JPH06186563A - 配向膜の製造方法、製造装置及び測定装置 - Google Patents
配向膜の製造方法、製造装置及び測定装置Info
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- JPH06186563A JPH06186563A JP34059292A JP34059292A JPH06186563A JP H06186563 A JPH06186563 A JP H06186563A JP 34059292 A JP34059292 A JP 34059292A JP 34059292 A JP34059292 A JP 34059292A JP H06186563 A JPH06186563 A JP H06186563A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶デバイス、液晶ライトバルブ用の配向膜
を容易に製造し得る製造方法を提供することにあり、さ
らに製造方法に使用される製造装置及び基板角度の測定
装置を提供することにある。 【構成】 少なくとも電極(13a,13b) を有する２つの基
板(11,12) と、配向膜(17a,17b) と、液晶(18)とを備え
た液晶デバイスにおいて、少なくとも一方の基板(11)に
電極(13a) を蒸着後、連続して同時にチャンバ内で基板
角度を変え無機物を斜方蒸着することを特徴とする。
を容易に製造し得る製造方法を提供することにあり、さ
らに製造方法に使用される製造装置及び基板角度の測定
装置を提供することにある。 【構成】 少なくとも電極(13a,13b) を有する２つの基
板(11,12) と、配向膜(17a,17b) と、液晶(18)とを備え
た液晶デバイスにおいて、少なくとも一方の基板(11)に
電極(13a) を蒸着後、連続して同時にチャンバ内で基板
角度を変え無機物を斜方蒸着することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶デバイス又は液晶
ライトバルブにおける配向膜の製造方法、製造装置及び
測定装置に係る。
ライトバルブにおける配向膜の製造方法、製造装置及び
測定装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】液晶デバイスの基本構成は基板上に電極
と配向膜とが形成されたものと、同じく対向基板上に電
極と配向膜とが形成されたものとその間の液晶層とから
なる。液晶デバイスの配向法としては、ツイステッドネ
マティック(TN)モ−ド、ス−パ−ツイステッドネマティ
ック(STN) モ−ドに代表される水平配向、ホワイトテ−
ラ−型ゲスト−ホスト(WT 型GH) モ−ドに代表される垂
直配向、デフォメ−ション・オブ・ヴァ−ティカルアラ
インド・フェイズィズ(DAP) モ−ドに代表される傾斜垂
直配向がある。
と配向膜とが形成されたものと、同じく対向基板上に電
極と配向膜とが形成されたものとその間の液晶層とから
なる。液晶デバイスの配向法としては、ツイステッドネ
マティック(TN)モ−ド、ス−パ−ツイステッドネマティ
ック(STN) モ−ドに代表される水平配向、ホワイトテ−
ラ−型ゲスト−ホスト(WT 型GH) モ−ドに代表される垂
直配向、デフォメ−ション・オブ・ヴァ−ティカルアラ
インド・フェイズィズ(DAP) モ−ドに代表される傾斜垂
直配向がある。
【０００３】液晶デバイス中の光書き込み液晶ライトバ
ルブの構成を図９に示す。同図において、基板11上には
電極13a 、光導電層14、遮光層15、誘電体ミラ−層16、
配向膜17a が形成されている。一方対向基板12上には対
向電極13b 、配向膜17b が形成されている。基板11、12
はスペ−サを介して貼り合わされ、その間には液晶層18
が設けられている。光書き込み液晶ライトバルブの表示
モ−ドとしては、DAPモ−ド、ハイブリッド電界効果モ
−ド(HFE) があり、夫々傾斜垂直配向、水平配向処理を
用いる。
ルブの構成を図９に示す。同図において、基板11上には
電極13a 、光導電層14、遮光層15、誘電体ミラ−層16、
配向膜17a が形成されている。一方対向基板12上には対
向電極13b 、配向膜17b が形成されている。基板11、12
はスペ−サを介して貼り合わされ、その間には液晶層18
が設けられている。光書き込み液晶ライトバルブの表示
モ−ドとしては、DAPモ−ド、ハイブリッド電界効果モ
−ド(HFE) があり、夫々傾斜垂直配向、水平配向処理を
用いる。
【０００４】この両モ−ドにおいては、液晶層に電圧が
無印加時の反射率を低く押さえ、コントラストを高くす
るためにはプレチルト角を小さくする必要がある。この
条件を満たすために、水平配向処理では一般にラビング
法が用いられる。例えば配向材料としてポリイミドをオ
フセット印刷し、焼成を行って後、ラビングをし、ラビ
ング洗浄を行い配向膜を形成する。その他の水平配向法
としては、２方向から蒸着角を変えてSiO の斜方蒸着を
行なう二段蒸着法(D.meyerhofer:Applied physics lett
er, 29 1976 p691) 等がある。傾斜垂直配向処理では上
記ラビング配向膜に垂直配向剤を塗布する方法、２つの
蒸着角でSiO を斜方蒸着した後垂直配向剤を塗布する方
法(Anna M.1Lackner,J.David Margerum, Leroy J. Mill
er,Willis H.Smith,Jr,SID 1990 P98) 、蒸着角は一定
で基板の回転速度を変調することによりSiO を斜方蒸着
する回転斜方蒸着法（特開昭56-137330)等がある。
無印加時の反射率を低く押さえ、コントラストを高くす
るためにはプレチルト角を小さくする必要がある。この
条件を満たすために、水平配向処理では一般にラビング
法が用いられる。例えば配向材料としてポリイミドをオ
フセット印刷し、焼成を行って後、ラビングをし、ラビ
ング洗浄を行い配向膜を形成する。その他の水平配向法
としては、２方向から蒸着角を変えてSiO の斜方蒸着を
行なう二段蒸着法(D.meyerhofer:Applied physics lett
er, 29 1976 p691) 等がある。傾斜垂直配向処理では上
記ラビング配向膜に垂直配向剤を塗布する方法、２つの
蒸着角でSiO を斜方蒸着した後垂直配向剤を塗布する方
法(Anna M.1Lackner,J.David Margerum, Leroy J. Mill
er,Willis H.Smith,Jr,SID 1990 P98) 、蒸着角は一定
で基板の回転速度を変調することによりSiO を斜方蒸着
する回転斜方蒸着法（特開昭56-137330)等がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ラビン
グ法ではポリイミドの印刷からラビング洗浄まで多数の
工程を経なければならない。またラビングによりダスト
が発生したり、静電気が発生したり、光書き込み液晶ラ
イトバルブにおいては摩擦により光導電層、遮光層、誘
電体ミラ−が剥がれてしまう恐れがある。一方斜方蒸着
法は真空中で行なわなければならないため、それ自身手
数のいる工程で現在単純マトリックスやTFT の液晶パネ
ルの生産には用いられていない。また配向膜形成のため
の斜方蒸着は電極やミラ−を形成した後の工程である
が、まったく異なる工程として扱われ電極やミラ−形成
が真空中の工程であることを生かしていない。実際には
電極やミラ−形成後、斜方蒸着のため基板を斜めに置き
直さなければならないので、真空を大気圧までもどして
いる。さらに斜方蒸着では、液晶の配向は配向膜の蒸着
角度に敏感で再現性に問題がある。
グ法ではポリイミドの印刷からラビング洗浄まで多数の
工程を経なければならない。またラビングによりダスト
が発生したり、静電気が発生したり、光書き込み液晶ラ
イトバルブにおいては摩擦により光導電層、遮光層、誘
電体ミラ−が剥がれてしまう恐れがある。一方斜方蒸着
法は真空中で行なわなければならないため、それ自身手
数のいる工程で現在単純マトリックスやTFT の液晶パネ
ルの生産には用いられていない。また配向膜形成のため
の斜方蒸着は電極やミラ−を形成した後の工程である
が、まったく異なる工程として扱われ電極やミラ−形成
が真空中の工程であることを生かしていない。実際には
電極やミラ−形成後、斜方蒸着のため基板を斜めに置き
直さなければならないので、真空を大気圧までもどして
いる。さらに斜方蒸着では、液晶の配向は配向膜の蒸着
角度に敏感で再現性に問題がある。
【０００６】本発明の目的は、液晶デバイス、液晶ライ
トバルブ用の配向膜を容易に製造し得る製造方法を提供
することにあり、さらに製造方法に使用される製造装置
及び基板角度の測定装置を提供することにある。
トバルブ用の配向膜を容易に製造し得る製造方法を提供
することにあり、さらに製造方法に使用される製造装置
及び基板角度の測定装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の製造方法は、少な
くとも電極を有する２つの基板と、配向膜と、液晶とを
備えた液晶デバイスにおいて、少なくとも一方の基板に
電極を蒸着後、連続して同時にチャンバ内で基板角度を
変え無機物を斜方蒸着することを特徴とする。
くとも電極を有する２つの基板と、配向膜と、液晶とを
備えた液晶デバイスにおいて、少なくとも一方の基板に
電極を蒸着後、連続して同時にチャンバ内で基板角度を
変え無機物を斜方蒸着することを特徴とする。
【０００８】第２の製造方法は、電極を有する２つの基
板の一方に光導電層と誘電体ミラ−層とが設けられ、該
誘電体ミラ−層と他方の基板の電極上に夫々配向膜が形
成されており、該配向膜の間に液晶層が配置された光書
き込み液晶ライトバルブの配向膜の製造方法において、
誘電体ミラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の基板の少なく
とも一方を、連続して同時に基板角度を変え無機物を斜
方蒸着することを特徴とする。
板の一方に光導電層と誘電体ミラ−層とが設けられ、該
誘電体ミラ−層と他方の基板の電極上に夫々配向膜が形
成されており、該配向膜の間に液晶層が配置された光書
き込み液晶ライトバルブの配向膜の製造方法において、
誘電体ミラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の基板の少なく
とも一方を、連続して同時に基板角度を変え無機物を斜
方蒸着することを特徴とする。
【０００９】第３の製造方法は、電極を有する２つの基
板の一方に光導電層と、遮光層と、誘電体ミラ−層とが
設けられ、該誘電体ミラ−層と他方の基板の電極上に夫
々配向膜が形成されており、該配向膜の間に液晶層が配
置された光書き込み液晶ライトバルブの配向膜の製造方
法において、誘電体ミラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の
基板の少なくとも一方を、連続して同時に基板角度を変
え無機物を斜方蒸着することを特徴とする。
板の一方に光導電層と、遮光層と、誘電体ミラ−層とが
設けられ、該誘電体ミラ−層と他方の基板の電極上に夫
々配向膜が形成されており、該配向膜の間に液晶層が配
置された光書き込み液晶ライトバルブの配向膜の製造方
法において、誘電体ミラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の
基板の少なくとも一方を、連続して同時に基板角度を変
え無機物を斜方蒸着することを特徴とする。
【００１０】
【作用】第１の製造方法においては、少なくとも一方の
基板に電極を蒸着後、連続して同時にチャンバ内で基板
角度を変え無機物を斜方蒸着し、第２の製造方法におい
ては、誘電体ミラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の基板の
少なくとも一方を、連続して同時に基板角度を変え無機
物を斜方蒸着し、第３の製造方法においては、誘電体ミ
ラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の基板の少なくとも一方
を、連続して同時に基板角度を変え無機物を斜方蒸着す
るので、配向膜の製造工程の大幅な削減が可能である。
特に、光書き込みライトバルブにおける配向膜の製造工
程で効果が大きい。また、基板角度の正確なモニタ及び
制御により斜方蒸着による液晶の配向の再現性が向上し
ている。さらにラビング法を用いないためダストや静電
気が発生することがなく、光書き込みライトバルブにお
いては、摩擦によって光導電体層、遮光層、誘電体ミラ
−が剥がれることがない。したがって、液晶デバイスの
製造歩留まりが向上するとともに製造コストを大幅に削
減し得るものである。
基板に電極を蒸着後、連続して同時にチャンバ内で基板
角度を変え無機物を斜方蒸着し、第２の製造方法におい
ては、誘電体ミラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の基板の
少なくとも一方を、連続して同時に基板角度を変え無機
物を斜方蒸着し、第３の製造方法においては、誘電体ミ
ラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の基板の少なくとも一方
を、連続して同時に基板角度を変え無機物を斜方蒸着す
るので、配向膜の製造工程の大幅な削減が可能である。
特に、光書き込みライトバルブにおける配向膜の製造工
程で効果が大きい。また、基板角度の正確なモニタ及び
制御により斜方蒸着による液晶の配向の再現性が向上し
ている。さらにラビング法を用いないためダストや静電
気が発生することがなく、光書き込みライトバルブにお
いては、摩擦によって光導電体層、遮光層、誘電体ミラ
−が剥がれることがない。したがって、液晶デバイスの
製造歩留まりが向上するとともに製造コストを大幅に削
減し得るものである。
【００１１】
【実施例】図９に示される光書き込み液晶ライトバルブ
において表示モ−ドがDAP モ−ドである配向、本発明の
実施例である傾斜垂直配向膜の製造方法について説明す
る。
において表示モ−ドがDAP モ−ドである配向、本発明の
実施例である傾斜垂直配向膜の製造方法について説明す
る。
【００１２】図７は製造方法を実施するための抵抗加熱
真空蒸着装置を示す。るつぼ55の中に試料を入れヒ−タ
56で加熱することで回転ド−ム52上の基板54に蒸着され
る。膜圧の制御はモニタ53により行われる。
真空蒸着装置を示す。るつぼ55の中に試料を入れヒ−タ
56で加熱することで回転ド−ム52上の基板54に蒸着され
る。膜圧の制御はモニタ53により行われる。
【００１３】るつぼ55とヒ−タ−56とは夫々複数設置さ
れており、夫々のるつぼ55に異なる試料を入れることで
複数の材料を蒸着できる。また基板54は回転ド−ム 52
上に複数固定できるので一度に多数処理できる。
れており、夫々のるつぼ55に異なる試料を入れることで
複数の材料を蒸着できる。また基板54は回転ド−ム 52
上に複数固定できるので一度に多数処理できる。
【００１４】ライトバルブの作成は、電極、光導電層、
遮光層を形成した基板を純水洗浄、IPA(イソプロピルア
ルコ−ル）洗浄してのち、回転ド−ム上の基板ホルダ−
に固定する。なお、必要に応じて遮光層は形成しなくて
もよい。蒸着のための真空度は2 x10-5 Torr である。
誘電体ミラ−はSiO 2 （二酸化ケイ素）及びTiO 2 （二
酸化チタン）を交互に30層程度蒸着することにより形成
した。膜分布を均一にするために蒸着はド−ム回転しな
がらおこなった。図６はミラ−蒸着後の配向膜形成を説
明するための模式図である。ミラ−形成後ド−ム52を停
止させ、真空チャンバ51の外からマニピュレ−タを操作
することによって基板54の角度を変えることができる。
遮光層を形成した基板を純水洗浄、IPA(イソプロピルア
ルコ−ル）洗浄してのち、回転ド−ム上の基板ホルダ−
に固定する。なお、必要に応じて遮光層は形成しなくて
もよい。蒸着のための真空度は2 x10-5 Torr である。
誘電体ミラ−はSiO 2 （二酸化ケイ素）及びTiO 2 （二
酸化チタン）を交互に30層程度蒸着することにより形成
した。膜分布を均一にするために蒸着はド−ム回転しな
がらおこなった。図６はミラ−蒸着後の配向膜形成を説
明するための模式図である。ミラ−形成後ド−ム52を停
止させ、真空チャンバ51の外からマニピュレ−タを操作
することによって基板54の角度を変えることができる。
【００１５】基板角度のモニタ−はレ−ザ光発振器57及
びフォトディテクタアレイ58を用いて行った。
びフォトディテクタアレイ58を用いて行った。
【００１６】図８は基板角度の測定原理を説明する図で
ある。まず基板表面80に入射光82が基板に水平方向から
θで入射したとすると、反射光83のの反射角はθであ
る。次ぎに入射光82はδ回転させた基板表面81で反射さ
れ反射角θ−δを有する反射光84となる。したがって、
反射光83と84とのなす角は２δとなり、基板の微小回転
角を２倍に拡大することができる。
ある。まず基板表面80に入射光82が基板に水平方向から
θで入射したとすると、反射光83のの反射角はθであ
る。次ぎに入射光82はδ回転させた基板表面81で反射さ
れ反射角θ−δを有する反射光84となる。したがって、
反射光83と84とのなす角は２δとなり、基板の微小回転
角を２倍に拡大することができる。
【００１７】この反射光をフォトディテクタアレイ86で
受光し位置を検出することで基板角度を正確に測定でき
る。この方法では基板54とフォトディテクタアレイ86と
の距離が30 cm でフォトディテクタアレイ86のピッチが
２ mm なら0.2 °の精度を得ることができる。他の基板
の角度を変える場合には、ド−ムを回転させて順次基板
角度を変えていけばよくレ−ザ光発振器57とフォトディ
テクタアレイ86とは１組だけあればよい。
受光し位置を検出することで基板角度を正確に測定でき
る。この方法では基板54とフォトディテクタアレイ86と
の距離が30 cm でフォトディテクタアレイ86のピッチが
２ mm なら0.2 °の精度を得ることができる。他の基板
の角度を変える場合には、ド−ムを回転させて順次基板
角度を変えていけばよくレ−ザ光発振器57とフォトディ
テクタアレイ86とは１組だけあればよい。
【００１８】斜方蒸着はド−ムをとめて行うため基板と
の対称性を考慮し、ド−ム中央で真下に位置するるつぼ
55を用いた。斜方蒸着のための基板の角度は基板の法線
と蒸着源となるるつぼとなす角度が60°から90°の間の
適当な値を選ぶことができる。材料はSiO ( 一酸化ケイ
素) で、ド−ムは静止させたまま、まず60°で400 オン
グストロ−ム斜方蒸着した。尚、膜厚は50から500 オン
グストロ−ムまで適当に選ぶことができる。
の対称性を考慮し、ド−ム中央で真下に位置するるつぼ
55を用いた。斜方蒸着のための基板の角度は基板の法線
と蒸着源となるるつぼとなす角度が60°から90°の間の
適当な値を選ぶことができる。材料はSiO ( 一酸化ケイ
素) で、ド−ムは静止させたまま、まず60°で400 オン
グストロ−ム斜方蒸着した。尚、膜厚は50から500 オン
グストロ−ムまで適当に選ぶことができる。
【００１９】次ぎに基板の角度を変えて蒸着角を85°に
し、10オングストロ−ム程度のフラッシュ斜方蒸着を行
なった。蒸着材料はSiO の他にSiO 2 、MgF 2 （フッ化
マグネシウム) 、CeO 2 ( 二酸化セリウム) を用いるこ
とができる。
し、10オングストロ−ム程度のフラッシュ斜方蒸着を行
なった。蒸着材料はSiO の他にSiO 2 、MgF 2 （フッ化
マグネシウム) 、CeO 2 ( 二酸化セリウム) を用いるこ
とができる。
【００２０】次ぎにこの基板に垂直配向剤であるDMOAP
(N,N-ジメチル-N- オクタデシル-3-アミノプロピルトリ
メトオキシシリルクロライド）をディッピング法により
塗布し、130 °Ｃで20分間焼成し配向膜を作成した。
(N,N-ジメチル-N- オクタデシル-3-アミノプロピルトリ
メトオキシシリルクロライド）をディッピング法により
塗布し、130 °Ｃで20分間焼成し配向膜を作成した。
【００２１】一方、対向基板は対向電極としてSb（アン
チモン）をド−プしたSnO 2 （二酸化スズ）をスパッタ
リング法により形成した後、傾斜処理をせずDMOAP をデ
ィッピング法により塗布し、130 °Ｃで20分間焼成し配
向膜を作成した。傾斜処理をしない場合、対向電極の形
成法は他に気相反応法、スプレ−法、塗布法を用いるこ
とができる。必要に応じて、対向基板にも傾斜処理を施
してもよい。その場合は対向基板上にSbをド−プしたSn
O 2 を抵抗加熱真空蒸着で電極を形成してのち、上記基
板の場合同様にSiO を60°で400 オングストロ−ム，続
いて85°で10オングストロ−ム斜方蒸着しその後DMOAP
の塗布、焼成により配向膜を形成すればよい。上記の基
板側と対向基板側の配向膜によりプレチルト角２°の均
一な配向を得ることができた。
チモン）をド−プしたSnO 2 （二酸化スズ）をスパッタ
リング法により形成した後、傾斜処理をせずDMOAP をデ
ィッピング法により塗布し、130 °Ｃで20分間焼成し配
向膜を作成した。傾斜処理をしない場合、対向電極の形
成法は他に気相反応法、スプレ−法、塗布法を用いるこ
とができる。必要に応じて、対向基板にも傾斜処理を施
してもよい。その場合は対向基板上にSbをド−プしたSn
O 2 を抵抗加熱真空蒸着で電極を形成してのち、上記基
板の場合同様にSiO を60°で400 オングストロ−ム，続
いて85°で10オングストロ−ム斜方蒸着しその後DMOAP
の塗布、焼成により配向膜を形成すればよい。上記の基
板側と対向基板側の配向膜によりプレチルト角２°の均
一な配向を得ることができた。
【００２２】垂直配向剤にはDMOAP の他に、FS150 （大
日本インキ製）、レシチンヘキサデシルアミン、ミリス
チン酸錯体等を用いることができる。
日本インキ製）、レシチンヘキサデシルアミン、ミリス
チン酸錯体等を用いることができる。
【００２３】図１は本発明の実施例の基板側の製造工程
を説明するフロ−チャ−ト、図12は本発明をよりよく理
解するために比較用として示した従来の基板側の製造工
程を説明するフロ−チャ−トである。
を説明するフロ−チャ−ト、図12は本発明をよりよく理
解するために比較用として示した従来の基板側の製造工
程を説明するフロ−チャ−トである。
【００２４】図１においては、真空チャンバ−の外から
基板角度を正確にモニタ−し制御できる斜方蒸着(1-2)
により配向が安定し、よい再現性が得られるようになっ
たため、誘電体ミラ−又は電極形成後(1-1) そのまま真
空中で配向膜を形成でき、手間のかかる洗浄工程（図1
2、12-2) を省略することができた。更に図12におけるP
I印刷(12-3)、前焼成(12-4)、本焼成(12-5)、ラビング
(12-6)の各工程が斜方蒸着１工程( 図１、1-2)に工数を
削減することができた。この工数の削減によりコストが
低下するとともに歩留りが向上した。
基板角度を正確にモニタ−し制御できる斜方蒸着(1-2)
により配向が安定し、よい再現性が得られるようになっ
たため、誘電体ミラ−又は電極形成後(1-1) そのまま真
空中で配向膜を形成でき、手間のかかる洗浄工程（図1
2、12-2) を省略することができた。更に図12におけるP
I印刷(12-3)、前焼成(12-4)、本焼成(12-5)、ラビング
(12-6)の各工程が斜方蒸着１工程( 図１、1-2)に工数を
削減することができた。この工数の削減によりコストが
低下するとともに歩留りが向上した。
【００２５】ラビングによるダストや静電気の発生がな
く、摩擦によって光導電体層、遮光層、誘電体ミラ−が
剥がれてしまうことがないため、この点でも歩留りが向
上した。
く、摩擦によって光導電体層、遮光層、誘電体ミラ−が
剥がれてしまうことがないため、この点でも歩留りが向
上した。
【００２６】対向基板は電極上に垂直配向剤を塗布する
だけでもよいが、ドメインの発生により傾斜処理が必要
な場合は、該実施例では上記の利点を有する。また、光
書き込み液晶ライトバルブではなくても、電極上に配向
膜が形成された基板が少なくとも一つある液晶デバイス
における配向膜の製造にも利用できる製造工数の削減と
それによるコストの低下の利点を有する。図９において
示される光書き込み液晶ライトバルブにおいて表示モ−
ドがHFEモ−ドである配向、つまり水平配向膜製造方法
について以下記述する。
だけでもよいが、ドメインの発生により傾斜処理が必要
な場合は、該実施例では上記の利点を有する。また、光
書き込み液晶ライトバルブではなくても、電極上に配向
膜が形成された基板が少なくとも一つある液晶デバイス
における配向膜の製造にも利用できる製造工数の削減と
それによるコストの低下の利点を有する。図９において
示される光書き込み液晶ライトバルブにおいて表示モ−
ドがHFEモ−ドである配向、つまり水平配向膜製造方法
について以下記述する。
【００２７】図５には本発明の実施例を説明するための
EB（電子ビ−ム）蒸着装置が示されている。
EB（電子ビ−ム）蒸着装置が示されている。
【００２８】電子銃207 から発射された電子ビ−ム208
は磁場で180 °曲げられ、るつぼ205 中の試料にあた
る。試料は加熱されて回転ド−ム202 とあおり角度可変
機構を介して接続している基板回転モ−タ209 に固定さ
れた基板204 に蒸着される。膜厚の制御はモニタ203 に
より行われる。るつぼは回転式の台206 上に乗ってい
て、台を回転させることでるつぼを変えることができ、
るつぼの中の試料を変えることで複数の材料を蒸着でき
る。また、基板は回転ド−ム上に複数固定できるので一
度に多数枚処理できる。ライトバルブの作成は電極、光
導電層、遮光層を形成した基板を純粋洗浄、IPA 洗浄し
たのち、回転ド−ム上の基板ホルダ−に固定する。な
お、必要に応じて遮光層は形成しなくてもよい。蒸着の
ための真空度は2 x 10-5Torrである。誘電体ミラ−はSi
O 2 及びTiO 2 を交互に20層程度蒸着することにより形
成した。膜分布を均一にするために蒸着はド−ムを回転
させることでさらに膜分布を均一にできる。
は磁場で180 °曲げられ、るつぼ205 中の試料にあた
る。試料は加熱されて回転ド−ム202 とあおり角度可変
機構を介して接続している基板回転モ−タ209 に固定さ
れた基板204 に蒸着される。膜厚の制御はモニタ203 に
より行われる。るつぼは回転式の台206 上に乗ってい
て、台を回転させることでるつぼを変えることができ、
るつぼの中の試料を変えることで複数の材料を蒸着でき
る。また、基板は回転ド−ム上に複数固定できるので一
度に多数枚処理できる。ライトバルブの作成は電極、光
導電層、遮光層を形成した基板を純粋洗浄、IPA 洗浄し
たのち、回転ド−ム上の基板ホルダ−に固定する。な
お、必要に応じて遮光層は形成しなくてもよい。蒸着の
ための真空度は2 x 10-5Torrである。誘電体ミラ−はSi
O 2 及びTiO 2 を交互に20層程度蒸着することにより形
成した。膜分布を均一にするために蒸着はド−ムを回転
させることでさらに膜分布を均一にできる。
【００２９】図２はミラ−蒸着後の配向膜形成を説明す
るための模式図である。ミラ−形成後ド−ム202 を静止
させ、真空チャンバ201 の外からマニピュレ−タを操作
し基板回転モ−タ209 のあおり角を変えることで基板20
4 の角度を変える。基板角度のモニタはレ−ザ光発振器
210 の基板での反射光をフォトディテクタアレイ211で
位置検出することにより行う。他の基板の角度を変える
場合は、ド−ムを回転させ順次基板角を変えていけばよ
くレ−ザ光発振器210 とフォトディテクタアレイ211 は
一組だけでよい。斜方蒸着はド−ムを止めて行うため基
板との対称性を考慮し、ド−ム中央で真下に位置するる
つぼ205 を用い蒸着した。蒸着角は基板の法線と蒸着源
となるハ−スのなす角で60°から90°の間の適当な値を
選ぶことができる。ここでは60°としている。
るための模式図である。ミラ−形成後ド−ム202 を静止
させ、真空チャンバ201 の外からマニピュレ−タを操作
し基板回転モ−タ209 のあおり角を変えることで基板20
4 の角度を変える。基板角度のモニタはレ−ザ光発振器
210 の基板での反射光をフォトディテクタアレイ211で
位置検出することにより行う。他の基板の角度を変える
場合は、ド−ムを回転させ順次基板角を変えていけばよ
くレ−ザ光発振器210 とフォトディテクタアレイ211 は
一組だけでよい。斜方蒸着はド−ムを止めて行うため基
板との対称性を考慮し、ド−ム中央で真下に位置するる
つぼ205 を用い蒸着した。蒸着角は基板の法線と蒸着源
となるハ−スのなす角で60°から90°の間の適当な値を
選ぶことができる。ここでは60°としている。
【００３０】材料はSiO でド−ムは静止させたまま400
オングストロ−ム斜方蒸着した。なお、膜厚は50から20
00オングストロ−ムまで適当に選ぶことができる。続い
て蒸着角を80°にし、基板回転モ−タ209 により蒸着方
向を90°回転させSiO をフラッシュ斜方蒸着する。膜厚
は約１〜３オングストロ−ムである。材料はSiO の他に
SiO 2 、MgF 2 、CeO 2 を用いることができる。
オングストロ−ム斜方蒸着した。なお、膜厚は50から20
00オングストロ−ムまで適当に選ぶことができる。続い
て蒸着角を80°にし、基板回転モ−タ209 により蒸着方
向を90°回転させSiO をフラッシュ斜方蒸着する。膜厚
は約１〜３オングストロ−ムである。材料はSiO の他に
SiO 2 、MgF 2 、CeO 2 を用いることができる。
【００３１】一方、対向基板はSn( スズ) をド−プした
In2 O 3 ( 三酸化インジウム）（ITO)をEB蒸着すること
により対向電極を形成し、上記と同様の操作で蒸着角60
°で400 オングストロ−ム、続いて蒸着方向を90°回転
させ、蒸着角80°で２オングストロ−ムSiO を斜方蒸着
し、配向膜を形成した。上記の配向膜によりプレチルト
角２°の均一な配向を得た。
In2 O 3 ( 三酸化インジウム）（ITO)をEB蒸着すること
により対向電極を形成し、上記と同様の操作で蒸着角60
°で400 オングストロ−ム、続いて蒸着方向を90°回転
させ、蒸着角80°で２オングストロ−ムSiO を斜方蒸着
し、配向膜を形成した。上記の配向膜によりプレチルト
角２°の均一な配向を得た。
【００３２】この装置を用いると、基板回転モ−タ209
の回転速度を変調して各方位からの蒸着量に重み付けし
プレチルト角を制御する回転斜方蒸着を行うことができ
る。この方法を用いると前記実施例の傾斜垂直配向膜を
垂直配向剤を用いずに形成でき、さらに製造工程工数を
減らすことができる。
の回転速度を変調して各方位からの蒸着量に重み付けし
プレチルト角を制御する回転斜方蒸着を行うことができ
る。この方法を用いると前記実施例の傾斜垂直配向膜を
垂直配向剤を用いずに形成でき、さらに製造工程工数を
減らすことができる。
【００３３】図３は本発明の誘電体ミラ−を形成する基
板の製造工程の実施例を示すフロ−チャ−ト、図10は従
来の誘電体ミラ−を形成する基板の製造工程を示すフロ
−チャ−トである。また、図４は本発明の対向基板側の
製造工程の実施例を示すフロ−チャ−ト、図11は従来の
対向基板側の製造工程を示すフロ−チャ−トである。
板の製造工程の実施例を示すフロ−チャ−ト、図10は従
来の誘電体ミラ−を形成する基板の製造工程を示すフロ
−チャ−トである。また、図４は本発明の対向基板側の
製造工程の実施例を示すフロ−チャ−ト、図11は従来の
対向基板側の製造工程を示すフロ−チャ−トである。
【００３４】図３、図10においては、誘電体ミラ−蒸着
後(3-1) 、真空チャンバ−の外から基板角度を正確にモ
ニタ−し制御できる斜方蒸着(3-2) により配向が安定
し、良い再現性を得られるようになったため、誘電体ミ
ラ−又は電極形成後そのまま真空中で配向膜を形成でき
手間のかかる洗浄工程(10-2)を省略することができる。
更に該実施例によってPI印刷(10-3)、前焼成(10-4)、本
焼成(10-5)、ラビング(10-6)の工程が斜方蒸着１工程に
工数を削減することができた。
後(3-1) 、真空チャンバ−の外から基板角度を正確にモ
ニタ−し制御できる斜方蒸着(3-2) により配向が安定
し、良い再現性を得られるようになったため、誘電体ミ
ラ−又は電極形成後そのまま真空中で配向膜を形成でき
手間のかかる洗浄工程(10-2)を省略することができる。
更に該実施例によってPI印刷(10-3)、前焼成(10-4)、本
焼成(10-5)、ラビング(10-6)の工程が斜方蒸着１工程に
工数を削減することができた。
【００３５】図４、図11においては、対向電極蒸着後(4
-1) 、真空チャンバ−の外から基板角度を正確にモニタ
−し制御できる斜方蒸着(4-2) により配向が安定し、良
い再現性を得られるようになったため、誘電体ミラ−又
は電極形成後そのまま真空中で配向膜を形成でき手間の
かかる洗浄工程(11-2)を省略することができる。更に該
実施例によってPI印刷(11-3)、前焼成(11-4)、本焼成(1
1-5)、ラビング(11-6)の工程が斜方蒸着１工程に工数を
削減することができた。
-1) 、真空チャンバ−の外から基板角度を正確にモニタ
−し制御できる斜方蒸着(4-2) により配向が安定し、良
い再現性を得られるようになったため、誘電体ミラ−又
は電極形成後そのまま真空中で配向膜を形成でき手間の
かかる洗浄工程(11-2)を省略することができる。更に該
実施例によってPI印刷(11-3)、前焼成(11-4)、本焼成(1
1-5)、ラビング(11-6)の工程が斜方蒸着１工程に工数を
削減することができた。
【００３６】上述のごとく工数の削減によりコストが低
下するとともに歩留まりが向上した。また、ラビングに
よるダストや静電気の発生がなく、摩擦によって光導電
体層、斜光層、誘電体ミラ−が剥がれてしまうことがな
いため、この点でも歩留まりが向上した。本実施例は水
平配向に関するものであり、光書き込み液晶ライトバル
ブ表示モ−ドとしてはHFE モ−ドの他、GH( ゲスト−ホ
スト）モ−ド、SSFLC(表面安定化強誘電液晶）モ−ド等
が利用できる。また、光書き込み液晶ライトバルブでは
なくても、電極上に配向膜が形成された基板が少なくと
も１つある液晶デバイスにおける配向膜の製造に利用で
き、表示モ−ドとしてはTNモ−ド、STN モ−ド、GH-STN
( ゲスト・ホスト−ス−パ−ツィステッド・ネマティッ
ク）モ−ド、GH-FLC(ゲスト−ホスト表面安定化強誘電
液晶）モ−ド、DS( 動的散乱）モ−ド、DTN(デポ−ラリ
ゼ−ション・イン・ア・ツイステッド・ネマティック・
レイヤ−）モ−ド、ECB(電解制御複屈折）モ−ド、PC(
層移転）モ−ド等がある。さらに片側水平配向、もう一
方は垂直配向のHAN(ハイブリッド−アラインド・ネマテ
ッテック）モ−ドにも利用できる。
下するとともに歩留まりが向上した。また、ラビングに
よるダストや静電気の発生がなく、摩擦によって光導電
体層、斜光層、誘電体ミラ−が剥がれてしまうことがな
いため、この点でも歩留まりが向上した。本実施例は水
平配向に関するものであり、光書き込み液晶ライトバル
ブ表示モ−ドとしてはHFE モ−ドの他、GH( ゲスト−ホ
スト）モ−ド、SSFLC(表面安定化強誘電液晶）モ−ド等
が利用できる。また、光書き込み液晶ライトバルブでは
なくても、電極上に配向膜が形成された基板が少なくと
も１つある液晶デバイスにおける配向膜の製造に利用で
き、表示モ−ドとしてはTNモ−ド、STN モ−ド、GH-STN
( ゲスト・ホスト−ス−パ−ツィステッド・ネマティッ
ク）モ−ド、GH-FLC(ゲスト−ホスト表面安定化強誘電
液晶）モ−ド、DS( 動的散乱）モ−ド、DTN(デポ−ラリ
ゼ−ション・イン・ア・ツイステッド・ネマティック・
レイヤ−）モ−ド、ECB(電解制御複屈折）モ−ド、PC(
層移転）モ−ド等がある。さらに片側水平配向、もう一
方は垂直配向のHAN(ハイブリッド−アラインド・ネマテ
ッテック）モ−ドにも利用できる。
【００３７】
【発明の効果】第１の製造方法においては、少なくとも
一方の基板に電極を蒸着後、連続して同時にチャンバ内
で基板角度を変え無機物を斜方蒸着し、第２の製造方法
においては、誘電体ミラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の
基板の少なくとも一方を、連続して同時に基板角度を変
え無機物を斜方蒸着し、第３の製造方法においては、誘
電体ミラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の基板の少なくと
も一方を、連続して同時に基板角度を変え無機物を斜方
蒸着するので、配向膜の製造工程を大幅に削減し得る。
特に、光書き込みライトバルブにおける配向膜の製造工
程で効果が大きい。また、基板角度の正確なモニタ及び
制御により斜方蒸着による液晶の配向の再現性が向上
し、さらにラビング法を用いないためダストや静電気が
発生することがなく、光書き込みライトバルブにおいて
は、摩擦によって光導電体層、遮光層、誘電体ミラ−が
剥がれることがない。したがって、液晶デバイスの製造
歩留まりを向上し得るとともに製造コストを大幅に削減
し得る。
一方の基板に電極を蒸着後、連続して同時にチャンバ内
で基板角度を変え無機物を斜方蒸着し、第２の製造方法
においては、誘電体ミラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の
基板の少なくとも一方を、連続して同時に基板角度を変
え無機物を斜方蒸着し、第３の製造方法においては、誘
電体ミラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の基板の少なくと
も一方を、連続して同時に基板角度を変え無機物を斜方
蒸着するので、配向膜の製造工程を大幅に削減し得る。
特に、光書き込みライトバルブにおける配向膜の製造工
程で効果が大きい。また、基板角度の正確なモニタ及び
制御により斜方蒸着による液晶の配向の再現性が向上
し、さらにラビング法を用いないためダストや静電気が
発生することがなく、光書き込みライトバルブにおいて
は、摩擦によって光導電体層、遮光層、誘電体ミラ−が
剥がれることがない。したがって、液晶デバイスの製造
歩留まりを向上し得るとともに製造コストを大幅に削減
し得る。
【図１】本発明の実施例の基板側の製造工程を説明する
フロ−チャ−トである。
フロ−チャ−トである。
【図２】ミラ−蒸着後の配向膜形成を説明するための模
式図である。
式図である。
【図３】本発明の誘電体ミラ−を形成する基板の製造工
程の実施例を示すフロ−チャ−トである。
程の実施例を示すフロ−チャ−トである。
【図４】図４は本発明の対向基板側の製造工程の実施例
を示すフロ−チャ−トである。
を示すフロ−チャ−トである。
【図５】本発明の他の実施例であるEB（電子ビ−ム）蒸
着装置を示す図である。
着装置を示す図である。
【図６】ミラ−蒸着後の配向膜形成を説明するための模
式図である。
式図である。
【図７】製造方法の実施例を実施するための抵抗加熱真
空蒸着装置を示す図である。
空蒸着装置を示す図である。
【図８】基板角度の測定原理を説明する図である。
【図９】光書き込み液晶ライトバルブを説明する図であ
る。
る。
【図１０】従来の誘電体ミラ−を形成する基板の製造工
程を示すフロ−チャ−トである。
程を示すフロ−チャ−トである。
【図１１】従来の対向基板側の製造工程を示すフロ−チ
ャ−トである。
ャ−トである。
【図１２】従来の基板側の製造工程を説明するフロ−チ
ャ−トである。
ャ−トである。
１１，１２ 基板 １３ａ、１３ｂ 電極 １４ 光導電層 １５ 遮光層 １６ 誘電体ミラ−層 １７ａ、１７ｂ 配向膜 １８ 液晶 ５１、２０１ 真空チャンバ− ５２、２０２ 回転ド−ム ５３，２０３ 膜圧モニタ ５４、２０４ 基板 ５５、２０５ るつぼ ５６ ヒ−タ ５７、２１０ レ−ザ−光発振器 ５８、８６、２１１ フォトディテクタアレ− ８０，８１ 基板表面 ８２ 入射光 ８３，８４ 反射光 ２０６ るつぼ回転台 ２０７ 電子銃 ２０８ 電子ビ−ム ２０９ 回転モ−タ
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも電極を有する２つの基板と、
配向膜と、液晶とを備えた液晶デバイスにおいて、少な
くとも一方の基板に電極を蒸着後、連続して同時にチャ
ンバ内で基板角度を変え無機物を斜方蒸着することを特
徴とする配向膜の製造方法。 - 【請求項２】 電極を有する２つの基板の一方に光導電
層と誘電体ミラ−層とが設けられ、該誘電体ミラ−層と
他方の基板の電極上に夫々配向膜が形成されており、該
配向膜の間に液晶層が配置された光書き込み液晶ライト
バルブの配向膜の製造方法において、誘電体ミラ−蒸着
後の基板と電極蒸着後の基板の少なくとも一方を、連続
して同時に基板角度を変え無機物を斜方蒸着することを
特徴とする配向膜の製造方法。 - 【請求項３】 電極を有する２つの基板の一方に光導電
層と、遮光層と、誘電体ミラ−層とが設けられ、該誘電
体ミラ−層と他方の基板の電極上に夫々配向膜が形成さ
れており、該配向膜の間に液晶層が配置された光書き込
み液晶ライトバルブの配向膜の製造方法において、誘電
体ミラ−蒸着後の基板と電極蒸着後の基板の少なくとも
一方を、連続して同時に基板角度を変え無機物を斜方蒸
着することを特徴とする配向膜の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれか一項に記載の
製造方法に用いられる製造装置であって、基板の角度を
精密に測定する手段を備えたことを特徴とする配向膜の
製造装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の製造装置に用いられる
測定装置であって、レ−ザ光発振器と、フォトディテク
タアレイとを有し、入射レ−ザ光の基板からの反射光が
入射するフォトディテクタの位置で基板角度を正確に測
定することを特徴とする測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34059292A JPH06186563A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 配向膜の製造方法、製造装置及び測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34059292A JPH06186563A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 配向膜の製造方法、製造装置及び測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06186563A true JPH06186563A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18338467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34059292A Pending JPH06186563A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 配向膜の製造方法、製造装置及び測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06186563A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563560B2 (en) | 2001-04-06 | 2003-05-13 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus and method of producing alignment layer for liquid crystal display |
| US7456920B2 (en) | 2004-10-22 | 2008-11-25 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing electro-optical device, device for manufacturing the same, electro-optical device and electronic apparatus |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP34059292A patent/JPH06186563A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563560B2 (en) | 2001-04-06 | 2003-05-13 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus and method of producing alignment layer for liquid crystal display |
| US6771341B2 (en) | 2001-04-06 | 2004-08-03 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus and method of producing alignment layer for liquid crystal display |
| US7456920B2 (en) | 2004-10-22 | 2008-11-25 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing electro-optical device, device for manufacturing the same, electro-optical device and electronic apparatus |
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