JPH0617259U - モジュールタイプledのモールド構造 - Google Patents
モジュールタイプledのモールド構造Info
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- JPH0617259U JPH0617259U JP059982U JP5998292U JPH0617259U JP H0617259 U JPH0617259 U JP H0617259U JP 059982 U JP059982 U JP 059982U JP 5998292 U JP5998292 U JP 5998292U JP H0617259 U JPH0617259 U JP H0617259U
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- Japan
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- transparent resin
- insulating substrate
- type led
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明樹脂の密着強度を増大させ、LEDチッ
プの剥離、ボンディングワイヤの断線等を防止し、耐久
性および信頼性を向上させる。 【構成】 絶縁基板1上に金メッキを施して導電パター
ン3を形成し、導電パターン3上にLEDチップ4を銀
ペーストによってボンディングすると共に、ボンディン
グワイヤ5によって導電パターン3とLEDチップ4を
直列接続し、さらに導電パターン3に非メッキ部として
の小孔21を形成する。そして、透明樹脂6によって絶
縁基板1の上面を覆い、LEDチップ4をモールドす
る。小孔21は絶縁基板1と透明樹脂6との接触面積を
増大させる。
プの剥離、ボンディングワイヤの断線等を防止し、耐久
性および信頼性を向上させる。 【構成】 絶縁基板1上に金メッキを施して導電パター
ン3を形成し、導電パターン3上にLEDチップ4を銀
ペーストによってボンディングすると共に、ボンディン
グワイヤ5によって導電パターン3とLEDチップ4を
直列接続し、さらに導電パターン3に非メッキ部として
の小孔21を形成する。そして、透明樹脂6によって絶
縁基板1の上面を覆い、LEDチップ4をモールドす
る。小孔21は絶縁基板1と透明樹脂6との接触面積を
増大させる。
Description
【0001】
本考案は、LEDチップを絶縁基板上に実装したモジュールタイプLEDのモ ールド構造に関する。
【0002】
近年、車輌用灯具、例えばハイマウントストップランプ、ストップランプ、テ ールランプ等の光源として、発熱量が一般の白熱電球に比べて著しく少ないこと から多数のLEDチップを絶縁基板上に実装してなるモジュールタイプLEDを 用いたものが知られている。図7〜図9はこのようなモジュールタイプLEDの 従来例を示すものである。このモジュールタイプLEDは表面が絶縁処理された 金属、エンジニアリングプラスチィック等からなる絶縁基板1上に複数個の光学 反射用凹部2を適宜間隔をおいて設けると共に所定の電気回路を形成する導電パ ターン3を不連続に形成し、凹部2内の導電パターン3上にLEDチップ4を銀 ペーストでボンディングすると共にLEDチップ4と隣接する導電パターン3と を金線等のボンディングワイヤ5によってボンディングすることによりLEDチ ップ4を導電パターン3を介して直列接続し、さらにその後、LEDチップ4と その周縁部を透明な熱硬化性樹脂6によって凸レンズ状にモールドして構成した ものである。 なお、導電パターン3は金メッキ処理によって形成される。7は樹脂モールド する際の樹脂注入孔、3a、3bは導電パターン3の外部電極取出し部である。
【0003】
しかしながら、上記した従来のモジュールタイプLEDのモールド構造にあっ ては、導電パターン3と透明樹脂6との密着強度が小さく、そのためサーマル試 験などにおいて図10に示すように透明樹脂6が導電パターン3から剥離してこ れら両者間に隙間8を生じ易く、LEDチップ4が導電パターン3から浮き上が ったり、ボンディングワイヤ5が導電パターン3から離反して断線を生じ、耐久 性、信頼性等に欠けるという問題があった。 そこでこのような問題を解決する方法として、導電パターン3の幅を狭くする と、絶縁基板1と透明樹脂6との接触面積が増大して透明樹脂6との密着強度を 増大させることができるが、その場合は電流の許容値が低くなり、また放熱性も 悪くなるという問題が生じ、一定限度以上にはパターン幅を狭くすることができ なかった。
【0004】 したがって、本考案は上記したような従来の問題点に鑑みてなされたもので、 その目的とするところは、透明樹脂の密着強度を増大させ、LEDチップの剥離 、ボンディングワイヤの断線等を防止し、耐久性および信頼性を向上させるよう にしたモジュールタイプLEDのモールド構造を提供することにある。
【0005】
上記目的を達成するため本考案は、導電パターンに非メッキ部を設け、この非 メッキ部に対応する基板表面と透明樹脂とを密接させるようにしたものである。
【0006】
本考案において、導電パターンの非メッキ部は、絶縁基板の表面を露呈させ、 透明樹脂との接触面積を増大させる。したがって、絶縁基板と透明樹脂との接触 強度は増大する。
【0007】
以下、本考案を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明する。 図1は本考案に係るモジュールタイプLEDのモールド構造の一実施例を示す 平面図、第2図は第1図のII−II線断面図、図3は導電パターンの要部平面図、 第4図は要部拡大断面図である。これらの図において、モジュールタイプLED は、断面凸形とされることにより中央部1aが両端部1b,1cより一段高く形 成された絶縁基板1を備え、その上面に金メッキからなる導電パターン3が形成 されている。導電パターン3は、ある程度の電流の許容値と放熱性を確保するに 十分な幅を有し、また非メッキ部21が形成されている。この非メッキ部21は 、導電パターン3と透明樹脂6との接触面積を小さくして絶縁基板1と透明樹脂 6との接触面積を増大させるもので、本実施例の場合複数個の小孔21を適宜間 隔をおいて形成し、この小孔21に対応する絶縁基板1の表面を露呈させたが、 これに限らず、図5に示すように長孔からなる非メッキ部21であってもよい。 導電パターン3の外部電極取出し部3a、3bは、透明樹脂6の外部に突出し、 前記中央部1aの短辺側の2つの側面11a、11bを経て各端部1b、1cの 上面にまで延在されている。
【0008】 LEDチップ4をモールドする樹脂6は、絶縁基板1の前記中央部1aの上面 のみならず4つの側面11a〜11dにまで回り込んで形成されている。そのた め、側面11a〜11dを覆う部分は回り込み部6Aを形成している。 なお、他の構成は図7〜図9に示した従来構造と同様である。
【0009】 図6は上記構成からなるモジュールタイプLEDにおける透明樹脂6のモール ド方法を示す断面図である。12はモールド用金型であり、その開口部に絶縁基 板1が上下逆にして設置固定されている。モールドに際しては、溶融樹脂を樹脂 注入孔7より絶縁基板1とモールド用金型12との間に形成された空間15内に 注入して固化すればよい。この時、空間15内に注入された溶融樹脂は前記隙間 14にまで回り込み、絶縁基板1と一体化される。
【0010】 このような構成からなるモジュールタイプLEDのモールド構造においては、 導電パターン3に非メッキ部21を形成して絶縁基板1と透明樹脂6との接触面 積を増大させているので、LEDチップ近傍部における絶縁基板1、導電パター ン3と透明樹脂6との密着強度が増大し、サーマル試験等における透明樹脂6の 剥離を防止することができる。したがって、LEDチップ4の導電パターン3か らの剥離、ボンディングワイヤ7の断線等を防止することができ、モジュールタ イプLEDの信頼性を向上させることができる。また、導電パターン3の幅を小 さくする必要がないため、電流の許容値が低下したり、放熱性が悪化することも ない。また、特に透明樹脂6の一部を絶縁基板1の側面11a〜11dにまで回 り込ませて回り込み部6Aを設けているので、絶縁基板1に対する密着強度が一 層増大し、その剥離を防止すると共に、基板面と透明樹脂6との界面に水分、空 気等が侵入するのを防止することができる。 さらに、非メッキ部21を絶縁基板1の裏面にまで貫通させることにより透明 樹脂6が絶縁基板1の裏面にまで回り込んで形成されているため、密着力が一層 高まる。
【0011】
以上説明したように本考案に係るモジュールタイプLEDのモールド構造は、 導電パターンに非メッキ部を設けて構成したので、絶縁基板と透明樹脂との接触 面積が増大して樹脂の密着強度を増大させることができ、LEDチップの剥離、 ボンディングワイヤの断線事故等を防止することができる。したがって、モジュ ールタイプLEDの耐久性および信頼性が向上し、また導電パターンの幅を小さ くする必要がないので、電流の許容値の低下を招いたり、放熱性が低下したりす ることもなく、パターンの断面積が或程度要求されるモジュールタイプLEDに 実施して好適である。
【図1】本考案に係るモジュールタイプLEDのモール
ド構造の一実施例を示す平面図である。
ド構造の一実施例を示す平面図である。
【図2】図1のII−II線断面図である。
【図3】導電パターンの要部平面図である。
【図4】要部拡大断面図である。
【図5】本考案の他の実施例を示す導電パターンの要部
平面図である。
平面図である。
【図6】透明樹脂のモールド方法を示す断面図である。
【図7】従来のモジュールタイプLEDのモールド構造
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図8】図7のVIII−VIII線断面図である。
【図9】(a)、(b)は導電パターンの要部拡大平面
図および要部拡大断面図である。
図および要部拡大断面図である。
【図10】従来構造の欠点を説明するための図である。
1 絶縁基板 2 凹部 3 導電パターン 4 LEDチップ 5 ボンディングワイヤ 6 透明樹脂 21 非メッキ部
Claims (1)
- 【請求項1】 導電パターンを備えた絶縁基板上にLE
Dチップをワイヤボンディングし、LEDチップを透明
樹脂によって封止したモジュールタイプLEDにおい
て、前記導電パターンに非メッキ部を設けてこの非メッ
キ部に対応する基板表面と透明樹脂とを密接させるよう
にしたことを特徴とするモジュールタイプLEDのモー
ルド構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP059982U JPH0617259U (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | モジュールタイプledのモールド構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP059982U JPH0617259U (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | モジュールタイプledのモールド構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0617259U true JPH0617259U (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=13128892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP059982U Pending JPH0617259U (ja) | 1992-08-04 | 1992-08-04 | モジュールタイプledのモールド構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617259U (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001045180A1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-21 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting chip device with case |
| JP2006237049A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
| JP2007180234A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光光源及び照明器具 |
| WO2012057163A1 (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
| CN102468410A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-23 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
| JP2012099545A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2017224868A (ja) * | 2012-05-09 | 2017-12-21 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
| US10305005B2 (en) | 2012-05-09 | 2019-05-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
-
1992
- 1992-08-04 JP JP059982U patent/JPH0617259U/ja active Pending
Cited By (14)
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| US9276181B2 (en) | 2010-10-29 | 2016-03-01 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and production method thereof |
| US10741729B2 (en) | 2010-10-29 | 2020-08-11 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and production method thereof |
| US11626543B2 (en) | 2010-10-29 | 2023-04-11 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and production method thereof |
| US11876153B2 (en) | 2010-10-29 | 2024-01-16 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and production method thereof |
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| JP2019195105A (ja) * | 2012-05-09 | 2019-11-07 | ローム株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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