JPH0618190B2 - ウエハ加工用フイルム - Google Patents
ウエハ加工用フイルムInfo
- Publication number
- JPH0618190B2 JPH0618190B2 JP59107539A JP10753984A JPH0618190B2 JP H0618190 B2 JPH0618190 B2 JP H0618190B2 JP 59107539 A JP59107539 A JP 59107539A JP 10753984 A JP10753984 A JP 10753984A JP H0618190 B2 JPH0618190 B2 JP H0618190B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- film
- polishing
- shore
- wafer processing
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
- C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C09J7/385—Acrylic polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
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- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はウエハ加工用フイルムに関する。詳細には、シ
リコンウエハ等のウエハの裏面を研磨加工する際に、研
磨加工時におけるウエハの破損を極めて効果的に防止す
ることができるウエハ加工用フイルムに関する。
リコンウエハ等のウエハの裏面を研磨加工する際に、研
磨加工時におけるウエハの破損を極めて効果的に防止す
ることができるウエハ加工用フイルムに関する。
半導体チップの製造に用いられるウエハには、シリコン
ウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ等のものがあり、なかで
もシリコンウエハが多用されている。
ウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ等のものがあり、なかで
もシリコンウエハが多用されている。
例えば、シリコンウエハは、高純度の単結晶シリコンを
厚さ５００〜１０００μｍ程度に薄くスライスすること
により製造されているが、近年、チップの小型化および
量産化にともない、さらに薄肉化の傾向にある。
厚さ５００〜１０００μｍ程度に薄くスライスすること
により製造されているが、近年、チップの小型化および
量産化にともない、さらに薄肉化の傾向にある。
また、その大きさについても従来の３〜４インチから５
〜８インチに移行しつつある。
〜８インチに移行しつつある。
シリコンウエハ自体はもともと脆いものであり、さらに
その表面に集積回路が組み込まれたものは表面凹凸のた
めわずかな外力によっても破損し易いという欠点があ
る。特に裏面研磨等の後加工の際に、加工時に加えられ
る外力によって破損を生じ易く、大きな障害となってい
る。
その表面に集積回路が組み込まれたものは表面凹凸のた
めわずかな外力によっても破損し易いという欠点があ
る。特に裏面研磨等の後加工の際に、加工時に加えられ
る外力によって破損を生じ易く、大きな障害となってい
る。
従来より、ウエハの破損防止方法として、パラフィン、
レジストインク等を塗布して、その凸凹を埋めてウエハ
に加わる外力を分散して保護する方法がとられている。
レジストインク等を塗布して、その凸凹を埋めてウエハ
に加わる外力を分散して保護する方法がとられている。
しかし、この方法では、パラフィンやレジストインク等
を塗布したり、さらに研磨後に塗布したパラフィンやレ
ジストインク等を加熱下で溶剤を用いて洗浄、除去する
工程が必要となり、操作が煩雑になり、処理に極めて長
い時間を要し、生産性が著しく低下するという欠点があ
る。これに加えて、５インチ以上の大口径ウエハの研磨
においてはウエハの破損は依然として防止できず、歩留
りが低くなり、生産性向上等の点から大きな障害となっ
ている。またパラフィンやレジストインク等の使用によ
り、これらによるウエハ表面の汚染の問題もあり、その
ような塗布法に代わるウエハ破損防止策が強く要望され
ている。
を塗布したり、さらに研磨後に塗布したパラフィンやレ
ジストインク等を加熱下で溶剤を用いて洗浄、除去する
工程が必要となり、操作が煩雑になり、処理に極めて長
い時間を要し、生産性が著しく低下するという欠点があ
る。これに加えて、５インチ以上の大口径ウエハの研磨
においてはウエハの破損は依然として防止できず、歩留
りが低くなり、生産性向上等の点から大きな障害となっ
ている。またパラフィンやレジストインク等の使用によ
り、これらによるウエハ表面の汚染の問題もあり、その
ような塗布法に代わるウエハ破損防止策が強く要望され
ている。
以上の点に鑑み、本発明の目的は、ウエハの研磨加工に
際して、その研磨加工時のウエハの破損を防止するとと
もに、生産性の向上に寄与し、しかもウエハ表面を汚染
することのない方法を提供することである。
際して、その研磨加工時のウエハの破損を防止するとと
もに、生産性の向上に寄与し、しかもウエハ表面を汚染
することのない方法を提供することである。
本発明者らが上記の目的を達成するために研究を重ねた
ところ、パラフィンやレジストインク等を塗布する上記
した従来の方法に代えて、特定の硬度を有するフイル
ム、すなわちショアＤ型硬度が４０以下である基材フイ
ルムに粘着剤層を設けたフイルムをその粘着剤層を介し
てウエハ表面に貼り合わせると、該フイルムがウエハ表
面の凸凹を埋め、ウエハの研磨加工時に加えられる外力
を分散せしめて、ウエハの破損を極めて効果的に防止で
きることを見出し、さらに検討を重ねて本発明を完成し
た。
ところ、パラフィンやレジストインク等を塗布する上記
した従来の方法に代えて、特定の硬度を有するフイル
ム、すなわちショアＤ型硬度が４０以下である基材フイ
ルムに粘着剤層を設けたフイルムをその粘着剤層を介し
てウエハ表面に貼り合わせると、該フイルムがウエハ表
面の凸凹を埋め、ウエハの研磨加工時に加えられる外力
を分散せしめて、ウエハの破損を極めて効果的に防止で
きることを見出し、さらに検討を重ねて本発明を完成し
た。
即ち、本発明は、エチレン−酢酸ビニル共重合体フイル
ムおよびポリブタジエンフイルムから選ばれたショアＤ
型硬度が４０以下で厚いが１０μｍ〜２０００μｍであ
る基材フイルムの表面に、厚みが５μｍ〜２００μｍの
粘着剤層を設けてなることを特徴とするウエハ加工用フ
イルムである。
ムおよびポリブタジエンフイルムから選ばれたショアＤ
型硬度が４０以下で厚いが１０μｍ〜２０００μｍであ
る基材フイルムの表面に、厚みが５μｍ〜２００μｍの
粘着剤層を設けてなることを特徴とするウエハ加工用フ
イルムである。
本発明のウエハ加工用フイルムの使用対象となるウエハ
はシリコンウエハのみならず、ガリウム−ヒ素、ガリウ
ム−リン、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素−アルミニウ
ム等のウエハが挙げられ、特に、大口径のシリコンウエ
ハに好適に使用される。
はシリコンウエハのみならず、ガリウム−ヒ素、ガリウ
ム−リン、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素−アルミニウ
ム等のウエハが挙げられ、特に、大口径のシリコンウエ
ハに好適に使用される。
本発明のウエハ加工用フイルムをウエハの研磨加工に使
用するに当たっては、ウエハ加工用フイルムをその粘着
剤層を介してウエハ表面に粘着し、その状態でフイルム
の貼られてないウエハの裏面を研磨加工する方法が採ら
れる。
用するに当たっては、ウエハ加工用フイルムをその粘着
剤層を介してウエハ表面に粘着し、その状態でフイルム
の貼られてないウエハの裏面を研磨加工する方法が採ら
れる。
本発明では、ウエハ加工用フイルムの基材フイルムとし
てショアＤ型硬度が４０以下のフイルムを使用すること
が重要であり、ショアＤ型硬度が３０以下の基材フイル
ムを用いるのが好ましい。
てショアＤ型硬度が４０以下のフイルムを使用すること
が重要であり、ショアＤ型硬度が３０以下の基材フイル
ムを用いるのが好ましい。
そして、ショアＤ型硬度が４０以下の基材フイルムを使
用する本発明において初めて研磨加工時にウエハに加え
られる外力の分散が円滑に行われるようになったのであ
り、それによってウエハの破損防止が極めて効果的に達
成できる。
用する本発明において初めて研磨加工時にウエハに加え
られる外力の分散が円滑に行われるようになったのであ
り、それによってウエハの破損防止が極めて効果的に達
成できる。
それに対して、軟質の基材フイルムであっても、そのシ
ョアＤ型硬度が４０を超える場合は、研磨加工時の外力
の分散が円滑に行われず、ウエハに不均一な外力がかか
り、ウエハの破損を実質的に防止することができなくな
り、製品の歩留り等が大幅に低下する。
ョアＤ型硬度が４０を超える場合は、研磨加工時の外力
の分散が円滑に行われず、ウエハに不均一な外力がかか
り、ウエハの破損を実質的に防止することができなくな
り、製品の歩留り等が大幅に低下する。
ここでいうショアＤ型硬度とは、ＡＳＴＭ Ｄ−２２４
０によるＤ型ショア硬度計を用いて測定した値である。
０によるＤ型ショア硬度計を用いて測定した値である。
ショアＤ型硬度が４０以下の基材フイルムとしては、熱
可塑性樹脂、天然または合成ゴム等からなるフイルムの
うち、ショアＤ型硬度が４０以下のものがあり、例えば
ショアＤ型硬度が４０以下のエチレン−酢酸ビニル共重
合体、ポリブタジエン、ポリウレタン、軟質塩化ビニル
樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の
熱可塑性エラストマー、およびジエン系、ニトリル系、
シリコン系、アクリル系等の合成ゴム等のフイルムを挙
げることができる。
可塑性樹脂、天然または合成ゴム等からなるフイルムの
うち、ショアＤ型硬度が４０以下のものがあり、例えば
ショアＤ型硬度が４０以下のエチレン−酢酸ビニル共重
合体、ポリブタジエン、ポリウレタン、軟質塩化ビニル
樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の
熱可塑性エラストマー、およびジエン系、ニトリル系、
シリコン系、アクリル系等の合成ゴム等のフイルムを挙
げることができる。
本発明は、それらのうちで、特にショアＤ型硬度が４０
以下のエチレン−酢酸ビニル共重合体フイルムまたはポ
リブタジエンフイルムを使用するものであり、これらの
フイルム２者は、入手し易い点、ウエハの汚染を生じ易
い可塑剤や金属化合物安定剤等を通常含有していない
点、弾性に富み研磨加工時の外力をより分散させ易い点
等から基材フイルムとして適している。
以下のエチレン−酢酸ビニル共重合体フイルムまたはポ
リブタジエンフイルムを使用するものであり、これらの
フイルム２者は、入手し易い点、ウエハの汚染を生じ易
い可塑剤や金属化合物安定剤等を通常含有していない
点、弾性に富み研磨加工時の外力をより分散させ易い点
等から基材フイルムとして適している。
該基材フイルムの厚みは保護するウエハの形状、表面状
態および研磨方法、研磨条件等により適当に決められる
が、通常１０μｍ〜２０００μｍである。
態および研磨方法、研磨条件等により適当に決められる
が、通常１０μｍ〜２０００μｍである。
基材フイルムの表面に設ける粘着剤層は、例えばアクリ
ル系、エステル系、ウレタン系等の粘着剤あるいは合成
ゴム系粘着剤等の市販されている粘着剤を基材フイルム
の表面に塗布、乾燥することにより得られる。
ル系、エステル系、ウレタン系等の粘着剤あるいは合成
ゴム系粘着剤等の市販されている粘着剤を基材フイルム
の表面に塗布、乾燥することにより得られる。
粘着剤層の厚みとしては、ウエハの表面状態、形状、研
磨方法等により適宜きめられるが、通常５μｍ〜２００
μｍが好ましい。
磨方法等により適宜きめられるが、通常５μｍ〜２００
μｍが好ましい。
粘着剤を基材フイルムの表面に塗布する方法としては、
従来公知の塗布方法、例えばロールコーター法、グラビ
アロール法、バーコート法、浸漬法、ハケ塗り法、スプ
レー法等が採用でき、基材フイルムの全面もしくは部分
面に塗布することができる。
従来公知の塗布方法、例えばロールコーター法、グラビ
アロール法、バーコート法、浸漬法、ハケ塗り法、スプ
レー法等が採用でき、基材フイルムの全面もしくは部分
面に塗布することができる。
以下に、実施例および比較例により本発明をさらに詳細
に説明する。
に説明する。
以下の実施例および比較例において、ウエハの破損の有
無に関しては、肉眼で観察して、ウエハが複数に破損し
た場合、ウエハの一部が破損して欠損を生じている場
合、ウエハの研磨加工面（裏面）に亀裂が生じている場
合およびウエハの端部がかけ端部がギザギザ状となって
いる場合には、いずれも「破損あり」と判定して、その
破損枚数を数えた。
無に関しては、肉眼で観察して、ウエハが複数に破損し
た場合、ウエハの一部が破損して欠損を生じている場
合、ウエハの研磨加工面（裏面）に亀裂が生じている場
合およびウエハの端部がかけ端部がギザギザ状となって
いる場合には、いずれも「破損あり」と判定して、その
破損枚数を数えた。
実施例１ ＡＳＴＭ Ｄ−２２４０に準じて測定したショアＤ型硬
度が３０であるエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂フイ
ルム（２００μｍ厚さ）の片面にコロナ放電処理をした
後、該処理面にアクリル系粘着剤（三井東圧化学製、商
品名：アロマテックス）をロールコーター機により塗
布、乾燥して、厚さ約５０μｍのアクリル系粘着剤層を
設けたウエハ加工用フイルムを作成した。
度が３０であるエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂フイ
ルム（２００μｍ厚さ）の片面にコロナ放電処理をした
後、該処理面にアクリル系粘着剤（三井東圧化学製、商
品名：アロマテックス）をロールコーター機により塗
布、乾燥して、厚さ約５０μｍのアクリル系粘着剤層を
設けたウエハ加工用フイルムを作成した。
このフイルムを、表面の凸凹差が約５０μｍであるシリ
コンウエハ（径：６インチ、厚さ：６００μｍ）の表面
に貼り合わせ、該ウエハの裏面を研磨機（ディスコ社
製；ロータリーサーフェイスグラインダーＤＦＧ−８３
Ｈ／６型）を用いて、ウエハ送り速度：２００ｍｍ／
分、砥石粒度：第一４０／６０μｍ、第二２０／３０μ
ｍ、第三２／４μｍ、冷却水：５．０／分、研磨量：
４００μｍ（６００→２００）の条件下に研磨した。次
いで該フイルムを剥がし、ウエハを純水で洗浄した。
コンウエハ（径：６インチ、厚さ：６００μｍ）の表面
に貼り合わせ、該ウエハの裏面を研磨機（ディスコ社
製；ロータリーサーフェイスグラインダーＤＦＧ−８３
Ｈ／６型）を用いて、ウエハ送り速度：２００ｍｍ／
分、砥石粒度：第一４０／６０μｍ、第二２０／３０μ
ｍ、第三２／４μｍ、冷却水：５．０／分、研磨量：
４００μｍ（６００→２００）の条件下に研磨した。次
いで該フイルムを剥がし、ウエハを純水で洗浄した。
上記と同様の研磨を１００枚のシリコンウエハについて
実施した。この時のウエハの破損枚数は皆無（０枚）で
あり、１００枚のシリコンウエハの研磨加工に要した作
業時間は約１時間であった。
実施した。この時のウエハの破損枚数は皆無（０枚）で
あり、１００枚のシリコンウエハの研磨加工に要した作
業時間は約１時間であった。
実施例２ 基材フイルムとしてショアＤ型硬度が２０であるブタジ
エンゴムシート（約３００μｍ厚さ）を用いて、実施例
１と同様にして厚さ約３０μｍアクリル系粘着剤層を設
けたウエハ加工用フイルムを作成した。これを、表面凸
凹差約３０μｍのシリコンウエハ表面に貼り合わせ、実
施例１と同様にして研磨して、１００枚の研磨シリコン
ウエハを製造した。その結果、破損不良品の枚数は０で
あり、１００枚のシリコンウエハの研磨作業を約１時間
で終了した。
エンゴムシート（約３００μｍ厚さ）を用いて、実施例
１と同様にして厚さ約３０μｍアクリル系粘着剤層を設
けたウエハ加工用フイルムを作成した。これを、表面凸
凹差約３０μｍのシリコンウエハ表面に貼り合わせ、実
施例１と同様にして研磨して、１００枚の研磨シリコン
ウエハを製造した。その結果、破損不良品の枚数は０で
あり、１００枚のシリコンウエハの研磨作業を約１時間
で終了した。
比較例１ 実施例１で用いたと同じシリコンウエハ表面に約５０℃
のパラフィンを流し込み冷却した後、実施例１と同様に
して裏面を研磨し、次いで５０℃の加熱下にトリクロロ
エチレンでパラフィンを洗浄・除去し、さらに純水でウ
エハの表面を洗浄する従来の方法により１００枚の研磨
加工シリコンウエハを製造した。この時の破損枚数は０
であったが、１００枚のシリコンウエハについてパラフ
ィンの流し込みからウエハの洗浄までの全工程に要した
時間は約５時間であり、生産速度は実施例１の約１／５
と極めて低かった。また、洗浄後のウエハ表面にはパラ
フィンによる汚染が認められた。
のパラフィンを流し込み冷却した後、実施例１と同様に
して裏面を研磨し、次いで５０℃の加熱下にトリクロロ
エチレンでパラフィンを洗浄・除去し、さらに純水でウ
エハの表面を洗浄する従来の方法により１００枚の研磨
加工シリコンウエハを製造した。この時の破損枚数は０
であったが、１００枚のシリコンウエハについてパラフ
ィンの流し込みからウエハの洗浄までの全工程に要した
時間は約５時間であり、生産速度は実施例１の約１／５
と極めて低かった。また、洗浄後のウエハ表面にはパラ
フィンによる汚染が認められた。
比較例２ ショアＤ型硬度が５０である低密度ポリエチレンフイル
ム（２００μｍ厚み）を基材フイルムとして用いた以外
は、実施例１と同様にしてアクリル系粘着剤塗布フイル
ムを作成した。このフイルムを用いて、実施例１と同様
にして１００枚のシリコンウエハの研磨加工を行った。
その結果、破損による不良品が１００枚中６枚も発生
し、歩留りが極めて低かった。この破損した不良品６枚
の内訳は、３枚がウエハの一部が破損して欠損を生じた
もの、２枚が亀裂の発生したもの、１枚が端部がギザギ
ザ状となたものである。
ム（２００μｍ厚み）を基材フイルムとして用いた以外
は、実施例１と同様にしてアクリル系粘着剤塗布フイル
ムを作成した。このフイルムを用いて、実施例１と同様
にして１００枚のシリコンウエハの研磨加工を行った。
その結果、破損による不良品が１００枚中６枚も発生
し、歩留りが極めて低かった。この破損した不良品６枚
の内訳は、３枚がウエハの一部が破損して欠損を生じた
もの、２枚が亀裂の発生したもの、１枚が端部がギザギ
ザ状となたものである。
ショアＤ型硬度が４０以下であるエチレン−酢酸ビニル
共重合体フイルムまたはポリブタジエンフイルムからな
る基材フイルムの表面に粘着剤層を設けた本発明のウエ
ハ加工用フイルムは、柔軟性に富んでおり、外力を吸収
して分散する性質があり、これをウエハ表面に貼り合わ
せて裏面の研磨加工を行うと、研磨加工時のウエハの破
損を防止でき、しかも研磨後簡単に剥がすことができる
ので洗浄等の後処理が不要であり、ウエハ表面の汚染も
なくなるという秀でた利点を発揮するものである。
共重合体フイルムまたはポリブタジエンフイルムからな
る基材フイルムの表面に粘着剤層を設けた本発明のウエ
ハ加工用フイルムは、柔軟性に富んでおり、外力を吸収
して分散する性質があり、これをウエハ表面に貼り合わ
せて裏面の研磨加工を行うと、研磨加工時のウエハの破
損を防止でき、しかも研磨後簡単に剥がすことができる
ので洗浄等の後処理が不要であり、ウエハ表面の汚染も
なくなるという秀でた利点を発揮するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−45929（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−37836（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−14043（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−145775（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】エチレン−酢酸ビニル共重合体フイルムお
よびポリブタジエンフイルムから選ばれたショアＤ型硬
度が４０以下で厚みが１０μｍ〜２０００μｍである基
材フイルムの表面に、厚みが５μｍ〜２００μｍの粘着
剤層を設けてなることを特徴とするウエハ加工用フイル
ム。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107539A JPH0618190B2 (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | ウエハ加工用フイルム |
| DE8585902642T DE3581514D1 (de) | 1984-05-29 | 1985-05-23 | Film zur behandlung von halbleiterwaffeln. |
| US06/823,492 US4853286A (en) | 1984-05-29 | 1985-05-23 | Wafer processing film |
| PCT/JP1985/000284 WO1985005734A1 (fr) | 1984-05-29 | 1985-05-23 | Film d'usinage de tranches de semi-conducteurs |
| EP19850902642 EP0185767B1 (en) | 1984-05-29 | 1985-05-23 | Film for machining wafers |
| KR1019860700046A KR900001236B1 (ko) | 1984-05-29 | 1985-05-23 | 웨이퍼 가공용필름 |
| US07/357,351 US4928438A (en) | 1984-05-29 | 1989-05-26 | Wafer processing film |
| SG53191A SG53191G (en) | 1984-05-29 | 1991-07-09 | Film for machining wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107539A JPH0618190B2 (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | ウエハ加工用フイルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110242A JPS6110242A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0618190B2 true JPH0618190B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=14461752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59107539A Expired - Lifetime JPH0618190B2 (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | ウエハ加工用フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618190B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1984
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