JPH06181256A - Wafer carrier and semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

Wafer carrier and semiconductor manufacturing apparatus

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Publication number
JPH06181256A
JPH06181256A JP33433992A JP33433992A JPH06181256A JP H06181256 A JPH06181256 A JP H06181256A JP 33433992 A JP33433992 A JP 33433992A JP 33433992 A JP33433992 A JP 33433992A JP H06181256 A JPH06181256 A JP H06181256A
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JP
Japan
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wafer
semiconductor
sheet
chips
ring
Prior art date
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Pending
Application number
JP33433992A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Kimura
穣 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP33433992A priority Critical patent/JPH06181256A/en
Publication of JPH06181256A publication Critical patent/JPH06181256A/en
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  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハシートの切り屑等に起因して半導体ウ
エハのダイシング工程時に発生する半導体チップのクラ
ック等を抑制する。 【構成】 半導体集積回路装置の製造工程の1工程であ
るダイシング工程の際に用いられるウエハリング11に
おいて、ウエハシート10の外周端にあたる領域に凹溝
11aを設け、ウエハシート10の外周端が凹溝11a
内で貼り付けられるようにした。
(57) [Summary] [Purpose] To suppress cracks and the like in semiconductor chips that occur during the dicing process of a semiconductor wafer due to chips and the like of a wafer sheet. In a wafer ring 11 used in a dicing process, which is one process of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, a groove 11a is provided in a region corresponding to an outer peripheral edge of the wafer sheet 10, and the outer peripheral edge of the wafer sheet 10 is recessed. Groove 11a
I was able to paste it inside.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ搬送体および半
導体製造装置技術に関し、例えば半導体集積回路装置の
製造工程の1工程であるダイシング工程等の際に用いる
ウエハ搬送体に適用して有効な技術な関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer carrier and a semiconductor manufacturing apparatus technology, and is effectively applied to a wafer carrier used in a dicing process which is one process of manufacturing a semiconductor integrated circuit device. It is related to technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばダイシング工程の際に用いる従来
のウエハ搬送体は、平面リング状の平板金属からなるウ
エハリングの裏面側に、粘着性の樹脂テープからなるウ
エハシートがその粘着面をウエハリングの中央から露出
させた状態で貼り付けられている。
2. Description of the Related Art A conventional wafer carrier used in, for example, a dicing process has a wafer ring made of an adhesive resin tape on the back side of a wafer ring made of a flat ring-shaped flat metal, and the adhesive surface of the wafer ring. It is affixed in a state of being exposed from the center of.

【0003】ウエハリングの裏面にウエハシートを設け
る従来方法としては、ウエハリングの裏面にウエハリン
グよりも大きめの粘着性の樹脂テープを貼り付けた後、
その樹脂テープをウエハリングの外周に沿って切断する
方法や粘着性の樹脂テープをウエハリングの外周直径と
同一寸法で切断した後、その樹脂テープをウエハリング
の裏面に貼り付ける方法等があった。
As a conventional method for providing a wafer sheet on the back surface of the wafer ring, a sticky resin tape larger than the wafer ring is attached to the back surface of the wafer ring,
There is a method of cutting the resin tape along the outer circumference of the wafer ring, a method of cutting the adhesive resin tape with the same size as the outer diameter of the wafer ring, and then attaching the resin tape to the back surface of the wafer ring. .

【0004】なお、ダイシング技術については、株式会
社リアライズ社、昭和61年9月5日発行、「超LSI
工場最新技術集成 第二編 最新プロセスと自動化」P
243〜P250に記載があり、ダイシング工程および
ダイシング工程の自動化について説明されている。
Regarding the dicing technology, Realize Co., Ltd., issued September 5, 1986, "Super LSI"
Factory latest technology compilation Part 2 Latest process and automation "P
243 to P250, and describes the dicing process and the automation of the dicing process.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
技術においては、以下の問題があることを本発明者は見
い出した。
However, the present inventor has found that the above-mentioned conventional technique has the following problems.

【0006】すなわち、ウエハシートの外周に残った切
り屑やウエハシートの外周に付着した異物等が、直接ま
たはダイシング装置のウエハ搬送ベルト等を介して間接
的にウエハシートの裏面やダイシング装置のウエハ真空
吸着ステージに付着することにより、ダイシング工程に
際して半導体ウエハをステージ上に載置した時に、半導
体ウエハがその切り屑等の付着した部分においてその切
り屑等の厚さ分だけ傾くので、その部分にダイシングブ
レードを当てた時に、その部分の半導体チップに微細な
クラックや欠け等が生じる問題があった。
That is, chips left on the outer periphery of the wafer sheet, foreign matters attached to the outer periphery of the wafer sheet, etc. directly or indirectly through the wafer transfer belt of the dicing apparatus or the wafer of the dicing apparatus. By attaching to the vacuum suction stage, when the semiconductor wafer is placed on the stage during the dicing process, the semiconductor wafer is inclined by the thickness of the chips or the like at the portion where the chips or the like are attached. When the dicing blade is applied, there is a problem that minute cracks or chips are generated in the semiconductor chip in that portion.

【0007】特に、その切り屑等がダイシング装置のウ
エハ真空吸着ステージに付着した場合には、半導体チッ
プのクラック等の問題が、1枚の半導体ウエハのみでな
く、複数枚の半導体ウエハにおいて連続的に発生してし
まう問題があった。また、半導体チップのクラック等の
問題は、ダイシング工程に際して、半導体ウエハを完全
に切断するフルカット方式の場合に顕著な問題である。
In particular, when the chips and the like adhere to the wafer vacuum suction stage of the dicing device, the problem such as the crack of the semiconductor chip is not limited to one semiconductor wafer but is continuous in a plurality of semiconductor wafers. There was a problem that occurred. Further, the problem such as cracking of the semiconductor chip is a significant problem in the case of the full cut method of completely cutting the semiconductor wafer during the dicing process.

【0008】そこで、従来は、ウエハ搬送体に付着した
切り屑や異物等を除去するためにウエハ搬送体を清掃し
なければならないが、手間のかかる面倒な作業であっ
た。
Therefore, conventionally, the wafer carrier has to be cleaned in order to remove the chips, foreign matters and the like adhering to the wafer carrier, but this is a troublesome work.

【0009】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、ウエハシートの切り屑等に起因し
て半導体ウエハのダイシング工程時に発生する半導体チ
ップのクラック等を抑制することのできる技術を提供す
ることにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to suppress cracks and the like of semiconductor chips generated during a dicing process of a semiconductor wafer due to chips of a wafer sheet and the like. It is to provide the technology that can.

【0010】また、本発明の他の目的は、ウエハ搬送体
の清掃処理を簡略化することのできる技術を提供するこ
とにある。
Another object of the present invention is to provide a technique capable of simplifying the cleaning process of the wafer carrier.

【0011】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.

【0013】すなわち、請求項1記載の発明は、ウエハ
リングに貼り付けられたウエハシートに半導体ウエハを
貼り付けた状態で半導体ウエハを搬送するウエハ搬送体
であって、前記ウエハリングにおいて、前記ウエハシー
トの外周にあたる領域に窪みを設けたウエハ搬送体構造
とするものである。
That is, the invention according to claim 1 is a wafer carrier for carrying a semiconductor wafer in a state in which a semiconductor wafer is stuck to a wafer sheet stuck to a wafer ring, wherein the wafer ring comprises the wafer. A wafer carrier structure is provided in which a recess is provided in a region corresponding to the outer periphery of the sheet.

【0014】請求項2記載の発明は、ウエハシートの貼
り付けられたウエハリングにおいて、前記ウエハシート
の外周にあたる領域に、他の領域よりも低くなるような
窪みを設けたウエハ搬送体を載置する載置台と、前記ウ
エハシート上に貼り付けられた半導体ウエハを半導体チ
ップに分割するためのウエハ分割手段とを設けた半導体
製造装置構造とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in a wafer ring to which a wafer sheet is attached, a wafer carrier having a recess which is lower than other areas is placed in a region corresponding to the outer periphery of the wafer sheet. And a mounting table and a wafer dividing means for dividing a semiconductor wafer attached on the wafer sheet into semiconductor chips.

【0015】[0015]

【作用】上記した手段によれば、ウエハシートの外周端
にウエハシートの切り屑等が存在していたとしても、そ
の切り屑等は、ウエハリングの裏面の窪み内に存在し、
外部との接触が妨げられるので、例えばダイシング装置
の搬送ベルトやステージ等に付着し難くなる。すなわ
ち、その切り屑等がウエハ搬送体の移送中に直接または
間接的にウエハシートの裏面に付着するのを抑えること
が可能となる。
According to the above means, even if chips or the like of the wafer sheet are present at the outer peripheral edge of the wafer sheet, the chips or the like are present in the recess on the back surface of the wafer ring,
Since the contact with the outside is hindered, it is difficult to adhere to, for example, the conveyor belt or the stage of the dicing device. That is, it is possible to prevent the chips and the like from directly or indirectly adhering to the back surface of the wafer sheet during the transfer of the wafer carrier.

【0016】[0016]

【実施例】図1は本発明の一実施例であるウエハ搬送体
の要部断面図、図2は半導体ウエハを保持したウエハ搬
送体の全体平面図、図3および図4はウエハ搬送体を用
いる半導体製造装置の説明図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part of a wafer carrier which is an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an overall plan view of a wafer carrier holding a semiconductor wafer, and FIGS. 3 and 4 show a wafer carrier. It is explanatory drawing of the semiconductor manufacturing apparatus used.

【0017】図3および図4に示す本実施例の半導体製
造装置は、例えば半導体集積回路装置の製造工程におい
て用いられるフルカットダイシング方式のダイシング装
置1である。
The semiconductor manufacturing apparatus of this embodiment shown in FIGS. 3 and 4 is a full-cut dicing type dicing apparatus 1 used in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device, for example.

【0018】ダイシング装置1は、ローダ部2と、ステ
ージ3と、ダイシングブレード(ウエハ分割手段)4
と、洗浄乾燥処理部5と、アンローダ部6と、搬送ベル
ト7a〜7cとを有している。
The dicing apparatus 1 comprises a loader section 2, a stage 3, and a dicing blade (wafer dividing means) 4.
The cleaning / drying processing section 5, the unloader section 6, and the conveyor belts 7a to 7c.

【0019】ローダ部2は、半導体ウエハ8を保持した
後述するウエハ搬送体9をダイシング装置1内に搬入す
る機構部であり、その収容室2a内には半導体ウエハ8
を保持したウエハ搬送体9が複数枚収容されている。な
お、図4には、図面を見易くするため、収容室2a内に
1枚のウエハ搬送体9のみが示されている。
The loader section 2 is a mechanism section for loading a wafer carrier 9 (described later) holding the semiconductor wafer 8 into the dicing apparatus 1, and the accommodation chamber 2a has a semiconductor wafer 8 therein.
A plurality of wafer carriers 9 holding the above are accommodated. It should be noted that FIG. 4 shows only one wafer transfer body 9 in the accommodation chamber 2a in order to make the drawing easy to see.

【0020】ステージ3は、半導体ウエハ8を保持した
ウエハ搬送体9を真空吸引方式によって保持する載置台
である。ダイシングブレード4は、半導体ウエハ8を半
導体チップに分割するための極薄の切断砥石である。
The stage 3 is a mounting table for holding the wafer carrier 9 holding the semiconductor wafer 8 by a vacuum suction method. The dicing blade 4 is an extremely thin cutting grindstone for dividing the semiconductor wafer 8 into semiconductor chips.

【0021】洗浄乾燥処理部5は、ダイシング処理後の
半導体ウエハ8を洗浄し、乾燥するための処理部であ
る。
The cleaning / drying processing section 5 is a processing section for cleaning and drying the semiconductor wafer 8 after the dicing processing.

【0022】アンローダ部6は、ダイシング処理後のウ
エハ搬送体9をダイシング装置1の外部に搬出するため
の機構部であり、その収容室内にはウエハ搬送体9が複
数枚収容されている。
The unloader unit 6 is a mechanism unit for carrying out the wafer carrier 9 after the dicing process to the outside of the dicing apparatus 1, and a plurality of wafer carriers 9 are housed in the housing chamber.

【0023】なお、搬送ベルト7a〜7cは、各部にウ
エハ搬送体9を搬送するための搬送機構部である。
The transfer belts 7a to 7c are transfer mechanism parts for transferring the wafer transfer body 9 to each part.

【0024】次に、本実施例のウエハ搬送体9を図1お
よび図2によって説明する。
Next, the wafer carrier 9 of this embodiment will be described with reference to FIGS.

【0025】本実施例のウエハ搬送体9は、例えばダイ
シング工程からダイボンディング工程において、半導体
ウエハ8を保持し、かつ、搬送するための治具である。
The wafer carrier 9 of this embodiment is a jig for holding and carrying the semiconductor wafer 8 in the dicing process to the die bonding process, for example.

【0026】ウエハ搬送体9は、半導体ウエハ8を保持
するためのウエハシート10と、ウエハシート10の主
面外周に貼り付けられた平面リング状の金属平板からな
るウエハリング11とから構成されている。
The wafer carrier 9 is composed of a wafer sheet 10 for holding the semiconductor wafer 8 and a wafer ring 11 made of a flat ring-shaped metal flat plate attached to the outer periphery of the main surface of the wafer sheet 10. There is.

【0027】半導体ウエハ8は、例えばシリコン(S
i)単結晶からなり、その主面上には、複数のチップ領
域8aが形成されている。各チップ領域8aは、チップ
分割線8bを隔てて配置されており、各チップ領域8a
には、例えば半導体論理回路や半導体メモリ回路等が既
に形成されている。
The semiconductor wafer 8 is made of, for example, silicon (S
i) It is made of a single crystal and has a plurality of chip regions 8a formed on its main surface. Each chip area 8a is arranged with a chip dividing line 8b in between.
In this, for example, a semiconductor logic circuit, a semiconductor memory circuit, etc. have already been formed.

【0028】ウエハシート10は、例えば厚さ80μm
程度の粘着性の樹脂テープからなる。ウエハリング11
は、例えばステンレスの表面にクロムメッキ等が施され
てなり、その厚さは、例えば1mm程度である。
The wafer sheet 10 has a thickness of 80 μm, for example.
It consists of a resin tape with a degree of tackiness. Wafer ring 11
For example, the surface of stainless steel is plated with chrome or the like, and the thickness thereof is, for example, about 1 mm.

【0029】ところで、本実施例においては、ウエハリ
ング11において、ウエハシート10の外周端の位置に
凹溝(窪み)11aが形成されている。すなわち、ウエ
ハシート10の外周端は、その凹溝11a内で貼り付け
られている。
By the way, in the present embodiment, the wafer ring 11 is provided with a groove 11a at the outer peripheral edge of the wafer sheet 10. That is, the outer peripheral edge of the wafer sheet 10 is attached inside the groove 11a.

【0030】このため、本実施例のウエハ搬送体9は、
ウエハシート10の外周端にウエハシート10の切り屑
12等が存在していたとしても、その切り屑12等がウ
エハリング11の裏面の凹溝11a内に存在し外部と接
触し難い構造になっている。すなわち、本実施例のウエ
ハ搬送体9は、ウエハシート10の切り屑12等がダイ
シング装置1の搬送ベルト7aやステージ3等に付着し
難い構造となっている。
Therefore, the wafer carrier 9 of the present embodiment is
Even if the chips 12 or the like of the wafer sheet 10 are present at the outer peripheral edge of the wafer sheet 10, the chips 12 or the like are present in the concave groove 11a on the back surface of the wafer ring 11 and are difficult to contact with the outside. ing. That is, the wafer carrier 9 of this embodiment has a structure in which the chips 12 and the like of the wafer sheet 10 are unlikely to adhere to the carrier belt 7a of the dicing device 1, the stage 3, and the like.

【0031】凹溝11aは、ウエハリングの周に沿って
延在するように、例えば切削加工によって形成されてい
る。凹溝11aの深さは、ウエハシート10の厚さ以上
で、かつ、切り屑12が外部に移ることのない寸法に設
定されており、例えば0.5mm程度である。
The concave groove 11a is formed, for example, by cutting so as to extend along the circumference of the wafer ring. The depth of the recessed groove 11a is set to be equal to or larger than the thickness of the wafer sheet 10 and to a dimension such that the chips 12 do not move to the outside, and is, for example, about 0.5 mm.

【0032】このように本実施例によれば、以下の効果
を得ることが可能となる。
As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.

【0033】(1).ウエハリング11において、ウエハシ
ート10の外周端の位置に、凹溝11aを形成したこと
により、ウエハシート10の外周端にウエハシート10
の切り屑12等が存在していたとしても、その切り屑1
2等は、ウエハリング11の裏面の凹溝11a内に存在
し、外部との接触が妨げられるので、例えばダイシング
装置1の搬送ベルト7aやステージ3等に付着し難くな
る。すなわち、その切り屑12等がウエハ搬送体9の移
送中に直接または間接的にウエハシート10の裏面に付
着するのを抑えることが可能となる。
(1) In the wafer ring 11, the concave groove 11a is formed at the position of the outer peripheral edge of the wafer sheet 10, so that the wafer sheet 10 is formed at the outer peripheral edge of the wafer sheet 10.
Even if there are chips 12 and the like, those chips 1
Since 2 and the like are present in the concave groove 11a on the back surface of the wafer ring 11 and are prevented from contacting with the outside, they are unlikely to adhere to the conveyor belt 7a of the dicing device 1, the stage 3 or the like. That is, it is possible to prevent the chips 12 and the like from directly or indirectly adhering to the back surface of the wafer sheet 10 during the transfer of the wafer carrier 9.

【0034】(2).上記(1) により、その切り屑12等に
起因して半導体ウエハ8のダイシング工程時に発生する
半導体チップのクラック等を抑制することができるの
で、半導体集積回路装置の歩留りおよび信頼性を向上さ
せることが可能となる。
(2) Due to the above (1), it is possible to suppress cracks and the like in the semiconductor chips that occur during the dicing process of the semiconductor wafer 8 due to the chips 12 and the like, so that the yield of the semiconductor integrated circuit device is improved. And it becomes possible to improve reliability.

【0035】(3).上記(1) により、ウエハ搬送体9の清
掃処理の必要性が低くなるので、その清掃処理を簡略化
することが可能となる。
(3) Due to the above (1), the necessity of cleaning the wafer transfer body 9 is reduced, so that the cleaning can be simplified.

【0036】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been concretely described above based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0037】例えば前記実施例においては、ウエハリン
グに凹溝を形成した場合について説明したが、これに限
定されるものではなく種々変更可能であり、例えば図5
に示すように、ウエハリングの外周の厚さを内周側の厚
さよりも薄くして、窪みに相当する低段部11bを形成
しても良い。この場合、低段部11bは、その位置や幅
等の制約が、前記実施例の凹溝の制約に比べて少ないの
で、その形成が容易であるという効果が得られる。
For example, in the above-described embodiment, the case where the groove is formed in the wafer ring has been described, but the present invention is not limited to this, and various modifications can be made.
As shown in, the outer peripheral thickness of the wafer ring may be thinner than the inner peripheral thickness to form the low step portion 11b corresponding to the depression. In this case, the low step portion 11b has less restrictions on the position, width, etc., as compared with the restrictions of the concave groove of the above-mentioned embodiment, so that the effect that the formation is easy is obtained.

【0038】また、図6に示すように、ウエハリング1
1の内周の厚さを外周よりも薄くして、窪みに相当する
低段部11bを形成しても良い。この場合、ウエハシー
ト10とウエハリング11との接触面積を前記実施例や
図5の場合よりも増大させることができるので、ウエハ
シート10の接着力を前記実施例の場合や図5の場合よ
りも向上させることが可能となる。
Further, as shown in FIG. 6, the wafer ring 1
The inner circumference of 1 may be thinner than the outer circumference to form the low step portion 11b corresponding to the depression. In this case, the contact area between the wafer sheet 10 and the wafer ring 11 can be increased as compared with the case of the above-described embodiment and FIG. 5, so that the adhesive force of the wafer sheet 10 is larger than that of the above-described embodiment and the case of FIG. Can also be improved.

【0039】また、前記実施例においては、ウエハリン
グに対して切削加工を施して窪みを形成した場合につい
て説明したが、これに限定されるものではなく、例えば
従来の平坦なウエハリングの外周側または内周側にリン
グ状の金属をスポット溶接法等によって接合し結果とし
て、ウエハリングの内周側または外周側に窪みに相当す
る低段部を形成しても良い。
Further, in the above-mentioned embodiment, the case where the wafer ring is cut to form the depression is described, but the present invention is not limited to this. For example, the outer peripheral side of the conventional flat wafer ring is described. Alternatively, a ring-shaped metal may be joined to the inner peripheral side by a spot welding method or the like, and as a result, a low step portion corresponding to a recess may be formed on the inner peripheral side or the outer peripheral side of the wafer ring.

【0040】また、前記実施例においては、ウエハリン
グをステンレスとした場合について説明したが、これに
限定されるものではなく種々変更可能であり、例えばプ
ラスチック等でも良い。この場合、ウエハ搬送体を、軽
く、しかも安価にできる。
In the above embodiment, the case where the wafer ring is made of stainless steel has been described, but the present invention is not limited to this, and various modifications are possible, for example, plastic or the like may be used. In this case, the wafer carrier can be made light and inexpensive.

【0041】[0041]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0042】本発明によれば、ウエハシートの外周端に
ウエハシートの切り屑等が存在していたとしても、その
切り屑等は、ウエハリングの裏面の窪み内に存在し、外
部との接触が妨げられるので、例えばダイシング装置の
搬送ベルトやステージ等に付着し難くなる。すなわち、
その切り屑等がウエハ搬送体の移送中に直接または間接
的にウエハシートの裏面に付着するのを抑えることが可
能となる。
According to the present invention, even if chips or the like of the wafer sheet are present at the outer peripheral edge of the wafer sheet, the chips or the like are present in the depressions on the back surface of the wafer ring and contact with the outside. Are prevented from being adhered to, for example, the transfer belt of the dicing device, the stage, or the like. That is,
It is possible to suppress the chips and the like from directly or indirectly adhering to the back surface of the wafer sheet during the transfer of the wafer carrier.

【0043】このため、その切り屑等に起因して半導体
ウエハのダイシング工程時に発生する半導体チップのク
ラック等を抑制することができるので、半導体集積回路
装置の歩留りおよび信頼性を向上させることが可能とな
る。また、ウエハ搬送体の清掃処理の必要性が低くなる
ので、その清掃処理を簡略化することが可能となる。
Therefore, it is possible to suppress cracks and the like in the semiconductor chips that occur during the dicing process of the semiconductor wafer due to the chips and the like, so that the yield and reliability of the semiconductor integrated circuit device can be improved. Becomes Further, since the necessity for cleaning the wafer carrier is reduced, the cleaning process can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例であるウエハ搬送体の要部断
面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of essential parts of a wafer transfer body that is an embodiment of the present invention.

【図2】半導体ウエハを保持したウエハ搬送体の全体平
面図である。
FIG. 2 is an overall plan view of a wafer carrier that holds a semiconductor wafer.

【図3】ウエハ搬送体を用いる半導体製造装置の説明図
である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a semiconductor manufacturing apparatus using a wafer carrier.

【図4】ウエハ搬送体を用いる半導体製造装置の説明図
である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a semiconductor manufacturing apparatus using a wafer carrier.

【図5】本発明の他の実施例であるウエハ搬送体の要部
断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of an essential part of a wafer carrier which is another embodiment of the present invention.

【図6】本発明の他の実施例であるウエハ搬送体の要部
断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of an essential part of a wafer carrier which is another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ダイシング装置(半導体製造装置) 2 ローダ部 2a 収容室 3 ステージ(載置台) 4 ダイシングブレード(ウエハ分割手段) 5 洗浄乾燥処理部 6 アンローダ部 7a〜7c 搬送ベルト 8 半導体ウエハ 8a チップ領域 8b チップ分割線 9 ウエハ搬送体 10 ウエハシート 11 ウエハリング 11a 凹溝(窪み) 11b 低段部(窪み) 12 切り屑 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dicing apparatus (semiconductor manufacturing apparatus) 2 Loader section 2a Storage chamber 3 Stage (mounting table) 4 Dicing blade (wafer dividing means) 5 Cleaning / drying processing section 6 Unloader section 7a to 7c Transport belt 8 Semiconductor wafer 8a Chip area 8b Chip division Line 9 Wafer carrier 10 Wafer sheet 11 Wafer ring 11a Recessed groove (concave) 11b Lower step (concave) 12 Chips

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエハリングに貼り付けられたウエハシ
ートに半導体ウエハを貼り付けた状態で半導体ウエハを
搬送するウエハ搬送体であって、前記ウエハリングにお
いて、前記ウエハシートの外周にあたる領域に窪みを設
けたことを特徴とするウエハ搬送体。
1. A wafer carrier for transporting a semiconductor wafer in a state where a semiconductor wafer is stuck to a wafer sheet stuck to a wafer ring, wherein a recess is formed in a region corresponding to an outer periphery of the wafer sheet in the wafer ring. A wafer carrier characterized by being provided.
【請求項2】 ウエハシートの貼り付けられたウエハリ
ングにおいて、前記ウエハシートの外周にあたる領域に
窪みを設けたウエハ搬送体を載置する載置台と、前記ウ
エハシート上に貼り付けられた半導体ウエハを半導体チ
ップに分割するためのウエハ分割手段とを設けたことを
特徴とする半導体製造装置。
2. In a wafer ring having a wafer sheet attached thereto, a mounting table on which a wafer carrier having a recess is provided in a region corresponding to an outer periphery of the wafer sheet, and a semiconductor wafer attached onto the wafer sheet. And a wafer dividing means for dividing the wafer into semiconductor chips.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11307619A (en) * 1998-04-20 1999-11-05 Yamatake Corp Wafer fixing device
KR100369388B1 (en) * 1999-12-10 2003-01-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 wafer mount frame for manufacturing semiconductor package
JP2007335706A (en) * 2006-06-16 2007-12-27 Shin Etsu Polymer Co Ltd Carrier tool
JP2010098062A (en) * 2008-10-15 2010-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd Support table
JP2011071432A (en) * 2009-09-28 2011-04-07 Shin Etsu Polymer Co Ltd Holding jig for semiconductor wafer

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