JPH06181270A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH06181270A JPH06181270A JP43A JP33334592A JPH06181270A JP H06181270 A JPH06181270 A JP H06181270A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 33334592 A JP33334592 A JP 33334592A JP H06181270 A JPH06181270 A JP H06181270A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- external leads
- leads
- external
- die pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂封止形半導体装置を対象に、外部リード間
の絶縁耐力向上，ワイヤボンディング性の改善，並びに
実装姿勢の自立性向上が図れるようにした半導体装置を
提供する。 【構成】ダイパッド１ａ、引出し方向を揃えてダイパッ
ドの側方に並ぶ外部リード１ｂ〜１ｄ、外部リードの相
互間を連結するタイバー１ｅをパターン形成したリード
フレーム１を用い、前記ダイパッドにマウントした半導
体チップ２と外部リードとの間をワイヤ３ボンディング
して内部配線したした上でその周域を封止樹脂４をモー
ルドし、さらにタイバーを切断してなる樹脂封止形半導
体装置に対し、外部リードの間の地点でタイバー１ｅに
段付き加工を施し、隣合う外部リード１ｂ〜１ｄの相互
間に高低段差ｈを付与して組立構成する。
の絶縁耐力向上，ワイヤボンディング性の改善，並びに
実装姿勢の自立性向上が図れるようにした半導体装置を
提供する。 【構成】ダイパッド１ａ、引出し方向を揃えてダイパッ
ドの側方に並ぶ外部リード１ｂ〜１ｄ、外部リードの相
互間を連結するタイバー１ｅをパターン形成したリード
フレーム１を用い、前記ダイパッドにマウントした半導
体チップ２と外部リードとの間をワイヤ３ボンディング
して内部配線したした上でその周域を封止樹脂４をモー
ルドし、さらにタイバーを切断してなる樹脂封止形半導
体装置に対し、外部リードの間の地点でタイバー１ｅに
段付き加工を施し、隣合う外部リード１ｂ〜１ｄの相互
間に高低段差ｈを付与して組立構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームを用い
て組立てたＴＯ−３形などのシングル・イン・ライン形
パッケージの樹脂封止形半導体装置に関する。
て組立てたＴＯ−３形などのシングル・イン・ライン形
パッケージの樹脂封止形半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、図４（ａ）〜（ｅ）に本発明の実
施対象となる樹脂封止形半導体装置の従来構造を示す。
なお、（ａ）〜（ｃ）はリードフレームの構造図、
（ｄ）はリードフレームに半導体チップを搭載した状態
図、（ｅ）は製品の外観図を示すものである。
施対象となる樹脂封止形半導体装置の従来構造を示す。
なお、（ａ）〜（ｃ）はリードフレームの構造図、
（ｄ）はリードフレームに半導体チップを搭載した状態
図、（ｅ）は製品の外観図を示すものである。
【０００３】図において、１は金属製のリボンを所定の
形状にプレス，エッチング加工して製作したリードフレ
ームであり、該リードフレーム１には、ダイパッド１ａ
と、引出し方向を揃えてダイパッド１の側方に配列した
３本の外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄと、外部リードの間
を連結したタイバー１ｅとが同一平面上に並んでパター
ン形成されている。なお、３本の外部リード１ｂ，１
ｃ，１ｄのうち、中央のリード１ｃはダイパッド１ａに
連なり、左右両端のリード１ｂ，１ｄはダイパッド１ａ
と切り離されている。また、２はリードフレーム１のダ
イパッド１ａにマウントした半導体チップ、３は半導体
チップ２の各電極とリードフレーム１の外部リード１
ｂ，１ｄとの間に配線したボンディングワイヤ、４はパ
ッケージの封止樹脂である。
形状にプレス，エッチング加工して製作したリードフレ
ームであり、該リードフレーム１には、ダイパッド１ａ
と、引出し方向を揃えてダイパッド１の側方に配列した
３本の外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄと、外部リードの間
を連結したタイバー１ｅとが同一平面上に並んでパター
ン形成されている。なお、３本の外部リード１ｂ，１
ｃ，１ｄのうち、中央のリード１ｃはダイパッド１ａに
連なり、左右両端のリード１ｂ，１ｄはダイパッド１ａ
と切り離されている。また、２はリードフレーム１のダ
イパッド１ａにマウントした半導体チップ、３は半導体
チップ２の各電極とリードフレーム１の外部リード１
ｂ，１ｄとの間に配線したボンディングワイヤ、４はパ
ッケージの封止樹脂である。
【０００４】かかる半導体装置は次のようにして組立て
られる。まず、リードフレーム１のダイパッド１ａに半
導体チップ２をマウントし、続いて半導体チップ２の電
極と外部リード１ｂ，１ｄの間をワイヤボンディング
し、さらにトランスファモールド法などにより（ｄ）図
の鎖線で囲まれた部分を樹脂封止した後に、タイバーを
切断して外部リードの相互間を切り離し、（ｅ）図に示
した製品を完成する。
られる。まず、リードフレーム１のダイパッド１ａに半
導体チップ２をマウントし、続いて半導体チップ２の電
極と外部リード１ｂ，１ｄの間をワイヤボンディング
し、さらにトランスファモールド法などにより（ｄ）図
の鎖線で囲まれた部分を樹脂封止した後に、タイバーを
切断して外部リードの相互間を切り離し、（ｅ）図に示
した製品を完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４に示し
た平坦板構造のリードフレームを用いて組立てた半導体
装置では、次記のような問題点が残る。すなわち、 （１）電位の異なる外部リードが同一平面上に近接して
樹脂パッケージから引き出されているために外部リード
相互間の沿面距離が小さく、実使用時には沿面放電によ
るリード間の短絡，半導体チップの破壊などが生じ易
い。
た平坦板構造のリードフレームを用いて組立てた半導体
装置では、次記のような問題点が残る。すなわち、 （１）電位の異なる外部リードが同一平面上に近接して
樹脂パッケージから引き出されているために外部リード
相互間の沿面距離が小さく、実使用時には沿面放電によ
るリード間の短絡，半導体チップの破壊などが生じ易
い。
【０００６】（２）半導体チップと外部リードとの間を
ワイヤボンディングした際に、ワイヤのループ垂れなど
により、ワイヤが接続相手の外部リード以外の部分に接
触する可能性が高く、十分な信頼性を確保することが困
難である。 （３）半導体装置の製品をプリント配線板に実装する場
合に、肉薄で剛性の低い外部リードが同一面に並んでい
るため、外部リードを支持脚としてプリント配線板の部
品取付け穴に差し込んで取付けた状態での自立性が悪
く、このままでは姿勢が不安定で振動などにより揺れ動
いたり，倒れたりする懸念がある。
ワイヤボンディングした際に、ワイヤのループ垂れなど
により、ワイヤが接続相手の外部リード以外の部分に接
触する可能性が高く、十分な信頼性を確保することが困
難である。 （３）半導体装置の製品をプリント配線板に実装する場
合に、肉薄で剛性の低い外部リードが同一面に並んでい
るため、外部リードを支持脚としてプリント配線板の部
品取付け穴に差し込んで取付けた状態での自立性が悪
く、このままでは姿勢が不安定で振動などにより揺れ動
いたり，倒れたりする懸念がある。
【０００７】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は、樹脂封止形半導体装置を対象に前
記課題を解決し、リードフレームに改良の手を加えるこ
とによって外部リード間の絶縁耐力向上，ワイヤボンデ
ィング性の改善，並びに実装姿勢の自立性安定が図れる
ようにした半導体装置を提供することにある。
であり、その目的は、樹脂封止形半導体装置を対象に前
記課題を解決し、リードフレームに改良の手を加えるこ
とによって外部リード間の絶縁耐力向上，ワイヤボンデ
ィング性の改善，並びに実装姿勢の自立性安定が図れる
ようにした半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置においては、リードフレームの
タイバーに段付き加工を施し、隣り合う外部リードの相
互間に高低段差を付与して組立構成するものとする。ま
た、前記におけるリードフレームを次記のように構成す
ることができる。
に、本発明の半導体装置においては、リードフレームの
タイバーに段付き加工を施し、隣り合う外部リードの相
互間に高低段差を付与して組立構成するものとする。ま
た、前記におけるリードフレームを次記のように構成す
ることができる。
【０００９】（１）外部リードのうちのダイパッドに連
なるリードを低段側に、他のリードを上段側に並べてリ
ード相互間に高低段差を付与する。 （２）外部リードの断面形状をチャンネル形となす。
なるリードを低段側に、他のリードを上段側に並べてリ
ード相互間に高低段差を付与する。 （２）外部リードの断面形状をチャンネル形となす。
【００１０】
【作用】上記の構成のリードフレームを用いて組立構成
した半導体装置では、樹脂パッケージの端面より突出し
各外部リードが同一平面上に配列しないで、リード相互
間に高低段差が確保される。したがって、リード間の沿
面距離が増大してその分だけ沿面放電に対する絶縁耐力
が増す。また、各外部リードのうちのダイパッドに連な
るリードを低段側に、他のリードを上段側に並べてリー
ド相互間に高低段差を付与することにより、半導体チッ
プの電極面（ボンディングパッド）と接続相手の外部リ
ードとの間のボンディング点がほぼ同じ高さになるの
で、ワイヤボンディングが容易となる他、ワイヤのルー
プ垂れなどでワイヤが他部分に接触するといった配線ト
ラブルも減少する。さらに、各外部リードは樹脂パッケ
ージの端面から二次元的に分散して突き出しているの
で、この外部リード支持脚として半導体装置の製品をプ
リント配線板に起立実装した際の自立性が同一面配列と
比べて遥かに安定する。この場合に外部リードを断面形
状をＶ字形などのチャンネル形とすることにより、リー
ド自身の曲げに対する剛性が高まって自立性がより一層
向上する。
した半導体装置では、樹脂パッケージの端面より突出し
各外部リードが同一平面上に配列しないで、リード相互
間に高低段差が確保される。したがって、リード間の沿
面距離が増大してその分だけ沿面放電に対する絶縁耐力
が増す。また、各外部リードのうちのダイパッドに連な
るリードを低段側に、他のリードを上段側に並べてリー
ド相互間に高低段差を付与することにより、半導体チッ
プの電極面（ボンディングパッド）と接続相手の外部リ
ードとの間のボンディング点がほぼ同じ高さになるの
で、ワイヤボンディングが容易となる他、ワイヤのルー
プ垂れなどでワイヤが他部分に接触するといった配線ト
ラブルも減少する。さらに、各外部リードは樹脂パッケ
ージの端面から二次元的に分散して突き出しているの
で、この外部リード支持脚として半導体装置の製品をプ
リント配線板に起立実装した際の自立性が同一面配列と
比べて遥かに安定する。この場合に外部リードを断面形
状をＶ字形などのチャンネル形とすることにより、リー
ド自身の曲げに対する剛性が高まって自立性がより一層
向上する。
【００１１】なお、前記のリードフレームは、あらかじ
め外部リード相互間の高低段差分を展開してパターン設
計しておき、リードフレームの製作時に金型などの治具
を用いてタイバーの段付け加工，および外部リードのチ
ャンネル加工を行うことで簡単に対応できる。
め外部リード相互間の高低段差分を展開してパターン設
計しておき、リードフレームの製作時に金型などの治具
を用いてタイバーの段付け加工，および外部リードのチ
ャンネル加工を行うことで簡単に対応できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、各実施例の図中で図４に対応する同一部材
には同じ符号が付してある。 実施例１：図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の請求項１に対
応した実施例を示すものであり、リードフレーム１の基
本的なパターンは図４と同様であるが、特に外部リード
の相互間を連結するタイバー１ｄに対して、リードとリ
ードとの中間地点には段付き加工による段差部５が形成
されている。この段差部５の形成により、左右に並ぶ３
本の外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄの間には上下方向での
相対的な高低段差が形成される。
する。なお、各実施例の図中で図４に対応する同一部材
には同じ符号が付してある。 実施例１：図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の請求項１に対
応した実施例を示すものであり、リードフレーム１の基
本的なパターンは図４と同様であるが、特に外部リード
の相互間を連結するタイバー１ｄに対して、リードとリ
ードとの中間地点には段付き加工による段差部５が形成
されている。この段差部５の形成により、左右に並ぶ３
本の外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄの間には上下方向での
相対的な高低段差が形成される。
【００１３】なお、前記リードフレーム１は、あらかじ
め外部リード相互間の高低段差分を展開してパターン設
計しておき、リードフレームの製作時にタイバーの段付
け加工を同時に行うものとする。かかる構成のリードフ
レーム１に対し、（ｃ）図で示すように半導体チップ２
をマウントして外部リード１ｂ，１ｄとの間にワイヤ３
をボンディングし、さらにその周域に樹脂封止４をモー
ルドした後に、タイバー１ｅを切断すれば、半導体装置
の製品が完成する。
め外部リード相互間の高低段差分を展開してパターン設
計しておき、リードフレームの製作時にタイバーの段付
け加工を同時に行うものとする。かかる構成のリードフ
レーム１に対し、（ｃ）図で示すように半導体チップ２
をマウントして外部リード１ｂ，１ｄとの間にワイヤ３
をボンディングし、さらにその周域に樹脂封止４をモー
ルドした後に、タイバー１ｅを切断すれば、半導体装置
の製品が完成する。
【００１４】また、（ｄ）図は半導体装置の端面を表し
ており、図示から判るように封止樹脂４の端面から突出
した外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄは相互間に段差ｈを隔
てて二次元的に分散配列している。したがって、この構
成により外部リード相互間の沿面距離が拡大して高い絶
縁耐力が確保されるほか、３本の外部リードを支持脚と
して半導体装置をプリント配線板に実装した場合には、
図４のリード配列に比べて自立性が高く、実装姿勢が安
定する。
ており、図示から判るように封止樹脂４の端面から突出
した外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄは相互間に段差ｈを隔
てて二次元的に分散配列している。したがって、この構
成により外部リード相互間の沿面距離が拡大して高い絶
縁耐力が確保されるほか、３本の外部リードを支持脚と
して半導体装置をプリント配線板に実装した場合には、
図４のリード配列に比べて自立性が高く、実装姿勢が安
定する。
【００１５】実施例２：図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の
請求項２に対応した実施例１の応用実施例を示すもので
ある。この実施例においては、リードフレーム１にパタ
ーン形成した３本の外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄについ
て、ダイパッド１ａに連ねて引出した中央のリード１ｃ
が下段位置に、その両側に並ぶリード１ｂ，１ｄが上段
位置に並ぶように、タイバー１ｅに対する段付き加工が
施されている。したがって、組立後に封止樹脂４の端面
から突出した外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄの配列は
（ｃ）図にようになる。
請求項２に対応した実施例１の応用実施例を示すもので
ある。この実施例においては、リードフレーム１にパタ
ーン形成した３本の外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄについ
て、ダイパッド１ａに連ねて引出した中央のリード１ｃ
が下段位置に、その両側に並ぶリード１ｂ，１ｄが上段
位置に並ぶように、タイバー１ｅに対する段付き加工が
施されている。したがって、組立後に封止樹脂４の端面
から突出した外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄの配列は
（ｃ）図にようになる。
【００１６】かかる構成によれば、実施例１と同等な効
果が得られるほか、特に半導体チップとの間でワイヤボ
ンディングされる相手先の外部リード１ｂ，１ｄが上段
側に並んでいる。したがって、半導体チップのボンディ
ングパッドと外部リード１ｂ，１ｄのボンディング点と
がほぼ同じ高さになるのでワイヤボンディングが容易と
なるほか、リード間の段差ｈにより、ループ垂れなどで
ボンディングワイヤがダイパッド１ａ，あるいは別なリ
ード１ｃなどに接触するといった配線トラブルの危険性
が減少する。
果が得られるほか、特に半導体チップとの間でワイヤボ
ンディングされる相手先の外部リード１ｂ，１ｄが上段
側に並んでいる。したがって、半導体チップのボンディ
ングパッドと外部リード１ｂ，１ｄのボンディング点と
がほぼ同じ高さになるのでワイヤボンディングが容易と
なるほか、リード間の段差ｈにより、ループ垂れなどで
ボンディングワイヤがダイパッド１ａ，あるいは別なリ
ード１ｃなどに接触するといった配線トラブルの危険性
が減少する。
【００１７】実施例３：図３は本発明の請求項３に対応
した実施例を示すものであり、この実施例においては、
外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄに対して、プレス加工など
によりその全長に亙って断面形状がＶ字形を呈するよう
折り曲げ成形されている。かかる構成よれば、外部リー
ド１ｂ，１ｃ，１ｄの曲げ剛性が平板状のリードと比べ
て十分高まるので、半導体装置をプリント配線板に実装
する際の自立性がより一層向上する。
した実施例を示すものであり、この実施例においては、
外部リード１ｂ，１ｃ，１ｄに対して、プレス加工など
によりその全長に亙って断面形状がＶ字形を呈するよう
折り曲げ成形されている。かかる構成よれば、外部リー
ド１ｂ，１ｃ，１ｄの曲げ剛性が平板状のリードと比べ
て十分高まるので、半導体装置をプリント配線板に実装
する際の自立性がより一層向上する。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の構成によれ
ば、外部リード相互間の絶縁耐力が高まり、また半導体
チップと外部リードとの間に配線したボンディングワイ
ヤの配線トラブルが回避でき、しかも外部リードを支持
脚とした自立性を高めてプリント配線板に実装する際の
取付け姿勢の安定化が図れるなど、実用的価値の高い半
導体装置を提供できる。
ば、外部リード相互間の絶縁耐力が高まり、また半導体
チップと外部リードとの間に配線したボンディングワイ
ヤの配線トラブルが回避でき、しかも外部リードを支持
脚とした自立性を高めてプリント配線板に実装する際の
取付け姿勢の安定化が図れるなど、実用的価値の高い半
導体装置を提供できる。
【図１】本発明の実施例１に対応する半導体装置の構成
図であり、（ａ）はリードフレームの平面図、（ｂ）は
リードフレームの正面図、（ｃ）はリードフレームに半
導体チップをマウントしてワイヤをボンディングした組
立状態図、（ｄ）は完成製品の端面図
図であり、（ａ）はリードフレームの平面図、（ｂ）は
リードフレームの正面図、（ｃ）はリードフレームに半
導体チップをマウントしてワイヤをボンディングした組
立状態図、（ｄ）は完成製品の端面図
【図２】本発明の実施例２に対応する構成図であり、
（ａ）はリードフレームの平面図、（ｂ）はリードフレ
ームの正面図、（ｃ）は完成製品の端面図
（ａ）はリードフレームの平面図、（ｂ）はリードフレ
ームの正面図、（ｃ）は完成製品の端面図
【図３】本発明の実施例３に対応する構成図であり、
（ａ）はリードフレームの正面図、（ｂ）は完成製品の
端面図
（ａ）はリードフレームの正面図、（ｂ）は完成製品の
端面図
【図４】本発明の実施対象となる半導体装置の従来構成
図であり、（ａ）はリードフレームの正面図、（ｂ）は
リードフレームの端面図、（ｃ）はリードフレームの側
面図、（ｄ）はリードフレームに半導体チップをマウン
トしてワイヤをボンディングした組立状態図、（ｄ）は
完成製品の外観斜視図
図であり、（ａ）はリードフレームの正面図、（ｂ）は
リードフレームの端面図、（ｃ）はリードフレームの側
面図、（ｄ）はリードフレームに半導体チップをマウン
トしてワイヤをボンディングした組立状態図、（ｄ）は
完成製品の外観斜視図
１ リードフレーム １ａ ダイパッド １ｂ，１ｃ，１ｄ 外部リード １ｅ タイバー ２ 半導体チップ ３ ボンディングワイヤ ４ 封止樹脂 ５ 段差部 ｈ 段差
Claims (3)
- 【請求項１】ダイパッドと、引出し方向を揃えてダイパ
ッドの側方に並ぶ外部リードと、外部リードの相互間を
連結するタイバーとをパターン形成したリードフレーム
を用い、前記ダイパッドにマウントした半導体チップと
外部リードとの間をワイヤボンディングにより接続した
した上でその周域を樹脂モールドし、さらにタイバーを
切断して構成した樹脂封止形の半導体装置において、リ
ードフレームのタイバーに段付き加工を施し、隣り合う
外部リードの相互間に高低段差を付与して組立構成した
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、外部
リードのうちのダイパッドに連なるリードを低段側に、
他のリードを上段側に並べてリード相互間に高低段差を
付与したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体装置において、外部
リードの断面形状をチャンネル形となしたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06181270A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06181270A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181270A true JPH06181270A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18265078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06181270A (ja) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181270A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990035575A (ko) * | 1997-10-31 | 1999-05-15 | 윤종용 | 쇼트 리드형 반도체 패키지의 리드 프레임 |
| JP2022076308A (ja) * | 2020-11-09 | 2022-05-19 | 株式会社デンソー | 電気機器 |
-
1992
- 1992-12-15 JP JP43A patent/JPH06181270A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990035575A (ko) * | 1997-10-31 | 1999-05-15 | 윤종용 | 쇼트 리드형 반도체 패키지의 리드 프레임 |
| JP2022076308A (ja) * | 2020-11-09 | 2022-05-19 | 株式会社デンソー | 電気機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4731021B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP3205235B2 (ja) | リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型 | |
| JP4095827B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0817954A (ja) | 電気部品用パッケージおよびその製造方法 | |
| US6265761B1 (en) | Semiconductor devices with improved lead frame structures | |
| CN222720429U (zh) | 混合四方扁平无引线qfn和四方扁平封装qfp集成电路封装 | |
| JP7558941B2 (ja) | 内向きに湾曲したリードを含む集積回路パッケージ | |
| JP2000349222A (ja) | リードフレーム及び半導体パッケージ | |
| JP2859057B2 (ja) | リードフレーム | |
| JP3034517B1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0730042A (ja) | 半導体装置用リードフレーム、それを用いた半導体装置及びその製造方法 | |
| KR20020090328A (ko) | 리드 프레임의 제조 방법, 리드 프레임, 및 반도체 장치 | |
| JP2874435B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびリードフレーム | |
| JP2679848B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11233709A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置 | |
| JPH09129798A (ja) | 電子部品およびその製法 | |
| JP3195515B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3215505B2 (ja) | 標準リードフレームおよびこの標準リードフレームを用いたリードフレームの製造方法 | |
| JP3853235B2 (ja) | リードフレーム | |
| JP3891772B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN118782571A (zh) | 具有对准特征部的夹片及相关方法 | |
| CN118588675A (zh) | 混合多管芯qfp-qfn封装 | |
| JPH02159752A (ja) | リードフレーム | |
| JP2000049275A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 | |
| JPS63308359A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 |