JPH06181101A - 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 - Google Patents
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器Info
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- JPH06181101A JPH06181101A JP33176392A JP33176392A JPH06181101A JP H06181101 A JPH06181101 A JP H06181101A JP 33176392 A JP33176392 A JP 33176392A JP 33176392 A JP33176392 A JP 33176392A JP H06181101 A JPH06181101 A JP H06181101A
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- semiconductor
- semiconductor ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 オーミック接触を向上して抵抗値を低くでき
るとともに、抵抗値のばらつきを小さくできる正の抵抗
温度特性を有する半導体磁器を提供する。 【構成】 半導体セラミック層２と内部電極３とを交互
に積層して一体焼結し、該焼結体４の左, 右端面４ａ，
４ｂに上記内部電極３の一端面３ａが接続される第１外
部電極７を形成して積層型半導体磁器１を構成する。そ
して、上記内部電極３にＮｉ，あるはＮｉ合金を採用
し、上記第１外部電極７の少なくとも内部電極に接する
部分にＮｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏのうち何れかを主成分と
する金属材料を採用する。また、上記第１外部電極７の
厚さを１ｍｍ以下とする。
るとともに、抵抗値のばらつきを小さくできる正の抵抗
温度特性を有する半導体磁器を提供する。 【構成】 半導体セラミック層２と内部電極３とを交互
に積層して一体焼結し、該焼結体４の左, 右端面４ａ，
４ｂに上記内部電極３の一端面３ａが接続される第１外
部電極７を形成して積層型半導体磁器１を構成する。そ
して、上記内部電極３にＮｉ，あるはＮｉ合金を採用
し、上記第１外部電極７の少なくとも内部電極に接する
部分にＮｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏのうち何れかを主成分と
する金属材料を採用する。また、上記第１外部電極７の
厚さを１ｍｍ以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気抵抗値が温度によ
って変化する正の抵抗温度特性を有する積層型の半導体
磁器に関し、詳細には内部電極，及び外部電極に採用さ
れる金属材料の組み合わせを改善することによって、オ
ーミック性を向上して低抵抗化を図ることができ、かつ
抵抗値のばらつきを小さくできるようにした電極材料の
構成に関する。
って変化する正の抵抗温度特性を有する積層型の半導体
磁器に関し、詳細には内部電極，及び外部電極に採用さ
れる金属材料の組み合わせを改善することによって、オ
ーミック性を向上して低抵抗化を図ることができ、かつ
抵抗値のばらつきを小さくできるようにした電極材料の
構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】正の抵抗温度特性を有するＢａＴｉＯ3
系半導体磁器は、キュリー点以上で抵抗値が急激に増加
する特性を有しており、例えば電気回路の過電流保護素
子として、あるいはテレビのブラウン管枠の消磁素子と
して、多くの分野で使用されている。また、近年の低抵
抗化に対応するために、ディスク型に代わるものとして
積層型の半導体磁器が提案されている。この積層型半導
体磁器は、半導体セラミック層と内部電極とを交互に積
層して一体焼結するとともに、該焼結体の左, 右端面に
外部電極を形成し、該外部電極と上記各内部電極の一端
面とを交互に接続した構造となっている。
系半導体磁器は、キュリー点以上で抵抗値が急激に増加
する特性を有しており、例えば電気回路の過電流保護素
子として、あるいはテレビのブラウン管枠の消磁素子と
して、多くの分野で使用されている。また、近年の低抵
抗化に対応するために、ディスク型に代わるものとして
積層型の半導体磁器が提案されている。この積層型半導
体磁器は、半導体セラミック層と内部電極とを交互に積
層して一体焼結するとともに、該焼結体の左, 右端面に
外部電極を形成し、該外部電極と上記各内部電極の一端
面とを交互に接続した構造となっている。
【０００３】このような積層型半導体磁器では内部電極
に採用される金属材料として、従来、高温焼成に対応す
るためにＰｄ−Ａｇ系，あるいはＰｔ−Ｐｄ系を使用
し、また上記外部電極の金属材料としてはＡｇ等を使用
している（特開昭55-88304号公報, 特開昭57-60802号公
報参照) 。
に採用される金属材料として、従来、高温焼成に対応す
るためにＰｄ−Ａｇ系，あるいはＰｔ−Ｐｄ系を使用
し、また上記外部電極の金属材料としてはＡｇ等を使用
している（特開昭55-88304号公報, 特開昭57-60802号公
報参照) 。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の積層型半導体磁器において、内部電極に上記Ｐｔ等
の金属材料を採用した場合、内部電極とセラミック層と
のオーミック接触が得られ難く、その結果抵抗値が大幅
に上昇するという問題点がある。また、上記外部電極に
Ａｇ等を採用すると、抵抗値にばらつきが生じ易いとい
う問題がある。
来の積層型半導体磁器において、内部電極に上記Ｐｔ等
の金属材料を採用した場合、内部電極とセラミック層と
のオーミック接触が得られ難く、その結果抵抗値が大幅
に上昇するという問題点がある。また、上記外部電極に
Ａｇ等を採用すると、抵抗値にばらつきが生じ易いとい
う問題がある。
【０００５】本発明は上記従来の状況に鑑みてなされた
もので、内部電極のオーミック接触を向上して抵抗値を
低くできるとともに、抵抗値のばらつきを小さくできる
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器を提供することを
目的としている。
もので、内部電極のオーミック接触を向上して抵抗値を
低くできるとともに、抵抗値のばらつきを小さくできる
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器を提供することを
目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、上述の
抵抗値の増大，及びばらつきの問題を解消するために検
討したところ、内部電極と外部電極に使用されている金
属材料の組み合わせについて着目した。そして、このよ
うな金属材料を見出すために種々検討した結果、半導体
磁器の焼成温度に対応できるとともに、オーミック性接
触が得られる金属材料として、Ｎｉが適していることを
見出した。一方、このＮｉを内部電極として採用した場
合、該電極に接続される外部電極にはＮｉ，Ｃｕ，Ｆ
ｅ，Ｃｏが有効であることを見出し、これらを組み合わ
せることにより抵抗値の増大及びばらつきの両方の問題
を解消できることに想到し、本発明を成したものであ
る。
抵抗値の増大，及びばらつきの問題を解消するために検
討したところ、内部電極と外部電極に使用されている金
属材料の組み合わせについて着目した。そして、このよ
うな金属材料を見出すために種々検討した結果、半導体
磁器の焼成温度に対応できるとともに、オーミック性接
触が得られる金属材料として、Ｎｉが適していることを
見出した。一方、このＮｉを内部電極として採用した場
合、該電極に接続される外部電極にはＮｉ，Ｃｕ，Ｆ
ｅ，Ｃｏが有効であることを見出し、これらを組み合わ
せることにより抵抗値の増大及びばらつきの両方の問題
を解消できることに想到し、本発明を成したものであ
る。
【０００７】そこで本発明は、半導体セラミック層と内
部電極とを交互に積層して一体焼結し、該焼結体の端面
に上記内部電極が接続される外部電極を形成してなる正
の抵抗温度特性を有する半導体磁器において、上記内部
電極をＮｉ，あるはＮｉ合金により構成するとともに、
上記外部電極の少なくとも内部電極に接する部分をＮ
ｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏのうち何れかを主成分とする金属
材料で構成したことを特徴としている。
部電極とを交互に積層して一体焼結し、該焼結体の端面
に上記内部電極が接続される外部電極を形成してなる正
の抵抗温度特性を有する半導体磁器において、上記内部
電極をＮｉ，あるはＮｉ合金により構成するとともに、
上記外部電極の少なくとも内部電極に接する部分をＮ
ｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏのうち何れかを主成分とする金属
材料で構成したことを特徴としている。
【０００８】ここで、上記外部電極の厚さは１ｍｍ以内
にするのが望ましい。これは上記外部電極にＮｉ，Ｃ
ｕ，Ｆｅ，Ｃｏを採用した場合、これの厚さを大きくす
ると熱収縮により剥離する場合があるという点が判明し
たからである。
にするのが望ましい。これは上記外部電極にＮｉ，Ｃ
ｕ，Ｆｅ，Ｃｏを採用した場合、これの厚さを大きくす
ると熱収縮により剥離する場合があるという点が判明し
たからである。
【０００９】
【作用】本発明に係る正の抵抗温度特性を有する半導体
磁器によれば、内部電極にＮｉ，Ｎｉ合金を採用したの
で、高温焼成に対する耐熱性を確保しながら、セラミッ
ク層とのオーミック性を向上でき、その結果抵抗値を低
減できる。また、該内部電極に接続される外部電極にＮ
ｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏを採用したので、上記内部電極に
Ｎｉを採用する場合の抵抗値のばらつきを回避でき、品
質に対する信頼性を向上できる。
磁器によれば、内部電極にＮｉ，Ｎｉ合金を採用したの
で、高温焼成に対する耐熱性を確保しながら、セラミッ
ク層とのオーミック性を向上でき、その結果抵抗値を低
減できる。また、該内部電極に接続される外部電極にＮ
ｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏを採用したので、上記内部電極に
Ｎｉを採用する場合の抵抗値のばらつきを回避でき、品
質に対する信頼性を向上できる。
【００１０】また、上記外部電極の厚さを１ｍｍ以下と
した場合は、熱収縮による剥離の問題を解消でき、この
点からも品質に対する信頼性を向上できる。
した場合は、熱収縮による剥離の問題を解消でき、この
点からも品質に対する信頼性を向上できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図１及び図２は本発明の一実施例による正の抵抗温
度特性を有する半導体磁器を説明するための図である。
図において、１は本実施例の積層型半導体磁器である。
この半導体磁器１は直方体状のもので、ＢａＴｉＯ3 を
主成分とする半導体セラミック層２と内部電極３とを交
互に積層し、該積層体を一体焼結して焼結体４を形成し
て構成されている。また上記各内部電極３の一端面３ａ
は焼結体４の左, 右端面４ａ，４ｂに交互に露出されて
おり、残りの各端面はセラミック層２の内側に位置して
焼結体４内に埋設されている。
る。図１及び図２は本発明の一実施例による正の抵抗温
度特性を有する半導体磁器を説明するための図である。
図において、１は本実施例の積層型半導体磁器である。
この半導体磁器１は直方体状のもので、ＢａＴｉＯ3 を
主成分とする半導体セラミック層２と内部電極３とを交
互に積層し、該積層体を一体焼結して焼結体４を形成し
て構成されている。また上記各内部電極３の一端面３ａ
は焼結体４の左, 右端面４ａ，４ｂに交互に露出されて
おり、残りの各端面はセラミック層２の内側に位置して
焼結体４内に埋設されている。
【００１２】上記焼結体４の左, 右端面４ａ，４ｂには
第１外部電極７が被覆形成されている。この第１外部電
極７の厚さは１ｍｍ以下に設定されており、該第１外部
電極７と上記各内部電極３の一端面３ａとは電気的に接
続されている。また、上記焼結体４の各端面４ａ，４ｂ
の第１外部電極７の外表面には第２外部電極５が被覆形
成されており、この外部電極５にはＡｇ−Ｐｄからなる
金属材料が採用されている。
第１外部電極７が被覆形成されている。この第１外部電
極７の厚さは１ｍｍ以下に設定されており、該第１外部
電極７と上記各内部電極３の一端面３ａとは電気的に接
続されている。また、上記焼結体４の各端面４ａ，４ｂ
の第１外部電極７の外表面には第２外部電極５が被覆形
成されており、この外部電極５にはＡｇ−Ｐｄからなる
金属材料が採用されている。
【００１３】そして、上記内部電極３にはＮｉ，あるい
はＮｉ合金が採用されている。また上記第１外部電極の
少なくとも内部電極に接する部分にはＮｉ，Ｃｕ，Ｆ
ｅ，Ｃｏの中から選ばれた何れかを主成分とする金属材
料が採用されている。
はＮｉ合金が採用されている。また上記第１外部電極の
少なくとも内部電極に接する部分にはＮｉ，Ｃｕ，Ｆ
ｅ，Ｃｏの中から選ばれた何れかを主成分とする金属材
料が採用されている。
【００１４】次に本実施例の積層型半導体磁器１の一製
造方法について説明する。まず、原料として、ＢａＣＯ
3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ 2 ，Ｓ
ｉＯ2 を用いて以下の組成となるよう調合する。 （Ba0.848Ca0.15La0.002）1.01ＴｉＯ3 ＋0.01ＳｉＯ2
＋0.001 ＭｎＯ2 上記原料を、純水，及びジルコニアボールとともにポリ
エチレン製ポットに入れて５時間粉砕混合した後、乾燥
させて1100℃で２時間仮焼成する。
造方法について説明する。まず、原料として、ＢａＣＯ
3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ 2 ，Ｓ
ｉＯ2 を用いて以下の組成となるよう調合する。 （Ba0.848Ca0.15La0.002）1.01ＴｉＯ3 ＋0.01ＳｉＯ2
＋0.001 ＭｎＯ2 上記原料を、純水，及びジルコニアボールとともにポリ
エチレン製ポットに入れて５時間粉砕混合した後、乾燥
させて1100℃で２時間仮焼成する。
【００１５】次いで、この仮焼成体を再度粉砕して仮焼
成粉を形成し、この仮焼成粉に有機バインダー，溶剤，
及び分散剤を混合し、厚さ0.1 mmのセラミックグリーン
シートを成形する。次に、このグリーンシートを7.5 ×
6.5 mm2 のサイズとなるよう矩形状に打ち抜いて多数の
半導体セラミック層２を形成する。
成粉を形成し、この仮焼成粉に有機バインダー，溶剤，
及び分散剤を混合し、厚さ0.1 mmのセラミックグリーン
シートを成形する。次に、このグリーンシートを7.5 ×
6.5 mm2 のサイズとなるよう矩形状に打ち抜いて多数の
半導体セラミック層２を形成する。
【００１６】次に、Ｎｉ粉末にワニスを混合してなる電
極ペーストを作成する。この電極ペーストを上記各セラ
ミック層２の上面にスクリーン印刷して内部電極３を形
成する。この場合、各内部電極３の一端面３ａのみがセ
ラミック層２の端縁まで延び、他の端面は内側に位置す
るように形成する。
極ペーストを作成する。この電極ペーストを上記各セラ
ミック層２の上面にスクリーン印刷して内部電極３を形
成する。この場合、各内部電極３の一端面３ａのみがセ
ラミック層２の端縁まで延び、他の端面は内側に位置す
るように形成する。
【００１７】そして、図２に示すように、上記セラミッ
ク層２と内部電極３とが交互に重なり、かつ該内部電極
３の一端面３ａがセラミック層２の左, 右端面に交互に
位置するよう１０層重ね、これの上面，下面にダミーと
してのセラミック層６，６を重ねて積層する。次いで、
これをプレスで加圧，圧着して積層体を形成する。これ
により上記内部電極３の一端面３ａのみが積層体の左,
右端面に露出し、残りの部分は積層体内に封入されるこ
ととなる。
ク層２と内部電極３とが交互に重なり、かつ該内部電極
３の一端面３ａがセラミック層２の左, 右端面に交互に
位置するよう１０層重ね、これの上面，下面にダミーと
してのセラミック層６，６を重ねて積層する。次いで、
これをプレスで加圧，圧着して積層体を形成する。これ
により上記内部電極３の一端面３ａのみが積層体の左,
右端面に露出し、残りの部分は積層体内に封入されるこ
ととなる。
【００１８】次に、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏの中から何
れかを主成分とした金属ペーストを作成する。この金属
ペーストを上記積層体の左, 右端面に塗布して第１外部
電極７を形成する。
れかを主成分とした金属ペーストを作成する。この金属
ペーストを上記積層体の左, 右端面に塗布して第１外部
電極７を形成する。
【００１９】次いで上記積層体を大気中で加熱してバイ
ンダを燃焼させた後、Ｈ2 ／Ｎ2 ＝３％の還元性雰囲気
中にて1350℃で２時間焼成し、焼結体４を得る。この
後、上記焼結体４の左, 右端面４ａ，４ｂの第１外部電
極７の表面にＡｇ−Ｐｄ（70:30)ペーストを塗布して第
２外部電極５を形成した後、大気中にて800 ℃で２時間
の再酸化処理を施す。これにより本実施例の積層型半導
体磁器１が製造される。
ンダを燃焼させた後、Ｈ2 ／Ｎ2 ＝３％の還元性雰囲気
中にて1350℃で２時間焼成し、焼結体４を得る。この
後、上記焼結体４の左, 右端面４ａ，４ｂの第１外部電
極７の表面にＡｇ−Ｐｄ（70:30)ペーストを塗布して第
２外部電極５を形成した後、大気中にて800 ℃で２時間
の再酸化処理を施す。これにより本実施例の積層型半導
体磁器１が製造される。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１は、本実施例の半導体磁器の効果を確
認するために行った試験結果を示す。この試験は、上述
の製造方法により各実施例試料No. １〜４を作成し、各
試料No. １〜４の第１外部電極にそれぞれＮｉ（実施例
No. １）、Ｃｏ（実施例No.２）、Ｆｅ（実施例No.
３）、Ｃｕ（実施例No. ４）を主成分とする金属材料を
採用した。なお、実施例No. ４はＣｕとＡｇＰｄのペー
ストを、焼成後の焼結体に順次塗布し、この後再酸化処
理を施したものを使用した。
認するために行った試験結果を示す。この試験は、上述
の製造方法により各実施例試料No. １〜４を作成し、各
試料No. １〜４の第１外部電極にそれぞれＮｉ（実施例
No. １）、Ｃｏ（実施例No.２）、Ｆｅ（実施例No.
３）、Ｃｕ（実施例No. ４）を主成分とする金属材料を
採用した。なお、実施例No. ４はＣｕとＡｇＰｄのペー
ストを、焼成後の焼結体に順次塗布し、この後再酸化処
理を施したものを使用した。
【００２２】また、比較するために上記製造方法により
各比較試料No. １〜６を作成した。この比較試料No. １
〜３は第１外部電極にそれぞれ従来のＰｔ（比較例No.
１）、Ｐｄ（比較例No. ２）、及びＡｇＰｄ＝70:30(比
較例No. ３）からなる金属材料を使用した。なお、比較
例No. ３は上記Ａｇ−Ｐｄペーストを、焼成後の焼結体
に塗布し、この後再酸化処理を施したものを使用した。
さらに、比較試料No.４〜６は第１外部電極をＮｉと
し、内部電極にそれぞれ従来のＰｔ（比較例No.４）、
Ｐｄ（比較例No. ５）、及びＰｄＡｇ＝80:20(比較例N
o. ６）からなる金属材料を使用した。そして、上記各
試料の室温での抵抗値（Ω）を測定するとともに、抵抗
値（ρ/ 平均値％) のばらつきを調べた。ここで、上記
各試料の第１外部電極の厚さは全て５μm とした。
各比較試料No. １〜６を作成した。この比較試料No. １
〜３は第１外部電極にそれぞれ従来のＰｔ（比較例No.
１）、Ｐｄ（比較例No. ２）、及びＡｇＰｄ＝70:30(比
較例No. ３）からなる金属材料を使用した。なお、比較
例No. ３は上記Ａｇ−Ｐｄペーストを、焼成後の焼結体
に塗布し、この後再酸化処理を施したものを使用した。
さらに、比較試料No.４〜６は第１外部電極をＮｉと
し、内部電極にそれぞれ従来のＰｔ（比較例No.４）、
Ｐｄ（比較例No. ５）、及びＰｄＡｇ＝80:20(比較例N
o. ６）からなる金属材料を使用した。そして、上記各
試料の室温での抵抗値（Ω）を測定するとともに、抵抗
値（ρ/ 平均値％) のばらつきを調べた。ここで、上記
各試料の第１外部電極の厚さは全て５μm とした。
【００２３】表１からも明らかなように、内部電極に従
来の金属材料を使用した比較例No.４〜６の場合、オー
ミック性接触が得られていないことから抵抗値が150 〜
200Ωと高くなっている。また、内部電極にＮｉを採用
し、外部電極に従来の金属材料を使用した比較例No. １
〜３の場合、オーミック性の向上により抵抗値は0.3〜
0.5 Ωと低くなっているものの、ばらつきでは15〜35％
と大きく、両電極の組み合わせに問題が生じている。
来の金属材料を使用した比較例No.４〜６の場合、オー
ミック性接触が得られていないことから抵抗値が150 〜
200Ωと高くなっている。また、内部電極にＮｉを採用
し、外部電極に従来の金属材料を使用した比較例No. １
〜３の場合、オーミック性の向上により抵抗値は0.3〜
0.5 Ωと低くなっているものの、ばらつきでは15〜35％
と大きく、両電極の組み合わせに問題が生じている。
【００２４】これに対して、内部電極にＮｉ、第１外部
電極に本発明の金属材料を使用した実施例試料No. １〜
４の場合は、何れの試料も抵抗値が0.21〜0.23Ωと室温
での抵抗が低く、かつ抵抗値のばらつきも５〜６％と小
さくなっている。このようにＮｉ電極との接点にＮｉ，
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕからなる外部電極を採用することによ
って低抵抗化を図りながら、抵抗値のばらつきを大幅に
低減できることがわかる。
電極に本発明の金属材料を使用した実施例試料No. １〜
４の場合は、何れの試料も抵抗値が0.21〜0.23Ωと室温
での抵抗が低く、かつ抵抗値のばらつきも５〜６％と小
さくなっている。このようにＮｉ電極との接点にＮｉ，
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕからなる外部電極を採用することによ
って低抵抗化を図りながら、抵抗値のばらつきを大幅に
低減できることがわかる。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２は、上記内部電極，及び第１外部電極
にＮｉ金属を採用し、該第１外部電極の厚さを0.01μm
〜２mmに変化させた場合の、電極の剥離の状況を観察す
るとともに、抵抗値及び抵抗値のばらつきを調べた試験
結果を示す。
にＮｉ金属を採用し、該第１外部電極の厚さを0.01μm
〜２mmに変化させた場合の、電極の剥離の状況を観察す
るとともに、抵抗値及び抵抗値のばらつきを調べた試験
結果を示す。
【００２７】表２からも明らかなように、第１外部電極
の厚さを1.2mm,1.5mm にすると、電極に剥離が生じてお
り、その結果抵抗値, ばらつきの両方とも増大してい
る。これに対して厚さを１mm以下にした場合は、電極の
剥離は全く生じておらず、抵抗値が0.22〜0.25Ω、ばら
つきが５〜７％と満足できる値が得られている。
の厚さを1.2mm,1.5mm にすると、電極に剥離が生じてお
り、その結果抵抗値, ばらつきの両方とも増大してい
る。これに対して厚さを１mm以下にした場合は、電極の
剥離は全く生じておらず、抵抗値が0.22〜0.25Ω、ばら
つきが５〜７％と満足できる値が得られている。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明に係る正の抵抗温度
特性を有する半導体磁器によれば、内部電極にＮｉ，あ
るいはＮｉ合金を採用するとともに、該内部電極に接続
される外部電極の少なくとも内部電極に接する部分にＮ
ｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕからなる金属材料を採用したの
で、オーミック接触を向上して抵抗値を低くできるとと
もに、抵抗値のばらつきを小さくできる効果があり、品
質に対する信頼性を向上できる効果が得られる。
特性を有する半導体磁器によれば、内部電極にＮｉ，あ
るいはＮｉ合金を採用するとともに、該内部電極に接続
される外部電極の少なくとも内部電極に接する部分にＮ
ｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｃｕからなる金属材料を採用したの
で、オーミック接触を向上して抵抗値を低くできるとと
もに、抵抗値のばらつきを小さくできる効果があり、品
質に対する信頼性を向上できる効果が得られる。
【図１】本発明の一実施例による正の抵抗温度特性を有
する半導体磁器を説明するための断面図である。
する半導体磁器を説明するための断面図である。
【図２】上記実施例の半導体磁器の分解斜視図である。
１ 積層型半導体磁器 ２ 半導体セラミック層 ３ 内部電極 ４ 焼結体 ７ 第１外部電極（内部電極に接続される外部電極）
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体セラミック層と内部電極とを交互
に積層して一体焼結し、該焼結体の端面に上記内部電極
が接続される外部電極を形成してなる正の抵抗温度特性
を有する半導体磁器において、上記内部電極が、Ｎｉ，
あるはＮｉ合金からなり、かつ上記外部電極の少なくと
も内部電極に接する部分が、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏの
うち何れかを主成分とする金属材料で構成されているこ
とを特徴とする正の抵抗温度特性を有する半導体磁器。 - 【請求項２】 請求項１において、上記外部電極の厚さ
が１ｍｍ以下であることを特徴とする正の抵抗温度特性
を有する半導体磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33176392A JPH06181101A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33176392A JPH06181101A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181101A true JPH06181101A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18247349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33176392A Pending JPH06181101A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181101A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7295421B2 (en) | 2003-02-21 | 2007-11-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic components and method for manufacturing the same |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP33176392A patent/JPH06181101A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7295421B2 (en) | 2003-02-21 | 2007-11-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic components and method for manufacturing the same |
| DE112004000186B4 (de) * | 2003-02-21 | 2009-10-15 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Mehrschicht-Keramik-Elektronikkomponenten und Verfahren zur Herstellung derselben |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A02 | Decision of refusal |
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