JPH06177264A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06177264A JPH06177264A JP32344092A JP32344092A JPH06177264A JP H06177264 A JPH06177264 A JP H06177264A JP 32344092 A JP32344092 A JP 32344092A JP 32344092 A JP32344092 A JP 32344092A JP H06177264 A JPH06177264 A JP H06177264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- contact hole
- etching
- semiconductor device
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 垂直段差の厳しいコンタクト穴を形成する場
合に、配線層のコンタクト穴側壁部での断線を防止する
ことにより、素子性能の向上を図る。 【構成】 コンタクト穴を開孔すべき部分以外の部分に
レジスト４を形成し、配線層６が露出する程度まで、等
方性エッチングにより第１の絶縁膜をエッチングする。
続いて該レジストを除去し、全面に第２の絶縁膜を形成
して露出した配線層を完全に覆う。この後、レジスト４
を形成し、異方性エッチングにより完全に絶縁膜をエッ
チングし、コンタクト穴９を形成する。
合に、配線層のコンタクト穴側壁部での断線を防止する
ことにより、素子性能の向上を図る。 【構成】 コンタクト穴を開孔すべき部分以外の部分に
レジスト４を形成し、配線層６が露出する程度まで、等
方性エッチングにより第１の絶縁膜をエッチングする。
続いて該レジストを除去し、全面に第２の絶縁膜を形成
して露出した配線層を完全に覆う。この後、レジスト４
を形成し、異方性エッチングにより完全に絶縁膜をエッ
チングし、コンタクト穴９を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特にコンタクト穴を形成する方法に関するもの
である。
に関し、特にコンタクト穴を形成する方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造方法におい
ては、図３（ａ）に示すように、まず、Ｐ型基板１の上
に形成されたＮ+ 拡散層２上の層間絶縁膜３上に、耐エ
ッチング性膜（レジスト）４をコンタクト穴７を開孔す
べき部分以外に形成する。そして、図３（ｂ）に示すよ
うに、等方性エッチングにより層間絶縁膜３を１／４程
度エッチングする。この後、異方性エッチングにより層
間絶縁膜３を完全にエッチングし、コンタクト穴９を形
成する。この後、前記耐エッチング性膜４を除去し、図
３（ｃ）に示すように、アルミの配線層１０を形成する
ものであった。
ては、図３（ａ）に示すように、まず、Ｐ型基板１の上
に形成されたＮ+ 拡散層２上の層間絶縁膜３上に、耐エ
ッチング性膜（レジスト）４をコンタクト穴７を開孔す
べき部分以外に形成する。そして、図３（ｂ）に示すよ
うに、等方性エッチングにより層間絶縁膜３を１／４程
度エッチングする。この後、異方性エッチングにより層
間絶縁膜３を完全にエッチングし、コンタクト穴９を形
成する。この後、前記耐エッチング性膜４を除去し、図
３（ｃ）に示すように、アルミの配線層１０を形成する
ものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うなエッチングによって形成されたコンタクト穴は、図
３に示すように、Ｎ+ 拡散層２上のコンタクト穴９に隣
接して他の配線層５，６が存在した場合には、コンタク
ト穴９が深くなり、段差の厳しい形状となる。このた
め、コンタクト穴９にアルミ配線１０を形成する際に、
カバレッジが悪く、コンタクト穴９側壁部において断線
が生じる可能性があった。
うなエッチングによって形成されたコンタクト穴は、図
３に示すように、Ｎ+ 拡散層２上のコンタクト穴９に隣
接して他の配線層５，６が存在した場合には、コンタク
ト穴９が深くなり、段差の厳しい形状となる。このた
め、コンタクト穴９にアルミ配線１０を形成する際に、
カバレッジが悪く、コンタクト穴９側壁部において断線
が生じる可能性があった。
【０００４】また、これを解決するためには、図４で示
したように、他の配線層６とコンタクト穴の距離を増加
させることにより、等方性エッチング量を増加させ、異
方性エッチングによって形成される垂直段差を軽減する
方法がある。
したように、他の配線層６とコンタクト穴の距離を増加
させることにより、等方性エッチング量を増加させ、異
方性エッチングによって形成される垂直段差を軽減する
方法がある。
【０００５】しかし、上記したような従来の方法による
と、他の配線層６をずらした分だけ面積が増え、集積度
が低下するといった欠点があった。
と、他の配線層６をずらした分だけ面積が増え、集積度
が低下するといった欠点があった。
【０００６】本発明の課題は、垂直段差の厳しいコンタ
クト穴を形成する場合に、配線層のコンタクト穴側壁部
での断線を防止することにより、素子性能の向上を図る
ことのできる半導体装置のコンタクト穴形成方法を提供
することにある。
クト穴を形成する場合に、配線層のコンタクト穴側壁部
での断線を防止することにより、素子性能の向上を図る
ことのできる半導体装置のコンタクト穴形成方法を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板上に複数の導電層が各々絶縁膜を介して形成された
半導体装置の製造方法において、第１の絶縁膜上にコン
タクト穴を開孔すべき部分以外に第１の耐エッチング性
膜を形成する工程と、等方性エッチングにより第１の絶
縁膜を途中までエッチングする工程と、前記第１の耐エ
ッチング性膜を除去する工程と、前記第１の絶縁膜上に
第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜上に
前記コンタクト穴を開孔すべき部分以外に第２の耐エッ
チング性膜を形成する工程と、異方性エッチングにより
第１および第２の絶縁膜をエッチングして前記コンタク
ト穴を形成する工程とを有することを特徴とする半導体
装置の製造方法が得られる。
基板上に複数の導電層が各々絶縁膜を介して形成された
半導体装置の製造方法において、第１の絶縁膜上にコン
タクト穴を開孔すべき部分以外に第１の耐エッチング性
膜を形成する工程と、等方性エッチングにより第１の絶
縁膜を途中までエッチングする工程と、前記第１の耐エ
ッチング性膜を除去する工程と、前記第１の絶縁膜上に
第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜上に
前記コンタクト穴を開孔すべき部分以外に第２の耐エッ
チング性膜を形成する工程と、異方性エッチングにより
第１および第２の絶縁膜をエッチングして前記コンタク
ト穴を形成する工程とを有することを特徴とする半導体
装置の製造方法が得られる。
【０００８】また、本発明によれば、半導体基板上に複
数の導電層が各々絶縁膜を介して形成され、かつ、並列
に設けられた異なる深さのコンタクト穴を有する半導体
装置の製造方法において、第１の絶縁膜上にコンタクト
穴を開孔すべき部分以外に第１の耐エッチング性膜を形
成し、等方性エッチングにより深い方のコンタクト穴を
形成すべき部分の第１の絶縁膜を途中までエッチングし
た後、第２の絶縁膜を全面に形成し、次に、異方性エッ
チングにより全てのコンタクト穴を同時に開孔すること
を特徴とする半導体装置の製造方法が得られる。
数の導電層が各々絶縁膜を介して形成され、かつ、並列
に設けられた異なる深さのコンタクト穴を有する半導体
装置の製造方法において、第１の絶縁膜上にコンタクト
穴を開孔すべき部分以外に第１の耐エッチング性膜を形
成し、等方性エッチングにより深い方のコンタクト穴を
形成すべき部分の第１の絶縁膜を途中までエッチングし
た後、第２の絶縁膜を全面に形成し、次に、異方性エッ
チングにより全てのコンタクト穴を同時に開孔すること
を特徴とする半導体装置の製造方法が得られる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基いて詳細に
説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施
例の工程を説明するための半導体装置の断面図である。
図１（ａ）に示すように、Ｐ型基板１上にＮ型拡散層２
を形成し、続いて絶縁膜を形成し、順次、多結晶シリコ
ンあるいは高融点金属などから構成される配線層５，６
を形成する。次に、絶縁膜を成長させて第１の絶縁膜３
を１．０μｍの厚さにする。次に、第１の絶縁膜３上に
コンタクト穴を開孔すべき部分以外にレジスト４を形成
する。続いて、等方性エッチングにより、第１の絶縁膜
３を４０００オングストローム程度エッチングする。こ
の際、多の配線層６が露出する程度にオーバーエッチし
てもよい。
説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施
例の工程を説明するための半導体装置の断面図である。
図１（ａ）に示すように、Ｐ型基板１上にＮ型拡散層２
を形成し、続いて絶縁膜を形成し、順次、多結晶シリコ
ンあるいは高融点金属などから構成される配線層５，６
を形成する。次に、絶縁膜を成長させて第１の絶縁膜３
を１．０μｍの厚さにする。次に、第１の絶縁膜３上に
コンタクト穴を開孔すべき部分以外にレジスト４を形成
する。続いて、等方性エッチングにより、第１の絶縁膜
３を４０００オングストローム程度エッチングする。こ
の際、多の配線層６が露出する程度にオーバーエッチし
てもよい。
【００１０】この後、レジスト４を除去し、図１（ｂ）
に示すように、全面にＣＶＤ法により第２の絶縁膜８を
２０００オングストロームの厚さに形成する。次に、図
１（ｃ）に示すように、前記第２の絶縁膜８上にコンタ
クト穴を開孔すべき部分以外にレジスト４を形成し、異
方性エッチングにより絶縁膜３，８を完全にエッチング
し、コンタクト穴９を形成する。そして、最後に、図１
（ｄ）に示すように、前記レジスト４を除去し、アルミ
配線１０を例えば１．０μｍの厚さに形成する。
に示すように、全面にＣＶＤ法により第２の絶縁膜８を
２０００オングストロームの厚さに形成する。次に、図
１（ｃ）に示すように、前記第２の絶縁膜８上にコンタ
クト穴を開孔すべき部分以外にレジスト４を形成し、異
方性エッチングにより絶縁膜３，８を完全にエッチング
し、コンタクト穴９を形成する。そして、最後に、図１
（ｄ）に示すように、前記レジスト４を除去し、アルミ
配線１０を例えば１．０μｍの厚さに形成する。
【００１１】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。即ち、図２に示すように、深さの異なるコンタク
ト穴を並列して形成する場合について説明する。
する。即ち、図２に示すように、深さの異なるコンタク
ト穴を並列して形成する場合について説明する。
【００１２】先ず、上記した第１の実施例に従い、図２
（ａ）に示すように、深いコンタクト穴（図２（ｂ）に
おいて左側のもの）を形成すべき部分のみを等方性エッ
チングにより、第１の絶縁膜３を４０００オングストロ
ーム程度エッチングした後、第２の絶縁膜８を全面に形
成する。この後、異方性エッチングにより、深いコンタ
クト穴および浅いコンタクト穴を同時に開孔する。そし
て、最後に、図２（ｂ）に示すように、アルミ配線層１
０を形成する。
（ａ）に示すように、深いコンタクト穴（図２（ｂ）に
おいて左側のもの）を形成すべき部分のみを等方性エッ
チングにより、第１の絶縁膜３を４０００オングストロ
ーム程度エッチングした後、第２の絶縁膜８を全面に形
成する。この後、異方性エッチングにより、深いコンタ
クト穴および浅いコンタクト穴を同時に開孔する。そし
て、最後に、図２（ｂ）に示すように、アルミ配線層１
０を形成する。
【００１３】この第２の実施例によれば、浅い方のコン
タクト穴下の配線層は、余分なエッチングにさらされる
ことがなくなり、突き抜け等が発生するといったいった
ことがない。
タクト穴下の配線層は、余分なエッチングにさらされる
ことがなくなり、突き抜け等が発生するといったいった
ことがない。
【００１４】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、垂直
方向の段差の激しいコンタクト穴を形成する際に、コン
タクト穴に隣接した配線層が露出する程度まで等方性エ
ッチング量を増加させ、更に、全面に絶縁膜を形成した
後、異方性エッチングを行うので、隣接する配線層とア
ルミ配線がショートすることがなく、コンタクト穴の垂
直段差が緩和され、コンタクト穴部でのアルミ配線の断
線を有効に防止することが可能となる。さらに、本発明
によれば、等方性エッチングを増加させるため、コンタ
クト穴に隣接した配線層をコンタクト穴からずらす必要
がなくなり、集積度の低下を防止することができる。こ
のように、本発明によれば、半導体装置の性能の向上を
大幅に図ることができることとなった。
方向の段差の激しいコンタクト穴を形成する際に、コン
タクト穴に隣接した配線層が露出する程度まで等方性エ
ッチング量を増加させ、更に、全面に絶縁膜を形成した
後、異方性エッチングを行うので、隣接する配線層とア
ルミ配線がショートすることがなく、コンタクト穴の垂
直段差が緩和され、コンタクト穴部でのアルミ配線の断
線を有効に防止することが可能となる。さらに、本発明
によれば、等方性エッチングを増加させるため、コンタ
クト穴に隣接した配線層をコンタクト穴からずらす必要
がなくなり、集積度の低下を防止することができる。こ
のように、本発明によれば、半導体装置の性能の向上を
大幅に図ることができることとなった。
【図１】（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第１の実施例の工
程を説明するための半導体装置の断面図である。
程を説明するための半導体装置の断面図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は本発明の第２の実施例の
工程を説明するための半導体装置の断面図である。
工程を説明するための半導体装置の断面図である。
【図３】（ａ）乃至（ｃ）は従来の半導体装置の製造方
法の工程を説明するための半導体装置の断面図である。
法の工程を説明するための半導体装置の断面図である。
【図４】従来の他の半導体装置の製造方法の工程を説明
するための半導体装置の断面図である。
するための半導体装置の断面図である。
１…Ｐ型半導体基板 ２…Ｎ+ 拡散層 ３…第１の絶縁膜 ４…レジスト ５…配線層 ６…配線層 ７…コンタクト穴 ８…第２の絶縁膜 ９…コンタクト穴 １０…アルミ配線層
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に複数の導電層が各々絶縁膜
を介して形成された半導体装置の製造方法において、第
１の絶縁膜上にコンタクト穴を開孔すべき部分以外に第
１の耐エッチング性膜を形成する工程と、等方性エッチ
ングにより第１の絶縁膜を途中までエッチングする工程
と、前記第１の耐エッチング性膜を除去する工程と、前
記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前
記第２の絶縁膜上に前記コンタクト穴を開孔すべき部分
以外に第２の耐エッチング性膜を形成する工程と、異方
性エッチングにより第１および第２の絶縁膜をエッチン
グして前記コンタクト穴を形成する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】半導体基板上に複数の導電層が各々絶縁膜
を介して形成され、かつ、並列に設けられた異なる深さ
のコンタクト穴を有する半導体装置の製造方法におい
て、第１の絶縁膜上にコンタクト穴を開孔すべき部分以
外に第１の耐エッチング性膜を形成し、等方性エッチン
グにより深い方のコンタクト穴を形成すべき部分の第１
の絶縁膜を途中までエッチングした後、第２の絶縁膜を
全面に形成し、次に、異方性エッチングにより全てのコ
ンタクト穴を同時に開孔することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32344092A JP2914416B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32344092A JP2914416B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177264A true JPH06177264A (ja) | 1994-06-24 |
| JP2914416B2 JP2914416B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=18154696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32344092A Expired - Fee Related JP2914416B2 (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2914416B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1077475A3 (en) * | 1999-08-11 | 2003-04-02 | Applied Materials, Inc. | Method of micromachining a multi-part cavity |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP32344092A patent/JP2914416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1077475A3 (en) * | 1999-08-11 | 2003-04-02 | Applied Materials, Inc. | Method of micromachining a multi-part cavity |
| US6827869B2 (en) | 1999-08-11 | 2004-12-07 | Dragan Podlesnik | Method of micromachining a multi-part cavity |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2914416B2 (ja) | 1999-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5294296A (en) | Method for manufacturing a contact hole of a semiconductor device | |
| JP3214475B2 (ja) | デュアルダマシン配線の形成方法 | |
| JP2720796B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5490901A (en) | Method for forming a contact hole in a semiconductor device | |
| KR100374455B1 (ko) | 평면 트렌치의 제조 방법 | |
| JP2519217B2 (ja) | 相互接続導体を形成する方法 | |
| JP2914416B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6599825B2 (en) | Method for forming wiring in semiconductor device | |
| JP3065395B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR0120568B1 (ko) | 반도체 소자의 접속장치 및 그 제조방법 | |
| KR100278274B1 (ko) | 반도체장치의스택콘택형성방법 | |
| US5817570A (en) | Semiconductor structure for an MOS transistor and method for fabricating the semiconductor structure | |
| JPH05226475A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100360152B1 (ko) | 배선 형성 방법 | |
| JPH08330252A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100271660B1 (ko) | 반도체소자의 층간절연막 형성방법 | |
| KR100200498B1 (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 및 그 형성방법 | |
| JP2699454B2 (ja) | メモリ装置の製造方法 | |
| JPS63299142A (ja) | 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法 | |
| JPH05226278A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100532967B1 (ko) | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 | |
| JP2950620B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100304967B1 (ko) | 반도체소자의 배선 및 그의 형성방법 | |
| JPH08153795A (ja) | コンタクト孔の形成方法 | |
| KR100340072B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990317 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080416 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |