の経路で、負荷回路に電流が流れる。時
刻ｔ4 〜ｔ5 では、スイッチング素子Ｓ 3 ，スイッチン
グ素子Ｓ4 がオンとなる期間はあるが、負荷には電流が
供給されない。そして、時刻ｔ5 の期間から時刻ｔ0 〜
ｔ5 で示す一連の動作が繰り返される。
【００８４】本実施例の場合にも、負荷回路に印加され
る正負の電圧をアンバランスにして、共振回路に蓄積さ
れたエネルギを直流分として放電灯Ｌａに供給し、放電
灯Ｌａの立消えを防止することができる。そして、図１
９はスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 のスイッチング位相に
対してスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 のスイッチング位相
をずらして、放電灯Ｌａに供給する電力を減らした場合
を示す。本実施例の場合にもスイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ
4のスイッチング周波数を変化させずに、放電灯Ｌａに
供給する電力を調節でき、スイッチング周波数を変化さ
せる場合の問題は生じない。
る正負の電圧をアンバランスにして、共振回路に蓄積さ
れたエネルギを直流分として放電灯Ｌａに供給し、放電
灯Ｌａの立消えを防止することができる。そして、図１
９はスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 のスイッチング位相に
対してスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 のスイッチング位相
をずらして、放電灯Ｌａに供給する電力を減らした場合
を示す。本実施例の場合にもスイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ
4のスイッチング周波数を変化させずに、放電灯Ｌａに
供給する電力を調節でき、スイッチング周波数を変化さ
せる場合の問題は生じない。
【００８５】本実施例の制御回路の具体回路を図２０に
示す。なお、この具体回路の大半の部分は図６で説明し
た実施例１のものと同じであるので、概略的な説明を行
うのみにとどめる。なお、本実施例の場合には、図６の
制御回路に対して駆動回路３に新たに周波数変換回路３
４を設けてある点に特徴がある。周波数変換回路３４
は、デッドオフ回路３１の出力Ｖｔの立上りをクロック
として２分周した出力Ｖｕ，４分周した出力Ｖｗ及び８
分周した出力Ｖｙを生じる分周用ＩＣ（例えば、４５１
６Ｂ）３４ａと、この分周用ＩＣ３４ａの出力Ｖｕとデ
ッドオフ回路３１の出力Ｖｔとのアンドをとるアンドゲ
ートＡＮＤ7 と、このアンドゲートＡＮＤ7 の出力Ｖｖ
と分周用ＩＣ３４ａの出力Ｖｗとのアンドをとるアンド
ゲートＡＮＤ8 と、このアンドゲートＡＮＤ8 の出力Ｖ
ｘと分周用ＩＣ３４ａの出力Ｖｙとのアンドをとるアン
ドゲートＡＮＤ9 とで構成してある。
示す。なお、この具体回路の大半の部分は図６で説明し
た実施例１のものと同じであるので、概略的な説明を行
うのみにとどめる。なお、本実施例の場合には、図６の
制御回路に対して駆動回路３に新たに周波数変換回路３
４を設けてある点に特徴がある。周波数変換回路３４
は、デッドオフ回路３１の出力Ｖｔの立上りをクロック
として２分周した出力Ｖｕ，４分周した出力Ｖｗ及び８
分周した出力Ｖｙを生じる分周用ＩＣ（例えば、４５１
６Ｂ）３４ａと、この分周用ＩＣ３４ａの出力Ｖｕとデ
ッドオフ回路３１の出力Ｖｔとのアンドをとるアンドゲ
ートＡＮＤ7 と、このアンドゲートＡＮＤ7 の出力Ｖｖ
と分周用ＩＣ３４ａの出力Ｖｗとのアンドをとるアンド
ゲートＡＮＤ8 と、このアンドゲートＡＮＤ8 の出力Ｖ
ｘと分周用ＩＣ３４ａの出力Ｖｙとのアンドをとるアン
ドゲートＡＮＤ9 とで構成してある。
【００８６】図２１（ｘ）にデッドオフ回路３１の出力
Ｖｔ，同図（ｙ），（Ａ），（Ｃ）に夫々分周用ＩＣ３
４ａの出力Ｖｕ，Ｖｗ，Ｖｙ、アンドゲートＡＮＤ7 ，
ＡＮＤ8 の夫々の出力Ｖｖ，Ｖｘを同図（ｚ），（Ｂ）
に示す。そして、アンドゲートＡＮＤ9 の出力として図
２１（ｃ）に示す制御信号Ｖ1 が得られる。スイッチン
グ素子Ｓ4 を駆動する駆動回路７では、発振回路２の出
力Ｖａを基準として制御信号Ｖ4 を作成するので、その
スイッチング周期は発振回路２の出力Ｖａと等しい。ス
イッチング素子Ｓ2 を駆動する駆動回路４は、概略的に
は発振回路２の出力Ｖａを２分周して制御信号Ｖ2 を作
成するので、そのスイッチング周期はスイッチング素子
Ｓ4 の２倍となる。また、スイッチング素子Ｓ3 を駆動
する駆動回路７は、発振回路２の出力Ｖａを４分周して
制御信号Ｖ2 を作成するので、そのスイッチング周期は
スイッチング素子Ｓ4 の４倍となる。そして、上記スイ
ッチング素子Ｓ1 を駆動する駆動回路３では、発振回路
２の出力Ｖａを８分周して制御信号Ｖ2 を作成するの
で、そのスイッチング周期はスイッチング素子Ｓ4 の８
倍となる。
Ｖｔ，同図（ｙ），（Ａ），（Ｃ）に夫々分周用ＩＣ３
４ａの出力Ｖｕ，Ｖｗ，Ｖｙ、アンドゲートＡＮＤ7 ，
ＡＮＤ8 の夫々の出力Ｖｖ，Ｖｘを同図（ｚ），（Ｂ）
に示す。そして、アンドゲートＡＮＤ9 の出力として図
２１（ｃ）に示す制御信号Ｖ1 が得られる。スイッチン
グ素子Ｓ4 を駆動する駆動回路７では、発振回路２の出
力Ｖａを基準として制御信号Ｖ4 を作成するので、その
スイッチング周期は発振回路２の出力Ｖａと等しい。ス
イッチング素子Ｓ2 を駆動する駆動回路４は、概略的に
は発振回路２の出力Ｖａを２分周して制御信号Ｖ2 を作
成するので、そのスイッチング周期はスイッチング素子
Ｓ4 の２倍となる。また、スイッチング素子Ｓ3 を駆動
する駆動回路７は、発振回路２の出力Ｖａを４分周して
制御信号Ｖ2 を作成するので、そのスイッチング周期は
スイッチング素子Ｓ4 の４倍となる。そして、上記スイ
ッチング素子Ｓ1 を駆動する駆動回路３では、発振回路
２の出力Ｖａを８分周して制御信号Ｖ2 を作成するの
で、そのスイッチング周期はスイッチング素子Ｓ4 の８
倍となる。
【００８７】（実施例９）図２２は実施例３で説明した
電源電圧変動に応じて負荷Ｚに供給される電力が変動す
ることを防止する機能を実施例８に設けたもので、図１
０で示されたと同様の電力変動防止回路８を設けてあ
る。 （実施例１０）上記実施例８のインバータ装置を図１３
に示す実施例６に適用することも可能である。つまり、
負荷が放電灯Ｌａであり、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2
は夫々の放電灯Ｌａの放電灯点灯装置として兼用し、ス
イッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 側に新たにスイッチング素子
Ｓ5 ，Ｓ6 を並列に接続し、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 の接続点とスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の接続点との
間に第１の負荷回路を接続し、スイッチング素子Ｓ1 ，
Ｓ2 の接続点とスイッチング素子Ｓ5 ，Ｓ6 の接続点と
の間に第２の負荷回路を接続したものである。そして、
スイッチング素子Ｓ5 ，Ｓ6 はスイッチング素子Ｓ3 ，
Ｓ4 の夫々と同期してオン，オフさせている。
電源電圧変動に応じて負荷Ｚに供給される電力が変動す
ることを防止する機能を実施例８に設けたもので、図１
０で示されたと同様の電力変動防止回路８を設けてあ
る。 （実施例１０）上記実施例８のインバータ装置を図１３
に示す実施例６に適用することも可能である。つまり、
負荷が放電灯Ｌａであり、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2
は夫々の放電灯Ｌａの放電灯点灯装置として兼用し、ス
イッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 側に新たにスイッチング素子
Ｓ5 ，Ｓ6 を並列に接続し、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 の接続点とスイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 の接続点との
間に第１の負荷回路を接続し、スイッチング素子Ｓ1 ，
Ｓ2 の接続点とスイッチング素子Ｓ5 ，Ｓ6 の接続点と
の間に第２の負荷回路を接続したものである。そして、
スイッチング素子Ｓ5 ，Ｓ6 はスイッチング素子Ｓ3 ，
Ｓ4 の夫々と同期してオン，オフさせている。
【００８８】本実施例では、図２３に示すように、スイ
ッチング素子Ｓ1 を最も短いスイッチング周期でオン，
オフさせ、スイッチング素子Ｓ2 をスイッチング素子Ｓ
1 の２倍のスイッチング周期でスイッチング素子Ｓ1 の
オフ時点に同期してオンさせ、スイッチング素子Ｓ3 を
スイッチング素子Ｓ1 の３倍のスイッチング周期でスイ
ッチング素子Ｓ1 のオフ時点に同期してオンさせ、スイ
ッチング素子Ｓ4 をスイッチング素子Ｓ1 の４倍のスイ
ッチング周期でスイッチング素子Ｓ1 のオン時点に同期
してオンさせている。
ッチング素子Ｓ1 を最も短いスイッチング周期でオン，
オフさせ、スイッチング素子Ｓ2 をスイッチング素子Ｓ
1 の２倍のスイッチング周期でスイッチング素子Ｓ1 の
オフ時点に同期してオンさせ、スイッチング素子Ｓ3 を
スイッチング素子Ｓ1 の３倍のスイッチング周期でスイ
ッチング素子Ｓ1 のオフ時点に同期してオンさせ、スイ
ッチング素子Ｓ4 をスイッチング素子Ｓ1 の４倍のスイ
ッチング周期でスイッチング素子Ｓ1 のオン時点に同期
してオンさせている。
【００８９】この場合には、実施例６の場合とは逆に放
電灯Ｌａに正の直流成分を印加して、複数の放電灯Ｌａ
を点灯することができる。なお、スイッチング素子Ｓ1
〜Ｓ 4 のスイッチング周期の長さを、Ｓ1 ＞Ｓ2 ＞Ｓ3
＞Ｓ4 と上述の場合と逆にしてもよいことは言うまでも
ない。また、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ4 のスイッチン
グ周期の比率を、１：２：４：８としてもよい。要は、
１つの負荷回路に対応する４つのスイッチング素子のス
イッチング周期がすべて異なり、対角位置のスイッチン
グ素子が同時オンし、且つ負荷回路に正負をアンバラン
スとした電圧を印加できる構成であれば、スイッチング
素子のスイッチングの仕方には特に限定はない。
電灯Ｌａに正の直流成分を印加して、複数の放電灯Ｌａ
を点灯することができる。なお、スイッチング素子Ｓ1
〜Ｓ 4 のスイッチング周期の長さを、Ｓ1 ＞Ｓ2 ＞Ｓ3
＞Ｓ4 と上述の場合と逆にしてもよいことは言うまでも
ない。また、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ4 のスイッチン
グ周期の比率を、１：２：４：８としてもよい。要は、
１つの負荷回路に対応する４つのスイッチング素子のス
イッチング周期がすべて異なり、対角位置のスイッチン
グ素子が同時オンし、且つ負荷回路に正負をアンバラン
スとした電圧を印加できる構成であれば、スイッチング
素子のスイッチングの仕方には特に限定はない。
【００９０】（実施例１１）上記実施例８のインバータ
装置を図１５に示す実施例６に適用することも可能であ
る。つまり、実施例１０におけるスイッチング素子Ｓ3
〜Ｓ6 をすべて同時オンしないように交互にオンするよ
うにするものである。本実施例では、図２４に示すよう
にスイッチング素子Ｓ1 を最も短い周期でオン，オフさ
せ、スイッチング素子Ｓ2 をスイッチング素子Ｓ1 のオ
フ時点に同期させて２倍の周期でオンとし、スイッチン
グ素子Ｓ3 ，Ｓ5 をスイッチング素子Ｓ2 をスイッチン
グ素子Ｓ1 のオフ時点に同期させて６倍の周期でオンと
し、スイッチング素子Ｓ4 ，Ｓ6 をスイッチング素子Ｓ
1 のオン時点に同期させて８倍の周期でオンとし、スイ
ッチング素子Ｓ3 ，Ｓ5 及びスイッチング素子Ｓ4 ，Ｓ
6 のオン時点を夫々ずらし、互いに同時オンしないよう
にしてある。
装置を図１５に示す実施例６に適用することも可能であ
る。つまり、実施例１０におけるスイッチング素子Ｓ3
〜Ｓ6 をすべて同時オンしないように交互にオンするよ
うにするものである。本実施例では、図２４に示すよう
にスイッチング素子Ｓ1 を最も短い周期でオン，オフさ
せ、スイッチング素子Ｓ2 をスイッチング素子Ｓ1 のオ
フ時点に同期させて２倍の周期でオンとし、スイッチン
グ素子Ｓ3 ，Ｓ5 をスイッチング素子Ｓ2 をスイッチン
グ素子Ｓ1 のオフ時点に同期させて６倍の周期でオンと
し、スイッチング素子Ｓ4 ，Ｓ6 をスイッチング素子Ｓ
1 のオン時点に同期させて８倍の周期でオンとし、スイ
ッチング素子Ｓ3 ，Ｓ5 及びスイッチング素子Ｓ4 ，Ｓ
6 のオン時点を夫々ずらし、互いに同時オンしないよう
にしてある。
【００９１】また、図２５で示すように、スイッチング
素子Ｓ3 ，Ｓ5 をスイッチング素子Ｓ2 をスイッチング
素子Ｓ1 のオフ時点に同期させて３倍の周期でオンと
し、スイッチング素子Ｓ4 ，Ｓ6 をスイッチング素子Ｓ
1 のオン時点に同期させて４倍の周期でオンとし、スイ
ッチング素子Ｓ3 ，Ｓ5 及びスイッチング素子Ｓ4 ，Ｓ
6 のオン時点を夫々ずらし、互いに同時オンしないよう
にしてもよい。
素子Ｓ3 ，Ｓ5 をスイッチング素子Ｓ2 をスイッチング
素子Ｓ1 のオフ時点に同期させて３倍の周期でオンと
し、スイッチング素子Ｓ4 ，Ｓ6 をスイッチング素子Ｓ
1 のオン時点に同期させて４倍の周期でオンとし、スイ
ッチング素子Ｓ3 ，Ｓ5 及びスイッチング素子Ｓ4 ，Ｓ
6 のオン時点を夫々ずらし、互いに同時オンしないよう
にしてもよい。
【００９２】本実施例の場合にも、１つの負荷回路に対
応する４つのスイッチング素子のスイッチング周期がす
べて異なり、且つ夫々の負荷回路の兼用されていない側
の直列接続された夫々のスイッチング素子がすべて同時
オンせず、夫々の１つの負荷回路に対応する４つのスイ
ッチング素子の対角位置のスイッチング素子が同時オン
し、且つ負荷回路に正負をアンバランスとした電圧を印
加できる構成であれば、スイッチング素子のスイッチン
グの仕方には特に限定はない。
応する４つのスイッチング素子のスイッチング周期がす
べて異なり、且つ夫々の負荷回路の兼用されていない側
の直列接続された夫々のスイッチング素子がすべて同時
オンせず、夫々の１つの負荷回路に対応する４つのスイ
ッチング素子の対角位置のスイッチング素子が同時オン
し、且つ負荷回路に正負をアンバランスとした電圧を印
加できる構成であれば、スイッチング素子のスイッチン
グの仕方には特に限定はない。
【００９３】なお、上記実施例８で、負荷Ｚが放電灯で
ある場合には、実施例２のようにスイッチング素子Ｓ1
〜Ｓ4 の中で一番スイッチング周波数の低いもの（上記
実施例の場合にはスイッチング素子Ｓ1 ）のスイッチン
グ周波数を、放電灯Ｌａは不点時の共振回路の共振周波
数よりも僅かに高く設定し、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ
4 の中で一番スイッチング周波数の高いもの（上記実施
例の場合にはスイッチング素子Ｓ4 ）の制御信号を基準
として、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及びスイッチング
素子Ｓ3 ，Ｓ4 のスイッチング位相を１８０度ずれた状
態から同位相となるまで変化させ、放電灯を不点の状態
としてフィラメントを予熱し、その後に放電灯に放電開
始電圧を印加して始動点灯させることもできる。
ある場合には、実施例２のようにスイッチング素子Ｓ1
〜Ｓ4 の中で一番スイッチング周波数の低いもの（上記
実施例の場合にはスイッチング素子Ｓ1 ）のスイッチン
グ周波数を、放電灯Ｌａは不点時の共振回路の共振周波
数よりも僅かに高く設定し、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ
4 の中で一番スイッチング周波数の高いもの（上記実施
例の場合にはスイッチング素子Ｓ4 ）の制御信号を基準
として、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2 及びスイッチング
素子Ｓ3 ，Ｓ4 のスイッチング位相を１８０度ずれた状
態から同位相となるまで変化させ、放電灯を不点の状態
としてフィラメントを予熱し、その後に放電灯に放電開
始電圧を印加して始動点灯させることもできる。
【００９４】また、始動点灯時だけは、インバータ装置
のスイッチング周波数を共振回路の共振周波数に近づけ
ることにより、始動点灯させるようにしてもよい。さら
に、図１１に示す実施例４で説明したように、複数の負
荷Ｚ，Ｚ’に同一のインバータ装置から電力を供給する
ようにしてもよく、さらにまた図１２で示す実施例５の
ように、放電灯Ｌａに流れるランプ電流を検出して、そ
のランプ電流に応じて放電灯Ｌａに供給される電力を自
動調節するようにしてもよい。
のスイッチング周波数を共振回路の共振周波数に近づけ
ることにより、始動点灯させるようにしてもよい。さら
に、図１１に示す実施例４で説明したように、複数の負
荷Ｚ，Ｚ’に同一のインバータ装置から電力を供給する
ようにしてもよく、さらにまた図１２で示す実施例５の
ように、放電灯Ｌａに流れるランプ電流を検出して、そ
のランプ電流に応じて放電灯Ｌａに供給される電力を自
動調節するようにしてもよい。
【００９５】さらにまた、上述の説明では、スイッチン
グ素子がＦＥＴである場合について説明したが、バイポ
ーラトランジスタやサイリスタにダイオードを逆並列に
接続したものを用いてもよい。また、直流電源は、純粋
な直流電源や、交流電源を整流平滑して作成されるもの
なども含まれることは言うまでもない。
グ素子がＦＥＴである場合について説明したが、バイポ
ーラトランジスタやサイリスタにダイオードを逆並列に
接続したものを用いてもよい。また、直流電源は、純粋
な直流電源や、交流電源を整流平滑して作成されるもの
なども含まれることは言うまでもない。
【００９６】
【発明の効果】請求項１の発明は上述のように、一方の
直列回路のスイッチング素子のオン，オフのタイミング
に対して、他方の直列回路のスイッチング素子のオン，
オフのタイミングを同位相から１８０度ずれた位相まで
の範囲で可変しているので、対角位置のスイッチング素
子の同時オン期間を変化させて、スイッチング周波数を
変化させずに、負荷に供給される電力を調整することが
でき、スイッチング周波数が変化することに伴う種々の
問題点を回避することができる。また、スイッチング素
子の内のいずれか２つのスイッチング周期を一致させ、
そのスイッチング周期に対して他のスイッチング素子の
スイッチング周期を夫々異ならせてオン，オフさせるこ
とにより、ＬＣ共振回路への正負の供給電力をアンバラ
ンスにして、ＬＣ共振回路に蓄積されるエネルギを直流
分として負荷に供給することができ、例えば負荷が放電
灯である場合に立消えを起こすことを防止できる。
直列回路のスイッチング素子のオン，オフのタイミング
に対して、他方の直列回路のスイッチング素子のオン，
オフのタイミングを同位相から１８０度ずれた位相まで
の範囲で可変しているので、対角位置のスイッチング素
子の同時オン期間を変化させて、スイッチング周波数を
変化させずに、負荷に供給される電力を調整することが
でき、スイッチング周波数が変化することに伴う種々の
問題点を回避することができる。また、スイッチング素
子の内のいずれか２つのスイッチング周期を一致させ、
そのスイッチング周期に対して他のスイッチング素子の
スイッチング周期を夫々異ならせてオン，オフさせるこ
とにより、ＬＣ共振回路への正負の供給電力をアンバラ
ンスにして、ＬＣ共振回路に蓄積されるエネルギを直流
分として負荷に供給することができ、例えば負荷が放電
灯である場合に立消えを起こすことを防止できる。
【００９７】また、請求項２の発明は、スイッチング素
子のスイッチング周期をすべて異ならせてオン，オフさ
せることにより、ＬＣ共振回路への正負の供給電力をア
ンバランスにして、ＬＣ共振回路に蓄積されるエネルギ
を直流分として負荷に供給することができ、例えば負荷
が放電灯である場合に立消えを起こすことを防止するこ
とができる。
子のスイッチング周期をすべて異ならせてオン，オフさ
せることにより、ＬＣ共振回路への正負の供給電力をア
ンバランスにして、ＬＣ共振回路に蓄積されるエネルギ
を直流分として負荷に供給することができ、例えば負荷
が放電灯である場合に立消えを起こすことを防止するこ
とができる。
【００９８】また、請求項３に示すように、電源電圧変
動を検出して、一方の直列回路のスイッチング素子のオ
ン，オフのタイミングに対して、他方の直列回路のスイ
ッチング素子のオン，オフのタイミングを調整して、負
荷に供給される電力を一定に制御すると、電源電圧変動
による負荷への供給電力の変動を防止することができ
る。
動を検出して、一方の直列回路のスイッチング素子のオ
ン，オフのタイミングに対して、他方の直列回路のスイ
ッチング素子のオン，オフのタイミングを調整して、負
荷に供給される電力を一定に制御すると、電源電圧変動
による負荷への供給電力の変動を防止することができ
る。
【００９９】さらに、請求項４に示すように、負荷電流
を検出して、一方の直列回路のスイッチング素子のオ
ン，オフのタイミングに対して、他方の直列回路のスイ
ッチング素子のオン，オフのタイミングを調整して、負
荷電流を一定に制御すると、負荷に一定の電力を供給で
きる。さらにまた、請求項５に示すように、他方の２つ
のスイッチング素子からなる直列回路を複数設け、一方
の直列回路のスイッチング素子の接続点と夫々の他の直
列回路の接続点との間に、少なくともＬＣ共振回路と負
荷からなる複数の負荷回路を夫々接続することにより、
複数の負荷を同時に駆動でき、しかも負荷に応じて他方
の２つのスイッチング素子からなる直列回路を追加する
だけで済むため、回路構成が簡単になる。
を検出して、一方の直列回路のスイッチング素子のオ
ン，オフのタイミングに対して、他方の直列回路のスイ
ッチング素子のオン，オフのタイミングを調整して、負
荷電流を一定に制御すると、負荷に一定の電力を供給で
きる。さらにまた、請求項５に示すように、他方の２つ
のスイッチング素子からなる直列回路を複数設け、一方
の直列回路のスイッチング素子の接続点と夫々の他の直
列回路の接続点との間に、少なくともＬＣ共振回路と負
荷からなる複数の負荷回路を夫々接続することにより、
複数の負荷を同時に駆動でき、しかも負荷に応じて他方
の２つのスイッチング素子からなる直列回路を追加する
だけで済むため、回路構成が簡単になる。
【０１００】また、請求項６に示すように、負荷が放電
灯であり、少なくとも放電灯の不点時にＬＣ共振回路の
共振周波数よりも、スイッチング素子のスイッチング周
波数を高く設定し、放電灯の始動時に一方の直列回路の
スイッチング素子のオン，オフのタイミングに対して、
他方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフのタイ
ミングを１８０度ずれた位相から同位相まで変化させ
て、放電灯を良好に予熱して始動点灯させることができ
る。
灯であり、少なくとも放電灯の不点時にＬＣ共振回路の
共振周波数よりも、スイッチング素子のスイッチング周
波数を高く設定し、放電灯の始動時に一方の直列回路の
スイッチング素子のオン，オフのタイミングに対して、
他方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフのタイ
ミングを１８０度ずれた位相から同位相まで変化させ
て、放電灯を良好に予熱して始動点灯させることができ
る。
【図１】本発明の一実施例の回路図である。
【図２】フルブリッジ構成のインバータ装置の基本動作
の説明図である。
の説明図である。
【図３】スイッチング周波数を変えることなく、負荷へ
の供給電力を可変する方法を示す動作説明図である。
の供給電力を可変する方法を示す動作説明図である。
【図４】負荷に直流成分を印加する方法を示す動作説明
図である。
図である。
【図５】負荷に直流成分を印加し、且つスイッチング周
波数を変えることなく、負荷への供給電力を変化させる
場合の動作説明図である。
波数を変えることなく、負荷への供給電力を変化させる
場合の動作説明図である。
【図６】同上の制御回路の具体構成の一部を示す回路図
である。
である。
【図７】同上の制御回路の具体構成のその他の部分を示
す回路図である。
す回路図である。
【図８】同上の制御回路の動作説明図である。
【図９】他の実施例の回路図である。
【図１０】電力変動防止回路を設けた制御回路の具体回
路図である。
路図である。
【図１１】交流及び直流駆動される複数の負荷を駆動す
る実施例の回路図である。
る実施例の回路図である。
【図１２】負荷電流を一定制御する機能を備える実施例
の回路図である。
の回路図である。
【図１３】複数の負荷を駆動する実施例の回路図であ
る。
る。
【図１４】同上の動作説明図である。
【図１５】複数の負荷を駆動する他の実施例の回路図で
ある。
ある。
【図１６】同上の動作説明図である。
【図１７】同上を異なる状態で動作させた場合の動作説
明図である。
明図である。
【図１８】スイッチング素子のスイッチング周期をすべ
て異ならせたさらに他の実施例の動作説明図である。
て異ならせたさらに他の実施例の動作説明図である。
【図１９】同上でスイッチング周波数を変えることな
く、負荷への供給電力を可変する方法を示す動作説明図
である。
く、負荷への供給電力を可変する方法を示す動作説明図
である。
【図２０】同上の制御回路の具体構成の一部を示す回路
図である。
図である。
【図２１】同上の制御回路の動作説明図である。
【図２２】スイッチング素子のスイッチング周期をすべ
て異ならせたものにおいて、電力変動防止回路を設けた
場合の制御回路の一部の具体回路図である。
て異ならせたものにおいて、電力変動防止回路を設けた
場合の制御回路の一部の具体回路図である。
【図２３】スイッチング素子のスイッチング周期をすべ
て異ならせたものにおいて、複数の負荷を駆動した場合
の実施例の動作説明図である。
て異ならせたものにおいて、複数の負荷を駆動した場合
の実施例の動作説明図である。
【図２４】スイッチング素子のスイッチング周期をすべ
て異ならせたものにおいて、複数の負荷を異なる状態で
駆動した他の実施例の動作説明図である。
て異ならせたものにおいて、複数の負荷を異なる状態で
駆動した他の実施例の動作説明図である。
【図２５】スイッチング素子のスイッチング周期をすべ
て異ならせたものにおいて、複数の負荷をさらに異なる
状態で駆動した場合の動作説明図である。
て異ならせたものにおいて、複数の負荷をさらに異なる
状態で駆動した場合の動作説明図である。
【図２６】従来のハーフブリッジ構成のインバータ装置
の回路図である。
の回路図である。
【図２７】同上の動作説明図である。
ＡＣ 交流電源 ＤＢ ダイオードブリッジ Ｓ1 〜Ｓ4 スイッチング素子 Ｌ1 インダクタ Ｃ2 コンデンサ Ｚ 負荷 １ 制御回路
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】そして、時刻ｔ1 になると、図２７（ａ）
に示すように制御回路１の制御出力Ｖ1 がローレベル、
同図（ｂ）に示すように制御出力Ｖ2 がハイレベルにな
り、スイッチング素子Ｓ1 がオフとなると共に、スイッ
チング素子Ｓ2 がオンとなる。但し、上記スイッチング
素子Ｓ1 ，Ｓ2 では純然たるスイッチとは異なり、通常
と逆極性の電圧（直流電源Ｅの極性とは逆の極性の電
圧）が印加された場合に、スイッチング素子Ｓ2 に本来
の電流ＩS2が流れる方向（図２６中の矢印で示す電流方
向）とは逆の方向に電流を流す働きを持つ寄生ダイオー
ドを有する。このため、スイッチング素子Ｓ2 をオンし
たとき、本来の電流方向にはオンとはならず、インダク
タＬ2 に蓄積されたエネルギでスイッチング素子Ｓ2 の
寄生ダイオードを介して電流は流れる。つまり、スイッ
チング素子Ｓ2 は逆方向に導通した状態になる。そし
て、インダクタＬ1 のそれまでと同じ方向に電流を流す
作用により、共振回路に蓄積されたエネルギによって、
インダクタＬ1 、直流カット用コンデンサＣ1 、コンデ
ンサＣ2 及び放電灯Ｌａ、スイッチング素子Ｓ2 の寄生
ダイオードの経路で電流が流れる。即ち、インバータ回
路の動作周波数は共振回路の共振周波数よりも高い範囲
に設定してあるので、負荷回路は上述のような動作を行
う。
に示すように制御回路１の制御出力Ｖ1 がローレベル、
同図（ｂ）に示すように制御出力Ｖ2 がハイレベルにな
り、スイッチング素子Ｓ1 がオフとなると共に、スイッ
チング素子Ｓ2 がオンとなる。但し、上記スイッチング
素子Ｓ1 ，Ｓ2 では純然たるスイッチとは異なり、通常
と逆極性の電圧（直流電源Ｅの極性とは逆の極性の電
圧）が印加された場合に、スイッチング素子Ｓ2 に本来
の電流ＩS2が流れる方向（図２６中の矢印で示す電流方
向）とは逆の方向に電流を流す働きを持つ寄生ダイオー
ドを有する。このため、スイッチング素子Ｓ2 をオンし
たとき、本来の電流方向にはオンとはならず、インダク
タＬ2 に蓄積されたエネルギでスイッチング素子Ｓ2 の
寄生ダイオードを介して電流は流れる。つまり、スイッ
チング素子Ｓ2 は逆方向に導通した状態になる。そし
て、インダクタＬ1 のそれまでと同じ方向に電流を流す
作用により、共振回路に蓄積されたエネルギによって、
インダクタＬ1 、直流カット用コンデンサＣ1 、コンデ
ンサＣ2 及び放電灯Ｌａ、スイッチング素子Ｓ2 の寄生
ダイオードの経路で電流が流れる。即ち、インバータ回
路の動作周波数は共振回路の共振周波数よりも高い範囲
に設定してあるので、負荷回路は上述のような動作を行
う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】そして、共振回路の電流がゼロとなった時
点から、スイッチング素子Ｓ2 が本来のオン状態となり
（図２６中の矢印で示す方向に電流ＩS2が流れる状態と
なり）、直流カット用コンデンサＣ 1 と共振回路用コン
デンサＣ2 とに蓄積された電荷を電源として、直流カッ
ト用コンデンサＣ1 、インダクタＬ1 、スイッチング素
子Ｓ2 、コンデンサＣ2 及び放電灯Ｌａの経路で、それ
までと逆方向の電流が流れる。
点から、スイッチング素子Ｓ2 が本来のオン状態となり
（図２６中の矢印で示す方向に電流ＩS2が流れる状態と
なり）、直流カット用コンデンサＣ 1 と共振回路用コン
デンサＣ2 とに蓄積された電荷を電源として、直流カッ
ト用コンデンサＣ1 、インダクタＬ1 、スイッチング素
子Ｓ2 、コンデンサＣ2 及び放電灯Ｌａの経路で、それ
までと逆方向の電流が流れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】その後、時刻ｔ2 で、時刻ｔ0 の場合と同
様に、制御回路１の制御出力Ｖ1 がハイレベル、図２７
（ｂ）に示すように制御出力Ｖ2 がローレベルになるた
め、スイッチング素子Ｓ1 がオンとなると共に、スイッ
チング素子Ｓ2 がオフとなる。しかし、この場合にもス
イッチング素子Ｓ1 は本来の電流ＩS1が流れる方向（図
２６中の矢印で示す方向）にはオンとはならず、共振回
路に蓄積されたエネルギでスイッチング素子Ｓ1 の寄生
ダイオードがオンとなる。つまり、スイッチング素子Ｓ
1 は逆方向に導通した状態になる。そして、共振回路に
蓄積されたエネルギによって、スイッチング素子Ｓ1 の
寄生ダイオード、直流電源Ｅ、コンデンサＣ2 及び放電
灯Ｌａ、直流カット用コンデンサＣ1 の経路で電流が流
れる。
様に、制御回路１の制御出力Ｖ1 がハイレベル、図２７
（ｂ）に示すように制御出力Ｖ2 がローレベルになるた
め、スイッチング素子Ｓ1 がオンとなると共に、スイッ
チング素子Ｓ2 がオフとなる。しかし、この場合にもス
イッチング素子Ｓ1 は本来の電流ＩS1が流れる方向（図
２６中の矢印で示す方向）にはオンとはならず、共振回
路に蓄積されたエネルギでスイッチング素子Ｓ1 の寄生
ダイオードがオンとなる。つまり、スイッチング素子Ｓ
1 は逆方向に導通した状態になる。そして、共振回路に
蓄積されたエネルギによって、スイッチング素子Ｓ1 の
寄生ダイオード、直流電源Ｅ、コンデンサＣ2 及び放電
灯Ｌａ、直流カット用コンデンサＣ1 の経路で電流が流
れる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】そして、共振回路の電流がゼロとなった時
点から、スイッチング素子Ｓ1 が本来のオン状態とな
り、直流電源Ｅ、スイッチング素子Ｓ1 、インダクタＬ
1 、直流カット用コンデンサＣ1 、コンデンサＣ2 及び
放電灯Ｌａの経路で電流が流れる。以下、上記一連の動
作を繰り返すことにより、直流電源Ｅを高周波電力に変
換して、放電灯Ｌａに高周波電力が供給される。このと
き、インダクタＬ1 に流れる電流ＩL1は図２７（ｅ）に
示すようになる。
点から、スイッチング素子Ｓ1 が本来のオン状態とな
り、直流電源Ｅ、スイッチング素子Ｓ1 、インダクタＬ
1 、直流カット用コンデンサＣ1 、コンデンサＣ2 及び
放電灯Ｌａの経路で電流が流れる。以下、上記一連の動
作を繰り返すことにより、直流電源Ｅを高周波電力に変
換して、放電灯Ｌａに高周波電力が供給される。このと
き、インダクタＬ1 に流れる電流ＩL1は図２７（ｅ）に
示すようになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】なお、上述の説明では、時刻ｔ0 の場合
に、スイッチング素子Ｓ1 が本来の電流方向にオンとな
ると説明したが、それまでスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2
が交互にオン，オフしている定常点灯時には、時刻ｔ0
においてもスイッチング素子Ｓ 1 の寄生ダイオードのオ
ンにより電流が流れ、その後に本来のスイッチング素子
Ｓ1 の電流ＩS1が流れる方向にオンとなることは言うま
でもない。また、上述の説明では、スイッチング素子Ｓ
1 ，Ｓ2 の寄生ダイオードをインダクタＬ1 のエネルギ
を放出するために用いたが、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 に夫々逆並列にダイオードを接続するようにしてもよ
い。
に、スイッチング素子Ｓ1 が本来の電流方向にオンとな
ると説明したが、それまでスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ2
が交互にオン，オフしている定常点灯時には、時刻ｔ0
においてもスイッチング素子Ｓ 1 の寄生ダイオードのオ
ンにより電流が流れ、その後に本来のスイッチング素子
Ｓ1 の電流ＩS1が流れる方向にオンとなることは言うま
でもない。また、上述の説明では、スイッチング素子Ｓ
1 ，Ｓ2 の寄生ダイオードをインダクタＬ1 のエネルギ
を放出するために用いたが、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 に夫々逆並列にダイオードを接続するようにしてもよ
い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】ところが、上記直流電源Ｅを交流電源を整
流平滑して得る場合において、スイッチング素子Ｓ1 ，
Ｓ2 のスイッチング周波数を変化させると、交流電源側
に高周波が漏れる問題がある。そこで、交流電源を整流
するダイオードブリッジの入力端などに高周波成分が交
流電源側に漏れることを防止するフィルタが設けられ
る。しかし、上述のようにインバータ装置の動作周波数
が変化すると、高周波成分を除去する上記フィルタの設
計が複雑になるという問題があった。
流平滑して得る場合において、スイッチング素子Ｓ1 ，
Ｓ2 のスイッチング周波数を変化させると、交流電源側
に高周波が漏れる問題がある。そこで、交流電源を整流
するダイオードブリッジの入力端などに高周波成分が交
流電源側に漏れることを防止するフィルタが設けられ
る。しかし、上述のようにインバータ装置の動作周波数
が変化すると、高周波成分を除去する上記フィルタの設
計が複雑になるという問題があった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】そこで、この点を改善できる従来例とし
て、”Off-Line Application of Fixed-Frequency Clam
ped Mode Series Resonant Converter”,IEEE Tansacti
on onPower Electronics,Vol.6;No.1,January,1991 な
る文献がある。この従来例では、２つのスイッチング素
子の直列回路を直流電源と並列に２組接続すると共に、
夫々の直列回路のスイッチング素子の接続点間に少なく
ともＬＣ共振回路と負荷からなる負荷回路を接続し、夫
々の直列回路のスイッチング素子を同時にオンしないよ
うに交互にオン，オフさせ、一方の直列回路のスイッチ
ング素子のオン，オフのタイミングに対して、他方の直
列回路のスイッチング素子のオン，オフの位相を変化す
るようにしてある。
て、”Off-Line Application of Fixed-Frequency Clam
ped Mode Series Resonant Converter”,IEEE Tansacti
on onPower Electronics,Vol.6;No.1,January,1991 な
る文献がある。この従来例では、２つのスイッチング素
子の直列回路を直流電源と並列に２組接続すると共に、
夫々の直列回路のスイッチング素子の接続点間に少なく
ともＬＣ共振回路と負荷からなる負荷回路を接続し、夫
々の直列回路のスイッチング素子を同時にオンしないよ
うに交互にオン，オフさせ、一方の直列回路のスイッチ
ング素子のオン，オフのタイミングに対して、他方の直
列回路のスイッチング素子のオン，オフの位相を変化す
るようにしてある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】なお、上記従来例の動作説明は本発明の実
施例の項で詳述する。この従来例によれば、動作周波数
を変化させずに、負荷に供給する電力を変化させること
ができる。ところが、上述の従来例を特に放電灯点灯装
置として適用し、低温時に放電灯Ｌａに供給される電力
を小さくしぼった状態で、放電灯Ｌａが立消えを起こし
たり、移動縞によるちらつきを発生するという問題があ
った。このため、放電灯Ｌａの調光範囲に制限を生じる
という問題があった。
施例の項で詳述する。この従来例によれば、動作周波数
を変化させずに、負荷に供給する電力を変化させること
ができる。ところが、上述の従来例を特に放電灯点灯装
置として適用し、低温時に放電灯Ｌａに供給される電力
を小さくしぼった状態で、放電灯Ｌａが立消えを起こし
たり、移動縞によるちらつきを発生するという問題があ
った。このため、放電灯Ｌａの調光範囲に制限を生じる
という問題があった。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】この種の通常のフルブリッジ構成のインバ
ータ装置では、一般に対角位置に設けられたスイッチン
グ素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 を組
として制御回路１で交互にオン，オフして、負荷回路に
交流電流を供給する。まず、本発明の動作を容易に理解
できるように、上述の一般動作をさらに詳述しておく。
いま、時刻ｔ0 で制御回路１の制御出力Ｖ1 ，Ｖ4 がハ
イレベルとなり、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 がローレベルとな
る。このとき、スイッチング素子Ｓ1，Ｓ4 が図２
（ａ），（ｄ）に示すようにオンとなり、スイッチング
素子Ｓ2 ，Ｓ3 が同図（ｂ），（ｃ）に示すようにオフ
となり、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素
子Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、
スイッチング素子Ｓ 4 、ダイオードブリッジＤＢの経路
で、負荷Ｚに電流が流される。つまり、図１の矢印で示
す方向の負荷電流ＩZ が供給される。
ータ装置では、一般に対角位置に設けられたスイッチン
グ素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 を組
として制御回路１で交互にオン，オフして、負荷回路に
交流電流を供給する。まず、本発明の動作を容易に理解
できるように、上述の一般動作をさらに詳述しておく。
いま、時刻ｔ0 で制御回路１の制御出力Ｖ1 ，Ｖ4 がハ
イレベルとなり、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 がローレベルとな
る。このとき、スイッチング素子Ｓ1，Ｓ4 が図２
（ａ），（ｄ）に示すようにオンとなり、スイッチング
素子Ｓ2 ，Ｓ3 が同図（ｂ），（ｃ）に示すようにオフ
となり、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素
子Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、
スイッチング素子Ｓ 4 、ダイオードブリッジＤＢの経路
で、負荷Ｚに電流が流される。つまり、図１の矢印で示
す方向の負荷電流ＩZ が供給される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】時刻ｔ2 では、制御回路１の制御出力
Ｖ1 ，Ｖ4 がローレベルとなり、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 が
ハイレベルとなる。すると、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
4 が図２（ａ），（ｄ）に示すようにオフとなり、スイ
ッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 が同図（ｂ），（ｃ）に示すよ
うにオンとなる。ここで、上記インバータ装置のスイッ
チング周波数をインダクタＬ1 とコンデンサＣ2 からな
る共振回路の共振周波数よりも高く設定した場合には、
従来技術の項で説明したように、共振回路に蓄積された
エネルギによって、インダクタＬ 1 、コンデンサＣ2 及
び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ3 の寄生ダイオード、ダ
イオードブリッジＤＢ、交流電源ＡＣ、スイッチング素
子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で電流が流れる。
Ｖ1 ，Ｖ4 がローレベルとなり、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 が
ハイレベルとなる。すると、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
4 が図２（ａ），（ｄ）に示すようにオフとなり、スイ
ッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 が同図（ｂ），（ｃ）に示すよ
うにオンとなる。ここで、上記インバータ装置のスイッ
チング周波数をインダクタＬ1 とコンデンサＣ2 からな
る共振回路の共振周波数よりも高く設定した場合には、
従来技術の項で説明したように、共振回路に蓄積された
エネルギによって、インダクタＬ 1 、コンデンサＣ2 及
び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ3 の寄生ダイオード、ダ
イオードブリッジＤＢ、交流電源ＡＣ、スイッチング素
子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で電流が流れる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】そして、上記共振回路の電流がゼロになっ
た時点から、スイッチング素子Ｓ2，Ｓ3 がオンとな
り、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ
3 ，コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイ
ッチング素子Ｓ 2 、ダイオードブリッジＤＢの経路で、
負荷電流ＩZ がそれまでと逆方向（図１の矢印と逆方
向）で流される。時刻ｔ4 では、時刻ｔ0 の場合と同様
に、制御回路１の制御出力Ｖ1 ，Ｖ4 がハイレベルとな
ると共に、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 がローレベルとなり、ス
イッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 がオンとなると共に、スイッ
チング素子Ｓ2 ，Ｓ3 がオフとなる。このときにも、共
振回路に蓄積されたエネルギによって、インダクタ
Ｌ1 、スイッチング素子Ｓ1 の寄生ダイオード、ダイオ
ードブリッジＤＢ、交流電源ＡＣ、スイッチング素子Ｓ
4 の寄生ダイオード、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚの経路
で電流が流れる。
た時点から、スイッチング素子Ｓ2，Ｓ3 がオンとな
り、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ
3 ，コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイ
ッチング素子Ｓ 2 、ダイオードブリッジＤＢの経路で、
負荷電流ＩZ がそれまでと逆方向（図１の矢印と逆方
向）で流される。時刻ｔ4 では、時刻ｔ0 の場合と同様
に、制御回路１の制御出力Ｖ1 ，Ｖ4 がハイレベルとな
ると共に、制御出力Ｖ2 ，Ｖ3 がローレベルとなり、ス
イッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 がオンとなると共に、スイッ
チング素子Ｓ2 ，Ｓ3 がオフとなる。このときにも、共
振回路に蓄積されたエネルギによって、インダクタ
Ｌ1 、スイッチング素子Ｓ1 の寄生ダイオード、ダイオ
ードブリッジＤＢ、交流電源ＡＣ、スイッチング素子Ｓ
4 の寄生ダイオード、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚの経路
で電流が流れる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】そして、共振回路の電流がゼロになった時
点より、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素
子Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、
スイッチング素子Ｓ 4 、ダイオードブリッジＤＢの経路
で、負荷Ｚに電流が流れる。なお、インバータ装置が定
常動作している場合には、上記時刻ｔ0 の時点でも、ス
イッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 の寄生ダイオードを介して電
流が流れた後に、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 を介して
正方向への負荷電流ＩZ が供給される。また、スイッチ
ング素子Ｓ1 〜Ｓ4 に夫々逆並列にダイオードを接続し
て、共振回路の電流を流すものもある。
点より、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素
子Ｓ1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、
スイッチング素子Ｓ 4 、ダイオードブリッジＤＢの経路
で、負荷Ｚに電流が流れる。なお、インバータ装置が定
常動作している場合には、上記時刻ｔ0 の時点でも、ス
イッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 の寄生ダイオードを介して電
流が流れた後に、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 を介して
正方向への負荷電流ＩZ が供給される。また、スイッチ
ング素子Ｓ1 〜Ｓ4 に夫々逆並列にダイオードを接続し
て、共振回路の電流を流すものもある。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】さらに、この従来のインバータ装置の動作
を詳述する。なお、以下の説明は上述の場合と同様に、
インバータ装置のスイッチング周波数が共振回路の共振
周波数よりも高く設定してある場合を例として行う。時
刻ｔ1 では、図３（ｃ），（ｄ）に示すようにスイッチ
ング素子Ｓ3 がオン、スイッチング素子Ｓ4 がオフし、
これによりダイオードブリッジＤＢから、スイッチング
素子Ｓ3 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、インダクタ
Ｌ1 、スイッチング素子Ｓ 2 、ダイオードブリッジＤＢ
の経路で、負荷電流ＩZ が供給される。
を詳述する。なお、以下の説明は上述の場合と同様に、
インバータ装置のスイッチング周波数が共振回路の共振
周波数よりも高く設定してある場合を例として行う。時
刻ｔ1 では、図３（ｃ），（ｄ）に示すようにスイッチ
ング素子Ｓ3 がオン、スイッチング素子Ｓ4 がオフし、
これによりダイオードブリッジＤＢから、スイッチング
素子Ｓ3 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、インダクタ
Ｌ1 、スイッチング素子Ｓ 2 、ダイオードブリッジＤＢ
の経路で、負荷電流ＩZ が供給される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】時刻ｔ2 では、図３（ｂ）に示すようにス
イッチング素子Ｓ2 がオフとなることにより、上記負荷
への電圧の印加がなくなる。また、スイッチング素子Ｓ
2 のオフと同時に、スイッチング素子Ｓ1 を図３（ａ）
に示すようにオンとするように制御回路１から制御出力
Ｖ1 が印加される。この場合には、共振回路に蓄積され
たエネルギで、インダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ1
の寄生ダイオード、スイッチング素子Ｓ3 、コンデンサ
Ｃ2 及び負荷Ｚの経路で、それまでと同一方向に負荷電
流ＩZ が流れる。
イッチング素子Ｓ2 がオフとなることにより、上記負荷
への電圧の印加がなくなる。また、スイッチング素子Ｓ
2 のオフと同時に、スイッチング素子Ｓ1 を図３（ａ）
に示すようにオンとするように制御回路１から制御出力
Ｖ1 が印加される。この場合には、共振回路に蓄積され
たエネルギで、インダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ1
の寄生ダイオード、スイッチング素子Ｓ3 、コンデンサ
Ｃ2 及び負荷Ｚの経路で、それまでと同一方向に負荷電
流ＩZ が流れる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】時刻ｔ3 では、図３（ｃ）に示すように、
スイッチング素子Ｓ3 がオフとなる。このときにはスイ
ッチング素子Ｓ4 を図３（ｄ）に示すようにオンとする
ように制御回路１から制御出力Ｖ4 が印加される。この
ため、共振回路にエネルギが残っている場合には、イン
ダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ1 の寄生ダイオード、
ダイオードブリッジＤＢ、交流電源ＡＣ、スイッチング
素子Ｓ4 の寄生ダイオード、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ
の経路で、電流が流れる。
スイッチング素子Ｓ3 がオフとなる。このときにはスイ
ッチング素子Ｓ4 を図３（ｄ）に示すようにオンとする
ように制御回路１から制御出力Ｖ4 が印加される。この
ため、共振回路にエネルギが残っている場合には、イン
ダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ1 の寄生ダイオード、
ダイオードブリッジＤＢ、交流電源ＡＣ、スイッチング
素子Ｓ4 の寄生ダイオード、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ
の経路で、電流が流れる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３５】そして、共振回路の電流がゼロとなった時
点から、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ 4 が共にオンとな
り、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ
1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイ
ッチング素子Ｓ 4 、ダイオードブリッジＤＢの経路で、
それまでとは逆方向の負荷電流ＩZ が流される。但し、
上記時刻ｔ3 の時点に共振回路の電流がゼロとなった場
合には、制御回路１の制御出力Ｖ4 がハイレベルとなる
と同時に、スイッチング素子Ｓ4 がオンとなる。この場
合には、この時刻ｔ3 で既にスイッチング素子Ｓ1 がオ
ンであるので、時刻ｔ3 において、ダイオードブリッジ
ＤＢから、スイッチング素子Ｓ1、インダクタＬ1 、コ
ンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ 4 、ダイ
オードブリッジＤＢの経路で、負荷電流ＩZ が流れる。
点から、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ 4 が共にオンとな
り、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ
1 、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイ
ッチング素子Ｓ 4 、ダイオードブリッジＤＢの経路で、
それまでとは逆方向の負荷電流ＩZ が流される。但し、
上記時刻ｔ3 の時点に共振回路の電流がゼロとなった場
合には、制御回路１の制御出力Ｖ4 がハイレベルとなる
と同時に、スイッチング素子Ｓ4 がオンとなる。この場
合には、この時刻ｔ3 で既にスイッチング素子Ｓ1 がオ
ンであるので、時刻ｔ3 において、ダイオードブリッジ
ＤＢから、スイッチング素子Ｓ1、インダクタＬ1 、コ
ンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ 4 、ダイ
オードブリッジＤＢの経路で、負荷電流ＩZ が流れる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】時刻ｔ4 では、スイッチング素子Ｓ1 がオ
フとなり、上記経路での負荷電流Ｉ Z の供給が停止され
る。このとき、同時にスイッチング素子Ｓ2 に制御回路
１からオンとする制御信号Ｖ2 が印加され、共振回路に
蓄積されたエネルギによって、インダクタＬ1 、コンデ
ンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ4 、スイッチ
ング素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で電流が流れる。
フとなり、上記経路での負荷電流Ｉ Z の供給が停止され
る。このとき、同時にスイッチング素子Ｓ2 に制御回路
１からオンとする制御信号Ｖ2 が印加され、共振回路に
蓄積されたエネルギによって、インダクタＬ1 、コンデ
ンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ4 、スイッチ
ング素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で電流が流れる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３７】時刻ｔ5 では、スイッチング素子Ｓ4 がオ
フとなると共に、図３（ｃ）に示すようにスイッチング
素子Ｓ3 をオンとする制御回路１のハイレベルの制御出
力Ｖ 3 が与えられる。このとき、共振回路にエネルギが
残っている場合には、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2
及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ3 の寄生ダイオード、
ダイオードブリッジＤＢ、交流電源ＡＣ、スイッチング
素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で電流が流れる。そし
て、共振回路の電流がゼロとなった後、ダイオードブリ
ッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ3 、コンデンサＣ2
及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ 2 、
ダイオードブリッジＤＢの経路で、負荷電流ＩZ が流れ
る。
フとなると共に、図３（ｃ）に示すようにスイッチング
素子Ｓ3 をオンとする制御回路１のハイレベルの制御出
力Ｖ 3 が与えられる。このとき、共振回路にエネルギが
残っている場合には、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2
及び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ3 の寄生ダイオード、
ダイオードブリッジＤＢ、交流電源ＡＣ、スイッチング
素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で電流が流れる。そし
て、共振回路の電流がゼロとなった後、ダイオードブリ
ッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ3 、コンデンサＣ2
及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ 2 、
ダイオードブリッジＤＢの経路で、負荷電流ＩZ が流れ
る。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３８】この場合にも、時刻ｔ5 で、共振回路のエ
ネルギがゼロであると、時刻ｔ5 の時点で、ダイオード
ブリッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ3 、コンデンサ
Ｃ2及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ
2 、ダイオードブリッジＤＢの経路で、負荷電流ＩZ が
流れる。なお、定常動作時には、上記時刻ｔ1 でも時刻
ｔ5 で説明したと同様の動作状態となる。そして、上記
一連の動作を繰り返すことにより、ダイオードブリッジ
ＤＢの出力である直流電圧を交流電圧に変換して、交流
電圧が負荷回路に供給される。このインバータ装置で
は、対角位置のスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッ
チング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オン期間が、図２に示すよ
うに一致している場合よりも短くなり、従って負荷Ｚに
供給される電力が低減される。なお、インバータ装置の
スイッチング周波数を共振回路の共振周波数よりも高い
範囲で最も低く設定しておく。
ネルギがゼロであると、時刻ｔ5 の時点で、ダイオード
ブリッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ3 、コンデンサ
Ｃ2及び負荷Ｚ、インダクタＬ1 、スイッチング素子Ｓ
2 、ダイオードブリッジＤＢの経路で、負荷電流ＩZ が
流れる。なお、定常動作時には、上記時刻ｔ1 でも時刻
ｔ5 で説明したと同様の動作状態となる。そして、上記
一連の動作を繰り返すことにより、ダイオードブリッジ
ＤＢの出力である直流電圧を交流電圧に変換して、交流
電圧が負荷回路に供給される。このインバータ装置で
は、対角位置のスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッ
チング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オン期間が、図２に示すよ
うに一致している場合よりも短くなり、従って負荷Ｚに
供給される電力が低減される。なお、インバータ装置の
スイッチング周波数を共振回路の共振周波数よりも高い
範囲で最も低く設定しておく。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】つまり、このインバータ装置では、スイッ
チング素子Ｓ1 ，Ｓ2 のオン，オフのタイミングに対し
て、スイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフの位相を
変化させることにより、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及
びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ 3 が同時にオンする時間を
変化させ、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ4 のスイッチング
周波数を変化させずに、負荷回路に供給される電力を変
化させることができるのである。このため、交流電源Ａ
Ｃへの高周波出力の漏れを防止するフィルタ（図示せ
ず）の設計が容易となる。また、負荷Ｚが放電灯である
場合に、放電灯の発する光の周波数が変化し、赤外線リ
モコンなどの他の機器に悪影響を及ぼすということがな
い。さらに、放電灯がＨＩＤランプである場合、出力の
周波数変化によって音響的共鳴現象を起こす恐れも少な
くできる。
チング素子Ｓ1 ，Ｓ2 のオン，オフのタイミングに対し
て、スイッチング素子Ｓ3 ，Ｓ4 のオン，オフの位相を
変化させることにより、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及
びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ 3 が同時にオンする時間を
変化させ、スイッチング素子Ｓ1 〜Ｓ4 のスイッチング
周波数を変化させずに、負荷回路に供給される電力を変
化させることができるのである。このため、交流電源Ａ
Ｃへの高周波出力の漏れを防止するフィルタ（図示せ
ず）の設計が容易となる。また、負荷Ｚが放電灯である
場合に、放電灯の発する光の周波数が変化し、赤外線リ
モコンなどの他の機器に悪影響を及ぼすということがな
い。さらに、放電灯がＨＩＤランプである場合、出力の
周波数変化によって音響的共鳴現象を起こす恐れも少な
くできる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】なお、上述の説明はスイッチング素子
Ｓ1 ，Ｓ2 のスイッチング位相に対してスイッチング素
子Ｓ3 ，Ｓ4 のスイッチング位相を遅らせた場合につい
て説明したが、逆に進ませても、同様に負荷回路に供給
される電力を変化させることができる。しかし、上記イ
ンバータ装置で負荷Ｚが放電灯である場合、低温時に放
電灯への供給電力を小さくしぼった場合に、放電灯が立
消えを起こし、放電灯の調光制御範囲が狭くなるという
問題がある。また、放電灯への供給電力を小さくしぼっ
た場合、移動縞によるちらつきを生じるという問題もあ
る。
Ｓ1 ，Ｓ2 のスイッチング位相に対してスイッチング素
子Ｓ3 ，Ｓ4 のスイッチング位相を遅らせた場合につい
て説明したが、逆に進ませても、同様に負荷回路に供給
される電力を変化させることができる。しかし、上記イ
ンバータ装置で負荷Ｚが放電灯である場合、低温時に放
電灯への供給電力を小さくしぼった場合に、放電灯が立
消えを起こし、放電灯の調光制御範囲が狭くなるという
問題がある。また、放電灯への供給電力を小さくしぼっ
た場合、移動縞によるちらつきを生じるという問題もあ
る。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４２】時刻ｔ3 では、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ
3 がオンとならない。このため、共振回路に蓄積された
エネルギによって、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及
び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ3 の寄生ダイオード、ダ
イオードブリッジＤＢ、交流電源ＡＣ、スイッチング素
子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で電流が流れる。時刻ｔ
4 では、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 のオンにより、ダ
イオードブリッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ1 、イ
ンダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチン
グ素子Ｓ 4 、ダイオードブリッジＤＢの経路で、負荷電
流ＩZ が流される。なお、このときには、共振回路にエ
ネルギが残っていれば、ダイオードブリッジＤＢの出力
に加算された形で、負荷電流ＩZ が流れ、インダクタＬ
1に蓄積されるエネルギはさらに大きくなる。
3 がオンとならない。このため、共振回路に蓄積された
エネルギによって、インダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及
び負荷Ｚ、スイッチング素子Ｓ3 の寄生ダイオード、ダ
イオードブリッジＤＢ、交流電源ＡＣ、スイッチング素
子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で電流が流れる。時刻ｔ
4 では、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 のオンにより、ダ
イオードブリッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ1 、イ
ンダクタＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチン
グ素子Ｓ 4 、ダイオードブリッジＤＢの経路で、負荷電
流ＩZ が流される。なお、このときには、共振回路にエ
ネルギが残っていれば、ダイオードブリッジＤＢの出力
に加算された形で、負荷電流ＩZ が流れ、インダクタＬ
1に蓄積されるエネルギはさらに大きくなる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４３】時刻ｔ5 では、スイッチング素子Ｓ3 はオ
ンとなるが、スイッチング素子Ｓ2がオンとならず、且
つスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 もオフである。このた
め、共振回路に蓄積されたエネルギによって、インダク
タＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子
Ｓ3 の寄生ダイオード、ダイオードブリッジＤＢ、交流
電源ＡＣ、スイッチング素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経
路で電流が流れる。時刻ｔ6 〜ｔ8 では上述した時刻ｔ
2 〜ｔ4 までの動作が繰り返される。
ンとなるが、スイッチング素子Ｓ2がオンとならず、且
つスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 もオフである。このた
め、共振回路に蓄積されたエネルギによって、インダク
タＬ1 、コンデンサＣ2 及び負荷Ｚ、スイッチング素子
Ｓ3 の寄生ダイオード、ダイオードブリッジＤＢ、交流
電源ＡＣ、スイッチング素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経
路で電流が流れる。時刻ｔ6 〜ｔ8 では上述した時刻ｔ
2 〜ｔ4 までの動作が繰り返される。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】時刻ｔ9 では、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ
3 をオンとする制御信号Ｖ2 ，Ｖ3が与えられた時点
で、共振回路に蓄積されたエネルギによって、インダク
タＬ1、負荷Ｚ及びコンデンサＣ2 、スイッチング素子
Ｓ3 の寄生ダイオード、ダイオードブリッジＤＢ、交流
電源ＡＣ、スイッチング素子Ｓ2 の寄生ダイオードを介
して電流が流れる。そして、共振回路の電流がゼロとな
った後は、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 のオンにより、
ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ3、負荷
Ｚ及びコンデンサＣ2 、インダクタＬ1 、スイッチング
素子Ｓ2 の経路で、負荷電流ＩZ が供給される。なお、
スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 はオン可能期間内にオンと
なるようにしてある。
3 をオンとする制御信号Ｖ2 ，Ｖ3が与えられた時点
で、共振回路に蓄積されたエネルギによって、インダク
タＬ1、負荷Ｚ及びコンデンサＣ2 、スイッチング素子
Ｓ3 の寄生ダイオード、ダイオードブリッジＤＢ、交流
電源ＡＣ、スイッチング素子Ｓ2 の寄生ダイオードを介
して電流が流れる。そして、共振回路の電流がゼロとな
った後は、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 のオンにより、
ダイオードブリッジＤＢ、スイッチング素子Ｓ3、負荷
Ｚ及びコンデンサＣ2 、インダクタＬ1 、スイッチング
素子Ｓ2 の経路で、負荷電流ＩZ が供給される。なお、
スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 はオン可能期間内にオンと
なるようにしてある。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５２】スイッチング素子Ｓ2 の駆動回路４は、ス
イッチング素子Ｓ2 と同時オンしてダイオードブリッジ
ＤＢ間を短絡することを防止するデッドオフ期間を発振
回路２の出力Ｖａから設定するデッドオフ回路４１と、
このデッドオフ回路４１の出力からスイッチング素子Ｓ
1 がオフとなる時点に同期して２倍のスイッチング周期
でスイッチング素子Ｓ2 をオンとする制御信号Ｖ2 を作
成する周波数変換回路４２とで構成してある。なお、ス
イッチング素子Ｓ2 の動作基準電位は制御回路１の基準
電位と一致しているので、レベルシフト回路は必要な
い。
イッチング素子Ｓ2 と同時オンしてダイオードブリッジ
ＤＢ間を短絡することを防止するデッドオフ期間を発振
回路２の出力Ｖａから設定するデッドオフ回路４１と、
このデッドオフ回路４１の出力からスイッチング素子Ｓ
1 がオフとなる時点に同期して２倍のスイッチング周期
でスイッチング素子Ｓ2 をオンとする制御信号Ｖ2 を作
成する周波数変換回路４２とで構成してある。なお、ス
イッチング素子Ｓ2 の動作基準電位は制御回路１の基準
電位と一致しているので、レベルシフト回路は必要な
い。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７４】つまり、上述のように構成してあるのは、
放電灯Ｌａの電流を確実に検出できるように、ランプ電
流の流路と、共振電流の流路とを分離したものである。
そして、検出抵抗Ｒ0 の検出出力に応じて、ランプ電流
が減少すれば、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッ
チング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オン期間を長くして、ラン
プ電流を増加させ、逆にランプ電流が増加すれば、スイ
ッチング素子Ｓ1 ，Ｓ 4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ
3 の同時オン期間を短くして、ランプ電流を減少させる
ようにフィードバック制御をかけるようにすればよい。
なお、電流を確実に分離するため、ダイオードＤA 〜Ｄ
D を設け、各々の電流が順方向電圧により分離できるよ
うにしてある。また、ダイオードＤA 〜ＤD の代わりに
抵抗を用いてもよい。
放電灯Ｌａの電流を確実に検出できるように、ランプ電
流の流路と、共振電流の流路とを分離したものである。
そして、検出抵抗Ｒ0 の検出出力に応じて、ランプ電流
が減少すれば、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 及びスイッ
チング素子Ｓ2 ，Ｓ3 の同時オン期間を長くして、ラン
プ電流を増加させ、逆にランプ電流が増加すれば、スイ
ッチング素子Ｓ1 ，Ｓ 4 及びスイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ
3 の同時オン期間を短くして、ランプ電流を減少させる
ようにフィードバック制御をかけるようにすればよい。
なお、電流を確実に分離するため、ダイオードＤA 〜Ｄ
D を設け、各々の電流が順方向電圧により分離できるよ
うにしてある。また、ダイオードＤA 〜ＤD の代わりに
抵抗を用いてもよい。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７６】本実施例の場合、図４及び図５で説明した
動作状態に応じて動作させてもよいのであるが、本実施
例の場合には図１４に示すように、スイッチング素子Ｓ
1 ，Ｓ2 を交互にオン，オフさせ、スイッチング素子Ｓ
3 は上記スイッチング素子Ｓ 1 ，Ｓ2 の２倍の周期でオ
ンさせ、且つそのオン期間をスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 の２倍のオン期間とし、さらにスイッチング素子Ｓ4
はスイッチング素子Ｓ 3 の２倍の周期でオンさせ、且つ
そのオン期間をスイッチング素子Ｓ3 と同じオン期間と
してある。なお、ダイオードＤA 〜ＤD は実施例５と同
様の働きをするものである。
動作状態に応じて動作させてもよいのであるが、本実施
例の場合には図１４に示すように、スイッチング素子Ｓ
1 ，Ｓ2 を交互にオン，オフさせ、スイッチング素子Ｓ
3 は上記スイッチング素子Ｓ 1 ，Ｓ2 の２倍の周期でオ
ンさせ、且つそのオン期間をスイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ
2 の２倍のオン期間とし、さらにスイッチング素子Ｓ4
はスイッチング素子Ｓ 3 の２倍の周期でオンさせ、且つ
そのオン期間をスイッチング素子Ｓ3 と同じオン期間と
してある。なお、ダイオードＤA 〜ＤD は実施例５と同
様の働きをするものである。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８２】本実施例の回路は図１で示されたものと同
じであり、図１８にその動作状態を示す。本実施例では
スイッチング素子Ｓ4 のスイッチング周期を最も短くし
てあり、このスイッチング素子Ｓ4 のスイッチング周期
に対して、スイッチング素子Ｓ2 を２倍の周期、且つオ
フ時点に同期してオンとし、スイッチング素子Ｓ3 をス
イッチング素子Ｓ4 のスイッチング周期に対して４倍の
周期（スイッチング素子Ｓ2 のスイッチング周期に対し
ては２倍）、且つオフ時点に同期してオンとし、スイッ
チング素子Ｓ1 を８倍の周期（スイッチング素子Ｓ3 の
スイッチング周期に対しては２倍）、且つオン時点に同
期してオンとするようにしてある。
じであり、図１８にその動作状態を示す。本実施例では
スイッチング素子Ｓ4 のスイッチング周期を最も短くし
てあり、このスイッチング素子Ｓ4 のスイッチング周期
に対して、スイッチング素子Ｓ2 を２倍の周期、且つオ
フ時点に同期してオンとし、スイッチング素子Ｓ3 をス
イッチング素子Ｓ4 のスイッチング周期に対して４倍の
周期（スイッチング素子Ｓ2 のスイッチング周期に対し
ては２倍）、且つオフ時点に同期してオンとし、スイッ
チング素子Ｓ1 を８倍の周期（スイッチング素子Ｓ3 の
スイッチング周期に対しては２倍）、且つオン時点に同
期してオンとするようにしてある。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８３】動作を簡単に説明する。時刻ｔ0 〜ｔ1 の
期間には、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 がオンとなり、
ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ1 、
負荷回路、スイッチング素子Ｓ 4 、ダイオードブリッジ
ＤＢの経路で、負荷回路に電流が流れる。時刻ｔ1 〜ｔ
2 では、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 がオンとなり、共
振回路に蓄積されたエネルギによって、インダクタ
Ｌ1 、負荷Ｚ及びコンデンサＣ2 、スイッチング素子Ｓ
3 の寄生ダイオード、ダイオードブリッジＤＢ、スイッ
チング素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で電流が流れ
る。その後、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチン
グ素子Ｓ3 、負荷回路、スイッチング素子Ｓ2の経路
で、それまでと逆方向の電流が負荷回路に流れる。時刻
ｔ2 〜ｔ3 の期間にはスイッチング素子Ｓ3 ，スイッチ
ング素子Ｓ4 がオンとなる期間はあるが、負荷には共振
回路による自由振動の電流が流れる。時刻ｔ3 〜ｔ4 で
は、時刻ｔ 1 〜ｔ2 と同様に、再びスイッチング素子Ｓ
2 ，Ｓ3 がオンとなり、ダイオードブリッジＤＢから、
スイッチング素子Ｓ3 、負荷回路、スイッチング素子Ｓ
2 、ダイオードブリッジＤＢの経路で、負荷回路に電流
が流れる。時刻ｔ4 〜ｔ5 では、スイッチング素子
Ｓ3 ，スイッチング素子Ｓ4 がオンとなる期間はある
が、負荷には共振回路による自由振動の電流が流れる。
そして、時刻ｔ5 の期間から時刻ｔ0 〜ｔ5 で示す一連
の動作が繰り返される。
期間には、スイッチング素子Ｓ1 ，Ｓ4 がオンとなり、
ダイオードブリッジＤＢから、スイッチング素子Ｓ1 、
負荷回路、スイッチング素子Ｓ 4 、ダイオードブリッジ
ＤＢの経路で、負荷回路に電流が流れる。時刻ｔ1 〜ｔ
2 では、スイッチング素子Ｓ2 ，Ｓ3 がオンとなり、共
振回路に蓄積されたエネルギによって、インダクタ
Ｌ1 、負荷Ｚ及びコンデンサＣ2 、スイッチング素子Ｓ
3 の寄生ダイオード、ダイオードブリッジＤＢ、スイッ
チング素子Ｓ2 の寄生ダイオードの経路で電流が流れ
る。その後、ダイオードブリッジＤＢから、スイッチン
グ素子Ｓ3 、負荷回路、スイッチング素子Ｓ2の経路
で、それまでと逆方向の電流が負荷回路に流れる。時刻
ｔ2 〜ｔ3 の期間にはスイッチング素子Ｓ3 ，スイッチ
ング素子Ｓ4 がオンとなる期間はあるが、負荷には共振
回路による自由振動の電流が流れる。時刻ｔ3 〜ｔ4 で
は、時刻ｔ 1 〜ｔ2 と同様に、再びスイッチング素子Ｓ
2 ，Ｓ3 がオンとなり、ダイオードブリッジＤＢから、
スイッチング素子Ｓ3 、負荷回路、スイッチング素子Ｓ
2 、ダイオードブリッジＤＢの経路で、負荷回路に電流
が流れる。時刻ｔ4 〜ｔ5 では、スイッチング素子
Ｓ3 ，スイッチング素子Ｓ4 がオンとなる期間はある
が、負荷には共振回路による自由振動の電流が流れる。
そして、時刻ｔ5 の期間から時刻ｔ0 〜ｔ5 で示す一連
の動作が繰り返される。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９６】
【発明の効果】請求項１の発明は上述のように、一方の
直列回路のスイッチング素子のオン，オフのタイミング
に対して、他方の直列回路のスイッチング素子のオン，
オフのタイミングを同位相から１８０度ずれた位相まで
の範囲で可変しているので、対角位置のスイッチング素
子の同時オン期間を変化させて、スイッチング周波数を
変化させずに、負荷に供給される電力を調整することが
でき、スイッチング周波数が変化することに伴う種々の
問題点を回避することができる。また、スイッチング素
子の内のいずれか２つのスイッチング周期を一致させ、
そのスイッチング周期に対して他のスイッチング素子の
スイッチング周期を夫々異ならせてオン，オフさせるこ
とにより、ＬＣ共振回路への正負の供給電力をアンバラ
ンスにして、ＬＣ共振回路に蓄積されるエネルギを直流
分として負荷に供給することができ、例えば負荷が放電
灯である場合に立消えや移動縞によるちらつきを起こす
ことを防止できる。
直列回路のスイッチング素子のオン，オフのタイミング
に対して、他方の直列回路のスイッチング素子のオン，
オフのタイミングを同位相から１８０度ずれた位相まで
の範囲で可変しているので、対角位置のスイッチング素
子の同時オン期間を変化させて、スイッチング周波数を
変化させずに、負荷に供給される電力を調整することが
でき、スイッチング周波数が変化することに伴う種々の
問題点を回避することができる。また、スイッチング素
子の内のいずれか２つのスイッチング周期を一致させ、
そのスイッチング周期に対して他のスイッチング素子の
スイッチング周期を夫々異ならせてオン，オフさせるこ
とにより、ＬＣ共振回路への正負の供給電力をアンバラ
ンスにして、ＬＣ共振回路に蓄積されるエネルギを直流
分として負荷に供給することができ、例えば負荷が放電
灯である場合に立消えや移動縞によるちらつきを起こす
ことを防止できる。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１２】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１３】
Claims (9)
- 【請求項１】 ２つのスイッチング素子の直列回路を直
流電源と並列に２組接続すると共に、夫々の直列回路の
スイッチング素子の接続点間に少なくともＬＣ共振回路
と負荷からなる負荷回路を接続し、上記スイッチング素
子の内のいずれか２つのスイッチング周期を一致させ、
そのスイッチング周期に対して他のスイッチング素子の
スイッチング周期を夫々異ならせてオン，オフさせ、一
方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフのタイミ
ングに対して、他方の直列回路のスイッチング素子のオ
ン，オフのタイミングを同位相から１８０度ずれた位相
までの範囲で可変して成ることを特徴とするインバータ
装置。 - 【請求項２】 ２つのスイッチング素子の直列回路を直
流電源と並列に２組接続すると共に、夫々の直列回路の
スイッチング素子の接続点間に少なくともＬＣ共振回路
と負荷からなる負荷回路を接続し、上記スイッチング素
子のスイッチング周期をすべて異ならせてオン，オフさ
せ、一方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフの
タイミングに対して、他方の直列回路のスイッチング素
子のオン，オフのタイミングを同位相から１８０度ずれ
た位相までの範囲で可変して成ることを特徴とするイン
バータ装置。 - 【請求項３】 電源電圧変動を検出して、一方の直列回
路のスイッチング素子のオン，オフのタイミングに対し
て、他方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフの
タイミングを調整して、負荷に供給される電力を一定に
制御して成ることを特徴とする請求項１または請求項２
記載のインバータ装置。 - 【請求項４】 負荷電流を検出して、一方の直列回路の
スイッチング素子のオン，オフのタイミングに対して、
他方の直列回路のスイッチング素子のオン，オフのタイ
ミングを調整して、負荷電流を一定に制御して成ること
を特徴とする請求項１または請求項２記載のインバータ
装置。 - 【請求項５】 他方の２つのスイッチング素子からなる
直列回路を複数設け、一方の直列回路のスイッチング素
子の接続点と夫々の他の直列回路の接続点との間に、少
なくともＬＣ共振回路と負荷からなる複数の負荷回路を
夫々接続して成ることを特徴とする請求項１または請求
項２記載のインバータ装置。 - 【請求項６】 他方の直列回路の夫々のスイッチング素
子がすべて同時オンしないことを特徴とする請求項５記
載のインバータ装置。 - 【請求項７】 上記負荷が放電灯であり、少なくとも放
電灯の不点時にＬＣ共振回路の共振周波数よりも、スイ
ッチング素子のスイッチング周波数を高く設定し、放電
灯の始動時にスイッチング素子のスイッチング周波数を
ＬＣ共振回路の共振周波数に近づけて成ることを特徴と
する請求項１または請求項２記載のインバータ装置。 - 【請求項８】 上記負荷が放電灯であり、少なくとも放
電灯の不点時にＬＣ共振回路の共振周波数よりも、スイ
ッチング素子のスイッチング周波数を高く設定し、放電
灯の始動時に一方の直列回路のスイッチング素子のオ
ン，オフのタイミングに対して、他方の直列回路のスイ
ッチング素子のオン，オフのタイミングを１８０度ずれ
た位相から同位相まで変化させて成ることを特徴とする
請求項１または請求項２記載のインバータ装置。 - 【請求項９】 複数の負荷を設け、夫々の負荷に交流分
と直流分とを別個に供給して成ることを特徴とする請求
項１または請求項２記載のインバータ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4304121A JPH06165509A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | インバータ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4304121A JPH06165509A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | インバータ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06165509A true JPH06165509A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17929291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4304121A Withdrawn JPH06165509A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | インバータ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06165509A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013092586A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Ricoh Co Ltd | 電源装置及び画像形成装置 |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP4304121A patent/JPH06165509A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013092586A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Ricoh Co Ltd | 電源装置及び画像形成装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |