JPH0617132A - 磁束密度の極めて高い超低鉄損方向性電磁鋼板及びその製造方法 - Google Patents

磁束密度の極めて高い超低鉄損方向性電磁鋼板及びその製造方法

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JPH0617132A
JPH0617132A JP4175790A JP17579092A JPH0617132A JP H0617132 A JPH0617132 A JP H0617132A JP 4175790 A JP4175790 A JP 4175790A JP 17579092 A JP17579092 A JP 17579092A JP H0617132 A JPH0617132 A JP H0617132A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、グラス被膜を有さず、かつ磁束密
度が極めて高い、加工性の良好な超低鉄損方向性電磁鋼
板及びその製造方法に関する。 【構成】 一次再結晶焼鈍後の鋼板を仕上焼鈍するにあ
たり、MgO100重量部に対してLi、K、Na、B
a、Ca、Mg、Zn、Fe、Zr、Sr、Sn、Al
等の塩化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、硫化物の中から
選ばれる1種又は2種以上を2〜30重量部添加した焼
鈍分離剤を用い、仕上焼鈍時の昇温速度を10℃/hr
以下、雰囲気をN2 30%以上のN2 +H2 とし、次い
で、レーザー、歯形ロール、プレス、ケガキ、局部エッ
チング等により圧延方向に対し45〜90°の方向に線
状または点状キズを付与する。この時、一次再結晶焼鈍
後の鋼板の一次再結晶粒のうち、平均粒径の2倍を超え
る一次再結晶粒を10%未満とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、グラス被膜(フォルス
テライト被膜)を有しない方向性電磁鋼板、特に切断
性、打ち抜き性等の加工性に著しく優れた高磁束密度超
低鉄損方向性電磁鋼板とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】方向性電磁鋼板は、一般に軟磁性材料と
して、主としてトランスその他の電気機器の鉄心として
使用されるもので、磁気特性として、励磁特性と鉄損特
性が良好であることが要求される。良好な磁気特性を得
るためには、磁化容易軸である<001>軸を圧延方向
に高度に揃えることが重要である。また、板厚、結晶粒
度、固有抵抗、被膜なども磁気特性に大きな影響を与え
るため重要である。
【0003】結晶の方向性については、AlN、MnS
をインヒビターとして利用した高圧下最終冷延を特徴と
する方法により大幅に向上し、現在では磁束密度が理論
値に近いものまで製造されるようになってきた。一方、
方向性電磁鋼板の需要家における使用時に、磁気特性と
共に重要なのは被膜に起因する加工性である。通常、方
向性電磁鋼板は最終仕上焼鈍時に形成するグラス被膜と
絶縁被膜の二層被膜によって表面が処理されている。グ
ラス被膜は焼鈍分離剤のMgOと脱炭焼鈍時に形成する
SiO2 の反応生成物であるフォルステライト(Mg2
SiO4 )が主成分の被膜である。このセラミック被膜
は硬質で摩耗性が強く、電磁鋼板加工時のスリット、切
断、打ち抜きなどの工具類の耐久性に著しい悪影響を及
ぼす。例えば、グラス被膜を有する方向性電磁鋼板の打
ち抜き加工を行う場合には、金型の摩耗が生じ、数千回
程度の打ち抜きによって、打ち抜いたときにシートの返
りが大きくなり、使用時に問題が生じる程の返りが生じ
る。このため、金型の再研磨、新品との取り替えが必要
になる。これは、需要家における鉄心加工時の作業能率
を低下させ、またコスト上昇を招く結果になる。また、
電磁鋼板自体の磁気特性に対しては、たしかに被膜張力
による鉄損の改善効果があるが、形成状態によっては被
膜厚みの増加などによって、非磁性体による磁束密度の
低下の問題がある。このため、鋼板板厚の厚い材料のよ
うに被膜張力による鉄損改善効果が期待できないような
材料や、他の手段で磁区細分化を行い、鉄損が改善でき
るケース等では、むしろ前記問題からグラス被膜を有し
ない方向性電磁鋼板が望まれる。
【0004】とりわけ、近年では磁区細分化技術とし
て、光学的、機械的、化学的な手段による技術が発達
し、グラス被膜の張力なしでも鉄損の改善が得られるよ
うになり、むしろグラス被膜を有しない方向性電磁鋼板
の方が磁化の際の時壁移動のピンニング現象を起こすグ
ラス被膜の内部酸化層等の悪影響がないため有利である
ことも解ってきた。このためグラス被膜を有しない高磁
束密度方向性電磁鋼板の開発は需要家での種々の使用条
件を考える際に重要で、ニーズが高まっている。
【0005】とりわけ、現在、方向性電磁鋼板に代わる
軟磁性材料として、非晶質合金がクローズアップされて
いるが、磁束密度が低い、占積率が低い、加工性が劣悪
等、実用化に際して様々な困難に直面している。従っ
て、鉄損特性において非晶質合金と対抗し得る方向性電
磁鋼板を開発するために、グラス被膜を有しない材料を
開発することが重要となってきている。
【0006】グラス被膜を有しない方向性電磁鋼板の製
造方法としては、例えば特開昭53−22113号公報
に開示のものがある。これは、脱炭焼鈍において酸化膜
の厚みを3μm以下とし、焼鈍分離剤として含水珪酸塩
鉱物粉末を5〜40%含有する微粒子のアルミナを用
い、これを鋼板に塗布し、仕上焼鈍することからなる。
この方法によると、酸化膜を薄くし、さらに含水珪酸塩
鉱物の配合によって、剥離し易いグラス被膜が形成さ
れ、金属光沢を有するものが得られるとされている。焼
鈍分離剤によりグラス被膜の形成を抑制する方法として
は、特開昭56−65983号公報に示されるように、
水酸化アルミニウム不純物除去用添加物20重量部、抑
制物質10重量部を配合した焼鈍分離剤を鋼板に塗布
し、0.5μm以下の薄いグラス被膜を形成する方法が
ある。また、特開昭59−96278号公報には、脱炭
焼鈍で形成した酸化層のSiO2 との反応が弱いAl2
3 と、1300℃以上の高温で焼成し、活性を低下さ
せたMgOとからなる焼鈍分離剤が提案されている。こ
の焼鈍分離剤によると、フォルステライトの形成が抑制
されるというものである。
【0007】これらの先行技術は、いずれも通常のオリ
エントコアと呼ばれる磁束密度がB 8 値で1.88T以
下と低く、従って鉄損値も高い低級な方向性電磁鋼板を
ベースとする技術であり、本発明のように、超低鉄損を
実現するための条件を満たす方向性電磁鋼板を安定して
得る技術を開発するには至っていない。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、打ち抜き
性、スリット性、切断性等が極めて優れた、ほぼ均一に
グラス被膜のない高磁束密度超低鉄損方向性電磁鋼板及
び該鋼板を工業的に安価に製造する方法を提供すること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは下記のとおりである。 (1) 重量で、Si:1.0〜7.0%を含み、鋼板
の金属表面から15μm内に分布する内部酸化層の量
が、当該厚み領域内の酸素含有量で1%以下であり、B
8 ≧1.93Tである磁束密度の極めて高い超低鉄損方
向性電磁鋼板。
【0010】(2) 表面に線状または点状キズが圧延
方向から45〜90度の方向に、2〜15mmの間隔で
付与されている請求項1記載の磁束密度の極めて高い超
低鉄損方向性電磁鋼板。 (3) 重量で、Si:1.0〜7.0%、酸可溶性A
l:0.010〜0.070%を含有し、残部がFe及
び不可避的不純物からなる鋼塊あるいはスラブを、熱延
し、冷延し、一次再結晶焼鈍し、焼鈍分離剤を塗布した
後、高温仕上焼鈍を行い、ヒートフラットニングを行う
ことによって方向性電磁鋼板を製造する方法において、
前記一次再結晶焼鈍後の鋼板の一次再結晶粒のうち粒径
が平均粒径の2倍を超えるものが10%未満であるよう
に調整し、同鋼板に焼鈍分離剤として、MgO100重
量部に対してLi、K、Na、Ba、Ca、Mg、Z
n、Fe、Zr、Sn、Sr、Alの塩化物、炭酸塩、
硝酸塩、硫酸塩、硫化物の中から選ばれる1種又は2種
以上を2〜30重量部添加したものを塗布し、高温仕上
焼鈍時の昇温速度を、950〜1150℃の間で、10
℃/hr以下とし、かつ焼鈍雰囲気を少なくともN2
0%以上のN2 +H2 とすることを特徴とする磁束密度
の極めて高い超低鉄損方向性電磁鋼板の製造方法。
【0011】(4) 重量で、Si:1.0〜7.0
%、酸可溶性Al:0.010〜0.070%、C:
0.021〜0.075%、N:0.003〜0.01
30%、S≦0.030%、Mn:0.05〜0.45
%を含有し、残部がFe及び不可避的不純物からなるス
ラブの熱延前の加熱を、1280℃未満の温度で行い、
一次再結晶完了後、高温仕上焼鈍の二次再結晶開始前の
間で窒化することを特徴とする前項3記載の磁束密度の
極めて高い超低鉄損方向性電磁鋼板の製造方法。
【0012】(5) ヒートフラットニングの前又は後
に、レーザー、歯形ロール、プレス、ケガキ、局部エッ
チング等の局部加工により鋼板表面に線状または点状キ
ズを付与することを特徴とする前項3又は4記載の磁束
密度の極めて高い超低鉄損方向性電磁鋼板の製造方法。 以下、本発明を詳細に説明する。
【0013】本発明の高磁束密度超低鉄損方向性電磁鋼
板の製造工程では、スラブ加熱段階ではインヒビター元
素、例えばAl、N、Mn、S等の鋼中への溶解を完全
に行わず、脱炭焼鈍後、材料を強還元雰囲気中で窒化処
理をすることによって(Al、Si)Nを主成分とする
インヒビターを形成させ、仕上焼鈍過程で良好な二次再
結晶を発達させた後、磁区細分化することを基本工程と
する。
【0014】前記した成分組成の出発材と工程による本
発明のグラス被膜を有しない高磁束密度方向性電磁鋼板
を得る方法においては、脱炭焼鈍〜仕上焼鈍過程での処
理方法に特徴がある。最終板厚に冷間圧延された素材
は、連続ラインにおいて脱炭焼鈍される。この脱炭焼鈍
により鋼中のCの除去と一次再結晶が行われ、同時に鋼
板表面にSiO 2 を主成分とする酸化膜の形成が行われ
る。脱炭焼鈍は、800〜875℃の温度で、雰囲気は
2 +H2 中で露点をコントロールして行われる。次い
で脱炭焼鈍の後半あるいは終了後、若しくはこれらの両
段階において、同一ライン又は別に設けたラインで窒化
処理が行われる。この際に生じた窒化物は、インヒビタ
ーとして最終仕上焼鈍時に二次再結晶を発現させる。
【0015】この後、焼鈍分離剤を塗布し、乾燥して巻
き取り、最終仕上焼鈍される。この際の焼鈍分離剤の組
成は、グラス被膜の形成制御や分解反応に重要な役割を
持つ。本発明に用いる焼鈍分離剤としては、MgOを主
成分として、添加剤として、Li、K、Na、Ba、C
a、Mg、Zn、Fe、Zr、Sn、Sr、Al等の塩
化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、硫化物の1種又は2種
以上を2〜30重量部用いる。
【0016】本発明において焼鈍分離剤と共に重要なの
は第三の要素技術である最終仕上焼鈍の条件である。本
発明者らは、本発明のようにインヒビターとして(A
l、Si)Nを用い、焼鈍分離剤と最終仕上焼鈍条件に
よってグラス被膜の形成制御、分解反応を起こさせる工
程を採る場合においては、焼鈍雰囲気条件が二次再結晶
の安定化と高磁束密度化に重要な要素となることを膨大
な実験と研究の結果つきとめた。
【0017】即ち、本発明のように、(Al、Si)N
系のインヒビターを利用する工程においては、二次再結
晶開始温度領域までグラス被膜形成の制御、分解反応を
行いながらインヒビターの強度を一定レベルに保つ必要
がある。これは、焼鈍分離剤によって、一旦グラス被膜
の形成が始まり、次いで分解反応を誘起する工程では、
グラス被膜の分解反応が開始する時期から鋼中のインヒ
ビターの分解が急速に進行するからである。このため、
本発明のように、特定条件下で仕上焼鈍を行わないと、
良好な二次再結晶と高磁束密度が得られない。仕上焼鈍
条件としては、グラス被膜の分解反応が開始する昇温
時、二次再結晶が開始・進行するときの雰囲気を、N2
30%以上として行われる。これにより、二次再結晶進
行時の(Al、Si)Nの分解速度が抑えられ、Gos
s粒成長速度が適正化される。
【0018】この効果は、昇温速度が遅いとき更に顕著
に現れ、30%以上のN2 分圧と徐加熱が組み合わされ
るときは、極めて高いB8 値が得られるが、N2 分圧が
低いと逆に二次再結晶不良を生じる。仕上焼鈍された鋼
板は形状矯正、歪取焼鈍をかねて連続焼鈍ラインで80
0〜900℃で絶縁被膜剤の焼き付けとヒートフラット
ニングされる。このヒートフラットニングの前又は後
に、レーザー、歯形ロール、プレス、ケガキ、局部エッ
チング等により、深さ5〜50μm、間隔2〜15mm
で圧延方向に対して45〜90度の方向に線条キズまた
は点条キズが導入される。この後、需要家における使用
目的に応じて種々の絶縁被膜剤が塗布され、焼き付け処
理される。
【0019】超低鉄損を実現するための張力被膜を形成
しようとするときは、絶縁被膜剤として、例えば特公昭
53−28375号公報に示されるような、燐酸塩〜コ
ロイダルシリカ系の被膜剤が塗布され、焼き付け処理さ
れる。また、後の需要家での使用工程で良加工性を必要
とする場合には、ヒートフラットニング後の鋼板上に有
機被膜剤又は半有機被膜剤を塗布・焼き付け処理して使
用しても良いし、無機被膜剤を塗布・焼き付け処理した
後、有機系被膜剤を塗布・焼き付け処理して二層被膜を
形成しても良い。有機系被膜剤としては、(1)アクリ
ル、ポリビニル、酢酸ビニル、エポキシ、スチレン等の
樹脂及び/又はこれらの重合体、架橋体の1種又は2種
以上の全有機被膜剤か(2)前記(1)における樹脂と
クロム酸塩、燐酸、燐酸塩、ホウ酸、ホウ酸塩等の1種
又は2種以上の混合物からなる半有機系被膜剤を150
〜450℃の温度で塗布・焼き付け処理して使用する。
【0020】これらの有機系被膜剤の塗布・焼き付け処
理により、打ち抜き性、スリット性、切断性等が著しく
改善される。本発明によれば、従来のグラス被膜を有す
る製品の打ち抜き性が、スチールダイスを使用する場合
には5千回程度であるのに対し、グラス被膜を有しない
製品では、無機絶縁被膜剤を塗布・焼き付けした場合、
約10万回、更にこの上に半有機系被膜剤を塗布・焼き
付けした場合には、200万回程度まで打ち抜き性が向
上する。
【0021】次に、本発明における構成要件の限定理由
に就いて述べる。まず、出発材として使用する電磁鋼ス
ラブの成分組成の限定理由は次の通りである。Cはその
含有量が0.021%未満では、二次再結晶が不安定に
なり、二次再結晶した場合にも製品の磁束密度がB8
1.80T程度と低いものになる。一方、0.075%
超になると、脱炭焼鈍工程に長時間を費やすため、生産
性を阻害する。
【0022】Siは、その含有量によって固有抵抗が変
化し、多いほど鉄損特性が良好である。1.0%未満の
時、脱炭焼鈍時にSiO2 の酸化層が鋼板表面に形成さ
れにくく、本発明による二次再結晶時の表面シール効果
が得られにくい。Si含有量が7.0%を超えると、最
終製品の靱性が極端に劣化し、実用に耐えない。なお、
超低鉄損の実現のしやすさと言う点では、Si含有量を
2.5%以上として製品の固有抵抗を確保することが望
ましく、生産性の面からは、Si4.5%以下として、
冷間圧延時の割れ、破断防止を低減することが望まし
い。
【0023】Sは、多すぎると、二次再結晶時のインヒ
ビター強度のバランスが崩れて高B 8 が得られない。
本発明のように、グラスレス二次再結晶を行う場合、ス
ラブ加熱温度が1280℃未満であれば0.030%ま
で添加しても十分高B8 が得られる。Mnは、少なす
ぎるとS偏析による熱延割れを誘起し、多すぎると二次
再結晶時のインヒビターのバランスを崩すと共に、脱炭
焼鈍時の〔O〕付着量を増加させてグラスレス化に悪影
響を及ぼす。斯かる観点から、Mn含有量を0.05〜
0.45%に限定する。
【0024】本発明では二次再結晶に必要な析出物とし
て(Al、Si)Nを用いる。従って、必要最小限のA
lNを確保するためには、酸可溶Alは0.010%以
上、Nは0.0030%以上必要である。しかしなが
ら、酸可溶Alが0.070%を超えると、純化工程で
Alを含む酸化物が鋼板表面に多量に生成し、鉄損特性
を損なうので0.07%以下とした。一方、Nの含有量
は、0.0130%を超えるとブリスターと呼ばれる鋼
板表面の割れが発生し、また一次再結晶の粒径が調整で
きないため、0.0030〜0.0130%に限定す
る。
【0025】最終仕上焼鈍の条件は、本発明のように最
終焼鈍過程でグラス被膜の適正な形成と分解を行う工程
においては非常に重要である。通常、方向性電磁鋼板の
最終仕上焼鈍においては、雰囲気ガスはN2 、H2 或い
はこれらの混合ガスが用いられるが、表面の酸化制御と
コストの問題からN2+H2 が有利である。本発明の場
合、グラスレス化反応の過程の中でインヒビターの強度
を制御するため、昇温中の雰囲気ガスとして少なくとも
2 30%以上のN2 、H2 及び他の不活性ガスから成
る雰囲気が用いられる。N2 分圧が30%未満では、グ
ラスレス化の反応過程で生じる(Al、Si)Nの弱体
化の抑制効果がなく、高磁束密度材が安定して得られな
い。逆にN2 100%のような場合には、MgOの物性
値によっては、鋼板間の酸化度の上昇によって、酸化が
生じて、鋼板表面にむらが生じる傾向があるので、好ま
しくはN2 30〜90%の範囲とする。
【0026】仕上焼鈍時の昇温速度は遅いほど高磁束密
度が得られ易く、特に10℃/hr以下の速度で効果が
現れる。一次再結晶粒は、BAF昇温中で二次再結晶を
開始するまでに徐々に成長していく。従って、昇温速度
が遅いときは成長量も大きくなるので、一次再結晶粒径
を小さめに制御しておく必要がある。このとき、仕上焼
鈍中に長時間かけて成長した結晶粒は、粒径分布、集合
組織が二次再結晶に対して適正化されるので、平均結晶
粒径が同じであっても高い磁束密度を得ることができ
る。
【0027】即ち、二次再結晶に際して、最も高いB8
値が得られる最適の平均粒径がある。この平均粒径は、
大きすぎると二次再結晶不良、即ち細粒発生の原因とな
り、小さすぎると方位集積度が不十分で良好な磁気特性
が得られない。ところが、脱炭焼鈍温度を高めて上記最
適な平均粒径を狙うと、粒径分布がなだらかになり、粗
粒が多く発生する。この粗粒は、安定な二次再結晶を阻
害する。これに対して脱炭焼鈍後の結晶粒径を若干低め
にしておき、仕上焼鈍を徐加熱することによって一次再
結晶直後の平均結晶粒径を最適化すると、粒径分布が鋭
くなり、粗粒の発生が抑えられる。その結果高B8値お
よび安定した二次再結晶が得られるのである。実際に本
発明者らが試みた実験によると、実施例の項でも示す
が、平均粒径の二倍以上の大きさを持つ結晶粒の面積率
が10%を超えた場合、平均粒径が最適であっても、二
次再結晶不良を生じた(図2参照)。実際に本発明者ら
が0.15mm厚の材料で試みた実験結果を図1に示
す。昇温速度が早いときには脱炭焼鈍温度が比較的高く
ても(840℃)二次再結晶するが、得られる磁束密度
は低い。一方、徐加熱した場合は、後述のように昇温時
の窒素分圧を適正化(N 2 50%)すれば脱炭焼鈍温度
が低くとも高いB8 が得られている。
【0028】ところで、本発明のように二次再結晶と被
膜消失が平行するプロセスでは、BAF中窒素分圧が低
いと(Al、Si)Nの分解が急速に進行するので、昇
温速度が遅い時は、一次再結晶粒が成長しすぎてしまっ
て二次再結晶が不安定になる。そこでN2 分圧を高めて
インヒビターの分解を抑えると、一次再結晶粒の成長が
適正化され、極めて高い磁束密度が得られる。特に板厚
が0.17mm以下と薄いときは、N2 分圧を50%以
上とすることが望ましい。また、これらの仕上焼鈍条件
は、少なくとも二次再結晶の開始直前である950℃か
ら、完了する1150℃までの間で満たしていることが
必要である。またさらには、(Al、Si)Nの安定化
に効果のある700℃以上で行うことが望ましい。
【0029】以上より、本発明によれば、仕上焼鈍の昇
温速度を遅くすると共にN2 分圧を高め、かつ一次再結
晶直後の粒径を小さくすることによって、高い磁束密度
を得ることができることがわかった。
【0030】
【実施例】Si:3.50%、C:0.054%、M
n:0.14%、S:0.008%、Al:0.029
5%、N:0.073%を含み、残部Feおよび不可避
的不純物からなる鋼を、連続鋳造によってスラブに鋳込
み、1200℃でスラブ加熱を行って熱延した後、焼鈍
し、酸洗後、板厚0.22mmまで冷延し、脱炭焼鈍を
110秒行った。この時、脱炭焼鈍の温度は、830
℃、840℃の2水準を行った。この時の一次再結晶粒
の平均粒径及び平均粒径の2倍を超える粒の割合を図2
に示す。この脱炭焼鈍板に窒化処理を行って〔N〕=2
26ppmとした後、塩化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩
などを含む焼鈍分離剤を塗布して仕上焼鈍を行った。高
温仕上焼鈍のサイクルは、図3に示した3条件を行っ
た。こうして得られた二次再結晶板を、連続ラインにお
いて、2.5%硫酸液で80℃×10秒の軽酸洗処理を
行い、50%Al(H2 PO4 3 50kg+30%コ
ロイダルシリカ70kg+CrO3 5kgからなる絶縁
被膜剤を塗布し、850℃×30秒の焼き付けとヒート
フラットニング処理を行った。その後レーザーを用いて
鋼板の圧延方向と直角方向に、間隔5mm、照射幅0.
15mm、照射痕の深さ2.0μmの条件で歪付与処理
を行って最終製品とした。
【0031】表1に、焼鈍分離剤への添加物の条件の一
覧を、表2に得られた結果を示す。
【0032】
【表1】
【0033】
【表2】
【0034】本発明例によるものは、いずれも鋼板表面
に酸化物被膜を有さず、グラスレス化が良好であった。
また、仕上焼鈍中の昇温速度を遅くした場合は、N2
圧を高めて脱炭焼鈍温度を低めにすると、極めて高いB
8 値が得られた。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、グラス被膜を有さな
い、磁束密度の極めて高い超低鉄損方向性電磁鋼板、特
に切断性、打ち抜き性等の加工性に著しく優れた高磁束
密度低鉄損方向性電磁鋼板を安価に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】板厚0.15mm材で、脱炭焼鈍温度及び仕上
焼鈍サイクルを変えたときの磁束密度変化を示す図であ
る。焼鈍分離剤は、MgO100gに対してCaCl2
5g添加している。
【図2】一次再結晶粒径と脱炭焼鈍温度の関係を示す図
である。
【図3】仕上焼鈍条件を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増井 浩昭 福岡県北九州市戸畑区飛幡町1番1号 新 日本製鐵株式会社八幡製鐵所内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 重量で、Si:1.0〜7.0%を含
    み、鋼板の金属表面から15μm内に分布する内部酸化
    層の量が、当該厚み領域内の酸素含有量で1%以下であ
    り、B8 ≧1.93Tである磁束密度の極めて高い超低
    鉄損方向性電磁鋼板。
  2. 【請求項2】 表面に線状または点状キズが圧延方向か
    ら45〜90度の方向に、2〜15mmの間隔で付与さ
    れている請求項1記載の磁束密度の極めて高い超低鉄損
    方向性電磁鋼板。
  3. 【請求項3】 重量で、Si:1.0〜7.0%、酸可
    溶性Al:0.010〜0.070%を含有し、残部が
    Fe及び不可避的不純物からなる鋼塊あるいはスラブ
    を、熱延し、冷延し、一次再結晶焼鈍し、焼鈍分離剤を
    塗布した後、高温仕上焼鈍を行い、ヒートフラットニン
    グを行うことによって方向性電磁鋼板を製造する方法に
    おいて、前記一次再結晶焼鈍後の鋼板の一次再結晶粒の
    うち粒径が平均粒径の2倍を超えるものが10%未満で
    あるように調整し、同鋼板に焼鈍分離剤として、MgO
    100重量部に対してLi、K、Na、Ba、Ca、M
    g、Zn、Fe、Zr、Sn、Sr、Alの塩化物、炭
    酸塩、硝酸塩、硫酸塩、硫化物の中から選ばれる1種又
    は2種以上を2〜30重量部添加したものを塗布し、高
    温仕上焼鈍時の昇温速度を、950〜1150℃の間
    で、10℃/hr以下とし、かつ焼鈍雰囲気を少なくと
    もN2 30%以上のN2 +H2 とすることを特徴とする
    磁束密度の極めて高い超低鉄損方向性電磁鋼板の製造方
    法。
  4. 【請求項4】 重量で、Si:1.0〜7.0%、酸可
    溶性Al:0.010〜0.070%、C:0.021
    〜0.075%、N:0.003〜0.0130%、S
    ≦0.030%、Mn:0.05〜0.45%を含有
    し、残部がFe及び不可避的不純物からなるスラブの熱
    延前の加熱を、1280℃未満の温度で行い、一次再結
    晶完了後、高温仕上焼鈍の二次再結晶開始前の間で窒化
    することを特徴とする請求項3記載の磁束密度の極めて
    高い超低鉄損方向性電磁鋼板の製造方法。
  5. 【請求項5】 ヒートフラットニングの前又は後に、レ
    ーザー、歯形ロール、プレス、ケガキ、局部エッチング
    等の局部加工により鋼板表面に線状または点状キズを付
    与することを特徴とする請求項3又は4記載の磁束密度
    の極めて高い超低鉄損方向性電磁鋼板の製造方法。
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