JPH0618184B2 - イオンビームエッチング方法 - Google Patents
イオンビームエッチング方法Info
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- JPH0618184B2 JPH0618184B2 JP58083002A JP8300283A JPH0618184B2 JP H0618184 B2 JPH0618184 B2 JP H0618184B2 JP 58083002 A JP58083002 A JP 58083002A JP 8300283 A JP8300283 A JP 8300283A JP H0618184 B2 JPH0618184 B2 JP H0618184B2
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 65
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 48
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、セラミックス等の材質の基板上に真空蒸着法
やスパッタリング法で形成した薄膜をレジストマスクを
介し、イオンビームを照射し、イオンのスパッタリング
効果により、薄膜露出部を除去するためのイオンビーム
エッチング方法に関するものである。
やスパッタリング法で形成した薄膜をレジストマスクを
介し、イオンビームを照射し、イオンのスパッタリング
効果により、薄膜露出部を除去するためのイオンビーム
エッチング方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、半導体分野を中心に薄膜を利用したデバイスの需
要は、年々高まっている。一方、その製造方法において
は、薄膜の付着、除去と種々の工程があり、用途に応
じ、適切な加工法および装置を利用している。この薄膜
除去法の一つとして、イオンビームエッチング法が検討
されている。
要は、年々高まっている。一方、その製造方法において
は、薄膜の付着、除去と種々の工程があり、用途に応
じ、適切な加工法および装置を利用している。この薄膜
除去法の一つとして、イオンビームエッチング法が検討
されている。
以下、図面を参照しながら、従来のイオンビームエッチ
ング方法について説明する。
ング方法について説明する。
第１図は、従来のイオンビーム装置を示すものである。
第１図において、１は、真空状態を維持することが可能
な真空槽である。２は真空槽１の外部より真空槽１の内
部へガス粒子を導入するための材質がステンレスのパイ
プである。３は、パイプ２を通し導入されたガス粒子を
気体放電にてイオン粒子に変換するためのイオン発生室
である。４は、レジストマスクによりパターンを形成さ
れた被加工物であり、４ａは、材質がアルミナの基板で
あり、４ｂは、真空蒸着法等で形成された膜厚が約１０
００Åの薄膜であり、４ｃは、膜厚が約1.7μｍのレジ
ストマスクである。５は、イオン発生室３で作られたイ
オン粒子をイオンビームとして、被加工物４表面に照射
するために、前記イオン粒子をイオン発生室３より引出
すためのイオン引出し電極である。６は、被加工物４が
イオンビーム照射により、温度上昇をするのを抑制し、
レジストマスク４ｃの劣化を防止するための冷却され、
かつ回転可能な試料台である。７は、イオン発生室３よ
り引出されたイオンビームである。
第１図において、１は、真空状態を維持することが可能
な真空槽である。２は真空槽１の外部より真空槽１の内
部へガス粒子を導入するための材質がステンレスのパイ
プである。３は、パイプ２を通し導入されたガス粒子を
気体放電にてイオン粒子に変換するためのイオン発生室
である。４は、レジストマスクによりパターンを形成さ
れた被加工物であり、４ａは、材質がアルミナの基板で
あり、４ｂは、真空蒸着法等で形成された膜厚が約１０
００Åの薄膜であり、４ｃは、膜厚が約1.7μｍのレジ
ストマスクである。５は、イオン発生室３で作られたイ
オン粒子をイオンビームとして、被加工物４表面に照射
するために、前記イオン粒子をイオン発生室３より引出
すためのイオン引出し電極である。６は、被加工物４が
イオンビーム照射により、温度上昇をするのを抑制し、
レジストマスク４ｃの劣化を防止するための冷却され、
かつ回転可能な試料台である。７は、イオン発生室３よ
り引出されたイオンビームである。
以上のように構成されたイオンビーム装置について、以
下その動作を説明する。
下その動作を説明する。
まず、真空ポンプにより、真空槽１内の真空度を２×１
０-5Torr以下に真空排気した後、パイプ２を通し、アル
ゴン（以下Ａｒと略す）ガスを6.0ないし7.0ＳＣＣＭの
流量で一定してイオン発生室３に導入し、真空槽１内の
真空度を1.8×１０-4Torr程度に保持する。イオン引出
し電極５およびイオン発生室３内の所定の電極に、通電
し、イオン発生室３内でＡｒの気体放電を起す。すなわ
ち、パイプ２によりイオン発生室３に導入されたＡｒ粒
子は、励起により、Ａｒイオン粒子に変換される。また
同時に、イオン発生室３内で生成されたＡｒイオン粒子
は、イオン引出し電極５を介し、加速され、イオンビー
ム７として、被加工物４に照射される。被加工物４表面
に衝突したＡｒイオン粒子は、被加工物４の原子を除去
する。すなわち、加速されたＡｒイオン粒子が被加工物
４に衝突すると、Ａｒイオン粒子の運動量が、被加工物
４の原子に移り、その原子は、Ａｒイオン粒子により、
はじき出される。従がって、Ａｒイオン粒子によるイオ
ンビームエッチングは、前記スパッタリング効果を利用
するものであり、Ａｒイオン粒子のエネルギが、被加工
物４の構成原子の結合エネルギ（約２５eV）より、大き
い場合に進行する。この場合、レジストマスク４ｃも、
エッチングされるべき薄膜４ｂと共にイオンビーム７に
より、除去されていくが、薄膜４ｂに比べ、レジストマ
スク４ｃの薄膜が、大きいため、薄膜4bの露出部が、レ
ジストマスク４ｃよりも早く除去することが可能であ
る。また、イオンビーム７照射による被加工物４の加工
速度（エッチング速度）Ｒ(θ)は、一般に次式で表わさ
れる。
０-5Torr以下に真空排気した後、パイプ２を通し、アル
ゴン（以下Ａｒと略す）ガスを6.0ないし7.0ＳＣＣＭの
流量で一定してイオン発生室３に導入し、真空槽１内の
真空度を1.8×１０-4Torr程度に保持する。イオン引出
し電極５およびイオン発生室３内の所定の電極に、通電
し、イオン発生室３内でＡｒの気体放電を起す。すなわ
ち、パイプ２によりイオン発生室３に導入されたＡｒ粒
子は、励起により、Ａｒイオン粒子に変換される。また
同時に、イオン発生室３内で生成されたＡｒイオン粒子
は、イオン引出し電極５を介し、加速され、イオンビー
ム７として、被加工物４に照射される。被加工物４表面
に衝突したＡｒイオン粒子は、被加工物４の原子を除去
する。すなわち、加速されたＡｒイオン粒子が被加工物
４に衝突すると、Ａｒイオン粒子の運動量が、被加工物
４の原子に移り、その原子は、Ａｒイオン粒子により、
はじき出される。従がって、Ａｒイオン粒子によるイオ
ンビームエッチングは、前記スパッタリング効果を利用
するものであり、Ａｒイオン粒子のエネルギが、被加工
物４の構成原子の結合エネルギ（約２５eV）より、大き
い場合に進行する。この場合、レジストマスク４ｃも、
エッチングされるべき薄膜４ｂと共にイオンビーム７に
より、除去されていくが、薄膜４ｂに比べ、レジストマ
スク４ｃの薄膜が、大きいため、薄膜4bの露出部が、レ
ジストマスク４ｃよりも早く除去することが可能であ
る。また、イオンビーム７照射による被加工物４の加工
速度（エッチング速度）Ｒ(θ)は、一般に次式で表わさ
れる。
Ｒ(θ)＝Ａ×Ｉ×Ｓ(θ)cosθ／ｎ Å／min ここで、ｎは被加工物４の原子密度（ａｔomｓ／c
m3）、Ｉはイオンビーム電流密度（ｍＡ／cm2）、θ
は、被加工物４へのイオンビーム入射角、Ｓ(θ)は、ス
パッタリング率、Ａは、定数である。すなわち、被加工
物の加工速度は、イオンビーム電流密度に比例する関係
がある。従がって、被加工物４に照射されるイオンビー
ム７のイオンビーム電流密度が、被加工物４表面上で、
強弱の分布をもてば、被加工物４の加工速度は分布をも
つことになる。概して、被加工物４には、加工均一性を
要求するものが多い。例えば、オーバーエッチング時、
被加工槽の下地に悪影響を与えるもの、またレジストの
後退により被加工物４の加工線幅忠実度低下により、被
加工物４の製品品質を悪化させるもの等、加工均一性に
伴う種々の問題がある。そこで、被加工物４の大きさに
も依存するが、試料台６を回転させることにより、被加
工物４表面上の各位置で、イオンビーム電流密度と照射
時間の積が、一定処理時間内でほぼ一定にする試みが成
されてきた。しかし、イオンビーム７の被加工物４に対
するビーム入射角を変化させ、被加工物４の加工断面に
傾斜をもたせる場合、従来法では、その断面がテーパ状
になる。このように従来のイオンビーム装置は、上記試
料台６の回転に起因する加工上の欠点を有していた。
m3）、Ｉはイオンビーム電流密度（ｍＡ／cm2）、θ
は、被加工物４へのイオンビーム入射角、Ｓ(θ)は、ス
パッタリング率、Ａは、定数である。すなわち、被加工
物の加工速度は、イオンビーム電流密度に比例する関係
がある。従がって、被加工物４に照射されるイオンビー
ム７のイオンビーム電流密度が、被加工物４表面上で、
強弱の分布をもてば、被加工物４の加工速度は分布をも
つことになる。概して、被加工物４には、加工均一性を
要求するものが多い。例えば、オーバーエッチング時、
被加工槽の下地に悪影響を与えるもの、またレジストの
後退により被加工物４の加工線幅忠実度低下により、被
加工物４の製品品質を悪化させるもの等、加工均一性に
伴う種々の問題がある。そこで、被加工物４の大きさに
も依存するが、試料台６を回転させることにより、被加
工物４表面上の各位置で、イオンビーム電流密度と照射
時間の積が、一定処理時間内でほぼ一定にする試みが成
されてきた。しかし、イオンビーム７の被加工物４に対
するビーム入射角を変化させ、被加工物４の加工断面に
傾斜をもたせる場合、従来法では、その断面がテーパ状
になる。このように従来のイオンビーム装置は、上記試
料台６の回転に起因する加工上の欠点を有していた。
発明の目的 本発明は、以上従来の欠点を除去するものであり、被加
工物を回転することなく、被加工物表面の各位置で、イ
オンビーム電流密度とイオンビーム照射時間との積の値
が、ほぼ一定にし、被加工物の加工均一性を向上させる
ことが可能なイオンビームエッチング方法を提供するも
のである。
工物を回転することなく、被加工物表面の各位置で、イ
オンビーム電流密度とイオンビーム照射時間との積の値
が、ほぼ一定にし、被加工物の加工均一性を向上させる
ことが可能なイオンビームエッチング方法を提供するも
のである。
発明の構成 本発明は、真空状態の維持が可能な真空槽と、前記真空
槽内に設けられ、真空槽外から導入されたガス粒子をイ
オン粒子に変換するためのイオン発生室と、前記イオン
粒子をイオンビームとして、真空槽内に配置された被加
工物に照射するよう、イオン発生室と被加工物の間に設
けられたイオン引出し電極とを有し、イオンビームを被
加工物に照射してエッチングを行なうイオンビームエッ
チング方法において、前記被加工物のエッチング中の一
定時間、前記被加工物へのイオンビーム入射経路上にし
ゃへい板を配することにより、前記被加工物の一部分の
みへのイオンビーム照射を遮断した後、前記しゃへい板
を除去して被加工物のエッチングを行なうイオンビーム
エッチング方法であるので、被加工物表面上の各位置
で、イオンビーム電流密度とイオンビーム照射時間との
積の値を加工時間内で、ほぼ一定にし、被加工物と加工
均一性を向上させることが可能になるものである。
槽内に設けられ、真空槽外から導入されたガス粒子をイ
オン粒子に変換するためのイオン発生室と、前記イオン
粒子をイオンビームとして、真空槽内に配置された被加
工物に照射するよう、イオン発生室と被加工物の間に設
けられたイオン引出し電極とを有し、イオンビームを被
加工物に照射してエッチングを行なうイオンビームエッ
チング方法において、前記被加工物のエッチング中の一
定時間、前記被加工物へのイオンビーム入射経路上にし
ゃへい板を配することにより、前記被加工物の一部分の
みへのイオンビーム照射を遮断した後、前記しゃへい板
を除去して被加工物のエッチングを行なうイオンビーム
エッチング方法であるので、被加工物表面上の各位置
で、イオンビーム電流密度とイオンビーム照射時間との
積の値を加工時間内で、ほぼ一定にし、被加工物と加工
均一性を向上させることが可能になるものである。
実施例の説明 以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第２図は、本発明の第１の実施例におけるイオンビーム
装置を示すものである。第２図において、１１は真空
槽、１２は、真空槽１１の外部より、真空槽１１の内部
にＡｒガスを導入するための材質がステンレスで径が６
mmのパイプ、１３は、パイプ１２により導入されたＡｒ
ガス粒子を気体放電にてＡｒイオン粒子に変換するため
のイオン発生室、１４は、被加工物、１４ａは材質がア
ルミナで形状が６０×６０×１の基板、１４ｂは真空蒸
着法で形成された膜厚が約１０００Åの薄膜、１４ｃは
膜厚が約1.7μｍのレジストマスク、１５はイオン発生
室１３よりＡｒイオン粒子を被加工物１４側へ引出すた
めの材質がモリブデンのイオン引出し電極、１６は被加
工物の温度上昇を抑制するための冷却された試料台、１
７はイオン発生室１３より引出されたイオンビーム、１
８は被加工物１４へのイオンビーム１７入射経路上に位
置することが可能で、被加工物１４処理中、少なくとも
一定時間、被加工物の一部分へのイオンビーム１７照射
を遮断することが可能な、材質がモリブデンで、形状が
φ４４×１．２の円板状のアース接地したしゃへい板で
ある。
装置を示すものである。第２図において、１１は真空
槽、１２は、真空槽１１の外部より、真空槽１１の内部
にＡｒガスを導入するための材質がステンレスで径が６
mmのパイプ、１３は、パイプ１２により導入されたＡｒ
ガス粒子を気体放電にてＡｒイオン粒子に変換するため
のイオン発生室、１４は、被加工物、１４ａは材質がア
ルミナで形状が６０×６０×１の基板、１４ｂは真空蒸
着法で形成された膜厚が約１０００Åの薄膜、１４ｃは
膜厚が約1.7μｍのレジストマスク、１５はイオン発生
室１３よりＡｒイオン粒子を被加工物１４側へ引出すた
めの材質がモリブデンのイオン引出し電極、１６は被加
工物の温度上昇を抑制するための冷却された試料台、１
７はイオン発生室１３より引出されたイオンビーム、１
８は被加工物１４へのイオンビーム１７入射経路上に位
置することが可能で、被加工物１４処理中、少なくとも
一定時間、被加工物の一部分へのイオンビーム１７照射
を遮断することが可能な、材質がモリブデンで、形状が
φ４４×１．２の円板状のアース接地したしゃへい板で
ある。
以上のように構成されたイオンビーム装置について、以
下その動作を説明する。
下その動作を説明する。
まず、真空ポンプにより、真空槽１１内の真空度を２×
１０-5Torr以下に真空排気した後、パイプ１２で、Ａｒ
ガスを6.0ないし7.0ＳＣＣＭの一定流量でイオン発生室
１３に導入する。この時、真空槽１１内の真空度は、1.
8×１０-4Torrになる。次にイオン引出し電極１５およ
びイオン発生室１３の所定の電極に通電し、加速された
Ａｒイオン粒子のイオンビーム１７を発生させる。約４
５０秒間、上記しゃへい板１８で、被加工物14上の中央
部に入射するイオンビーム１７を遮断した後、しゃへい
板１８をイオンビーム１７の被加工物１４入射経路より
除去する。すなわち、被加工物１４上へのイオンビーム
１７は、約４５０秒間、被加工物１４上の周辺部に照射
され、その後、被加工物１４上の全面に照射されること
になる。しゃへい板１８除去後、約１５０秒で、レジス
トマスク１４ｃで被覆されていない薄膜１４ｂは、被加
工物１４上全域で、ほぼ同時にエッチングされ、下地で
ある基板を露出した。ここで、従来と比較するため、イ
オンビーム１７の発生条件を同一にし、前記と同一の被
加工物１４を用いて、下記実験を実施した。ただし、試
料台１６は、回転させなかった。すなわち、しゃへい板
１６をイオンビーム１７の被加工物１４への入射経路よ
り、初期状態から除去し、約３００秒間、被加工物１４
上にイオンビーム１７を照射する。その後、真空槽１１
より被加工物１４を取り出し、レジストマスク１４ｃを
薬品にて除去した後、高精度の微小段差測定器を用い
て、９位置の薄膜１４ｂのエッチング深さを測定し、前
記９位置の加工速度を算出し、かつその平均値と９位置
の加工速度より加工均一性を評価すると、±７０％程度
であった。次に本発明で約２３０秒間、しゃへい板１８
で、被加工物１４上の中央部分に入射するイオンビーム
１７を遮断した後、前記と同様に、しゃへい板１８をそ
の位置より除去した後、さらに約７５秒間、イオンビー
ム１７を被加工物１４に照射し、前記と同様にして、加
工均一性を求めると±１６％程度であった。すなわち、
従来法に比較し、被加工物１４表面上の各位置でのイオ
ンビーム電流密度とイオンビーム照射時間との積の値の
変動が、少なくなったことを意味し、加工均一性が向上
したものと考える。
１０-5Torr以下に真空排気した後、パイプ１２で、Ａｒ
ガスを6.0ないし7.0ＳＣＣＭの一定流量でイオン発生室
１３に導入する。この時、真空槽１１内の真空度は、1.
8×１０-4Torrになる。次にイオン引出し電極１５およ
びイオン発生室１３の所定の電極に通電し、加速された
Ａｒイオン粒子のイオンビーム１７を発生させる。約４
５０秒間、上記しゃへい板１８で、被加工物14上の中央
部に入射するイオンビーム１７を遮断した後、しゃへい
板１８をイオンビーム１７の被加工物１４入射経路より
除去する。すなわち、被加工物１４上へのイオンビーム
１７は、約４５０秒間、被加工物１４上の周辺部に照射
され、その後、被加工物１４上の全面に照射されること
になる。しゃへい板１８除去後、約１５０秒で、レジス
トマスク１４ｃで被覆されていない薄膜１４ｂは、被加
工物１４上全域で、ほぼ同時にエッチングされ、下地で
ある基板を露出した。ここで、従来と比較するため、イ
オンビーム１７の発生条件を同一にし、前記と同一の被
加工物１４を用いて、下記実験を実施した。ただし、試
料台１６は、回転させなかった。すなわち、しゃへい板
１６をイオンビーム１７の被加工物１４への入射経路よ
り、初期状態から除去し、約３００秒間、被加工物１４
上にイオンビーム１７を照射する。その後、真空槽１１
より被加工物１４を取り出し、レジストマスク１４ｃを
薬品にて除去した後、高精度の微小段差測定器を用い
て、９位置の薄膜１４ｂのエッチング深さを測定し、前
記９位置の加工速度を算出し、かつその平均値と９位置
の加工速度より加工均一性を評価すると、±７０％程度
であった。次に本発明で約２３０秒間、しゃへい板１８
で、被加工物１４上の中央部分に入射するイオンビーム
１７を遮断した後、前記と同様に、しゃへい板１８をそ
の位置より除去した後、さらに約７５秒間、イオンビー
ム１７を被加工物１４に照射し、前記と同様にして、加
工均一性を求めると±１６％程度であった。すなわち、
従来法に比較し、被加工物１４表面上の各位置でのイオ
ンビーム電流密度とイオンビーム照射時間との積の値の
変動が、少なくなったことを意味し、加工均一性が向上
したものと考える。
発明の効果 以上のように本発明は、イオン引出し電極と被加工物と
の間で、被加工物へのイオンビーム入射経路区間に、イ
オンビーム照射による被加工物処理中、少なくとも一定
時間、被加工物の一部分へのイオンビーム照射を遮断す
ることが可能なしゃへい板を少なくとも１枚設けること
により、被加工物表面上の各位置で、イオンビーム電流
密度とイオンビーム照射時間との積の値を加工時間内
で、ほぼ一定にすることができ、被加工物の加工均一性
を向上させることが可能であり、実用上、きわめて有利
なものである。
の間で、被加工物へのイオンビーム入射経路区間に、イ
オンビーム照射による被加工物処理中、少なくとも一定
時間、被加工物の一部分へのイオンビーム照射を遮断す
ることが可能なしゃへい板を少なくとも１枚設けること
により、被加工物表面上の各位置で、イオンビーム電流
密度とイオンビーム照射時間との積の値を加工時間内
で、ほぼ一定にすることができ、被加工物の加工均一性
を向上させることが可能であり、実用上、きわめて有利
なものである。
なお、本実施例では、加工処理の初期に被加工物へのイ
オンビーム有効部分をしゃへい板により遮断したが、加
工処理の末期に遮断しても良い。また、周期的に、また
は、断続的に、上記しゃへい板によるイオンビーム有効
部のイオンビームを遮断しても良い。本実施例では、し
ゃへい板を１板で構成し、円板状としたが、非線系形状
でも良く、２枚以上利用しても良く、また、しゃへい板
形状を連続的、断続的、周期的に変化させても良い。
オンビーム有効部分をしゃへい板により遮断したが、加
工処理の末期に遮断しても良い。また、周期的に、また
は、断続的に、上記しゃへい板によるイオンビーム有効
部のイオンビームを遮断しても良い。本実施例では、し
ゃへい板を１板で構成し、円板状としたが、非線系形状
でも良く、２枚以上利用しても良く、また、しゃへい板
形状を連続的、断続的、周期的に変化させても良い。
要は、被加工物表面上の各位置で、イオンビーム電流密
度とイオンビーム照射時間との積の値を所要加工時間内
で、ほぼ一定にすることが可能であれば良い。
度とイオンビーム照射時間との積の値を所要加工時間内
で、ほぼ一定にすることが可能であれば良い。
なお、本実施例では、アルゴンガスを用いたが、キセノ
ンガスまたはヘリウムガスまたは、それらの混合ガスを
用いても良い。
ンガスまたはヘリウムガスまたは、それらの混合ガスを
用いても良い。
なお、本実施例では、しゃへい板の材質をモリブデンに
したが、材質がカーボンでも良い。
したが、材質がカーボンでも良い。
第１図は従来のイオンビーム装置を示す断面図、第２図
は本発明の一実施例におけるイオンビーム装置を示す断
面図である。 １１……真空槽、１３……イオン発生室、１４……被加
工物、１５……イオン引出し電極、１８……しゃへい
板。
は本発明の一実施例におけるイオンビーム装置を示す断
面図である。 １１……真空槽、１３……イオン発生室、１４……被加
工物、１５……イオン引出し電極、１８……しゃへい
板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐伯 宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−62735（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−177975（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】真空状態の維持が可能な真空槽と、前記真
空槽内に設けられ、真空槽外から導入されたガス粒子を
イオン粒子に変換するためのイオン発生室と、前記イオ
ン粒子をイオンビームとして、真空槽内に配置された被
加工物に照射するよう、イオン発生室と被加工物の間に
設けられたイオン引出し電極とを有し、イオンビームを
被加工物に照射してエッチングを行なうイオンビームエ
ッチング方法において、前記被加工物のエッチング中の
一定時間、前記被加工物へのイオンビーム入射経路上に
しゃへい板を配することにより、前記被加工物の一部分
のみへのイオンビーム照射を遮断した後、前記しゃへい
板を除去して被加工物のエッチングを行なうイオンビー
ムエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58083002A JPH0618184B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | イオンビームエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58083002A JPH0618184B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | イオンビームエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208726A JPS59208726A (ja) | 1984-11-27 |
| JPH0618184B2 true JPH0618184B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=13790043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58083002A Expired - Lifetime JPH0618184B2 (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | イオンビームエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618184B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3666111D1 (en) * | 1985-03-15 | 1989-11-09 | Denton Vacuum Inc | External plasma gun |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562735A (en) * | 1978-11-01 | 1980-05-12 | Toshiba Corp | Etching device |
| JPS5813626B2 (ja) * | 1981-04-24 | 1983-03-15 | 日本電信電話株式会社 | イオンシヤワ装置 |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58083002A patent/JPH0618184B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59208726A (ja) | 1984-11-27 |
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