JPH06168904A - 縦型反応炉 - Google Patents
縦型反応炉Info
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- JPH06168904A JPH06168904A JP34171192A JP34171192A JPH06168904A JP H06168904 A JPH06168904 A JP H06168904A JP 34171192 A JP34171192 A JP 34171192A JP 34171192 A JP34171192 A JP 34171192A JP H06168904 A JPH06168904 A JP H06168904A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ボートを回転させ得る機能を有する縦型反応炉
に於いて、ボート回転部と固定部間の間隙に反応生成物
が付着することを防止すると共に高温ガスによるシール
部の焼損を防止する。 【構成】立設された反応管１と、該反応管の周囲を覆う
ヒータユニットと、シリコンウェーハを多段に保持する
ボートと、該ボートを受載すると共に該ボートを回転可
能なボート受台７とを有する縦型反応炉に於いて、前記
ボート回転部６，２４と固定部８との間に形成される間
隙３０に非酸化性ガスを導入して該間隙を非酸化性ガス
で充満し、該間隙への反応ガスの浸入、及び該間隙に高
温のガスが浸入することを抑止する。
に於いて、ボート回転部と固定部間の間隙に反応生成物
が付着することを防止すると共に高温ガスによるシール
部の焼損を防止する。 【構成】立設された反応管１と、該反応管の周囲を覆う
ヒータユニットと、シリコンウェーハを多段に保持する
ボートと、該ボートを受載すると共に該ボートを回転可
能なボート受台７とを有する縦型反応炉に於いて、前記
ボート回転部６，２４と固定部８との間に形成される間
隙３０に非酸化性ガスを導入して該間隙を非酸化性ガス
で充満し、該間隙への反応ガスの浸入、及び該間隙に高
温のガスが浸入することを抑止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置の１つ
であるＣＶＤ装置、拡散装置等に於ける縦型反応炉に関
するものである。
であるＣＶＤ装置、拡散装置等に於ける縦型反応炉に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程の１つにシリコンウェー
ハの表面に薄膜を生成し、或いは不純物を拡散する工程
がある。
ハの表面に薄膜を生成し、或いは不純物を拡散する工程
がある。
【０００３】これは、ウェーハを反応炉内に装入し、反
応炉内を高温に維持し、更に炉内に反応ガスを導入して
シリコンウェーハの表面に薄膜を生成し、或いは不純物
を拡散する。
応炉内を高温に維持し、更に炉内に反応ガスを導入して
シリコンウェーハの表面に薄膜を生成し、或いは不純物
を拡散する。
【０００４】図３に於いて、従来の縦型反応管について
説明する。
説明する。
【０００５】図中、１は鉛直な軸心を有する反応管であ
り、２は該反応管１の周囲を覆うヒータユニットであ
る。該ヒータユニット２と前記反応管１との間には、均
熱管３が設けられている。前記反応管１に、シリコンウ
ェーハ４が多段に装填されたボート５が下方より装入さ
れる様になっており、該ボート５はボートキャップ６を
介してボート受台７に載置される様になっている。
り、２は該反応管１の周囲を覆うヒータユニットであ
る。該ヒータユニット２と前記反応管１との間には、均
熱管３が設けられている。前記反応管１に、シリコンウ
ェーハ４が多段に装填されたボート５が下方より装入さ
れる様になっており、該ボート５はボートキャップ６を
介してボート受台７に載置される様になっている。
【０００６】該ボート受台７はボートエレベータ（図示
せず）によって昇降自在に支持されると共に前記反応管
１下面炉口部を気密に閉塞する炉口フランジ８を有して
いる。更に、ボート受台７はボート回転機構９を具備
し、該ボート回転機構９は前記ボートキャップ６を介し
て前記ボート５を鉛直軸心を中心に所要の速度で回転さ
せ得る様になっている。
せず）によって昇降自在に支持されると共に前記反応管
１下面炉口部を気密に閉塞する炉口フランジ８を有して
いる。更に、ボート受台７はボート回転機構９を具備
し、該ボート回転機構９は前記ボートキャップ６を介し
て前記ボート５を鉛直軸心を中心に所要の速度で回転さ
せ得る様になっている。
【０００７】シリコンウェーハ４の処理は前記ヒータユ
ニット２により反応管１内を所定温度に加熱した状態
で、シリコンウェーハ４を装填したボート５を反応管１
内に装入し、前記炉口フランジ８により炉口部を閉塞
し、更に前記反応管１内に反応ガスを導入排出すること
で、シリコンウェーハ４表面に薄膜を生成する。
ニット２により反応管１内を所定温度に加熱した状態
で、シリコンウェーハ４を装填したボート５を反応管１
内に装入し、前記炉口フランジ８により炉口部を閉塞
し、更に前記反応管１内に反応ガスを導入排出すること
で、シリコンウェーハ４表面に薄膜を生成する。
【０００８】前記した様に、ボート５は前記ボート受台
７により反応管１内で回転される様になっているが、こ
れは反応ガスの流れに起因する膜厚の不均一が生じない
様にするものである。
７により反応管１内で回転される様になっているが、こ
れは反応ガスの流れに起因する膜厚の不均一が生じない
様にするものである。
【０００９】図４に於いて、従来の縦型反応炉のボート
回転機構９について詳述する。
回転機構９について詳述する。
【００１０】図示しないボートエレベータ昇降台にギア
ケース１０が固着され、該ギアケース１０に軸受ハウジ
ング１１が固着されている。該軸受ハウジング１１に軸
受１２を介して下部回転軸１３が回転自在に設けられ、
該下部回転軸１３の下端部は前記ギアケース１０内部に
露出し、該下端部にウォームホイール１４が嵌着され、
又前記ギアケース１０に回転自在に設けられたウォーム
１５が前記ウォームホイール１４に嵌合し、該ウォーム
１５の回転軸１６は図示しないボート回転モータに連結
されている。
ケース１０が固着され、該ギアケース１０に軸受ハウジ
ング１１が固着されている。該軸受ハウジング１１に軸
受１２を介して下部回転軸１３が回転自在に設けられ、
該下部回転軸１３の下端部は前記ギアケース１０内部に
露出し、該下端部にウォームホイール１４が嵌着され、
又前記ギアケース１０に回転自在に設けられたウォーム
１５が前記ウォームホイール１４に嵌合し、該ウォーム
１５の回転軸１６は図示しないボート回転モータに連結
されている。
【００１１】前記軸受ハウジング１１の上端には、ベー
スフランジ１７が固着され、該ベースフランジ１７の上
面に前記炉口フランジ８が固着される。
スフランジ１７が固着され、該ベースフランジ１７の上
面に前記炉口フランジ８が固着される。
【００１２】前記反応管１下端に形成された反応管フラ
ンジ１ａに対峙する前記炉口フランジ８の部分に、炉口
シール１８を設け、該炉口シール１８が前記反応管フラ
ンジ１ａに密着して炉口部を気密に閉塞する。又、該反
応管フランジ１ａはフランジ押え１９によってベース２
０に固定され、該フランジ押え１９には前記炉口シール
１８を冷却する為の冷却水路２１が形成されている。
又、前記ベースフランジ１７にも前記炉口シール１８の
位置に対応して冷却水路２２が形成されている。
ンジ１ａに対峙する前記炉口フランジ８の部分に、炉口
シール１８を設け、該炉口シール１８が前記反応管フラ
ンジ１ａに密着して炉口部を気密に閉塞する。又、該反
応管フランジ１ａはフランジ押え１９によってベース２
０に固定され、該フランジ押え１９には前記炉口シール
１８を冷却する為の冷却水路２１が形成されている。
又、前記ベースフランジ１７にも前記炉口シール１８の
位置に対応して冷却水路２２が形成されている。
【００１３】前記ベースフランジ１７、炉口フランジ８
を貫通する上部回転軸２３が前記下部回転軸１３に同心
に設けられ、該上部回転軸２３の上端部に回転フランジ
２４が嵌着され、該回転フランジ２４に前記ボートキャ
ップ６が乗置固定されている。該ボートキャップ６の下
面周辺部、及び該下面周辺部に対峙する前記炉口フラン
ジ８の部分には相互に遊嵌する凹凸部が形成され、これ
ら凹凸部によって気体シール部２５が形成される。
を貫通する上部回転軸２３が前記下部回転軸１３に同心
に設けられ、該上部回転軸２３の上端部に回転フランジ
２４が嵌着され、該回転フランジ２４に前記ボートキャ
ップ６が乗置固定されている。該ボートキャップ６の下
面周辺部、及び該下面周辺部に対峙する前記炉口フラン
ジ８の部分には相互に遊嵌する凹凸部が形成され、これ
ら凹凸部によって気体シール部２５が形成される。
【００１４】而して、前記ボートキャップ６と前記炉口
フランジ８との間、前記回転フランジ２４と前記炉口フ
ランジ８との間には、僅かな間隙が形成され、ボートキ
ャップ６が回転するに支障ない様になっている。
フランジ８との間、前記回転フランジ２４と前記炉口フ
ランジ８との間には、僅かな間隙が形成され、ボートキ
ャップ６が回転するに支障ない様になっている。
【００１５】次に、前記ボートキャップ６を介して前記
ボート５を回転させる場合、図示しないボート回転モー
タにより前記回転軸１６を介して前記ウォーム１５を回
転させ、該ウォーム１５によって前記ウォームホイール
１４が回転され、更に下部回転軸１３、上部回転軸２３
を介して前記ボート５が回転される。
ボート５を回転させる場合、図示しないボート回転モー
タにより前記回転軸１６を介して前記ウォーム１５を回
転させ、該ウォーム１５によって前記ウォームホイール
１４が回転され、更に下部回転軸１３、上部回転軸２３
を介して前記ボート５が回転される。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】前記した様に、ボート
５を回転させる為、ボートキャップ６と前記炉口フラン
ジ８との間、前記回転フランジ２４と前記炉口フランジ
８との間には、僅かな間隙が必要となるが、前記した様
に反応管１内には反応ガスを導入するので、前記間隙に
反応ガス或いは排気すべき高温のガスが浸入してしま
う。この為、前記間隙に反応生成物が付着し、該反応生
成物の為に回転部と固定部が固着し、回転が不能とな
り、更にはボートキャップ６と炉口フランジ８との分解
ができなくなってしまう。或いは、高温のガスが浸入す
ることで前記上部回転軸２３周りのシール部が焼損する
という問題があった。
５を回転させる為、ボートキャップ６と前記炉口フラン
ジ８との間、前記回転フランジ２４と前記炉口フランジ
８との間には、僅かな間隙が必要となるが、前記した様
に反応管１内には反応ガスを導入するので、前記間隙に
反応ガス或いは排気すべき高温のガスが浸入してしま
う。この為、前記間隙に反応生成物が付着し、該反応生
成物の為に回転部と固定部が固着し、回転が不能とな
り、更にはボートキャップ６と炉口フランジ８との分解
ができなくなってしまう。或いは、高温のガスが浸入す
ることで前記上部回転軸２３周りのシール部が焼損する
という問題があった。
【００１７】従来、早め早めにメンテナンスを行って前
記間隙の清浄、シール部材の交換を行い、斯かる不具合
が発生することを防止しているが、その為メンテナンス
サイクルが短周期となり、装置の稼働率の低下と共に、
メンテナンスコストが増大していた。
記間隙の清浄、シール部材の交換を行い、斯かる不具合
が発生することを防止しているが、その為メンテナンス
サイクルが短周期となり、装置の稼働率の低下と共に、
メンテナンスコストが増大していた。
【００１８】本発明は斯かる実情に鑑み、縦型反応炉の
ボート回転部と固定部間の間隙に反応生成物が付着する
ことを防止すると共に高温ガスによるシール部の焼損を
防止しようとするものである。
ボート回転部と固定部間の間隙に反応生成物が付着する
ことを防止すると共に高温ガスによるシール部の焼損を
防止しようとするものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、立設された反
応管と、該反応管の周囲を覆うヒータユニットと、シリ
コンウェーハを多段に保持するボートと、該ボートを受
載すると共に該ボートを回転可能なボート受台とを有す
る縦型反応炉に於いて、前記ボート回転部と固定部との
間に形成される間隙に非酸化性ガスを導入する様にした
ことを特徴とするものである。
応管と、該反応管の周囲を覆うヒータユニットと、シリ
コンウェーハを多段に保持するボートと、該ボートを受
載すると共に該ボートを回転可能なボート受台とを有す
る縦型反応炉に於いて、前記ボート回転部と固定部との
間に形成される間隙に非酸化性ガスを導入する様にした
ことを特徴とするものである。
【００２０】
【作用】回転部と固定部との間に形成される間隙に、非
酸化性ガスを導入することで間隙が非酸化性ガスで充満
され、該間隙に反応ガスが侵入することが抑止され、該
間隙に反応生成物が付着することが防止され、更に前記
間隙に高温のガスが浸入することが抑止され、回転部と
固定部との間に設けられたシール部材の焼損が防止され
る。
酸化性ガスを導入することで間隙が非酸化性ガスで充満
され、該間隙に反応ガスが侵入することが抑止され、該
間隙に反応生成物が付着することが防止され、更に前記
間隙に高温のガスが浸入することが抑止され、回転部と
固定部との間に設けられたシール部材の焼損が防止され
る。
【００２１】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００２２】尚、図１中、図４中で示したものと同一の
ものには同符号を付し、その説明を省略する。
ものには同符号を付し、その説明を省略する。
【００２３】上部回転軸２３の中心部に下端側から導引
路３１を穿設し、その上端が炉口フランジ８とベースフ
ランジ１７の境界部に達する様にし、前記導引路３１と
炉口フランジ８とベースフランジ１７とがなす間隙３０
とを連通する連絡路３２を穿設する。前記導引路３１の
下端には非酸化性ガス導入管３３を接続し、該非酸化性
ガス導入管３３を窒素ガス源に接続する。
路３１を穿設し、その上端が炉口フランジ８とベースフ
ランジ１７の境界部に達する様にし、前記導引路３１と
炉口フランジ８とベースフランジ１７とがなす間隙３０
とを連通する連絡路３２を穿設する。前記導引路３１の
下端には非酸化性ガス導入管３３を接続し、該非酸化性
ガス導入管３３を窒素ガス源に接続する。
【００２４】而して、前記非酸化性ガス導入管３３より
前記導引路３１を経て前記間隙３０に窒素ガスを導入
し、間隙３０を窒素ガスで充満させ、更に該間隙３０が
反応管１内に対して陽圧となる様にする。
前記導引路３１を経て前記間隙３０に窒素ガスを導入
し、間隙３０を窒素ガスで充満させ、更に該間隙３０が
反応管１内に対して陽圧となる様にする。
【００２５】該間隙３０を窒素ガスにより陽圧とする
と、該間隙３０に反応ガスが浸入するのが防止され、間
隙に反応生成物が付着するのを防止する。更に高温ガス
の浸入も防止され、高温ガスによるシール部材の焼損も
防止される。従って、前記間隙３０の清浄、シール部材
の交換間隔が長くでき、装置の稼働率が向上し、又メン
テナンスコストが低下する。
と、該間隙３０に反応ガスが浸入するのが防止され、間
隙に反応生成物が付着するのを防止する。更に高温ガス
の浸入も防止され、高温ガスによるシール部材の焼損も
防止される。従って、前記間隙３０の清浄、シール部材
の交換間隔が長くでき、装置の稼働率が向上し、又メン
テナンスコストが低下する。
【００２６】次に、図２は他の実施例を示すものであ
り、該実施例ではベースフランジ１７に貫通する導引路
３４を穿設し、該導引路３４を前記間隙３０に連通さ
せ、該導引路３４に非酸化性ガス導入管３５を接続す
る。而して、該非酸化性ガス導入管３５、前記導引路３
４を経て前記間隙３０に窒素ガスを導入し、間隙３０を
前述の実施例と同様窒素ガスで陽圧にする。
り、該実施例ではベースフランジ１７に貫通する導引路
３４を穿設し、該導引路３４を前記間隙３０に連通さ
せ、該導引路３４に非酸化性ガス導入管３５を接続す
る。而して、該非酸化性ガス導入管３５、前記導引路３
４を経て前記間隙３０に窒素ガスを導入し、間隙３０を
前述の実施例と同様窒素ガスで陽圧にする。
【００２７】尚、上記した実施例では非酸化性ガスとし
て窒素ガスを使用したが、ヘリウムガス、アルゴンガス
等の不活性ガスを使用してもよい。
て窒素ガスを使用したが、ヘリウムガス、アルゴンガス
等の不活性ガスを使用してもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ボート
回転方式の縦型反応炉に於いてボート回転部と固定部と
の間隙に反応生成物が付着することが防止されると共に
高温のガスが浸入するのが防止され、シール部材の焼損
が防止されるので、メンテナンス間隔が長くなり、装置
の稼働率が向上すると共にメンテナンスコストの低減が
図れる。
回転方式の縦型反応炉に於いてボート回転部と固定部と
の間隙に反応生成物が付着することが防止されると共に
高温のガスが浸入するのが防止され、シール部材の焼損
が防止されるので、メンテナンス間隔が長くなり、装置
の稼働率が向上すると共にメンテナンスコストの低減が
図れる。
【図１】本発明の一実施例の要部を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の要部を示す断面図であ
る。
る。
【図３】従来の縦型反応炉の断面図である。
【図４】従来例の要部を示す断面図である。
１ 反応管 ２ ヒータユニット ４ シリコンウェーハ ５ ボート ６ ボートキャップ ７ ボート受台 ８ 炉口フランジ ９ ボート回転機構 １３ 下部回転軸 １７ ベースフランジ ２３ 上部回転軸 ２４ 回転フランジ ３１ 導引路 ３４ 導引路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小池 秀樹 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内 (72)発明者 狩野 利一 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 立設された反応管と、該反応管の周囲を
覆うヒータユニットと、シリコンウェーハを多段に保持
するボートと、該ボートを受載すると共に該ボートを回
転可能なボート受台とを有する縦型反応炉に於いて、前
記ボート回転部と固定部との間に形成される間隙に非酸
化性ガスを導入する様にしたことを特徴とする縦型反応
炉。 - 【請求項２】 ボートを回転させる軸に導引路を穿設
し、該導引路よりボート回転部と固定部との間に形成さ
れる間隙に非酸化性ガスを導入する様にした請求項１の
縦型反応炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34171192A JP3253384B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 縦型反応炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34171192A JP3253384B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 縦型反応炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168904A true JPH06168904A (ja) | 1994-06-14 |
| JP3253384B2 JP3253384B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=18348191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34171192A Expired - Lifetime JP3253384B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 縦型反応炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3253384B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0992627A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置の回転軸シールのパージ方法 |
| US6030457A (en) * | 1997-05-20 | 2000-02-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| US6235121B1 (en) * | 1999-01-26 | 2001-05-22 | Tokyo Electron Limited | Vertical thermal treatment apparatus |
| WO2003085710A1 (fr) * | 2002-04-09 | 2003-10-16 | Tokyo Electron Limited | Equipement de traitement thermique vertical |
| JP2007027772A (ja) * | 2006-08-25 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
| US8591657B2 (en) | 2008-08-29 | 2013-11-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2025048333A1 (ko) * | 2023-09-01 | 2025-03-06 | 주식회사 에이치피에스피 | 고압 기판 처리 장치 |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP34171192A patent/JP3253384B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0992627A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置の回転軸シールのパージ方法 |
| US6030457A (en) * | 1997-05-20 | 2000-02-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| US6235121B1 (en) * | 1999-01-26 | 2001-05-22 | Tokyo Electron Limited | Vertical thermal treatment apparatus |
| WO2003085710A1 (fr) * | 2002-04-09 | 2003-10-16 | Tokyo Electron Limited | Equipement de traitement thermique vertical |
| US6957956B2 (en) | 2002-04-09 | 2005-10-25 | Tokyo Electron Limited | Vertical heat treating equipment |
| CN100338735C (zh) * | 2002-04-09 | 2007-09-19 | 东京毅力科创株式会社 | 纵型热处理装置 |
| JP2007027772A (ja) * | 2006-08-25 | 2007-02-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
| US8591657B2 (en) | 2008-08-29 | 2013-11-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2025048333A1 (ko) * | 2023-09-01 | 2025-03-06 | 주식회사 에이치피에스피 | 고압 기판 처리 장치 |
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