JPH0617316Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0617316Y2 JPH0617316Y2 JP1988105056U JP10505688U JPH0617316Y2 JP H0617316 Y2 JPH0617316 Y2 JP H0617316Y2 JP 1988105056 U JP1988105056 U JP 1988105056U JP 10505688 U JP10505688 U JP 10505688U JP H0617316 Y2 JPH0617316 Y2 JP H0617316Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main electrode
- semiconductor element
- lid
- element pellet
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、
ユニポーラトランジスタ等のスイッチング素子からなる
半導体装置に関し、特にその主電極板に係る。
ユニポーラトランジスタ等のスイッチング素子からなる
半導体装置に関し、特にその主電極板に係る。
第４図は従来例の断面図であり、樹脂１を封入し、側壁
２と蓋体３とからなる樹脂ケース４の中には金属基板５
にマウントした半導体素子ペレット６が実装されてい
る。この半導体素子ペレット６の一方の主電極、図示の
ものではエミッタは絶縁物７を介して金属基板５に取付
けられた一方の主電極板８に金属線９で接続され、主電
極板８は樹脂ケース４の外に導かれて端子Ｅを形成す
る。半導体素子ペレット６の他方の主電極、図示のもの
ではコレクタは金属基板５に直接に接続された他方の主
電極板１０によって外に導かれ端子Ｃを形成する。なお
このトランジスタのベース電極の制御電極板はエミッタ
のものとおよそ同一で図示せず又説明も省略した。
２と蓋体３とからなる樹脂ケース４の中には金属基板５
にマウントした半導体素子ペレット６が実装されてい
る。この半導体素子ペレット６の一方の主電極、図示の
ものではエミッタは絶縁物７を介して金属基板５に取付
けられた一方の主電極板８に金属線９で接続され、主電
極板８は樹脂ケース４の外に導かれて端子Ｅを形成す
る。半導体素子ペレット６の他方の主電極、図示のもの
ではコレクタは金属基板５に直接に接続された他方の主
電極板１０によって外に導かれ端子Ｃを形成する。なお
このトランジスタのベース電極の制御電極板はエミッタ
のものとおよそ同一で図示せず又説明も省略した。
〔考案が解決しようとする課題〕 第２図は従来の半導体装置の等価回路であり、第３図は
第２図のもののターンオフ時のＩＣ、ＶＣＥ、ＩＢ、Ｖ
ＢＥの波形図である。前記の従来例の主電極板８及び１
０は第２図に示すようにそれぞれインダクタンスＬ２、
Ｌ１を持つので、第３図に示すようにトランジスタのタ
ーンオフ時のコレクタ・エミッタ間電圧ＶＣＥのはね上
りＶＣＥＰやベース・エミッタ間逆方向電圧−ＶＢＥが
トランジスタＥ−Ｂ間のアバランシエ電圧を越えてしま
うという問題があり、大容量素子で大電流を扱うものほ
どこの問題は顕著である。
第２図のもののターンオフ時のＩＣ、ＶＣＥ、ＩＢ、Ｖ
ＢＥの波形図である。前記の従来例の主電極板８及び１
０は第２図に示すようにそれぞれインダクタンスＬ２、
Ｌ１を持つので、第３図に示すようにトランジスタのタ
ーンオフ時のコレクタ・エミッタ間電圧ＶＣＥのはね上
りＶＣＥＰやベース・エミッタ間逆方向電圧−ＶＢＥが
トランジスタＥ−Ｂ間のアバランシエ電圧を越えてしま
うという問題があり、大容量素子で大電流を扱うものほ
どこの問題は顕著である。
この考案の目的は主電極の配線インダクタンスを低減し
て前記ＶＣＥのはね上りや前記−ＶＢＥを抑制しようと
するものである。
て前記ＶＣＥのはね上りや前記−ＶＢＥを抑制しようと
するものである。
この考案は、金属基板に固着された半導体素子ペレット
と、この半導体素子ペレットを取り囲む側壁と蓋体とか
らなる樹脂ケースを備え、この樹脂ケース内で前記半導
体素子ペレットに一対の外部引出用の主電極板が一端に
てそれぞれ接続され、他端はそれぞれ前記蓋体を通って
外部に引き出されてなるものにおいて、前記の一対の外
部引出用の主電極板がその間に絶縁板を介挿して互いに
密着されると共に、前記蓋体の外表面上にて各他端が反
対方向に折り曲げられているものである。
と、この半導体素子ペレットを取り囲む側壁と蓋体とか
らなる樹脂ケースを備え、この樹脂ケース内で前記半導
体素子ペレットに一対の外部引出用の主電極板が一端に
てそれぞれ接続され、他端はそれぞれ前記蓋体を通って
外部に引き出されてなるものにおいて、前記の一対の外
部引出用の主電極板がその間に絶縁板を介挿して互いに
密着されると共に、前記蓋体の外表面上にて各他端が反
対方向に折り曲げられているものである。
絶縁板を介挿して密着させた一対の主電極板には一対の
主電極から互に逆方向の電流が流れ、これらの電流によ
り発生する合成磁束は極めて少くなり、それぞれの主電
極板のインダクタンスも著しく低減する。したがってス
イッンチング素子のターンオフ時のＶＣＥのはね上りＶ
ＣＥＰや−ＶＢＥがアバランシエ電圧を越えるようなこ
とが抑制される。
主電極から互に逆方向の電流が流れ、これらの電流によ
り発生する合成磁束は極めて少くなり、それぞれの主電
極板のインダクタンスも著しく低減する。したがってス
イッンチング素子のターンオフ時のＶＣＥのはね上りＶ
ＣＥＰや−ＶＢＥがアバランシエ電圧を越えるようなこ
とが抑制される。
第１図は実施例の断面図である。第４図と同一符号を付
けるものはおよそ同一の機能を持ち、樹脂１を封入し、
側壁２と蓋体３とからなる樹脂ケース４の中には金属基
板５にマウントした半導体素子ペレット６が実装されて
いる。半導体素子ペレット６の一方の主電極、エミッタ
の主電極板２１と他方の主電極、コレクタの主電極板２
２とはその間に絶縁板２３を介挿して密着されている。
主電極板２１は金属線９によって半導体素子ペレット６
のエミッタに接続され、主電極板２２は金属基板５に直
接に接続されることにより半導体素子ペレット６のコレ
クタに接続される。前記絶縁板２３を介挿し密着して樹
脂ケース４の外に導かれた主電極板２１及び２２の端部
はそれぞれ反対方向に折り曲げられて蓋体３に当接して
端子Ｅ及びＣを形成する。端子Ｅ及びＣのそれぞれの下
面の蓋体３には外部端子（ブスバー）をネジ止めするた
めのネジ穴２４が設けられ、端子Ｃと端子Ｅの間には絶
縁板２３を覆うように絶縁材からなるバリヤ２５が設け
られる。このような構造によれば、前述の〔作用〕の項
に示す作用がある。
けるものはおよそ同一の機能を持ち、樹脂１を封入し、
側壁２と蓋体３とからなる樹脂ケース４の中には金属基
板５にマウントした半導体素子ペレット６が実装されて
いる。半導体素子ペレット６の一方の主電極、エミッタ
の主電極板２１と他方の主電極、コレクタの主電極板２
２とはその間に絶縁板２３を介挿して密着されている。
主電極板２１は金属線９によって半導体素子ペレット６
のエミッタに接続され、主電極板２２は金属基板５に直
接に接続されることにより半導体素子ペレット６のコレ
クタに接続される。前記絶縁板２３を介挿し密着して樹
脂ケース４の外に導かれた主電極板２１及び２２の端部
はそれぞれ反対方向に折り曲げられて蓋体３に当接して
端子Ｅ及びＣを形成する。端子Ｅ及びＣのそれぞれの下
面の蓋体３には外部端子（ブスバー）をネジ止めするた
めのネジ穴２４が設けられ、端子Ｃと端子Ｅの間には絶
縁板２３を覆うように絶縁材からなるバリヤ２５が設け
られる。このような構造によれば、前述の〔作用〕の項
に示す作用がある。
この考案は、金属基板に固着された半導体素子ペレット
と、この半導体素子ペレットを取り囲む側壁と蓋体とか
らなる樹脂ケースを備え、この樹脂ケース内で前記半導
体素子ペレットに一対の外部引出用の主電極板が一端に
てそれぞれ接続され、他端はそれぞれ前記蓋体を通って
外部に引き出されてなるものにおいて、前記の一対の外
部引出用の主電極板がその間に絶縁板を介挿して互いに
密着されると共に、前記蓋体の外表面上にて各他端が反
対方向に折り曲げられているようにしたので、主電極の
配線インダクタンスが著しく低減し、ターンオフ時のコ
レクタ・エミッタ間電圧、ＶＣＥのはね上りとベース・
エミッタ間逆方向電圧−ＶＢＥが迎えられ、スイッチン
グ素子としての特性が向上するという効果がある。
と、この半導体素子ペレットを取り囲む側壁と蓋体とか
らなる樹脂ケースを備え、この樹脂ケース内で前記半導
体素子ペレットに一対の外部引出用の主電極板が一端に
てそれぞれ接続され、他端はそれぞれ前記蓋体を通って
外部に引き出されてなるものにおいて、前記の一対の外
部引出用の主電極板がその間に絶縁板を介挿して互いに
密着されると共に、前記蓋体の外表面上にて各他端が反
対方向に折り曲げられているようにしたので、主電極の
配線インダクタンスが著しく低減し、ターンオフ時のコ
レクタ・エミッタ間電圧、ＶＣＥのはね上りとベース・
エミッタ間逆方向電圧−ＶＢＥが迎えられ、スイッチン
グ素子としての特性が向上するという効果がある。
第１図は実施例の断面図、第２図はこの考案の対象とな
る半導体装置の等価回路図、第３図は第２図のものの波
形図、第４図は従来例の断面図である。 １……樹脂、４……樹脂ケース、６……半導体素子ペレ
ット、８，１０，２１，２２……主電極板、Ｃ，Ｅ……
端子。
る半導体装置の等価回路図、第３図は第２図のものの波
形図、第４図は従来例の断面図である。 １……樹脂、４……樹脂ケース、６……半導体素子ペレ
ット、８，１０，２１，２２……主電極板、Ｃ，Ｅ……
端子。
Claims (1)
- 【請求項１】金属基板に固着された半導体素子ペレット
と、この半導体素子ペレットを取り囲む側壁と蓋体とか
らなる樹脂ケースを備え、この樹脂ケース内で前記半導
体素子ペレットに一対の外部引出用の主電極板が一端に
てそれぞれ接続され、他端はそれぞれ前記蓋体を通って
外部に引き出されてなるものにおいて、前記の一対の外
部引出用の主電極板がその間に絶縁板を介挿して互いに
密着されると共に、前記蓋体の外表面上にて各他端が反
対方向に折り曲げられていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988105056U JPH0617316Y2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988105056U JPH0617316Y2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226259U JPH0226259U (ja) | 1990-02-21 |
| JPH0617316Y2 true JPH0617316Y2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=31337331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988105056U Expired - Lifetime JPH0617316Y2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617316Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6393126A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP1988105056U patent/JPH0617316Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0226259U (ja) | 1990-02-21 |
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