JPH06181182A - 半導体基板の熱処理装置 - Google Patents
半導体基板の熱処理装置Info
- Publication number
- JPH06181182A JPH06181182A JP35314992A JP35314992A JPH06181182A JP H06181182 A JPH06181182 A JP H06181182A JP 35314992 A JP35314992 A JP 35314992A JP 35314992 A JP35314992 A JP 35314992A JP H06181182 A JPH06181182 A JP H06181182A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- furnace body
- heat treatment
- semiconductor substrate
- semiconductor wafer
- mounting hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温の炉体内に半導体ウェーハを挿入する
際、その熱歪の発生を抑え、且つ炉体内の温度変化を最
小限に抑制し得る熱処理装置を提供する。 【構成】 架台１と、架台１上に配置した熱処理用の炉
体２と、炉体２の下方位置から炉体２の下部に設けた装
着穴３に沿って、上下動自在な半導体基板載置手段４と
を具備している。半導体基板５を半導体基板載置手段４
上に移載し、装着穴３を経て炉体２内に搬送して熱処理
を行うようになっている。装着穴３の周辺部にて、半導
体基板載置手段４上の半導体基板５を、光学的なエネル
ギーで加熱する加熱機構６を設けたものである。加熱機
構６による光学エネルギーを用いて、半導体ウェーハ５
を予め６００〜８００℃程度に均一に加熱することが可
能となり、挿入速度増大による半導体ウェーハ５内の熱
歪の発生を制御し、且つ炉体２内の温度分布を乱すこと
なく安定した熱処理が可能となる。
際、その熱歪の発生を抑え、且つ炉体内の温度変化を最
小限に抑制し得る熱処理装置を提供する。 【構成】 架台１と、架台１上に配置した熱処理用の炉
体２と、炉体２の下方位置から炉体２の下部に設けた装
着穴３に沿って、上下動自在な半導体基板載置手段４と
を具備している。半導体基板５を半導体基板載置手段４
上に移載し、装着穴３を経て炉体２内に搬送して熱処理
を行うようになっている。装着穴３の周辺部にて、半導
体基板載置手段４上の半導体基板５を、光学的なエネル
ギーで加熱する加熱機構６を設けたものである。加熱機
構６による光学エネルギーを用いて、半導体ウェーハ５
を予め６００〜８００℃程度に均一に加熱することが可
能となり、挿入速度増大による半導体ウェーハ５内の熱
歪の発生を制御し、且つ炉体２内の温度分布を乱すこと
なく安定した熱処理が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置に関し、特
に半導体製造の技術分野において用いられる半導体基板
の熱処理装置に関するものである。
に半導体製造の技術分野において用いられる半導体基板
の熱処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のこの種熱処理装置の概略
構成を示している。この装置は、箱型状の架台１と、架
台１上に配置され１０００℃程度の熱処理雰囲気を形成
する炉体２と、炉体２の下部に設けた半導体ウェーハ
（半導体基板）５のための載置手段４により構成され
る。炉体２としては、大気の巻き込みを防止する縦型炉
が用いられ、温度変化による炉体２の劣化を最小限に抑
えるため、炉体２は常時６００〜８００℃に保たれてい
る。従って半導体ウェーハ５は、載置手段４により室温
から一旦６００〜８００℃の炉体２内に挿入された後、
所定の熱処理を受け再び６００〜８００℃に降温した後
に大気中に引き出される。
構成を示している。この装置は、箱型状の架台１と、架
台１上に配置され１０００℃程度の熱処理雰囲気を形成
する炉体２と、炉体２の下部に設けた半導体ウェーハ
（半導体基板）５のための載置手段４により構成され
る。炉体２としては、大気の巻き込みを防止する縦型炉
が用いられ、温度変化による炉体２の劣化を最小限に抑
えるため、炉体２は常時６００〜８００℃に保たれてい
る。従って半導体ウェーハ５は、載置手段４により室温
から一旦６００〜８００℃の炉体２内に挿入された後、
所定の熱処理を受け再び６００〜８００℃に降温した後
に大気中に引き出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
熱処理装置では、炉体２の保護のために常時６００〜８
００℃程度に維持されている。このような高温の炉体２
内に、１００〜２００枚という大量で、且つ室温の半導
体ウェーハ５を急激に挿入した場合、半導体ウェーハ５
は、その外周部から加熱される。このため半導体ウェー
ハ５の中央部と外周部の間に温度差が生じ、このような
温度分布に起因して、熱歪による半導体ウェーハ５の反
りや欠陥が誘発されるという問題があった。
熱処理装置では、炉体２の保護のために常時６００〜８
００℃程度に維持されている。このような高温の炉体２
内に、１００〜２００枚という大量で、且つ室温の半導
体ウェーハ５を急激に挿入した場合、半導体ウェーハ５
は、その外周部から加熱される。このため半導体ウェー
ハ５の中央部と外周部の間に温度差が生じ、このような
温度分布に起因して、熱歪による半導体ウェーハ５の反
りや欠陥が誘発されるという問題があった。
【０００４】また炉体２内の温度分布の均一性が損なわ
れ、安定した熱処理が困難になるという問題も生じてい
た。そのため従来の装置では、炉体２内の温度分布を損
なわず、また半導体ウェーハ５を序々に加熱し、その熱
歪を抑えるためには、１０〜３０ｃｍ／ｍｉｎ程度の低
速度で半導体ウェーハ５を炉体２内に挿入しなければな
らなかった。かかる低速度で挿入する場合、熱処理装置
の処理能力の低下を招き、更に載置手段４内における載
置位置により、半導体ウェーハ５が炉体２内に留まる時
間が異なり、このため１回の処理において、全ての半導
体ウェーハ５に対して均等な熱処理が実質的に行われて
いなかった。
れ、安定した熱処理が困難になるという問題も生じてい
た。そのため従来の装置では、炉体２内の温度分布を損
なわず、また半導体ウェーハ５を序々に加熱し、その熱
歪を抑えるためには、１０〜３０ｃｍ／ｍｉｎ程度の低
速度で半導体ウェーハ５を炉体２内に挿入しなければな
らなかった。かかる低速度で挿入する場合、熱処理装置
の処理能力の低下を招き、更に載置手段４内における載
置位置により、半導体ウェーハ５が炉体２内に留まる時
間が異なり、このため１回の処理において、全ての半導
体ウェーハ５に対して均等な熱処理が実質的に行われて
いなかった。
【０００５】そこで、この発明は、高温の炉体内の温度
変化を最小限に抑えることが可能な半導体基板の熱処理
装置を提供することを目的とする。
変化を最小限に抑えることが可能な半導体基板の熱処理
装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、炉体下部の半導体ウェーハの装着穴周辺
部に、光学エネルギーによる加熱装置を設けたものであ
る。
決するために、炉体下部の半導体ウェーハの装着穴周辺
部に、光学エネルギーによる加熱装置を設けたものであ
る。
【０００７】
【作用】本発明によれば、半導体ウェーハを炉体内に挿
入する際に、光学エネルギーを用いて、半導体ウェーハ
を予め６００〜８００℃程度に均一に加熱することが可
能となる。挿入速度増大による半導体ウェーハ内の熱歪
の発生を抑制し、且つ炉体内の温度分布を乱すことなく
安定した熱処理が実現する。
入する際に、光学エネルギーを用いて、半導体ウェーハ
を予め６００〜８００℃程度に均一に加熱することが可
能となる。挿入速度増大による半導体ウェーハ内の熱歪
の発生を抑制し、且つ炉体内の温度分布を乱すことなく
安定した熱処理が実現する。
【０００８】
【実施例】以下、図１に基づき、従来例と実質的に同一
部材には同一符号を用いて、本発明による半導体基板の
熱処理装置の一実施例を説明する。図１は熱処理装置の
概略構成を示しているが、図において、箱型状の架台１
と、架台１上に配置され、１０００℃程度の熱処理雰囲
気を形成する炉体２と、炉体２の下部に設けた半導体ウ
ェーハ５のための載置手段４とを備えており、これらの
構成は基本的に従来例の場合と同様である。
部材には同一符号を用いて、本発明による半導体基板の
熱処理装置の一実施例を説明する。図１は熱処理装置の
概略構成を示しているが、図において、箱型状の架台１
と、架台１上に配置され、１０００℃程度の熱処理雰囲
気を形成する炉体２と、炉体２の下部に設けた半導体ウ
ェーハ５のための載置手段４とを備えており、これらの
構成は基本的に従来例の場合と同様である。
【０００９】本発明装置では、特に炉体２の下部の装着
穴３の至近位置に、予備加熱器であるレーザービーム加
熱器６が付設されている。半導体ウェーハ５が載置手段
４に載置され、炉体２内に挿入されるときに、上記レー
ザービーム加熱器６は、半導体ウェーハ５に対して、そ
の斜め方向からレーザービーム７を照射する。そして、
半導体ウェーハ５全面に対してレーザービーム７を走査
させることにより、各半導体ウェーハ５を６００〜８０
０℃程度に均一に昇温させる。
穴３の至近位置に、予備加熱器であるレーザービーム加
熱器６が付設されている。半導体ウェーハ５が載置手段
４に載置され、炉体２内に挿入されるときに、上記レー
ザービーム加熱器６は、半導体ウェーハ５に対して、そ
の斜め方向からレーザービーム７を照射する。そして、
半導体ウェーハ５全面に対してレーザービーム７を走査
させることにより、各半導体ウェーハ５を６００〜８０
０℃程度に均一に昇温させる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体ウェーハを炉体内に挿入するときに、光学エネルギ
ーを用いて、半導体ウェーハを予め６００〜８００℃程
度に均一に加熱することが可能となり、挿入速度増大に
よる半導体ウェーハ内の熱歪の発生を制御し、且つ炉体
内の温度分布を乱すことなく安定した熱処理が可能とな
る。従って、処理能力が向上すると共に、信頼性が高い
熱処理装置を実現することができる。
導体ウェーハを炉体内に挿入するときに、光学エネルギ
ーを用いて、半導体ウェーハを予め６００〜８００℃程
度に均一に加熱することが可能となり、挿入速度増大に
よる半導体ウェーハ内の熱歪の発生を制御し、且つ炉体
内の温度分布を乱すことなく安定した熱処理が可能とな
る。従って、処理能力が向上すると共に、信頼性が高い
熱処理装置を実現することができる。
【図１】本発明の半導体基板の熱処理装置の一実施例の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】従来の熱処理装置の概略構成図である。
１ 装置架台 ２ 炉体 ３ 装着穴 ４ 載置手段 ５ 半導体ウェーハ ６ レーザービーム加熱器 ７ レーザービーム
Claims (1)
- 【請求項１】 架台と、この架台上に配置した熱処理用
の炉体と、前記炉体の下方位置から炉体下部に設けた装
着穴に沿って、上下動自在な半導体基板載置手段とを具
備し、半導体基板を前記半導体基板載置手段上に移載
し、前記装着穴を経て前記炉体内に搬送して熱処理を行
うようにした熱処理装置において、前記装着穴の周辺部
にて、前記半導体基板載置手段上の前記半導体基板を、
光学的なエネルギーで加熱する加熱機構を設けたことを
特徴とする半導体基板の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35314992A JPH06181182A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 半導体基板の熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35314992A JPH06181182A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 半導体基板の熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181182A true JPH06181182A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18428896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35314992A Withdrawn JPH06181182A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 半導体基板の熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181182A (ja) |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP35314992A patent/JPH06181182A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |