JPH06167424A - 光パルス試験器 - Google Patents
光パルス試験器Info
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- JPH06167424A JPH06167424A JP34341592A JP34341592A JPH06167424A JP H06167424 A JPH06167424 A JP H06167424A JP 34341592 A JP34341592 A JP 34341592A JP 34341592 A JP34341592 A JP 34341592A JP H06167424 A JPH06167424 A JP H06167424A
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 17
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 11
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
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- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
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- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザパルスを被測定光ファイバへ出射し
て、その伝達特性を試験する光パルス試験器において、
入射口近傍のデッドゾーンを短かくする。 【構成】 第１、第２のレーザ光源３２、３３から出力
される波長λ1 、λ2 のレーザパルスは、光コネクタ３
７、２を介して被測定光ファイバ１へ出射され、その接
続部および光ファイバから戻る光のうちλ1 の光は第１
の受光器４２で受光され、λ2 の光は第２の受光４３で
受光される。コネクタ接続部でのフレネル反射光のレベ
ルは波長に依存せず等しく、これに続く短波長λ2 の後
方散乱光のレベルは、波長λ1 の後方散乱光のレベルよ
り高い。処理部５０は、フレネル反射光に続いてレベル
差の少ない後方散乱光が入射される第２の受光器４３側
の受光出力によって被測定ファイバ１の入射口近傍の特
性を測定し、これより遠方の特性を第１の受光器４２側
の受光出力によって測定する。
て、その伝達特性を試験する光パルス試験器において、
入射口近傍のデッドゾーンを短かくする。 【構成】 第１、第２のレーザ光源３２、３３から出力
される波長λ1 、λ2 のレーザパルスは、光コネクタ３
７、２を介して被測定光ファイバ１へ出射され、その接
続部および光ファイバから戻る光のうちλ1 の光は第１
の受光器４２で受光され、λ2 の光は第２の受光４３で
受光される。コネクタ接続部でのフレネル反射光のレベ
ルは波長に依存せず等しく、これに続く短波長λ2 の後
方散乱光のレベルは、波長λ1 の後方散乱光のレベルよ
り高い。処理部５０は、フレネル反射光に続いてレベル
差の少ない後方散乱光が入射される第２の受光器４３側
の受光出力によって被測定ファイバ１の入射口近傍の特
性を測定し、これより遠方の特性を第１の受光器４２側
の受光出力によって測定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、被測定光ファイバにレ
ーザパルス光を出射し、その光ファイバからの後方散乱
光やフレネル反射光の受光出力レベルの時間経過にとも
なう変化を測定して、被測定光ファイバの長さ、伝送損
失、接続点の接続損失等の伝送特性を測定する光パルス
試験器に関する。
ーザパルス光を出射し、その光ファイバからの後方散乱
光やフレネル反射光の受光出力レベルの時間経過にとも
なう変化を測定して、被測定光ファイバの長さ、伝送損
失、接続点の接続損失等の伝送特性を測定する光パルス
試験器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバの伝送特性を測定するため
に、従来より図１０に示す構成の光パルス試験器１０が
用いられている。
に、従来より図１０に示す構成の光パルス試験器１０が
用いられている。
【０００３】光パルス試験器１０のパルス光源部１１
は、所定波長のレーザ光を出力するレーザ光源１２と、
このレーザ光源１２を所定周期でパルス駆動するパルス
発生器１３によって構成され、波長λ0 で所定幅（例え
ば１μＳ）のレーザパルス光を方向性結合器１４を介し
て光コネクタ１５へ出力する。光コネクタ１５には被測
定光ファイバ１の一端側の光コネクタ２が接続されてお
り、レーザパルス光は、光コネクタ１５、２を介して被
測定光ファイバ１へ入射される。
は、所定波長のレーザ光を出力するレーザ光源１２と、
このレーザ光源１２を所定周期でパルス駆動するパルス
発生器１３によって構成され、波長λ0 で所定幅（例え
ば１μＳ）のレーザパルス光を方向性結合器１４を介し
て光コネクタ１５へ出力する。光コネクタ１５には被測
定光ファイバ１の一端側の光コネクタ２が接続されてお
り、レーザパルス光は、光コネクタ１５、２を介して被
測定光ファイバ１へ入射される。
【０００４】光コネクタ１５から出射されるレーザパル
スの一部は、光コネクタ間の僅かなエアギャップによっ
て方向性結合器１４側へ反射（フレネル反射）され、受
光部１７の受光器１８で受光され、その受光信号が増幅
器１９で増幅される。一方、被測定光ファイバ１に入射
されたレーザパルス光は、ファイバ内の散乱によって僅
かずつ減衰して進む。この散乱光のうち、光コネクタ２
側へ戻る後方散乱光は、方向結合器１４を経て受光器１
８で受光されて、その受光信号は増幅出力される。
スの一部は、光コネクタ間の僅かなエアギャップによっ
て方向性結合器１４側へ反射（フレネル反射）され、受
光部１７の受光器１８で受光され、その受光信号が増幅
器１９で増幅される。一方、被測定光ファイバ１に入射
されたレーザパルス光は、ファイバ内の散乱によって僅
かずつ減衰して進む。この散乱光のうち、光コネクタ２
側へ戻る後方散乱光は、方向結合器１４を経て受光器１
８で受光されて、その受光信号は増幅出力される。
【０００５】後方散乱光は、レーザパルス光がファイバ
内を進むにつれて小さくなるため、受光部１７からの出
力信号は、図１１に示すように、レーザパルス光の出射
時ｔ0 に光コネクタ部分のフレネル反射によってパルス
状に増減変化し、以後は主にファイバの損失によって決
まる一定の減衰率で減衰変化する。被測定光ファイバ１
の途中の接続部で接続損失がある場合には、その位置に
対応するｔ1 時に後方散乱光の受光出力レベルが急激に
少なくなる。
内を進むにつれて小さくなるため、受光部１７からの出
力信号は、図１１に示すように、レーザパルス光の出射
時ｔ0 に光コネクタ部分のフレネル反射によってパルス
状に増減変化し、以後は主にファイバの損失によって決
まる一定の減衰率で減衰変化する。被測定光ファイバ１
の途中の接続部で接続損失がある場合には、その位置に
対応するｔ1 時に後方散乱光の受光出力レベルが急激に
少なくなる。
【０００６】この受光出力は、Ａ／Ｄ変換器２０によっ
て高速にサンプリングされつつディジタル値に変換さ
れ、処理部２１へ送られる。処理部２１は、レーザパル
ス光が出射されたときから受光出力データを受けて、図
１１のような減衰特性を表示装置２２に表示するととも
に、例えば受光出力レベルが急激に変化しているｔ1 時
点を検出し、その変化点の位置（距離）や変化量を測定
している。
て高速にサンプリングされつつディジタル値に変換さ
れ、処理部２１へ送られる。処理部２１は、レーザパル
ス光が出射されたときから受光出力データを受けて、図
１１のような減衰特性を表示装置２２に表示するととも
に、例えば受光出力レベルが急激に変化しているｔ1 時
点を検出し、その変化点の位置（距離）や変化量を測定
している。
【０００７】測定者はこの特性から、被測定光ファイバ
１の伝送損失（全体の傾き）や接続部の位置やその損失
あるいは破断等の伝送特性を知ることができる。
１の伝送損失（全体の傾き）や接続部の位置やその損失
あるいは破断等の伝送特性を知ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような構成の従来の光パルス試験器では、光コネクタ１
５、２のギャップによるフレネル反射光のレベルとその
フレネル反射に続く後方散乱光のレベル差が大きいた
め、受光部１７がこの変化に応答しきれず、図１１のＡ
のレーザパルス光の幅に比べて受光出力の応答時間Ｂが
非常に長くなり（距離換算で数１００ｍ）、伝送特性を
測定することができないデッドゾーンが広くなってしま
う。
ような構成の従来の光パルス試験器では、光コネクタ１
５、２のギャップによるフレネル反射光のレベルとその
フレネル反射に続く後方散乱光のレベル差が大きいた
め、受光部１７がこの変化に応答しきれず、図１１のＡ
のレーザパルス光の幅に比べて受光出力の応答時間Ｂが
非常に長くなり（距離換算で数１００ｍ）、伝送特性を
測定することができないデッドゾーンが広くなってしま
う。
【０００９】即ち、例えばパルス幅１マイクロ秒のレー
ザパルスのエアギャップによるフレネル反射は、出射レ
ベルを基準として−１４ｄＢであるのに対し、それに続
く後方散乱光のレベルは一般の光ファイバの場合ほぼ−
５０ｄＢであり、その差は３６ｄＢにもなる。３６ｄＢ
のパワー差は受光出力の電圧差で７２ｄＢとなる。実際
にはさらに低い後方散乱光を検出する必要があり、この
ような広いダナミックレンジと高速性をもつ受光部を構
成することは、現在の技術では極めて困難である。した
がって、入射側のフレネル反射のように高いレベルから
急峻に受光レベルが変化したとき、受光部の出力はこの
変化に対して大きく遅延してしまう。
ザパルスのエアギャップによるフレネル反射は、出射レ
ベルを基準として−１４ｄＢであるのに対し、それに続
く後方散乱光のレベルは一般の光ファイバの場合ほぼ−
５０ｄＢであり、その差は３６ｄＢにもなる。３６ｄＢ
のパワー差は受光出力の電圧差で７２ｄＢとなる。実際
にはさらに低い後方散乱光を検出する必要があり、この
ような広いダナミックレンジと高速性をもつ受光部を構
成することは、現在の技術では極めて困難である。した
がって、入射側のフレネル反射のように高いレベルから
急峻に受光レベルが変化したとき、受光部の出力はこの
変化に対して大きく遅延してしまう。
【００１０】このデッドゾーンの問題を解決するため
に、レーザパルス光の出射時のみ受光器１８への光を遮
断する方法や、光コネクタ１５、２の間にダミーファイ
バを接続してダミーファイバ以後の受光信号のみを測定
する方法もあったが、前者の方法では高価で高速な光ス
イッチが必要となり、後者の方法では数１００ｍ分のダ
ミーファイバの接続やその長さ補正が煩わしいという問
題があった。
に、レーザパルス光の出射時のみ受光器１８への光を遮
断する方法や、光コネクタ１５、２の間にダミーファイ
バを接続してダミーファイバ以後の受光信号のみを測定
する方法もあったが、前者の方法では高価で高速な光ス
イッチが必要となり、後者の方法では数１００ｍ分のダ
ミーファイバの接続やその長さ補正が煩わしいという問
題があった。
【００１１】本発明は、従来の測定用レーザ光源と、こ
の測定用のレーザ光源の波長より短かく、入射口近傍で
の後方散乱光のレベルが測定用光源によるレベルより高
くなる短波長のレーザ光源を用いることで、前記問題を
一挙に解決した光パルス試験器を提供することを目的と
している。
の測定用のレーザ光源の波長より短かく、入射口近傍で
の後方散乱光のレベルが測定用光源によるレベルより高
くなる短波長のレーザ光源を用いることで、前記問題を
一挙に解決した光パルス試験器を提供することを目的と
している。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の光パルス試験器は、レーザパルス光を被測
定光ファイバ（１）へ出射するパルス光源部（３１）
と、前記レーザパルス光を受けた前記被測定光ファイバ
からの後方散乱光およびフレネル反射光のレベルを検出
する受光部（４０）とを有し、前記レーザパルス光出射
時からの前記受光部の出力レベルの時間経過にともなう
変化を測定することによって、前記被測定光ファイバの
伝送特性を測定する光パルス試験器において、前記パル
ス光源部（３１）は、所定波長（λ1 ）のレーザ光を出
力する第１のレーザ光源（３２）と、前記第１のレーザ
光源の波長より短かく、前記被測定光ファイバの入射口
近傍で該第１のレーザ光源のレーザパルスによる後方散
乱光より高いレベルの後方散乱光が得られる波長
（λ2 ）のレーザ光を出力する第２のレーザ光源（３
３）とを有し、前記第２のレーザ光源からのレーザパル
ス光に対する前記受光部の出力によって前記被測定光フ
ァイバの入射口近傍の伝送特性を測定し、前記第１のレ
ーザ光源からのレーザパルス光に対する前記受光部の出
力によって前記被測定光ファイバの入射口近傍以遠の伝
送特性を測定する処理部（５０）を備えている。
に、本発明の光パルス試験器は、レーザパルス光を被測
定光ファイバ（１）へ出射するパルス光源部（３１）
と、前記レーザパルス光を受けた前記被測定光ファイバ
からの後方散乱光およびフレネル反射光のレベルを検出
する受光部（４０）とを有し、前記レーザパルス光出射
時からの前記受光部の出力レベルの時間経過にともなう
変化を測定することによって、前記被測定光ファイバの
伝送特性を測定する光パルス試験器において、前記パル
ス光源部（３１）は、所定波長（λ1 ）のレーザ光を出
力する第１のレーザ光源（３２）と、前記第１のレーザ
光源の波長より短かく、前記被測定光ファイバの入射口
近傍で該第１のレーザ光源のレーザパルスによる後方散
乱光より高いレベルの後方散乱光が得られる波長
（λ2 ）のレーザ光を出力する第２のレーザ光源（３
３）とを有し、前記第２のレーザ光源からのレーザパル
ス光に対する前記受光部の出力によって前記被測定光フ
ァイバの入射口近傍の伝送特性を測定し、前記第１のレ
ーザ光源からのレーザパルス光に対する前記受光部の出
力によって前記被測定光ファイバの入射口近傍以遠の伝
送特性を測定する処理部（５０）を備えている。
【００１３】
【作用】このようにしたため、被測定光ファイバの入射
口近傍では、第２のレーザ光源のレーザパルスに対する
後方散乱光のレベルは、第１のレーザ光源による後方散
乱光のレベルより高くなり、波長に依存しないフレネル
反射光と第２のレーザ光源による後方散乱光とのレベル
差が少なくなって、受光部の応答時間が短縮される。
口近傍では、第２のレーザ光源のレーザパルスに対する
後方散乱光のレベルは、第１のレーザ光源による後方散
乱光のレベルより高くなり、波長に依存しないフレネル
反射光と第２のレーザ光源による後方散乱光とのレベル
差が少なくなって、受光部の応答時間が短縮される。
【００１４】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。
明する。
【００１５】図１は、一実施例の光パルス試験器３０の
構成を示している。
構成を示している。
【００１６】この光パルス試験器３０のパルス光源部３
１は、レーザダイオードで構成され、波長λ1 のレーザ
光を出力する第１のレーザ光源３２と、λ1 より短かい
波長λ2 のレーザ光を出力する第２のレーザ光源３３と
を有し、両レーザ光源３２、３３を共通のパルス発生器
３４でパルス駆動し、両レーザ光源３２、３３から出力
されるレーザパルスを合波器３５で合波して方向性結合
器３６へ送出する。
１は、レーザダイオードで構成され、波長λ1 のレーザ
光を出力する第１のレーザ光源３２と、λ1 より短かい
波長λ2 のレーザ光を出力する第２のレーザ光源３３と
を有し、両レーザ光源３２、３３を共通のパルス発生器
３４でパルス駆動し、両レーザ光源３２、３３から出力
されるレーザパルスを合波器３５で合波して方向性結合
器３６へ送出する。
【００１７】図２は、この被測定光ファイバ１の波長に
対する損失量の変化を示すもので、このファイバに用い
る光の波長は、長い伝送距離を得るために、通常最も低
損失な波長領域Ｃ内の波長が用いられ、第１のレーザ光
源３２は、この低損失な領域Ｃ内の波長λ1 （例えば１
３００ｎｍ）のレーザ光を出力する。
対する損失量の変化を示すもので、このファイバに用い
る光の波長は、長い伝送距離を得るために、通常最も低
損失な波長領域Ｃ内の波長が用いられ、第１のレーザ光
源３２は、この低損失な領域Ｃ内の波長λ1 （例えば１
３００ｎｍ）のレーザ光を出力する。
【００１８】また、第２のレーザ光源３３は、被測定光
ファイバ１に対して通常用いられることのない極めて短
い波長λ2 （例えば６８０ｎｍ）のレーザ光を出力す
る。なお、６８０ｎｍの波長のレーザ光は安価なレーザ
ダイオードによって出力することができる。
ファイバ１に対して通常用いられることのない極めて短
い波長λ2 （例えば６８０ｎｍ）のレーザ光を出力す
る。なお、６８０ｎｍの波長のレーザ光は安価なレーザ
ダイオードによって出力することができる。
【００１９】合波器３５からのパルス光は、方向性結合
器３６を介して光コネクタ３７へ送出され、光コネクタ
３７から光コネクタ２へ出射されるパルス光は、被測定
光ファイバ１へ入射される。
器３６を介して光コネクタ３７へ送出され、光コネクタ
３７から光コネクタ２へ出射されるパルス光は、被測定
光ファイバ１へ入射される。
【００２０】光コネクタ間のギャップによるフレネル反
射光および被測定光ファイバ１からの後方散乱光は、方
向性結合器３６を経て、受光部４０の分波器４１へ送ら
れる。
射光および被測定光ファイバ１からの後方散乱光は、方
向性結合器３６を経て、受光部４０の分波器４１へ送ら
れる。
【００２１】分波器４１は、入射光のうち、波長λ1 の
光と波長λ2 の光を分離して、第１の受光器４２、第２
の受光器４３へそれぞれ送る。第１、第２の受光器４
２、４３の受光信号は増幅器４４、４５によって増幅さ
れ、スイッチ４６を介して、Ａ／Ｄ変換器４７に入力さ
れる。スイッチ４６の切換えは、後述する処理部５０に
よって行なわれ、スイッチ４６で選択された受光信号
は、Ａ／Ｄ変換器４７によって高速サンプリングされつ
つディジタル値に変換されて処理部５０へ送出される。
光と波長λ2 の光を分離して、第１の受光器４２、第２
の受光器４３へそれぞれ送る。第１、第２の受光器４
２、４３の受光信号は増幅器４４、４５によって増幅さ
れ、スイッチ４６を介して、Ａ／Ｄ変換器４７に入力さ
れる。スイッチ４６の切換えは、後述する処理部５０に
よって行なわれ、スイッチ４６で選択された受光信号
は、Ａ／Ｄ変換器４７によって高速サンプリングされつ
つディジタル値に変換されて処理部５０へ送出される。
【００２２】処理部５０は、パルス発生器３４による両
レーザ光源３２、３３のパルス駆動に同期して、第１、
第２の受光器４２、４３の受光出力を所定時間ずつ取り
込み、被測定光ファイバ１の入射口近傍から遠端までの
特性を測定して、その結果を表示装置５１に表示する。
レーザ光源３２、３３のパルス駆動に同期して、第１、
第２の受光器４２、４３の受光出力を所定時間ずつ取り
込み、被測定光ファイバ１の入射口近傍から遠端までの
特性を測定して、その結果を表示装置５１に表示する。
【００２３】図３は、処理部５０の処理手順の一例を示
しており、以下、このフローチャートに従って光パルス
試験器３０の動作を説明する。
しており、以下、このフローチャートに従って光パルス
試験器３０の動作を説明する。
【００２４】スイッチ３４が第２の受光器４３側に接続
された状態で、パルス光源部３１のパルス発生器３４か
ら例えば１μＳの駆動パルスが第１、第２のレーザ光源
３２、３３に出力されると、波長の異なる２つのレーザ
パルスが光コネクタ３７から光コネクタ２側へ出射され
る。コネクタ接続部でのフレネル反射光は、方向性結合
器３６を介して分波器４１へ送られ、波長λ1 、λ2 の
フレネル反射光がそれぞれ第１、第２の受光器４２、４
３へ入射される。
された状態で、パルス光源部３１のパルス発生器３４か
ら例えば１μＳの駆動パルスが第１、第２のレーザ光源
３２、３３に出力されると、波長の異なる２つのレーザ
パルスが光コネクタ３７から光コネクタ２側へ出射され
る。コネクタ接続部でのフレネル反射光は、方向性結合
器３６を介して分波器４１へ送られ、波長λ1 、λ2 の
フレネル反射光がそれぞれ第１、第２の受光器４２、４
３へ入射される。
【００２５】フレネル反射光のレベルは、各レーザパル
スの出力が等しければ波長に依存せず出射レベルの４パ
ーセント（−１４ｄＢ）で一定であるため、第１、第２
の受光器４２、４３には、出射レベルを基準としてピー
クがほぼ−１４ｄＢのパルス光が入射される。
スの出力が等しければ波長に依存せず出射レベルの４パ
ーセント（−１４ｄＢ）で一定であるため、第１、第２
の受光器４２、４３には、出射レベルを基準としてピー
クがほぼ−１４ｄＢのパルス光が入射される。
【００２６】波長λ1 の光は被測定光ファイバ１に対し
て低損失なため、前述したように、そのフレネル反射光
に続く後方散乱光のレベルはほぼ−５０ｄＢまで低下す
る。この急峻なレベル低下により、第１の受光器４２側
の受光出力は、図４の（ａ）のように、ｔ0 時から極め
て長い応答時間Ｔａ（デッドゾーン）が経過した後にこ
の波長λ1 におけるファイバの損失に対応した一定の傾
きで減衰する。
て低損失なため、前述したように、そのフレネル反射光
に続く後方散乱光のレベルはほぼ−５０ｄＢまで低下す
る。この急峻なレベル低下により、第１の受光器４２側
の受光出力は、図４の（ａ）のように、ｔ0 時から極め
て長い応答時間Ｔａ（デッドゾーン）が経過した後にこ
の波長λ1 におけるファイバの損失に対応した一定の傾
きで減衰する。
【００２７】一方、波長λ2 は波長λ1 に比べて短く、
被測定光ファイバ１に対して高損失なため、第２の受光
器４３へのフレネル反射光に続く後方散乱光のレベル
は、波長λ1 の後方散乱光のレベルに比べて大きくな
る。即ち、後方散乱光のレベルは、波長の４乗の逆数に
ほぼ比例することから、λ1 ＝１３００ｎｍ、λ2 ＝６
８０ｎｍの場合には、λ2 の後方散乱光は、λ1 の光に
対して（λ1 ／λ2 ）4 倍（ほぼ１３倍、ｄＢ換算で１
１ｄＢ）レベルが高くなり、フレネル反射に対するレベ
ル差は２５ｄＢに縮小される。このため、第２の受光器
４３側の受光出力は、図４の（ｂ）に示すように、ｔ0
時から極めて短かい応答時間Ｔｂ（デッドゾーン）が経
過した後に、その波長λ2 におけるファイバの損失に対
応した一定の傾きで減衰する。
被測定光ファイバ１に対して高損失なため、第２の受光
器４３へのフレネル反射光に続く後方散乱光のレベル
は、波長λ1 の後方散乱光のレベルに比べて大きくな
る。即ち、後方散乱光のレベルは、波長の４乗の逆数に
ほぼ比例することから、λ1 ＝１３００ｎｍ、λ2 ＝６
８０ｎｍの場合には、λ2 の後方散乱光は、λ1 の光に
対して（λ1 ／λ2 ）4 倍（ほぼ１３倍、ｄＢ換算で１
１ｄＢ）レベルが高くなり、フレネル反射に対するレベ
ル差は２５ｄＢに縮小される。このため、第２の受光器
４３側の受光出力は、図４の（ｂ）に示すように、ｔ0
時から極めて短かい応答時間Ｔｂ（デッドゾーン）が経
過した後に、その波長λ2 におけるファイバの損失に対
応した一定の傾きで減衰する。
【００２８】処理部５０は、パルス発生器３４からのト
リガパルスを受け、ｔ0 時からＴａより僅かに長い設定
時間Ｔ1 の間、第２の受光器４３側の出力データＮ
（ｔ）を取込む（Ｓ１〜４）。
リガパルスを受け、ｔ0 時からＴａより僅かに長い設定
時間Ｔ1 の間、第２の受光器４３側の出力データＮ
（ｔ）を取込む（Ｓ１〜４）。
【００２９】設定時間Ｔ1 が経過した後、スイッチ４６
は、第１の受光器４２側に切換えられ、決められた測定
期間Ｔ0 からＴ1 を減じたＴ2 時間、第１の受光器４２
側の出力データＦ（ｔ）を取込む（Ｓ５〜７）。
は、第１の受光器４２側に切換えられ、決められた測定
期間Ｔ0 からＴ1 を減じたＴ2 時間、第１の受光器４２
側の出力データＦ（ｔ）を取込む（Ｓ５〜７）。
【００３０】次にＴ1 期間に取り込んだデータＮ（ｔ）
に対して、波長に応じた補正処理を行って、Ｔ1 期間お
よびＴ2 期間連続した一連の特性を表示装置５１に表示
させる（Ｓ８、９）。
に対して、波長に応じた補正処理を行って、Ｔ1 期間お
よびＴ2 期間連続した一連の特性を表示装置５１に表示
させる（Ｓ８、９）。
【００３１】この補正処理は、図４の（ａ）の後方散乱
光の直線式Ｊ＝Ｐｔ−５０に対する、図４の（ｂ）の後
方散乱光の直線式Ｋ＝Ｑｔ−３９の差Ｈ（ｔ）＝Ｋ−Ｊ
をｔ0 時からＴ1 期間の間にわたって求め、このＨ
（ｔ）をＴ1 期間内における各時間毎の補正データと
し、Ｔ1 期間に取り込んだデータＮ（ｔ）からＨ（ｔ）
を減算補正することによって行なわれる。この補正処理
の結果図５に示すように、Ｔ1 期間の特性とＴ2 期間の
特性とが同一の傾きで連続して表示され、あたかも波長
λ1 のパルス光だけを用いたように一定の傾きで減衰変
化する特性が表示される。この特性のデッドゾーンは、
補正前と変わらずに僅かな時間Ｔｂで済み、入射口近傍
の測定可能な範囲がＴａ−Ｔｂの分だけ拡がる。
光の直線式Ｊ＝Ｐｔ−５０に対する、図４の（ｂ）の後
方散乱光の直線式Ｋ＝Ｑｔ−３９の差Ｈ（ｔ）＝Ｋ−Ｊ
をｔ0 時からＴ1 期間の間にわたって求め、このＨ
（ｔ）をＴ1 期間内における各時間毎の補正データと
し、Ｔ1 期間に取り込んだデータＮ（ｔ）からＨ（ｔ）
を減算補正することによって行なわれる。この補正処理
の結果図５に示すように、Ｔ1 期間の特性とＴ2 期間の
特性とが同一の傾きで連続して表示され、あたかも波長
λ1 のパルス光だけを用いたように一定の傾きで減衰変
化する特性が表示される。この特性のデッドゾーンは、
補正前と変わらずに僅かな時間Ｔｂで済み、入射口近傍
の測定可能な範囲がＴａ−Ｔｂの分だけ拡がる。
【００３２】なお、Ｔ1 期間内に例えば図４（ｂ）のＲ
のように、接続点損失によるレベルのステップ変化が生
じた場合、波長λ1 の後方散乱光も図４の（ａ）のＲ′
のように同一量だけステップ変化しているので、補正後
の特性は、図５の Ｒ″のように、連続して表示され
る。
のように、接続点損失によるレベルのステップ変化が生
じた場合、波長λ1 の後方散乱光も図４の（ａ）のＲ′
のように同一量だけステップ変化しているので、補正後
の特性は、図５の Ｒ″のように、連続して表示され
る。
【００３３】
【他の実施例】前記実施例では、１回のレーザパルスの
出力によって被測定光ファイバの入射口近傍から遠端ま
での特性を測定していたが、図６のフローチャートに示
すように、レーザパルスを１回出力するごとに、取込み
データをそれぞれ加算し、Ｍ回後にその平均値を求め
て、この平均化されたデータによって被測定光ファイバ
の特性を測定すれば、平均化によって雑音成分が抑圧さ
れたデータで測定を行なうことができる。
出力によって被測定光ファイバの入射口近傍から遠端ま
での特性を測定していたが、図６のフローチャートに示
すように、レーザパルスを１回出力するごとに、取込み
データをそれぞれ加算し、Ｍ回後にその平均値を求め
て、この平均化されたデータによって被測定光ファイバ
の特性を測定すれば、平均化によって雑音成分が抑圧さ
れたデータで測定を行なうことができる。
【００３４】また、前記実施例では、波長の異なるレー
ザパルスを同時に出力していたが、図７に示す光パルス
試験器６０のように、パルス光源部６１側にスイッチ６
２を設け、第１、第２のレーザ光源３２、３３を交互に
パルス駆動してもよい。この場合には、受光部６４を１
つの受光器６５で構成することも可能となり、処理部６
６において、１回目のトリガ時には、Ｔ1 期間のみのデ
ータを取込み、２回目のトリガ時には、Ｔ2 期間のみの
データを取り込んで前記同様の処理を行なったり、ある
いは、奇数回目と偶数回目とでそれぞれの期間のデータ
を交互に取り込んで平均化するようにしてもよい。
ザパルスを同時に出力していたが、図７に示す光パルス
試験器６０のように、パルス光源部６１側にスイッチ６
２を設け、第１、第２のレーザ光源３２、３３を交互に
パルス駆動してもよい。この場合には、受光部６４を１
つの受光器６５で構成することも可能となり、処理部６
６において、１回目のトリガ時には、Ｔ1 期間のみのデ
ータを取込み、２回目のトリガ時には、Ｔ2 期間のみの
データを取り込んで前記同様の処理を行なったり、ある
いは、奇数回目と偶数回目とでそれぞれの期間のデータ
を交互に取り込んで平均化するようにしてもよい。
【００３５】さらに図８に示す光パルス試験器７０のパ
ルス光源部７１のように、第１、第２のレーザ光源３
２、３３に対してそれぞれ独立したパルス発生器７２、
７３を設け、スイッチ切り換えを行なわずに、入射口近
傍の測定と入射口近傍以遠の測定とを処理部７３で非同
期に行なうようにしてもよい。
ルス光源部７１のように、第１、第２のレーザ光源３
２、３３に対してそれぞれ独立したパルス発生器７２、
７３を設け、スイッチ切り換えを行なわずに、入射口近
傍の測定と入射口近傍以遠の測定とを処理部７３で非同
期に行なうようにしてもよい。
【００３６】また、前記実施例では、第２のレーザ光源
による後方散乱光の受光出力の特性を第１のレーザ光源
による後方散乱光の特性に合わせるように補正していた
が、これは本発明を限定するものでなく、図９に示すよ
うに、２つのレーザ光源による測定結果を交差位置で接
続するように表示してもよい。
による後方散乱光の受光出力の特性を第１のレーザ光源
による後方散乱光の特性に合わせるように補正していた
が、これは本発明を限定するものでなく、図９に示すよ
うに、２つのレーザ光源による測定結果を交差位置で接
続するように表示してもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光パルス
試験器は、従来から測定用に用いていた所定波長のレー
ザ光を出力する第１のレーザ光源と、被測定光ファイバ
の入射口近傍における後方散乱光のレベルが、第１のレ
ーザ光源による後方散乱光のレベルより高いレベルとな
る短波長のレーザ光を出力する第２のレーザ光源とを有
し、被測定光ファイバの入射口近傍の特性を第２のレー
ザ光源からのパルス光によって測定し、入射口近傍以遠
の特性を第１のレーザ光源からのパルス光によって測定
している。
試験器は、従来から測定用に用いていた所定波長のレー
ザ光を出力する第１のレーザ光源と、被測定光ファイバ
の入射口近傍における後方散乱光のレベルが、第１のレ
ーザ光源による後方散乱光のレベルより高いレベルとな
る短波長のレーザ光を出力する第２のレーザ光源とを有
し、被測定光ファイバの入射口近傍の特性を第２のレー
ザ光源からのパルス光によって測定し、入射口近傍以遠
の特性を第１のレーザ光源からのパルス光によって測定
している。
【００３８】このため、入射口近傍の測定では、接続部
のフレネル反射光と後方散乱光とのレベル差が少なくな
って、この変化に対する受光部の応答時間が短縮され
る。したがって、高価な光スイッチや作業が煩雑になる
ダミーファイバを用いることなく、デッドゾーンの極め
て少ない測定が可能となる。
のフレネル反射光と後方散乱光とのレベル差が少なくな
って、この変化に対する受光部の応答時間が短縮され
る。したがって、高価な光スイッチや作業が煩雑になる
ダミーファイバを用いることなく、デッドゾーンの極め
て少ない測定が可能となる。
【図１】本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】波長に対する光ファイバの損失特性図である。
【図３】一実施例の処理部の処理手順を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図４】２つの波長の光に対する受光出力図である。
【図５】補正後の特性表示図である。
【図６】平均化処理を含むフローチャートである。
【図７】本発明の他の実施例の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図８】本発明の他の実施例の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図９】補正を行なわない場合の特性表示図である。
【図１０】従来装置の構成を示すブロック図である。
【図１１】従来装置による特性表示図である。
１ 被測定光ファイバ ２ 光コネクタ ３０ 光パルス試験器 ３１ パルス光源部 ３２ 第１のレーザ光源 ３３ 第２のレーザ光源 ３４ パルス発生器 ３５ 合波器 ３６ 方向性結合器 ３７ 光コネクタ ４０ 受光部 ４１ 分波器 ４２ 第１の受光器 ４３ 第２の受光器 ４４、４５ 増幅器 ５０ 処理部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年２月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図６】
Claims (1)
- 【請求項１】レーザパルス光を被測定光ファイバ（１）
へ出射するパルス光源部（３１）と、前記レーザパルス
光を受けた前記被測定光ファイバからの後方散乱光およ
びフレネル反射光のレベルを検出する受光部（４０）と
を有し、前記レーザパルス光出射時からの前記受光部の
出力レベルの時間経過にともなう変化を測定することに
よって、前記被測定光ファイバの伝送特性を測定する光
パルス試験器において、 前記パルス光源部（３１）は、 所定波長（λ1 ）のレーザ光を出力する第１のレーザ光
源（３２）と、 前記第１のレーザ光源の波長より短かく、前記被測定光
ファイバの入射口近傍で該第１のレーザ光源のレーザパ
ルスによる後方散乱光より高いレベルの後方散乱光が得
られる波長（λ2 ）のレーザ光を出力する第２のレーザ
光源（３３）とを有し、 前記第２のレーザ光源からのレーザパルス光に対する前
記受光部の出力によって前記被測定光ファイバの入射口
近傍の伝送特性を測定し、前記第１のレーザ光源からの
レーザパルス光に対する前記受光部の出力によって前記
被測定光ファイバの入射口近傍以遠の伝送特性を測定す
る処理部（５０）を備えたことを特徴とする光パルス試
験器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343415A JP2972973B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 光パルス試験器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4343415A JP2972973B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 光パルス試験器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167424A true JPH06167424A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2972973B2 JP2972973B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=18361340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4343415A Expired - Lifetime JP2972973B2 (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 光パルス試験器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2972973B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012008076A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Anritsu Corp | 光パルス試験方法及び光パルス試験装置 |
| CN102589848A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-07-18 | 北京国科世纪激光技术有限公司 | 光学薄膜损伤阈值的测试系统 |
| WO2014049666A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | ソフトバンクテレコム株式会社 | 測定装置及び測定方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7320022B2 (ja) * | 2021-04-22 | 2023-08-02 | 横河電機株式会社 | 光パルス試験器 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP4343415A patent/JP2972973B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012008076A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Anritsu Corp | 光パルス試験方法及び光パルス試験装置 |
| CN102589848A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-07-18 | 北京国科世纪激光技术有限公司 | 光学薄膜损伤阈值的测试系统 |
| CN102589848B (zh) * | 2011-12-14 | 2015-03-18 | 北京国科世纪激光技术有限公司 | 光学薄膜损伤阈值的测试系统 |
| WO2014049666A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | ソフトバンクテレコム株式会社 | 測定装置及び測定方法 |
| JPWO2014049666A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-08-18 | ソフトバンク株式会社 | 測定装置及び測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2972973B2 (ja) | 1999-11-08 |
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