JPH06174409A - 磁気式回転センサ - Google Patents
磁気式回転センサInfo
- Publication number
- JPH06174409A JPH06174409A JP4331363A JP33136392A JPH06174409A JP H06174409 A JPH06174409 A JP H06174409A JP 4331363 A JP4331363 A JP 4331363A JP 33136392 A JP33136392 A JP 33136392A JP H06174409 A JPH06174409 A JP H06174409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rotation sensor
- resistor
- magnetic
- phase output
- magnetic rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ素子の歩留りを向上させる。チップサイ
ズを小さくする。 【構成】 抵抗Ｒ１とＭＲ素子Ｍ１とが対となり、同じ
く抵抗Ｒ２とＭＲ素子Ｍ２とが対となり、それぞれの接
続点から出力が取り出される。抵抗Ｒ１はＭＲ素子Ｍ１
の特性に合せたものを選ぶ。また、抵抗Ｒ２はＭＲ素子
Ｍ２に合せたものを選ぶ。 【効果】 抵抗で調整できるので、ＭＲ素子の特性のバ
ラツキが許容されるから、歩留りを向上できる。また、
ＭＲ素子も２個だけ配列すればよいから、チップサイズ
を小さくできる。
ズを小さくする。 【構成】 抵抗Ｒ１とＭＲ素子Ｍ１とが対となり、同じ
く抵抗Ｒ２とＭＲ素子Ｍ２とが対となり、それぞれの接
続点から出力が取り出される。抵抗Ｒ１はＭＲ素子Ｍ１
の特性に合せたものを選ぶ。また、抵抗Ｒ２はＭＲ素子
Ｍ２に合せたものを選ぶ。 【効果】 抵抗で調整できるので、ＭＲ素子の特性のバ
ラツキが許容されるから、歩留りを向上できる。また、
ＭＲ素子も２個だけ配列すればよいから、チップサイズ
を小さくできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気式回転センサに
関し、さらに詳しくは、ＭＲ素子を用いた磁気式回転セ
ンサに関する。
関し、さらに詳しくは、ＭＲ素子を用いた磁気式回転セ
ンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の磁気式回転センサの一例
の要部断面図である。この磁気式回転センサ５１は、基
板Ｂの上面にＭＲ素子Ｍ１，Ｍａ，Ｍｂ，Ｍ２を一列に
配置した構成である。ＭＲ素子Ｍ１，Ｍａ，Ｍｂ，Ｍ２
の配列ピッチは、回転する磁性体歯車Ｇのピッチの１／
２になっている。
の要部断面図である。この磁気式回転センサ５１は、基
板Ｂの上面にＭＲ素子Ｍ１，Ｍａ，Ｍｂ，Ｍ２を一列に
配置した構成である。ＭＲ素子Ｍ１，Ｍａ，Ｍｂ，Ｍ２
の配列ピッチは、回転する磁性体歯車Ｇのピッチの１／
２になっている。
【０００３】図６は、磁気式回転センサ５１の回路図で
ある。磁性体歯車Ｇのピッチの１／２だけ離れたＭＲ素
子Ｍ１とＭＲ素子Ｍａとが対になり、同じく磁性体歯車
Ｇのピッチの１／２だけ離れたＭＲ素子Ｍｂと，ＭＲ素
子Ｍ２とが対になり、それぞれの接続点からＡ相出力と
ｎｏｔＡ相出力とが取り出されている。
ある。磁性体歯車Ｇのピッチの１／２だけ離れたＭＲ素
子Ｍ１とＭＲ素子Ｍａとが対になり、同じく磁性体歯車
Ｇのピッチの１／２だけ離れたＭＲ素子Ｍｂと，ＭＲ素
子Ｍ２とが対になり、それぞれの接続点からＡ相出力と
ｎｏｔＡ相出力とが取り出されている。
【０００４】図７の（ａ）は、磁性体歯車ＧがＣＷ方向
（またはＣＣＷ方向）に回転したときのＡ相出力の模式
的波形図である。なお、Ｖ０は中性電圧を示す。ＭＲ素
子Ｍ１，Ｍｂ（およびＭＲ素子Ｍａ，Ｍ２）は磁性体歯
車Ｇの１ピッチだけ離れており，且つＭＲ素子Ｍ１，Ｍ
ａとＭＲ素子Ｍｂ，Ｍ２との位置関係が逆転しているか
ら、Ａ相出力と，ｎｏｔＡ相出力とは逆位相となる。図
７の（ｂ）にｎｏｔＡ相出力の模式的波形図を示す。そ
こで、Ａ相出力と，ｎｏｔＡ相出力との差動信号は、図
７の（ｃ）に示すような波形となる。
（またはＣＣＷ方向）に回転したときのＡ相出力の模式
的波形図である。なお、Ｖ０は中性電圧を示す。ＭＲ素
子Ｍ１，Ｍｂ（およびＭＲ素子Ｍａ，Ｍ２）は磁性体歯
車Ｇの１ピッチだけ離れており，且つＭＲ素子Ｍ１，Ｍ
ａとＭＲ素子Ｍｂ，Ｍ２との位置関係が逆転しているか
ら、Ａ相出力と，ｎｏｔＡ相出力とは逆位相となる。図
７の（ｂ）にｎｏｔＡ相出力の模式的波形図を示す。そ
こで、Ａ相出力と，ｎｏｔＡ相出力との差動信号は、図
７の（ｃ）に示すような波形となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の磁気式回転
センサ５１では、差動信号のオフセットをなくすため
に、Ａ相出力と，ｎｏｔＡ相出力の中性電圧Ｖ０をＶｃ
ｃ／２に合せる必要がある。このため、磁界強度−抵抗
特性を一致させた２つのＭＲ素子を組み合せなければな
らず、ＭＲ素子の歩留りが低い問題点がある。また、上
記従来の磁気式回転センサ５１では、基板Ｂの上面に、
磁性体歯車Ｇのピッチの１／２の配列ピッチで、４つの
ＭＲ素子Ｍａ，Ｍ１，Ｍｂ，Ｍ２を配置するので、チッ
プサイズが大きくなる問題点がある。
センサ５１では、差動信号のオフセットをなくすため
に、Ａ相出力と，ｎｏｔＡ相出力の中性電圧Ｖ０をＶｃ
ｃ／２に合せる必要がある。このため、磁界強度−抵抗
特性を一致させた２つのＭＲ素子を組み合せなければな
らず、ＭＲ素子の歩留りが低い問題点がある。また、上
記従来の磁気式回転センサ５１では、基板Ｂの上面に、
磁性体歯車Ｇのピッチの１／２の配列ピッチで、４つの
ＭＲ素子Ｍａ，Ｍ１，Ｍｂ，Ｍ２を配置するので、チッ
プサイズが大きくなる問題点がある。
【０００６】そこで、この発明の目的は、ＭＲ素子の歩
留りを向上させると共にチップサイズを小さくできる磁
気式回転センサを提供することにある。
留りを向上させると共にチップサイズを小さくできる磁
気式回転センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の磁気式回転セ
ンサは、ＭＲ素子Ｍ１とＭＲ素子Ｍ２とを被検出体の回
転方向と平行に配列し、前記ＭＲ素子Ｍ１と抵抗Ｒ１と
の直列接続を電源ライン−Ｇｎｄライン間に接続し、前
記ＭＲ素子Ｍ２と抵抗Ｒ２との直列接続を電源ライン−
Ｇｎｄライン間に接続し、前記ＭＲ素子Ｍ１と前記抵抗
Ｒ１の間からと前記ＭＲ素子Ｍ２と前記抵抗Ｒ２の間と
からそれぞれ出力信号を取り出したことを構成上の特徴
とするものである。
ンサは、ＭＲ素子Ｍ１とＭＲ素子Ｍ２とを被検出体の回
転方向と平行に配列し、前記ＭＲ素子Ｍ１と抵抗Ｒ１と
の直列接続を電源ライン−Ｇｎｄライン間に接続し、前
記ＭＲ素子Ｍ２と抵抗Ｒ２との直列接続を電源ライン−
Ｇｎｄライン間に接続し、前記ＭＲ素子Ｍ１と前記抵抗
Ｒ１の間からと前記ＭＲ素子Ｍ２と前記抵抗Ｒ２の間と
からそれぞれ出力信号を取り出したことを構成上の特徴
とするものである。
【０００８】
【作用】この発明の磁気式回転センサでは、ＭＲ素子Ｍ
１（又はＭＲ素子Ｍ２）と抵抗Ｒ１（又は抵抗Ｒ２）の
直列回路から出力信号を取り出すので、ＭＲ素子の磁界
強度−抵抗特性に合せた抵抗を選べば中性電圧を自由に
調整できる。従って、ＭＲ素子の特性のバラツキの許容
範囲が広がり、ＭＲ素子の歩留りを向上させることが出
来る。また、ＭＲ素子Ｍ１とＭＲ素子Ｍ２の２個だけを
配置すればよいので、チップサイズが小さくなる。
１（又はＭＲ素子Ｍ２）と抵抗Ｒ１（又は抵抗Ｒ２）の
直列回路から出力信号を取り出すので、ＭＲ素子の磁界
強度−抵抗特性に合せた抵抗を選べば中性電圧を自由に
調整できる。従って、ＭＲ素子の特性のバラツキの許容
範囲が広がり、ＭＲ素子の歩留りを向上させることが出
来る。また、ＭＲ素子Ｍ１とＭＲ素子Ｍ２の２個だけを
配置すればよいので、チップサイズが小さくなる。
【０００９】
【実施例】以下、図に示す実施例によりこの発明をさら
に詳しく説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。
に詳しく説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。
【００１０】−第１実施例− 図１は、この発明の第１実施例の磁気式回転センサの要
部断面図である。
部断面図である。
【００１１】この磁気式回転センサ１は、基板Ｂの上面
にＭＲ素子Ｍ１，Ｍ２を配列した構造である。ＭＲ素子
Ｍ１，Ｍ２の配列間隔は、回転する磁性体歯車Ｇのピッ
チの１／２になっている。図２は、この磁気式回転セン
サ１の回路図である。この磁気式回転センサ１は、抵抗
Ｒ１とＭＲ素子Ｍ１とが対となり、同じく抵抗Ｒ２とＭ
Ｒ素子Ｍ２とが対となり、それぞれの接続点からＡ相出
力とｎｏｔＡ相出力とが取り出されている。なお、抵抗
Ｒ１はＡ相出力の最小値がＶｃｃ／２となるように選ば
れたものである。また、抵抗Ｒ２はｎｏｔＡ相出力の最
大値がＶｃｃ／２となるように選ばれたものである。
にＭＲ素子Ｍ１，Ｍ２を配列した構造である。ＭＲ素子
Ｍ１，Ｍ２の配列間隔は、回転する磁性体歯車Ｇのピッ
チの１／２になっている。図２は、この磁気式回転セン
サ１の回路図である。この磁気式回転センサ１は、抵抗
Ｒ１とＭＲ素子Ｍ１とが対となり、同じく抵抗Ｒ２とＭ
Ｒ素子Ｍ２とが対となり、それぞれの接続点からＡ相出
力とｎｏｔＡ相出力とが取り出されている。なお、抵抗
Ｒ１はＡ相出力の最小値がＶｃｃ／２となるように選ば
れたものである。また、抵抗Ｒ２はｎｏｔＡ相出力の最
大値がＶｃｃ／２となるように選ばれたものである。
【００１２】図３の（ａ）は、磁性体歯車ＧがＣＷ方向
（またはＣＣＷ方向）に回転したときのＡ相出力の模式
的波形図である。ＭＲ素子Ｍ１と，ＭＲ素子Ｍ２との配
列間隔は、磁性体歯車Ｇのピッチの１／２なので、ｎｏ
ｔＡ相出力は、Ａ相出力と逆位相となる。図３の（ｂ）
にｎｏｔＡ相出力の模式的波形図を示す。そこで、Ａ相
出力と，ｎｏｔＡ相出力との差動信号は、図３の（ｃ）
に示すような波形となる。
（またはＣＣＷ方向）に回転したときのＡ相出力の模式
的波形図である。ＭＲ素子Ｍ１と，ＭＲ素子Ｍ２との配
列間隔は、磁性体歯車Ｇのピッチの１／２なので、ｎｏ
ｔＡ相出力は、Ａ相出力と逆位相となる。図３の（ｂ）
にｎｏｔＡ相出力の模式的波形図を示す。そこで、Ａ相
出力と，ｎｏｔＡ相出力との差動信号は、図３の（ｃ）
に示すような波形となる。
【００１３】上記第１実施例によれば、ＭＲ素子の特性
のバラツキの許容範囲が広がり、ＭＲ素子の歩留りを向
上させることが出来る。また、基板Ｂの上面には、ＭＲ
素子Ｍ１と，ＭＲ素子Ｍ２（配置間隔はピッチの１／
２）の２個だけを配置すればよいので、チップサイズが
小さくなる。
のバラツキの許容範囲が広がり、ＭＲ素子の歩留りを向
上させることが出来る。また、基板Ｂの上面には、ＭＲ
素子Ｍ１と，ＭＲ素子Ｍ２（配置間隔はピッチの１／
２）の２個だけを配置すればよいので、チップサイズが
小さくなる。
【００１４】−第２実施例− 図４は、この発明の第２実施例の磁気式回転センサの図
２相当図である。この磁気式回転センサ３１は、第１実
施例による磁気式回転センサ１とほぼ同じ構成である
が、抵抗Ｒ１，Ｒ２に代えて可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２を
用いる。
２相当図である。この磁気式回転センサ３１は、第１実
施例による磁気式回転センサ１とほぼ同じ構成である
が、抵抗Ｒ１，Ｒ２に代えて可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２を
用いる。
【００１５】上記第２実施例によれば、上記第１実施例
による効果に加えて、可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２を微調整
することにより、Ａ相出力の最小値と，ｎｏｔＡ相出力
の最大値とを容易にＶｃｃ／２に合せることが出来る。
による効果に加えて、可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２を微調整
することにより、Ａ相出力の最小値と，ｎｏｔＡ相出力
の最大値とを容易にＶｃｃ／２に合せることが出来る。
【００１６】
【発明の効果】この発明の磁気式回転センサによれば、
ＭＲ素子の歩留りを向上させることが出来る。また、チ
ップサイズを小さくできる。
ＭＲ素子の歩留りを向上させることが出来る。また、チ
ップサイズを小さくできる。
【図１】この発明の第１実施例の磁気式回転センサの要
部断面図である。
部断面図である。
【図２】図１の磁気式回転センサの回路図である。
【図３】図１の磁気式回転センサのＡ相出力，ｎｏｔＡ
相出力，差動出力の模式的波形図である。
相出力，差動出力の模式的波形図である。
【図４】この発明の第２実施例の磁気式回転センサの要
部断面図である。
部断面図である。
【図５】従来の磁気式回転センサの要部断面図である。
【図６】図５の磁気式回転センサの要部断面図である。
【図７】図５の磁気式回転センサのＡ相出力，ｎｏｔＡ
相出力，差動出力の模式的波形図である。
相出力，差動出力の模式的波形図である。
１，３１，５１ 磁気式回転センサ Ｍ１，Ｍ２，Ｍａ，Ｍｂ ＭＲ素子 Ｒ１，Ｒ２ 抵抗 ＶＲ１，ＶＲ２ 可変抵抗 Ｇ 磁性体歯車 Ｂ 基板 Ｖｃｃ 電源電圧
Claims (1)
- 【請求項１】 ＭＲ素子Ｍ１とＭＲ素子Ｍ２とを被検出
体の回転方向と平行に配列し、前記ＭＲ素子Ｍ１と抵抗
Ｒ１との直列接続を電源ライン−Ｇｎｄライン間に接続
し、前記ＭＲ素子Ｍ２と抵抗Ｒ２との直列接続を電源ラ
イン−Ｇｎｄライン間に接続し、前記ＭＲ素子Ｍ１と前
記抵抗Ｒ１の間からと前記ＭＲ素子Ｍ２と前記抵抗Ｒ２
の間とからそれぞれ出力信号を取り出したことを特徴と
する磁気式回転センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4331363A JPH06174409A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 磁気式回転センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4331363A JPH06174409A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 磁気式回転センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06174409A true JPH06174409A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18242849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4331363A Pending JPH06174409A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 磁気式回転センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06174409A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH109036A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-13 | Denso Corp | センサの異常診断装置 |
| US7417269B2 (en) | 2002-11-21 | 2008-08-26 | Denso Corporation | Magnetic impedance device, sensor apparatus using the same and method for manufacturing the same |
| JP2015117787A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Ntn株式会社 | 電動アクチュエータ |
| JP2018535391A (ja) * | 2015-12-29 | 2018-11-29 | ウェイハイ ホアリン オプト−エレクトロニクス シーオー．，エルティーディー． | 磁気イメージセンサー |
| CN111010096A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-14 | 北京航空航天大学青岛研究院 | 基于负阻效应器件实现磁电阻比值放大的电路结构 |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP4331363A patent/JPH06174409A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH109036A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-13 | Denso Corp | センサの異常診断装置 |
| US7417269B2 (en) | 2002-11-21 | 2008-08-26 | Denso Corporation | Magnetic impedance device, sensor apparatus using the same and method for manufacturing the same |
| US7582489B2 (en) | 2002-11-21 | 2009-09-01 | Denso Corporation | Method for manufacturing magnetic sensor apparatus |
| JP2015117787A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Ntn株式会社 | 電動アクチュエータ |
| JP2018535391A (ja) * | 2015-12-29 | 2018-11-29 | ウェイハイ ホアリン オプト−エレクトロニクス シーオー．，エルティーディー． | 磁気イメージセンサー |
| CN111010096A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-14 | 北京航空航天大学青岛研究院 | 基于负阻效应器件实现磁电阻比值放大的电路结构 |
| CN111010096B (zh) * | 2019-11-27 | 2023-06-06 | 北京航空航天大学青岛研究院 | 基于负阻效应器件实现磁电阻比值放大的电路结构 |
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