JPH06177313A - 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム - Google Patents

半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム

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JPH06177313A
JPH06177313A JP4352052A JP35205292A JPH06177313A JP H06177313 A JPH06177313 A JP H06177313A JP 4352052 A JP4352052 A JP 4352052A JP 35205292 A JP35205292 A JP 35205292A JP H06177313 A JPH06177313 A JP H06177313A
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JP
Japan
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tab
resin
cut
sealed package
raised
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JP4352052A
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Yukihiro Sato
幸弘 佐藤
Toru Nagamine
徹 長峰
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂封止パッケージにおけるクラックの発生
を確実に防止する。 【構成】 QFP・IC29のタブ18に切り起こし部
20を4箇所に形成し、各切り起こし片22を樹脂封止
パッケージ27におけるペレット24と反対側に向けて
切り起こす。 【効果】 樹脂封止パッケージ27の内部において切り
起こし部20が投錨効果を効果的に発揮するため、QF
P・IC29の加熱時にタブ18と樹脂との界面に構成
材料の熱膨張係数差によって作用する剥離力に充分に抗
して剥離を防止し、その剥離によるクラックの発生を防
止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に、樹
脂封止パッケージにおけるクラックの発生防止技術に関
し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備えてい
る半導体集積回路装置(以下、ICという。)に利用し
て有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、高密度実装を実現するための表
面実装形樹脂封止パッケージを備えているICにおいて
は、樹脂封止パッケージが高温度に晒された後、冷却さ
れると、樹脂封止パッケージにタブの裏面を起点とする
クラックが発生するという問題点があることが知られて
いる。そして、クラックが発生する理由は次のように考
えられている。
【0003】すなわち、シリコン等のペレットを形成し
ている材料と、リードフレームを形成している42アロ
イや銅と、パッケージを形成している樹脂との熱膨張係
数は大きく異なる。そこで、表面実装形樹脂封止パッケ
ージICが温度サイクル試験や熱衝撃試験等で、また、
実装時におけるはんだディップ工程やリフローはんだ工
程等で加熱されることにより、樹脂封止パッケージの樹
脂とペレットおよびタブとの接着界面に剥がれが発生す
るとともに、樹脂パッケージにタブの裏面を起点とする
クラックが発生する。
【0004】そこで、従来、この問題点を解決するため
の表面実装形樹脂封止パッケージを備えているICとし
て、タブに円形の小孔を多数個開設したICや、タブに
4本の直線状のスリットを十字形状に開設したICが提
案されている。
【0005】このようにタブに小孔やスリットが開設さ
れたICにおいては、熱ストレスによる繰り返し応力に
より、タブ下面とパッケージの樹脂との界面や、タブと
ペレットとの界面に対してこれらを剥離させようとする
力が作用したとしても、小孔やスリット内に充填されて
いるパッケージの樹脂が投錨効果を発揮することによ
り、その剥離力に対して充分に抗することができるた
め、これら界面における剥離を防止することができる。
そして、剥離が発生しない場合には、樹脂封止パッケー
ジ内部において、タブの裏面における外縁付近に応力が
集中したとしても、そこを起点とするクラックは発生し
ない。
【0006】さらに、タブにスリットが十字形状に開設
されている場合には、タブの横断面積が4ブロックに分
割されることによって各ブロックの横断面積が減少され
ているため、タブの熱膨張による伸び量が縮小されるこ
とになる。その結果、タブの外側縁辺においてタブの金
属とパッケージの樹脂との熱膨張差によって発生する集
中応力の大きさ自体が小さく抑制されるため、万一、剥
離が発生したとしても、樹脂封止パッケージ内部におい
て応力集中箇所を起点とするクラックの発生は防止され
ることになる。
【0007】なお、タブに小孔やスリットが開設されて
いる表面実装形樹脂封止パッケージを備えているICを
述べてある例としては、特開昭59−16357号公
報、特開昭62−115752号公報や、特願昭62−
12833号明細書および図面、がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】最近、高密度実装を実
現し、かつ、アウタリードの本数を増加するための表面
実装形樹脂封止パッケージを備えているICとして、Q
uad Flat Package・IC(以下、QF
P・ICという。)が使用されて来ている。
【0009】このQFP・ICは、半導体ペレット(以
下、ペレットという。)と、ペレットがボンディングさ
れているタブと、ペレットの各ボンディングパッドにボ
ンディングワイヤを介して電気的に接続されている複数
本のリードと、ペレット、タブおよび各リードの一部を
樹脂封止するパッケージとを備えている。また、各リー
ドにおけるアウタ部は樹脂封止パッケージの4辺から水
平面内で直角にそれぞれ突出されているとともに、ガル
・ウイング形状に屈曲されて樹脂封止パッケージの下側
主面の高さ位置に略揃えられている。
【0010】しかしながら、このQFP・ICにおいて
は、前述した従来技術のようにタブに小孔やスリットを
開設しただけでは、樹脂封止パッケージに湿気が吸収さ
れた状況において水蒸気爆発が引き起こされると、樹脂
封止パッケージにおけるクラックの発生を防止すること
ができない場合があるという問題点があることが、本発
明者によって明らかにされた。
【0011】本発明の目的は、樹脂封止パッケージにお
けるクラックの発生を確実に防止することができる半導
体装置を提供することにある。
【0012】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0013】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0014】すなわち、半導体ペレットと、半導体ペレ
ットがボンディングされているタブと、半導体ペレット
の各ボンディングパッドに電気的に接続されている複数
本のリードと、半導体ペレット、タブおよび各リードの
一部を樹脂封止するパッケージとを備えている半導体装
置において、前記タブおよびタブを吊るためのタブ吊り
リードの少なくともいずれか一方に切り起こし部が形成
されているとともに、この切り起こし部の切り抜き孔お
よび切り起こし片が前記樹脂封止パッケージの樹脂によ
って包囲されていることを特徴とする。
【0015】
【作用】前記した手段によれば、熱ストレスによる繰り
返し応力により、タブ下面と樹脂封止パッケージと樹脂
との界面、または、タブとペレットとの界面に対してこ
れらを剥離させようとする力が作用したとしても、切り
起こし部の切り抜き孔の内部に充填されているパッケー
ジの樹脂と、切り起こし部の切り起こし片を包囲してい
るパッケージの樹脂とが投錨効果を発揮することによ
り、その剥離力に対して充分に抗することができるた
め、剥離は確実に防止される。そして、剥離が発生しな
い場合には、パッケージ内部においてタブの裏面におけ
る外縁付近に応力が集中したとしても、そこを起点とす
るクラックは発生しない。
【0016】また、タブに切り起こし部の切り抜き孔が
開設されていることにより、タブの横断面積は切り抜き
孔によって複数ブロックに分割されているため、各ブロ
ックの横断面積は減少されることになる。その結果、タ
ブの熱膨張による伸び量が縮小されることになり、タブ
の外側縁辺においてタブとパッケージ樹脂との熱膨張差
によって発生する集中応力の大きさ自体が小さく抑制さ
れることになる。万一、剥離が発生したとしても、パッ
ケージ内部において応力集中箇所を起点とするクラック
の発生は防止されることになる。
【0017】
【実施例】図1は本発明の一実施例であるQFP・IC
を示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は一部切
断底面図である。図2以降はその製造方法における各工
程を示す各説明図である。
【0018】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、QFP・ICとして構成されている。このQFP
・IC29は、ペレット24と、ペレット24がボンデ
ィングされているタブ18と、ペレット24の各ボンデ
ィングパッド24aにボンディングワイヤ25を介して
電気的に接続されている複数本のリード19と、ペレッ
ト24、タブ18および各リード19の一部を樹脂封止
する樹脂封止パッケージ27とを備えている。そして、
タブ18には切り起こし部20が形成されているととも
に、この切り起こし部20の切り抜き孔21および切り
起こし片22が樹脂封止パッケージ27の樹脂によって
包囲されており、さらに、この切り起こし片22の先端
が樹脂封止パッケージ27におけるペレット24と反対
側に向けて切り起こされている。
【0019】以下、本発明の一実施例であるこのQFP
・ICの製造方法を説明する。この説明によって、QF
P・ICについての前記した構成の詳細が共に明らかに
される。
【0020】本実施例において、QFP・ICの製造方
法には、図2に示されている多連リードフレーム11が
使用されており、この多連リードフレーム11は多連リ
ードフレーム成形工程によって製作されて準備されてい
る。この多連リードフレーム11は、鉄−ニッケル合金
や燐青銅等のような比較的大きい機械的強度を有するば
ね材料からなる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加工
またはエッチング加工等のような適当な手段により一体
成形されている。多連リードフレーム11の表面には銀
(Ag)等を用いためっき処理が、後述するワイヤボン
ディングが適正に実施されるように部分的または全体的
に施されている(図示せず)。この多連リードフレーム
11には複数の単位リードフレーム12が横方向に1列
に並設されている。但し、一単位のみが図示されてい
る。
【0021】単位リードフレーム12は位置決め孔13
aが開設されている外枠13を一対備えており、両外枠
13は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそ
れぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレーム1
2、12間には一対のセクション枠14が両外枠13、
13間に互いに平行に配されて一体的に架設されてお
り、これら外枠、セクション枠により形成される略正方
形の枠体(フレーム)内に単位リードフレーム12が構
成されている。
【0022】各単位リードフレーム12において、外枠
13およびセクション枠14の接続部にはダム吊り部材
15が略直角方向にそれぞれ配されて一体的に突設され
ており、ダム吊り部材15には4本のダム部材16が略
正方形の枠形状になるように配されて、一体的に吊持さ
れている。
【0023】セクション枠14側の各ダム部材16には
タブ吊りリード17がそれぞれの一端に配されて、略4
5度方向に対向して一体的に突設されており、各タブ吊
りリード17の先端には略正方形の平板形状に形成され
たタブ18が、ダム部材16群の枠形状と略同心的に配
されて、これらタブ吊りリード17により吊持されるよ
うに一体的に連設されている。
【0024】各タブ吊りリード17はタブ18付近にお
いてそれぞれ屈曲されており、このタブ吊りリード17
の屈曲によって、タブ18は後記するリード群の面より
も、後記するペレットの厚さ分程度下げられている(所
謂タブ下げ。)。
【0025】また、ダム部材16には電気配線としての
リード19が複数本、長手方向に等間隔に配されて、互
いに平行で、ダム部材16と直交するように一体的に突
設されている。各リード19の内側端部は先端がタブ1
8を取り囲むように配されることにより、インナ部19
aをそれぞれ構成している。他方、各リード19の外側
延長部分は、その先端が外枠13およびセクション枠1
4に接続されており、アウタ部19bをそれぞれ構成し
ている。そして、ダム部材16における隣り合うリード
19、19間の部分は、後述するパッケージ成形時にレ
ジンの流れをせき止めるダム16aを実質的に構成して
いる。
【0026】本実施例において、前記タブ18には各切
り起こし部20が、タブ18の前後方向の中心線上およ
び左右方向の中心線上においてタブ18の周辺位置にそ
れぞれ配されて形成されている。各切り起こし部20は
切り抜き孔21と切り起こし片22とを備えており、切
り起こし片22は切り抜き孔21が切り抜かれて成る実
体部片によって実質的に構成されている。
【0027】各切り抜き孔21は長方形にそれぞれ形成
されており、中心線上に沿って長く延在するようにそれ
ぞれ配置されている。したがって、4個の切り抜き孔2
1は互いに短辺側を対向されて十字形状に開設された状
態になっている。
【0028】各切り起こし片22は幅が切り抜き孔21
の幅よりも狭く、かつ、長さが切り抜き孔21の全長よ
りも若干短い長方形の板形状にそれぞれ形成されてお
り、一方の短辺側が切り抜き孔21の外側短辺に接続さ
れた状態で、各切り抜き孔21と中心線を揃えられて長
く延在するようにそれぞれ配置されている。また、各切
り起こし片22は切り抜き孔21との接続部分におい
て、前記タブ下げの方向に斜めに屈曲され、さらに、そ
の屈曲した下端部がタブ18と平行の同一平面内に可及
的に含まれるようにそれぞれ屈曲されている。そして、
切り起こし片22の先端群が含まれているタブ18と平
行なこの平面は、後述する樹脂封止パッケージにおける
ペレットと反対側に位置するように設定されている。
【0029】ちなみに、多連リードフレームがプレス加
工によって製作される場合には、切り起こし部20の切
り抜き孔21および切り起こし片22もプレス加工によ
って成形することができる。多連リードフレームがエッ
チング加工によって製作される場合には、切り起こし部
20の切り抜き孔21がエッチング加工によって凹字形
のスリット形状に開設された後、凹部形のスリットによ
って三方が取り囲まれて成る舌片がプレス加工によって
前記した通りに屈曲されることにより、切り起こし片2
2が形成されることになる。この場合、切り起こし片2
2に対するプレス加工は前述したタブ下げ加工と同時に
実施することができる。
【0030】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム11には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。
【0031】まず、ペレット・ボンディング作業によ
り、半導体装置の製造工程における所謂前工程において
集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造物としての
ペレット24が、図3および図4に示されているよう
に、各単位リードフレーム12におけるタブ18上の略
中央部に配されて、タブ18とペレット24との間に形
成されたボンディング層23によって機械的に固着され
ることによりボンディングされる。ペレットボンディン
グ層23の形成手段としては、金−シリコン共晶層、は
んだ付け層および銀ペースト接着層等々によるボンディ
ング法を用いることが可能である。但し、必要に応じ
て、ペレットからタブへの熱伝達の障壁とならないよう
に、ボンディング層23を形成することが望ましい。
【0032】続いて、ワイヤボンディング作業により、
図3および図4に示されているように、タブ18上にボ
ンディングされたペレット24のボンディングパッド2
4aと、各単位リードフレーム12におけるリード19
のインナ部19aとの間に、ボンディングワイヤ25が
超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のような適当
なワイヤボンディング装置(図示せず)が使用されるこ
とにより、その両端部をそれぞれボンディングされて橋
絡される。これにより、ペレット24に作り込まれてい
る集積回路は、ボンディングパッド24a、ボンディン
グワイヤ25、リード19のインナ部19aおよびアウ
タ部19bを介して電気的に外部に引き出されることに
なる。
【0033】このようにしてペレットおよびワイヤ・ボ
ンディングされた組立体26には、各単位リードフレー
ム毎に樹脂封止するパッケージ27群が、図5に示され
ているようなトランスファ成形装置30が使用されて、
単位リードフレーム群について同時成形される。
【0034】図5に示されているトランスファ成形装置
30は、シリンダ装置等(図示せず)によって互いに型
締めされる一対の上型31と下型32とを備えており、
上型31と下型32との合わせ面には上型キャビティー
凹部33aと下型キャビティー凹部33bとが互いに協
働してキャビティー33を形成するようにそれぞれ複数
組没設されている。
【0035】上型31の合わせ面にはポット34が開設
されており、ポット34にはシリンダ装置(図示せず)
により進退されるプランジャ35が成形材料としての樹
脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入さ
れている。
【0036】下型32の合わせ面にはカル36がポット
34との対向位置に配されて没設されているとともに、
複数条のランナ37がポット34にそれぞれ接続するよ
うに放射状に配されて没設されている。各ランナ37の
他端部は下側キャビティー凹部33bにそれぞれ接続さ
れており、その接続部にはゲート38がレジンをキャビ
ティー33内に注入し得るように形成されている。ま
た、下型32の合わせ面には逃げ凹所39がリードフレ
ームの厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム11
の外形よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等し
い寸法の一定深さに没設されている。
【0037】前記構成にかかる組立体26が用いられて
樹脂封止形パッケージがトランスファ成形される場合、
上型31および下型32における各キャビティー33は
各単位リードフレーム12における一対のダム16a、
16a間の空間にそれぞれ対応される。
【0038】トランスファ成形時において、前記構成に
かかる組立体26は、多連リードフレーム11が下型3
2に没設されている逃げ凹所39内に収容され、各単位
リードフレーム12におけるペレット24が各キャビテ
ィー33内にそれぞれ収容されるように配されてセット
される。このとき、本実施例においては、タブ18に下
方斜めに屈曲された4個の切り起こし片22が下型キャ
ビティー凹所33bの底面からそれぞれ離間した状態に
なっている。
【0039】続いて、上型31と下型32とが型締めさ
れ、ポット34からプランジャ35によりレジン40が
ランナ37およびゲート38を通じて各キャビティー3
3に送給されて圧入される。キャビティー33に圧入さ
れたレジン40はキャビティー33に隙間なく充填され
るため、レジン40はタブ18に開設された各切り起こ
し部20の切り起こし孔21の内部にも隙間なく充填さ
れる。
【0040】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形
パッケージ27が成形されると、上型31および下型3
2は型開きされるとともに、エジェクタ・ピン(図示せ
ず)により樹脂封止パッケージ27群が離型される。こ
のようにして、図6および図7に示されているように、
樹脂封止パッケージ27群が成形された組立体28はト
ランスファ成形装置30から脱装される。そして、この
ように樹脂成形された樹脂封止パッケージ27の内部に
は、タブ18、ペレット24、リード19のインナ部1
9aおよびワイヤ25が樹脂封止されることになる。
【0041】本実施例においては、タブ18に形成され
た4個の切り起こし部20の切り抜き孔21および切り
起こし片22が樹脂封止パッケージ27の樹脂によって
包囲された状態になっている。
【0042】樹脂封止パッケージを成形された半完成品
としての組立体28は、図示しないが、リード切断成形
工程において各単位リードフレーム毎に順次、外枠13
およびダム16aを切り落とされるとともに、各リード
19のアウタ部19bをガル・ウイング形状に屈曲形成
される。
【0043】以上のようにして製造された樹脂封止形Q
FP・IC29は図8に示されているようにプリント配
線基板に実装される。
【0044】プリント配線基板41にはランド42が複
数個、実装対象物となる樹脂封止形QFP・IC29に
おける各リード19に対応するように配されて、はんだ
材料を用いられて略長方形の薄板形状に形成されてお
り、このランド42群にこのIC29のリード19群が
それぞれ整合されて当接されているとともに、各リード
19とランド42とがリフローはんだ処理により形成さ
れたはんだ盛り層(図示せず)によって電気的かつ機械
的に接続されている。
【0045】次に作用を説明する。前記構成にかかるQ
FP・ICは出荷前に抜き取り検査を実施される。抜き
取り検査としては温度サイクル試験や熱衝撃試験を含む
環境試験が実施される。また、このQFP・ICがプリ
ント配線基板等に実装される際、はんだディップ処理や
リフローはんだ処理によってQFP・ICは加熱され
る。
【0046】このような環境試験または実装時に熱スト
レスが前記構成に係るQFP・IC29に加えられた場
合、構成材料の熱膨張係数差により樹脂封止パッケージ
27の内部に応力が発生する。
【0047】ところで、タブの外周縁が鋭い直角に形成
されている場合、樹脂封止パッケージの内部応力はタブ
の裏面における外縁付近に集中する。但し、樹脂封止パ
ッケージのクラックはこの程度の応力集中では発生しな
い。しかし、度重なる熱ストレスによる繰り返し応力に
より、タブ下面とパッケージの樹脂との界面や、タブと
ペレットとの界面に剥離が発生すると、前記応力集中箇
所に過大な応力が作用するため、そこを起点にしてクラ
ックが発生する。
【0048】さらに、樹脂封止パッケージ完成後の保管
過程において樹脂封止パッケージの内部に吸湿された湿
気が、万一、タブ下面とパッケージとの間に剥離によっ
て発生した隙間に侵入すると、QFP・ICが加熱され
た際に、加熱によって当該湿気が膨張することによって
所謂水蒸気爆発が発生するため、一層過大な応力が発生
される。このため、前記応力集中箇所を起点とするクラ
ックは一層発生され易くなるという問題点があること
が、本発明者によって明らかにされている。
【0049】この解析と同様な研究が、財団法人日本科
学技術連盟発行「第14回信頼性シンポジウム発表報文
集」1984年5月29日発行P303〜P306、に
発表されている。
【0050】そして、42アロイから成るリードフレー
ムが使用されている場合にはタブ下面とパッケージの樹
脂との界面における剥離が発生した時に、また、銅から
成るリードフレームが使用されている場合にはペレット
とタブとの界面における剥離が発生した時に、タブ下端
部の応力は大幅に増加し、樹脂封止パッケージにクラッ
クが発生する。特に、熱膨張係数がパッケージに使用さ
れている樹脂と略同一の銅からなるリードフレームが使
用されている場合でも、ペレットとタブとの界面におけ
る剥離が発生すると、タブ側面に接するパッケージの樹
脂部分が開口し、過大な応力が作用してクラックが発生
する。
【0051】そして、QFP・IC29においてこのよ
うなクラックが発生すると、樹脂封止パッケージ27が
薄く形成されているため、クラックが樹脂封止パッケー
ジ27の表面に達し易い。そして、表面に達したクラッ
クの開口からの樹脂封止パッケージ27内部への湿気の
侵入のため、QFP・IC29の耐湿性が急激に低下す
ることになる。
【0052】しかし、本実施例においては、タブ18に
切り起こし部20が4箇所に形成されているため、樹脂
封止パッケージ27にクラックが発生することはない。
【0053】すなわち、前述したような熱ストレスによ
る繰り返し応力により、タブ18下面と樹脂封止パッケ
ージ27の樹脂との界面、または、タブ18とペレット
24との界面に対してこれを剥離させようとする力が作
用したとしても、切り起こし部20の切り抜き孔21内
に充填されている樹脂、および、樹脂封止パッケージ2
7の樹脂の内部に埋め込まれた状態になっている切り起
こし片22が投錨効果を発揮するため、その剥離力に対
して充分に抗することができる。これらの投錨効果によ
って、タブ18下面と樹脂封止パッケージ27の樹脂と
の界面、または、タブ18とペレット24との界面にお
ける剥離は確実に防止される。そして、剥離が発生しな
い場合には、タブ18の裏面における外縁付近に応力が
集中したとしても、そこを起点とするクラックが発生し
ないのは前述した通りである。ちなみに、切り抜き孔2
1をペレット付け面側が大口径になるテーパ孔に形成し
ておくと、切り抜き孔21における投錨効果は一層高く
なる。
【0054】また、タブ18に切り起こし部20の切り
抜き孔21が4箇所に十字形状に配されて開設されてい
ることにより、タブ18の横断面積が4ブロックに分割
されて、各ブロック毎に横断面積が減少されているた
め、タブ18の熱膨張による伸び量がその分、縮小され
ることになる。その結果、タブ18の外側縁辺において
タブ18とパッケージ27の樹脂との熱膨張差によって
発生する集中応力の大きさ自体が小さく抑制されるた
め、万一、樹脂封止パッケージ27内部において前記の
ような剥離が発生したとしても、応力集中箇所を起点と
するクラックの発生は防止されることになる。
【0055】以上のようにして、本実施例においては、
切り起こし部20の投錨効果および横断面積の分割効果
によって剥離の発生が確実に防止されているため、樹脂
封止パッケージ27の温度上昇に伴って引き起こされる
所謂水蒸気爆発による樹脂封止パッケージ27のクラッ
クをも防止することができる。すなわち、樹脂封止パッ
ケージ27に吸湿された水分が、タブ18下面と樹脂封
止パッケージ27の樹脂との界面に形成された隙間に溜
まって、前述した加熱時における樹脂封止パッケージ2
7の温度上昇に伴って所謂水蒸気爆発を引起されるので
あるが、本実施例においては剥離による隙間が発生しな
いのであるから、樹脂封止パッケージに吸湿された水分
が隙間に溜まる現象は発生しない。つまり、水蒸気爆発
が樹脂封止パッケージ27の内部で発生する現象を未然
に回避することができるため、それによるクラックの発
生は防止されることになる。
【0056】前記実施例によれば次の効果が得られる。 タブに切り起こし部を形成することにより、熱スト
レスに伴って発生する応力によってタブと樹脂封止パッ
ケージの樹脂とが剥離されるのを防止することができる
ため、タブの外周縁を起点とする樹脂封止パッケージに
おけるクラックの発生を防止することができる。
【0057】 タブと樹脂封止パッケージの樹脂との
剥離を防止することにより、樹脂封止パッケージに吸湿
された水分が剥離による隙間に溜まるのを未然に防止す
ることができるため、種々の加熱時における樹脂封止パ
ッケージの温度上昇に伴って引き起こされる所謂水蒸気
爆発を未然に回避することができ、その結果、水蒸気爆
発による樹脂封止パッケージのクラックをも防止するこ
とができる。
【0058】 前記およびにより、樹脂封止パッ
ケージにおけるクラックの発生を確実に防止することが
できるので、表面実装形パッケージをさらに薄形で、か
つ小形化させることができ、表面実装形パッケージを備
えているICの集積密度および実装密度をさらに一層高
めることができる。
【0059】 切り起こし部は多連リードフレームの
成形時にタブと同時に成形することができるため、生産
性の低下を抑制することができる。
【0060】図9は本発明の実施例2であるQFP・I
Cを示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は一部
切断底面図である。
【0061】本実施例2が前記実施例1と異なる点は切
り起こし部20Aにおける切り抜き孔21Aが一連の十
字形状に開設されているとともに、切り起こし片22A
が十字形状に一体的に連結されている点にある。
【0062】本実施例2においては、切り起こし片22
Aがタブ18下面の樹脂部を抱え込んだ状態になってい
るため、投錨効果が一層高くなる。
【0063】図10は本発明の実施例3であるQFP・
ICを示す図であり、(a)は正面断面図、(b)は一
部切断底面図である。
【0064】本実施例3が前記実施例1と異なる点は、
切り起こし部20Bにおける切り抜き孔21Bが一連の
一文字形状に開設されているとともに、切り起こし片2
2Bが一文字形状に一体的に連結されている点にある。
【0065】本実施例3においては、切り起こし部20
Bの面積が減少されているが、切り起こし片22Bがタ
ブ18下面の樹脂部を抱え込んだ状態になっていること
により、投錨効果が高められているため、タブ18と樹
脂封止パッケージ27の樹脂との剥離を確実に防止する
ことができる。
【0066】図11は本発明の実施例4である放熱フィ
ンを有するQFP・ICを示す図であり、(a)は一部
切断底面図、(b)はb−b線に沿う拡大した部分断面
図である。
【0067】本実施例4が前記実施例1と異なる点は、
フィン17aが樹脂封止パッケージ27の4隅から外部
に突出されている各フィン付きタブ吊りリード17C
に、各切り起こし部20Cがそれぞれ形成されており、
かつ、各切り起こし孔21Cが一直線形状に開設されて
いるとともに、各切り起こし片22Cが上下に切り起こ
されている点にある。
【0068】本実施例4においては、タブ18の4隅に
突設された各タブ吊りリード17Cに切り起こし部20
Cがそれぞれ形成されているため、各タブ吊りリード1
7Cが切り起こし部20Cによる投錨効果によって樹脂
封止パッケージ27に固定される結果、タブ18が樹脂
封止パッケージ27に強力に固定され、タブ18と樹脂
封止パッケージ27の樹脂との剥離が防止されることに
なる。
【0069】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0070】例えば、切り起こし部における切り抜き孔
および切り起こし片の形状は、長方形に限らず、正方形
や三角形、楕円形、曲線あるいは直線と曲線の組合せ等
であってもよく、特に、その形状は問わない。さらに、
切り起こし部の数は、4個に限らず、3個以上とするこ
ともできる。
【0071】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるQFP
・ICに適用した場合について主に説明したが、それに
限定されるものではなく、樹脂封止パッケージを備えて
いる半導体装置全般に適用することができる。特に、本
発明は、厚さが薄い表面実装形樹脂封止パッケージを備
えている半導体装置の製造技術に利用して優れた効果が
得られる。
【0072】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0073】タブおよびタブ吊りリードの少なくともい
ずれか一方に切り起こし部を形成することにより、樹脂
封止パッケージにタブのコーナーを起点とするクラック
が発生するのを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるQFP・ICを示す図
であり、(a)は正面断面図、(b)は一部切断底面図
である。
【図2】そのQFP・ICの製造方法に使用される多連
リードフレームを示す一部省略平面図である。
【図3】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示す一部省略平面図である。
【図4】図3のIV-IV 線に沿う正面断面図である。
【図5】樹脂封止形パッケージの成形工程を示す一部省
略縦断面図である。
【図6】樹脂封止形パッケージ成形後の組立体を示す一
部切断平面図である。
【図7】同じく縦断面図である。
【図8】QFP・ICの実装状態を示す斜視図である。
【図9】本発明の実施例2であるQFP・ICを示す図
であり、(a)は正面断面図、(b)は一部切断底面図
である。
【図10】本発明の実施例3であるQFP・ICを示す
図であり、(a)は正面断面図、(b)は一部切断底面
図である。
【図11】本発明の実施例4である放熱フィンを有する
QFP・ICを示す図であり、(a)は一部切断底面
図、(b)はb−b線に沿う拡大した部分断面図であ
る。
【符号の説明】
11…多連リードフレーム、12…単位リードフレー
ム、13…外枠、14…セクション枠、15…ダム吊り
部材、16…ダム部材、16a…ダム、17…タブ吊り
リード、17C…フィン付きタブ吊りリード、18…タ
ブ、19…リード、19a…インナ部、19b…アウタ
部、20、20A、20B、20C…切り起こし部、2
1、21A、21B、21C…切り抜き孔、22、22
A、22B、22C…切り起こし片、23…ボンディン
グ層、24…ペレット、24a…ボンディングパッド、
25…ワイヤ、26…組立体、27…樹脂封止パッケー
ジ、28…樹脂封止パッケージ成形後の組立体、29…
QFP・IC(半導体装置)、30…トランスファ成形
装置、31…上型、32…下型、33…キャビティー、
33a…上型キャビティー凹部、33b…下型キャビテ
ィー凹部、34…ポット、35…プランジャ、36…カ
ル、37…ランナ、38…ゲート、39…逃げ凹所、4
0…レジン、41…プリント配線基板、42…ランド。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
    ンディングされているタブと、半導体ペレットの各ボン
    ディングパッドに電気的に接続されている複数本のリー
    ドと、半導体ペレット、タブおよび各リードの一部を樹
    脂封止するパッケージとを備えている半導体装置におい
    て、 前記タブおよびタブを吊るためのタブ吊りリードの少な
    くともいずれか一方に切り起こし部が形成されていると
    ともに、この切り起こし部の切り抜き孔および切り起こ
    し片が前記樹脂封止パッケージの樹脂によって包囲され
    ていることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
    ンディングされているタブと、半導体ペレットの各ボン
    ディングパッドに電気的に接続されている複数本のリー
    ドと、半導体ペレット、タブおよび各リードの一部を樹
    脂封止するパッケージとを備えている半導体装置の製造
    方法において、 前記タブおよびタブを吊るためのタブ吊りリードの少な
    くともいずれか一方に切り起こし部が形成されているリ
    ードフレームを製作するリードフレーム成形工程と、 このリードフレームにおける前記タブに前記半導体ペレ
    ットがボンディングされるペレットボンディング工程
    と、 この半導体ペレットの各ボンディングパッドと、前記リ
    ードフレームの各リードとがそれぞれ電気的に接続され
    るリード接続工程と、 このリードフレームが成形型に、前記タブおよび切り起
    こし片がキャビティー内に配置されて収容され、キャビ
    ティー内に樹脂が注入されることにより、前記半導体ペ
    レット、タブおよび各リードの一部を樹脂封止するパッ
    ケージが成形されるとともに、前記切り起こし部の切り
    抜き孔および切り起こし片が樹脂封止パッケージの樹脂
    によって包囲される樹脂封止パッケージ成形工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 半導体ペレットがボンディングされるタ
    ブと、タブにボンディングされた半導体ペレットのボン
    ディングパッドに電気的に接続されるリードとを備えて
    いるリードフレームにおいて、 前記タブおよびタブを吊るためのタブ吊りリードの少な
    くともいずれか一方に切り起こし部が形成されているこ
    とを特徴とするリードフレーム。
JP4352052A 1992-12-09 1992-12-09 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレーム Pending JPH06177313A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007053450A (ja) * 2005-08-15 2007-03-01 Nec Access Technica Ltd 携帯通信端末
WO2008147857A1 (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device package leadframe

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