JPH0427165A - 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - Google Patents
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタInfo
- Publication number
- JPH0427165A JPH0427165A JP2133523A JP13352390A JPH0427165A JP H0427165 A JPH0427165 A JP H0427165A JP 2133523 A JP2133523 A JP 2133523A JP 13352390 A JP13352390 A JP 13352390A JP H0427165 A JPH0427165 A JP H0427165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- collector
- drain
- inductor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに関
するものである。
するものである。
［従来の技術〕
従来の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（以下ｒ
ＩＧＢＴＪと略す。）のチップ断面図を第３図に示す。
ＩＧＢＴＪと略す。）のチップ断面図を第３図に示す。
第３図に示すように、基板表面上にゲート５に接続され
たゲート電極６とエミッタ電極７とが設けられ、コレク
タ電極としてコレクタＰ型層１を用いる。なお、２はド
レインＮ型層、３はＰ型拡散層、４はエミッタＮ型層で
ある。
たゲート電極６とエミッタ電極７とが設けられ、コレク
タ電極としてコレクタＰ型層１を用いる。なお、２はド
レインＮ型層、３はＰ型拡散層、４はエミッタＮ型層で
ある。
上記従来の構成によれば、ＩＧＢＴがオン状態において
、コレクタＰ型層１からドレインＮ型層２へ少数キャリ
アの注入が起こるため、ターンオフ時に少数キャリアの
蓄積効果が現れ高速応答が困難であった。
、コレクタＰ型層１からドレインＮ型層２へ少数キャリ
アの注入が起こるため、ターンオフ時に少数キャリアの
蓄積効果が現れ高速応答が困難であった。
この発明の目的は、高速応答が可能なＩ ＧＢＴを提供
することである。
することである。
この発明の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、ド
レイン層の上面に電極を形成し、この電極とコレクタリ
ードコムとの間にインダクタを接続したことを特徴とす
る。
レイン層の上面に電極を形成し、この電極とコレクタリ
ードコムとの間にインダクタを接続したことを特徴とす
る。
この発明の構成によれば、オン状態のときにインダクタ
にコレクタ電流の一部が流れ、ターンオフしたときにイ
ンダクタに逆起電圧が発生する。
にコレクタ電流の一部が流れ、ターンオフしたときにイ
ンダクタに逆起電圧が発生する。
すなわち、オン状態のときにコレクタ層からドレイン層
に注入されていた少数キャリアはコレクタ側に引き戻さ
れる。
に注入されていた少数キャリアはコレクタ側に引き戻さ
れる。
この発明によるＩＧＥＴを第１図および第２図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第１図（ａ）はこの発明によるＩＧＢＴのチンブ断面図
である。なお、従来例に対応する部分には同じ符号を付
しである。従来例と異なるところは、ドレインＮ型層２
に接続したドレイン電極８を設けたことである。このド
レイン電極８とユミンタ電極７とゲート電極６とがチッ
プ表面にあるポンディングパノド用の電極となる。
である。なお、従来例に対応する部分には同じ符号を付
しである。従来例と異なるところは、ドレインＮ型層２
に接続したドレイン電極８を設けたことである。このド
レイン電極８とユミンタ電極７とゲート電極６とがチッ
プ表面にあるポンディングパノド用の電極となる。
第１図（ｂ）および第１図（Ｃ）は第１図（ａ）を用い
た組立図である。
た組立図である。
第１図（ト）では、ドレイン電極８とコレクタＰ型層１
に接続したコレクタリードコム１２とを、金属ワイヤ１
５を用いて接続している。この場合、Ｊ ＯＢＴの端子
は、コレクタリードコム１２．エミッタリードコム１１
およびゲートリードコム１０の３端子である。なお、９
はＩ ＧＢＴチップである。
に接続したコレクタリードコム１２とを、金属ワイヤ１
５を用いて接続している。この場合、Ｊ ＯＢＴの端子
は、コレクタリードコム１２．エミッタリードコム１１
およびゲートリードコム１０の３端子である。なお、９
はＩ ＧＢＴチップである。
また、第１図（Ｃ）では、ドレイン電極８をドレインリ
ードコム１３に接続してあり、コレクタリードコム１２
とドレインリードコム１３との間に外付はインダクタ１
４を接続して使用する。この場合、ＩＧＢＴの端子は、
コレクタリードコム１２゜エミッタリードコム１１．
ゲートリードコム１０およびドレインリードコム１３
の４端子となる。
ードコム１３に接続してあり、コレクタリードコム１２
とドレインリードコム１３との間に外付はインダクタ１
４を接続して使用する。この場合、ＩＧＢＴの端子は、
コレクタリードコム１２゜エミッタリードコム１１．
ゲートリードコム１０およびドレインリードコム１３
の４端子となる。
つぎに、第２図を用いてこの実施例のＩ ＧＢＴの動作
原理を説明する。
原理を説明する。
第２図において、１６は従来のＩＧＢＴの等価回路であ
り、１７は［；ＢＴを高速応答させるために用いたイン
ダクタである。インダクタ１７は、第１図（ト）の場合
は金属ワイヤ１５に相当し、第１図ｆｃ）の場合は外付
はインダクタ１４に相当する。
り、１７は［；ＢＴを高速応答させるために用いたイン
ダクタである。インダクタ１７は、第１図（ト）の場合
は金属ワイヤ１５に相当し、第１図ｆｃ）の場合は外付
はインダクタ１４に相当する。
ＴＧＢＴがオン状態のときは、矢印Ａで示すようにコレ
クタ１８からドレイン１９へ流れるコレクタＷｉの一部
がインダクタ１７に流れている。
クタ１８からドレイン１９へ流れるコレクタＷｉの一部
がインダクタ１７に流れている。
このとき、ＩＧＢＴをターンオフさせるとインダクタ１
７に逆起電圧が発生する。逆起電圧の大きさＥは、イン
ダクタ１７のインダクタンスをＬとすればＥ＝Ｌ （ｄ
ｉ／ｄ ｔ）で表され、その向きは、矢印Ｂで示すよ
うにコレクタ１８に対しドレイン１９がプラスの方向で
ある。したがって、オン状態のときにコレクタ１８から
ドレイン１９に注入されていた少数キャリアは、ターン
オフによリフレクタ１８側に引き戻されることになる。
７に逆起電圧が発生する。逆起電圧の大きさＥは、イン
ダクタ１７のインダクタンスをＬとすればＥ＝Ｌ （ｄ
ｉ／ｄ ｔ）で表され、その向きは、矢印Ｂで示すよ
うにコレクタ１８に対しドレイン１９がプラスの方向で
ある。したがって、オン状態のときにコレクタ１８から
ドレイン１９に注入されていた少数キャリアは、ターン
オフによリフレクタ１８側に引き戻されることになる。
この結果、ターンオフ時の少数キャリアの蓄積時間を短
縮することができ、Ｉ ＧＢＴの高速応答が可能となる
。
縮することができ、Ｉ ＧＢＴの高速応答が可能となる
。
この発明の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、ド
レイン層の上面に電極を形成し、この電極とコレクタリ
ードコムとの間にインダクタを接続したことにより、オ
ン状態のときにインダクタにコレクタＮｍの一部が流れ
、ターンオフしたときにインダクタに逆起電圧が発生す
る。すなわち、オン状態のときにコレクタ層からドレイ
ン層に注入されていた少数キャリアはコレクタ側に引き
戻される。この結果、ターンオフ時の少数キ十７ノアの
蓄積時間を短縮でき、高速応答が可能となる。
レイン層の上面に電極を形成し、この電極とコレクタリ
ードコムとの間にインダクタを接続したことにより、オ
ン状態のときにインダクタにコレクタＮｍの一部が流れ
、ターンオフしたときにインダクタに逆起電圧が発生す
る。すなわち、オン状態のときにコレクタ層からドレイ
ン層に注入されていた少数キャリアはコレクタ側に引き
戻される。この結果、ターンオフ時の少数キ十７ノアの
蓄積時間を短縮でき、高速応答が可能となる。
第１図はこの発明による［ＧＢＴのチップ断面図および
組立図、第２図はこの発明によるＩＧＥＴの動作原理を
説明するための図、第３図は従来のｒ ＧＢＴのチンブ
断面図である。 １・・・コレクタＰ型層、２・・・ドレインＮ型層、３
・・・Ｐ型拡散層、４・・・エミッタＮ型層、５・・・
ゲート、６・・・ゲート電極、７・・・エミンタ電極、
８・・・ドレインを極、１２ ・・・コレクタリードコ
ム、１３・・・ドレインリードコム、１４・・・外付は
インダクタ、１５・・・金属ワイヤ、１７・・・インダ
クタ、１８・・・コレクタ、１９・・・ドレイン １・・・コレクタＰ型層 ４・・・エミッタＮ嬰層 ５・・・ゲート ６・・・ゲート電極 ７・・・エミッタ電極 ８・・・ドレイン電極 ２・・・コレクタリードコム ３・・・ドレインリードコム ４・・・外付はインダクタ ５・・・金属ワイヤ 図
組立図、第２図はこの発明によるＩＧＥＴの動作原理を
説明するための図、第３図は従来のｒ ＧＢＴのチンブ
断面図である。 １・・・コレクタＰ型層、２・・・ドレインＮ型層、３
・・・Ｐ型拡散層、４・・・エミッタＮ型層、５・・・
ゲート、６・・・ゲート電極、７・・・エミンタ電極、
８・・・ドレインを極、１２ ・・・コレクタリードコ
ム、１３・・・ドレインリードコム、１４・・・外付は
インダクタ、１５・・・金属ワイヤ、１７・・・インダ
クタ、１８・・・コレクタ、１９・・・ドレイン １・・・コレクタＰ型層 ４・・・エミッタＮ嬰層 ５・・・ゲート ６・・・ゲート電極 ７・・・エミッタ電極 ８・・・ドレイン電極 ２・・・コレクタリードコム ３・・・ドレインリードコム ４・・・外付はインダクタ ５・・・金属ワイヤ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一導電型のコレクタ層と、このコレクタ層の上面に形
成した他の導電型のドレイン層と、前記コレクタ層の下
面に接続したコレクタリードコムと、前記ドレイン層の
上面にゲート部およびソース部とを備え、 前記ドレイン層の上面に電極を形成し、この電極と前記
コレクタリードコムとの間にインダクタを接続したこと
を特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133523A JPH0427165A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133523A JPH0427165A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0427165A true JPH0427165A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15106784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2133523A Pending JPH0427165A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0427165A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009164288A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体素子及び半導体装置 |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP2133523A patent/JPH0427165A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009164288A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体素子及び半導体装置 |
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