JPH06175145A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH06175145A JPH06175145A JP5221272A JP22127293A JPH06175145A JP H06175145 A JPH06175145 A JP H06175145A JP 5221272 A JP5221272 A JP 5221272A JP 22127293 A JP22127293 A JP 22127293A JP H06175145 A JPH06175145 A JP H06175145A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来の２層構造のブラックマトリックスパタ
ーンの後の段階で与えられ得る電極の少ないステップ達
成度や内部反射及び褪色の問題点を大幅に低減もしくは
除去された表示装置を提供することが本発明の目的であ
る。 【構成】 液晶表示装置において、例えば光遮蔽（ブラ
ックマトリックス）として機能する金属パターン12, 1
3, 16の内側に多孔質構造16b を与えることによって、
内部反射が低減される。この多孔質構造は多孔質補助層
を与える間スパッタリング圧力が増大されるスパッタリ
ング処理によって得られ、一方充分な密集状態を得るた
めにその補助層がエッチングと酸化との双方又はいずれ
か一方をされる。
ーンの後の段階で与えられ得る電極の少ないステップ達
成度や内部反射及び褪色の問題点を大幅に低減もしくは
除去された表示装置を提供することが本発明の目的であ
る。 【構成】 液晶表示装置において、例えば光遮蔽（ブラ
ックマトリックス）として機能する金属パターン12, 1
3, 16の内側に多孔質構造16b を与えることによって、
内部反射が低減される。この多孔質構造は多孔質補助層
を与える間スパッタリング圧力が増大されるスパッタリ
ング処理によって得られ、一方充分な密集状態を得るた
めにその補助層がエッチングと酸化との双方又はいずれ
か一方をされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は二つの支持板の間に光電
表示媒体を具えている表示装置に関するものであり、少
なくとも一方の支持板は画像電極と該支持板に対向する
側に光反射性の金属パターンとを設けられている。
表示媒体を具えている表示装置に関するものであり、少
なくとも一方の支持板は画像電極と該支持板に対向する
側に光反射性の金属パターンとを設けられている。
【０００２】本発明は支持板上への金属パターンの製造
にも関連しており、その支持板はダイオード、トランジ
スタその他のようなスイッチング素子及び表示装置にお
いて画像電極として機能し得る電極をも具えてもよい。
にも関連しており、その支持板はダイオード、トランジ
スタその他のようなスイッチング素子及び表示装置にお
いて画像電極として機能し得る電極をも具えてもよい。
【０００３】この種類の表示装置は液晶材料のような光
電表示媒体によってビデオ情報及び文字数字情報を表示
するのに適している。
電表示媒体によってビデオ情報及び文字数字情報を表示
するのに適している。
【０００４】
【従来の技術】冒頭部分に記載した種類の表示装置は特
開平3-256025号公報から既知である。この公報はブラッ
クマトリックスを構成している金属パターンが支持板の
一方上に設けられている液晶表示装置を記載している。
その金属パターンはアルミニウムのような高反射性材料
の層から形成されている。入射光が前記ブラックマトリ
ックスの位置で反射されるので、入射光はこのブラック
マトリックスと対向して配設されたスイッチング素子上
には入射できず、その素子は普通は光感応性である。前
記金属パターンは液晶材料の層内への所望しない反射を
防止するために酸化クロムの層により被覆されるので、
一層良いコントラストが得られる。
開平3-256025号公報から既知である。この公報はブラッ
クマトリックスを構成している金属パターンが支持板の
一方上に設けられている液晶表示装置を記載している。
その金属パターンはアルミニウムのような高反射性材料
の層から形成されている。入射光が前記ブラックマトリ
ックスの位置で反射されるので、入射光はこのブラック
マトリックスと対向して配設されたスイッチング素子上
には入射できず、その素子は普通は光感応性である。前
記金属パターンは液晶材料の層内への所望しない反射を
防止するために酸化クロムの層により被覆されるので、
一層良いコントラストが得られる。
【０００５】そのような２層のブラックマトリックスパ
ターンの構造の欠点は、このパターンが比較的厚く（約
0.5 μm ）なり、それが後の段階で与えられ得る電極の
少ないステップ達成度 (step coverage)へ導くことであ
る。色フィルタ、配向層又は保護層の配設も大きい厚さ
の場合には問題を生じる。
ターンの構造の欠点は、このパターンが比較的厚く（約
0.5 μm ）なり、それが後の段階で与えられ得る電極の
少ないステップ達成度 (step coverage)へ導くことであ
る。色フィルタ、配向層又は保護層の配設も大きい厚さ
の場合には問題を生じる。
【０００６】その上、金属パターン上に設けられた酸化
クロムの層が約10％の反射力を有するので、内部反射の
全部の結果が除去されるとは限らない。特に投影表示装
置での使用の場合には、例えば漏洩電流が生じるほどの
光の量が、スイッチング素子上に入射し得る。コントラ
ストも内部反射により有害に影響され得る。
クロムの層が約10％の反射力を有するので、内部反射の
全部の結果が除去されるとは限らない。特に投影表示装
置での使用の場合には、例えば漏洩電流が生じるほどの
光の量が、スイッチング素子上に入射し得る。コントラ
ストも内部反射により有害に影響され得る。
【０００７】それに加えて、特に酸化クロムがリアクテ
ィブスパッタリングによって設けられるので、そのよう
な二重層の製造に問題が生じる。非常に正確な工程制御
無しでは、ブラックと異なる色を有する範囲が酸化クロ
ムの層内に作り出される（褪色）。
ィブスパッタリングによって設けられるので、そのよう
な二重層の製造に問題が生じる。非常に正確な工程制御
無しでは、ブラックと異なる色を有する範囲が酸化クロ
ムの層内に作り出される（褪色）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述の問題が大幅に低
減もしくは除去される冒頭部分に記載した種類の表示装
置を提供することが、特に本発明の目的である。
減もしくは除去される冒頭部分に記載した種類の表示装
置を提供することが、特に本発明の目的である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的のために本発明
による表示装置は、金属パターンが少なくとも支持板か
ら離れた側に多孔質補助層を有することを特徴としてい
る。
による表示装置は、金属パターンが少なくとも支持板か
ら離れた側に多孔質補助層を有することを特徴としてい
る。
【００１０】多孔質補助層に入射する光は金属パターン
の反射力が５％以下（約２〜３％）の値に低減されるよ
うに吸収される。まだ生じる反射は実質的に完全に鏡の
ようであるから、スイッチング素子の付近に向かう散乱
は存在しない。この目的のためにその金属層は好適に少
なくとも50％の多孔性を有する。この方法において内部
反射による有害な影響は大幅に低減される。
の反射力が５％以下（約２〜３％）の値に低減されるよ
うに吸収される。まだ生じる反射は実質的に完全に鏡の
ようであるから、スイッチング素子の付近に向かう散乱
は存在しない。この目的のためにその金属層は好適に少
なくとも50％の多孔性を有する。この方法において内部
反射による有害な影響は大幅に低減される。
【００１１】以下に説明するように、多孔質補助層はス
パッタリング処理によって得ることができる。この補助
層が設けられた後に、使用された金属に適した標準湿式
化学腐食液でスパッタリングされた金属をエッチングす
るか、又は例えば酸素プラズマ内で補助層を酸化するこ
とにより、反射力は更に一層低減され得る。この点につ
いて、例えばクロム、タングステン、モリブデン及びタ
ンタルのような特に高融点金属が非常に適している。
パッタリング処理によって得ることができる。この補助
層が設けられた後に、使用された金属に適した標準湿式
化学腐食液でスパッタリングされた金属をエッチングす
るか、又は例えば酸素プラズマ内で補助層を酸化するこ
とにより、反射力は更に一層低減され得る。この点につ
いて、例えばクロム、タングステン、モリブデン及びタ
ンタルのような特に高融点金属が非常に適している。
【００１２】この方法で設けられた金属パターンは非常
に薄く (0.2 〜0.3 μm)てもよいので、前述のステップ
達成度問題は大部分は防止される。１個または複数のそ
のような補助層を有する金属トラックの導電度は非常に
充分なままであるから、ブラックマトリックス以外の導
電性部分も、（光感応）トランジスタ又はその他のスイ
ッチング素子を普通は部分的に覆う接続導体のような金
属パターンによって実現され得るので、内部反射の影響
もこれらの範囲においては防止される。
に薄く (0.2 〜0.3 μm)てもよいので、前述のステップ
達成度問題は大部分は防止される。１個または複数のそ
のような補助層を有する金属トラックの導電度は非常に
充分なままであるから、ブラックマトリックス以外の導
電性部分も、（光感応）トランジスタ又はその他のスイ
ッチング素子を普通は部分的に覆う接続導体のような金
属パターンによって実現され得るので、内部反射の影響
もこれらの範囲においては防止される。
【００１３】本発明による金属パターンを設ける方法
は、（高融点）金属がスパッタリングによって堆積さ
れ、且つスパッタリング圧力が前記多孔質上層を与える
間増大され、その後その多孔質上層がスパッタリングの
後にエッチング（と酸化との双方又はいずれか一方）さ
れることを特徴としている。
は、（高融点）金属がスパッタリングによって堆積さ
れ、且つスパッタリング圧力が前記多孔質上層を与える
間増大され、その後その多孔質上層がスパッタリングの
後にエッチング（と酸化との双方又はいずれか一方）さ
れることを特徴としている。
【００１４】（スパッタリング圧力、エッチング期間と
酸化時間との双方又はいずれか一方のような）非常に精
密とは限らないパラメータが、この処理の間に変えられ
るから、この方法は非常に柔軟である。スパッタリング
（酸素内でのリアクティブスパッタリング）によった酸
化クロムの層の設置はもっと非常に複雑な工程制御を必
要とする。
酸化時間との双方又はいずれか一方のような）非常に精
密とは限らないパラメータが、この処理の間に変えられ
るから、この方法は非常に柔軟である。スパッタリング
（酸素内でのリアクティブスパッタリング）によった酸
化クロムの層の設置はもっと非常に複雑な工程制御を必
要とする。
【００１５】
【実施例】これらの及びその他の本発明の態様が以下に
説明する一実施例から明らかになると共に、以下に説明
する一実施例を参照して説明されるであろう。
説明する一実施例から明らかになると共に、以下に説明
する一実施例を参照して説明されるであろう。
【００１６】図１は本発明による表示装置の一部の図式
的断面図である。この装置は間に例えばねじれネマティ
ック液晶材料４が存在するガラス又は石英の２個の透明
支持板２及び３を有する液晶表示装置１である。酸化イ
ンジウム錫又はその他の導電性透明材料でできた複数の
画像電極６がその支持板２上の行と列とに配設されてい
る。対向する画像電極と一緒にこの表示装置の画素を規
定している例えば酸化インジウム錫でできた透明反対電
極７が他方の支持板３上に存在している。画素の画像電
極６は、スイッチ９、本実施例では薄膜トランジスタを
介して、列電極（図示せず）へ接続されている。この目
的のために、その薄膜トランジスタは画像電極６とも接
触する接触導体12によって絶縁層11内の接触開口10を介
して接触される。薄膜トランジスタは電極13、例えば行
電極へ統合され得るゲート電極により下側で接触されて
いる。（画像電極、スイッチング素子その他を含む）支
持板の内側面は一般に知られた方法で配向層５を設けら
れる。この表示装置は透過形または反射形装置として実
現され得て、且つ例えば、偏光子を設けられてもよい。
的断面図である。この装置は間に例えばねじれネマティ
ック液晶材料４が存在するガラス又は石英の２個の透明
支持板２及び３を有する液晶表示装置１である。酸化イ
ンジウム錫又はその他の導電性透明材料でできた複数の
画像電極６がその支持板２上の行と列とに配設されてい
る。対向する画像電極と一緒にこの表示装置の画素を規
定している例えば酸化インジウム錫でできた透明反対電
極７が他方の支持板３上に存在している。画素の画像電
極６は、スイッチ９、本実施例では薄膜トランジスタを
介して、列電極（図示せず）へ接続されている。この目
的のために、その薄膜トランジスタは画像電極６とも接
触する接触導体12によって絶縁層11内の接触開口10を介
して接触される。薄膜トランジスタは電極13、例えば行
電極へ統合され得るゲート電極により下側で接触されて
いる。（画像電極、スイッチング素子その他を含む）支
持板の内側面は一般に知られた方法で配向層５を設けら
れる。この表示装置は透過形または反射形装置として実
現され得て、且つ例えば、偏光子を設けられてもよい。
【００１７】色フィルタも支持板３上に存在しても良
い。関連する図面は投影目的のための単色表示装置を示
している。そのような装置では、支持板の平面に垂直に
できるだけ平行な（多分レンズのシステムによる）光の
ビームを放射する光源14が用いられる。その光はその時
支持板３の内側に設けられたブラックマトリックス16に
より、画素の間で阻止され、そのマトリックスは関連す
る態様においては光源14の側で反射している。画素間で
は光が伝達されず、且つ従ってブラックマトリックスに
対向する支持板２上に置かれた可能な光感応素子は入射
光に対して防護されて、一方画素間でより少ししか規定
されていない状態は見ることができず、それがコントラ
スト上昇効果である。
い。関連する図面は投影目的のための単色表示装置を示
している。そのような装置では、支持板の平面に垂直に
できるだけ平行な（多分レンズのシステムによる）光の
ビームを放射する光源14が用いられる。その光はその時
支持板３の内側に設けられたブラックマトリックス16に
より、画素の間で阻止され、そのマトリックスは関連す
る態様においては光源14の側で反射している。画素間で
は光が伝達されず、且つ従ってブラックマトリックスに
対向する支持板２上に置かれた可能な光感応素子は入射
光に対して防護されて、一方画素間でより少ししか規定
されていない状態は見ることができず、それがコントラ
スト上昇効果である。
【００１８】しかしながら、実際には光は（ほぼ15度の
頂角を有する）少しだけ発散するビームとして放射され
る。これは矢印15によって図１に図式的に示してある。
このことは光透過性画素の位置において通過し、且つ矢
印17により表される光路を追従する光がガラスと空気の
境界で部分的に反射されることを意味する。この部分的
に反射された光（矢印17′）が続いて支持板３から離れ
たブラックマトリックスの側に入射し得て、且つ特別の
手段無しにその光がこのブラックマトリックスの反射に
よって光感応スイッチ９上に入射し得る（矢印17″）。
極端な場合には光源14により放射された光がこのスイッ
チング素子上へ直接入射さえし得る（矢印18）。この点
において、中間層５、６、７及び11上の反射の影響は明
確化のために考慮しなかったことは注意されるべきであ
る。
頂角を有する）少しだけ発散するビームとして放射され
る。これは矢印15によって図１に図式的に示してある。
このことは光透過性画素の位置において通過し、且つ矢
印17により表される光路を追従する光がガラスと空気の
境界で部分的に反射されることを意味する。この部分的
に反射された光（矢印17′）が続いて支持板３から離れ
たブラックマトリックスの側に入射し得て、且つ特別の
手段無しにその光がこのブラックマトリックスの反射に
よって光感応スイッチ９上に入射し得る（矢印17″）。
極端な場合には光源14により放射された光がこのスイッ
チング素子上へ直接入射さえし得る（矢印18）。この点
において、中間層５、６、７及び11上の反射の影響は明
確化のために考慮しなかったことは注意されるべきであ
る。
【００１９】本発明によると、ブラックマトリックスが
支持板３から離れた側に多孔質補助層を形成される金属
層を設けることにより、支持板３から離れた側でのブラ
ックマトリックス16による光反射は防止される。このこ
とはそのようなブラックマトリックス16の一部の断面を
示している図２に更に図解されており、ブラックマトリ
ックス16は例えばクロムでできた第１補助層16a と、こ
れもクロムでできた第２多孔質補助層16b とを具えてい
る。この多孔質補助層は５％以下の反射力を有するの
で、光感応スイッチング素子へ向かう反射はほとんど生
じない。直接入射する可能な反射は、これも補助層の組
立品のような金属被覆パターン12を実現することにより
吸収され得る。ゲート電極に対する金属被覆13も二重層
のように形成され得て、且つ光遮蔽を構成する。スイッ
チング素子９がそれらの下側で接触しない場合でさえ
も、支持板２上に光遮蔽を設けることは有利である。受
動的表示装置（スイッチング素子無しの）においても、
前述のようなブラックマトリックスはコントラストの増
強に対して寄与し得る。
支持板３から離れた側に多孔質補助層を形成される金属
層を設けることにより、支持板３から離れた側でのブラ
ックマトリックス16による光反射は防止される。このこ
とはそのようなブラックマトリックス16の一部の断面を
示している図２に更に図解されており、ブラックマトリ
ックス16は例えばクロムでできた第１補助層16a と、こ
れもクロムでできた第２多孔質補助層16b とを具えてい
る。この多孔質補助層は５％以下の反射力を有するの
で、光感応スイッチング素子へ向かう反射はほとんど生
じない。直接入射する可能な反射は、これも補助層の組
立品のような金属被覆パターン12を実現することにより
吸収され得る。ゲート電極に対する金属被覆13も二重層
のように形成され得て、且つ光遮蔽を構成する。スイッ
チング素子９がそれらの下側で接触しない場合でさえ
も、支持板２上に光遮蔽を設けることは有利である。受
動的表示装置（スイッチング素子無しの）においても、
前述のようなブラックマトリックスはコントラストの増
強に対して寄与し得る。
【００２０】前述のように、ブラックマトリックスはこ
れもクロムでできた第２多孔質補助層16b を設けられた
クロムでできた第１補助層16a を具えている。第１補助
層は100ナノメータの厚さを有し、一方第２補助層の厚
さは 150ナノメータである。そのような厚さにおいて
は、いかなるステップ達成度問題も起こらないか又はほ
とんど起こらない。前記の５％以下の反射係数は50％以
上の第２補助層の多孔性において得ることができる。ク
ロムに代えて、タングステン、モリブデン又はタンタル
のようなその他の（高融点）金属が代わりに選択されて
もよい。
れもクロムでできた第２多孔質補助層16b を設けられた
クロムでできた第１補助層16a を具えている。第１補助
層は100ナノメータの厚さを有し、一方第２補助層の厚
さは 150ナノメータである。そのような厚さにおいて
は、いかなるステップ達成度問題も起こらないか又はほ
とんど起こらない。前記の５％以下の反射係数は50％以
上の第２補助層の多孔性において得ることができる。ク
ロムに代えて、タングステン、モリブデン又はタンタル
のようなその他の（高融点）金属が代わりに選択されて
もよい。
【００２１】一方側で光入射を反射し、且つ他方側で光
入射をほぼ完全に吸収するそのような金属パターンは以
下のようにして製造することができる。
入射をほぼ完全に吸収するそのような金属パターンは以
下のようにして製造することができる。
【００２２】その層での機械的応力が少しだけ圧縮性の
ようなスパッタリングガス圧において、（画像電極とス
イッチング素子との双方又はいずれか一方をすでに設け
られていてもよい）ガラス支持板３上にアルゴン環境で
クロムがスパッタリングされる。結果としての補助層16
a が形成されるクロムが一緒に堆積される。続いて、ス
パッタリングガス圧が（約10の倍率で）大幅に増大され
る。それにより形成される補助層の合成列は、その時補
助層16b が高多孔性を有するように離間される（図
２）。続いて、金属層16が所望のパターンにエッチング
される。
ようなスパッタリングガス圧において、（画像電極とス
イッチング素子との双方又はいずれか一方をすでに設け
られていてもよい）ガラス支持板３上にアルゴン環境で
クロムがスパッタリングされる。結果としての補助層16
a が形成されるクロムが一緒に堆積される。続いて、ス
パッタリングガス圧が（約10の倍率で）大幅に増大され
る。それにより形成される補助層の合成列は、その時補
助層16b が高多孔性を有するように離間される（図
２）。続いて、金属層16が所望のパターンにエッチング
される。
【００２３】補助層16b の多孔性は標準湿式化学エッチ
ングバス内でエッチングすることにより増大され得る。
光吸収力は、例えば酸素プラズマ内で多孔質補助層を酸
化することにより更に増大することができ、エッチング
はその時廃止されてもよい。
ングバス内でエッチングすることにより増大され得る。
光吸収力は、例えば酸素プラズマ内で多孔質補助層を酸
化することにより更に増大することができ、エッチング
はその時廃止されてもよい。
【００２４】勿論本発明はこの記載された実施例に制限
されるものではなく、幾つかの変形が可能である。例え
ば、図１のブラックマトリックス16は代わりに電極７上
に設けられてもよい。金属層16（12, 13）は異なる多孔
性あるいは徐々に増大する多孔性を有する特別補助層を
具えてもよい。
されるものではなく、幾つかの変形が可能である。例え
ば、図１のブラックマトリックス16は代わりに電極７上
に設けられてもよい。金属層16（12, 13）は異なる多孔
性あるいは徐々に増大する多孔性を有する特別補助層を
具えてもよい。
【図１】本発明による表示装置の一部の図式的断面図で
ある。
ある。
【図２】金属パターンの可能な実施の図式的断面図であ
る。
る。
１ 液晶表示装置 ２，３ 透明支持板 ４ ねじれネマチック液晶材料 ５ 配向層 ６ 画像電極 ７ 透明反対電極 ９ スイッチング素子 10 接触開口 11 絶縁層 12 接触導体 13 電極 14 光源 15 矢印 16 ブラックマトリックス 16a 第１補助層 16b 第２多孔質補助層 17，17′, 17″，18 矢印
フロントページの続き (72)発明者 ヴィレム ヴァルレブ オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ１
Claims (10)
- 【請求項１】 二つの支持板の間に光電表示媒体を具え
ている表示装置であって、少なくとも一方の支持板は画
像電極と該支持板に対向する側に光反射性の金属パター
ンとを設けられている表示装置において、 前記金属パターンが少なくとも前記支持板から離れた側
に多孔質補助層を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記多孔質補助層が酸化金属を具えてい
ることを特徴とする請求項１記載の表示装置。 - 【請求項３】 入射光に対する前記金属パターンの反射
係数が前記支持板から離れた側では多くても５％である
ことを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記多孔質補助層の多孔度は少なくとも
50％であることを特徴とする請求項１又は２記載の表示
装置。 - 【請求項５】 前記金属パターンがクロム、タングステ
ン、モリブデン又はタンタルのうちの一つを具えている
ことを特徴とする前記請求項のいずれか１項記載の表示
装置。 - 【請求項６】 前記金属パターンがブラックマトリック
スを構成することを特徴とする前記請求項のいずれか１
項記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記支持板に対して垂直に見た前記ブラ
ックマトリックスがスイッチング素子の位置に存在する
ことを特徴とする請求項６記載の表示装置。 - 【請求項８】 前記金属パターンがスイッチング素子又
は画像素子の接続金属被覆を具えていることを特徴とす
る請求項１〜５のいずれか１項記載の表示装置。 - 【請求項９】 支持板に該支持板と対向する側で光反射
性であり且つ他方側で光吸収性である多孔質上層を有す
る金属パターンを設ける方法において、 前記金属がスパッタリングによって堆積され且つスパッ
タリング圧力が前記多孔質上層を与える間増大され、そ
の多孔質上層がスパッタリングの後にエッチングされる
ことを特徴とする金属パターンを設ける方法。 - 【請求項１０】 支持板に該支持板と対向する側で光反
射性であり且つ他方側で光吸収性である多孔質上層を有
する金属パターンを設ける方法において、 前記金属がスパッタリングによって堆積され且つスパッ
タリング圧力が前記多孔質上層を与える間増大され、そ
の多孔質上層がスパッタリングの後に酸化されることを
特徴とする金属パターンを設ける方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL92202711:5 | 1992-09-08 | ||
| EP92202711 | 1992-09-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06175145A true JPH06175145A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=8210898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5221272A Ceased JPH06175145A (ja) | 1992-09-08 | 1993-09-06 | 表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5592316A (ja) |
| JP (1) | JPH06175145A (ja) |
| DE (1) | DE69307808T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6596187B2 (en) * | 2001-08-29 | 2003-07-22 | Motorola, Inc. | Method of forming a nano-supported sponge catalyst on a substrate for nanotube growth |
| US7576915B2 (en) * | 2003-12-17 | 2009-08-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device |
| CN112259583B (zh) * | 2020-10-15 | 2024-04-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 光控显示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5854393B2 (ja) * | 1976-08-31 | 1983-12-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPS6377018A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Fujitsu Ltd | 反射型カラ−液晶パネル |
| DE69010531T2 (de) * | 1989-03-22 | 1995-02-23 | Alcan Int Ltd | Optische Interferenz-Strukturen, die poröse Filme enthalten. |
| JPH02306222A (ja) * | 1989-05-20 | 1990-12-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2666488B2 (ja) * | 1989-09-25 | 1997-10-22 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体及びその製造方法 |
| JPH03256025A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-14 | Toshiba Corp | 液晶パネル |
| KR0161371B1 (ko) * | 1991-04-30 | 1999-01-15 | 강진구 | 액정 라이트 밸브와 그 제조 방법 |
-
1993
- 1993-09-01 DE DE69307808T patent/DE69307808T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-02 US US08/116,381 patent/US5592316A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-06 JP JP5221272A patent/JPH06175145A/ja not_active Ceased
-
1996
- 1996-06-11 US US08/661,515 patent/US5689319A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69307808D1 (de) | 1997-03-13 |
| US5592316A (en) | 1997-01-07 |
| DE69307808T2 (de) | 1997-07-24 |
| US5689319A (en) | 1997-11-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045 Effective date: 20040427 |