JPH06186580A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH06186580A JPH06186580A JP33749292A JP33749292A JPH06186580A JP H06186580 A JPH06186580 A JP H06186580A JP 33749292 A JP33749292 A JP 33749292A JP 33749292 A JP33749292 A JP 33749292A JP H06186580 A JPH06186580 A JP H06186580A
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- crystal display
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Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高歩留まりで且つ、液晶の劣化の少ない高品
質な小型の液晶表示装置を実現する。 【構成】 本発明は、シールエリア内部の素子基板全体
を透明有機絶縁膜で覆った上に画素電極を形成し、シー
ルエリア下部にドライバー回路を配置し、ドライバー回
路上部には前記透明有機絶縁膜が無いことを特徴とす
る。
質な小型の液晶表示装置を実現する。 【構成】 本発明は、シールエリア内部の素子基板全体
を透明有機絶縁膜で覆った上に画素電極を形成し、シー
ルエリア下部にドライバー回路を配置し、ドライバー回
路上部には前記透明有機絶縁膜が無いことを特徴とす
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス型液晶表示装置に関する。
ス型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の液晶表示装置の一例を図1を用い
て説明する。
て説明する。
【0003】この図は液晶表示装置の外観図である。
【0004】ガラス、石英等の基板101上に画素エリ
ア105を図1(a)のように配置し、この画素部の周
辺に薄膜トランジスタの集積回路からなるドライバー回
路103、104を配置している。対向基板102は、
画素エリア105とドライバー回路103、104の間
にその縁が位置するように、紫外線硬化樹脂等のシール
材106により基板101に固定されている。また対向
基板の透明電極の電位は導電性接着剤によって基板側の
パッド107を通してコモン電位に固定されている。
ア105を図1(a)のように配置し、この画素部の周
辺に薄膜トランジスタの集積回路からなるドライバー回
路103、104を配置している。対向基板102は、
画素エリア105とドライバー回路103、104の間
にその縁が位置するように、紫外線硬化樹脂等のシール
材106により基板101に固定されている。また対向
基板の透明電極の電位は導電性接着剤によって基板側の
パッド107を通してコモン電位に固定されている。
【0005】これは素子基板101と対向基板102の
間に封入されている液晶に水分等が流入するのをできる
だけ避けるためであり、更にドライバー回路、或いはそ
の周辺には電源と同じ電位持つ配線があるのでそれによ
って液晶に電界をかけないためである。
間に封入されている液晶に水分等が流入するのをできる
だけ避けるためであり、更にドライバー回路、或いはそ
の周辺には電源と同じ電位持つ配線があるのでそれによ
って液晶に電界をかけないためである。
【0006】この図1のA−A’の部分での構造断面図
を図1(b)に示した。基板101上に多結晶シリコン
等による薄膜トランジスタ113が形成されている。薄
膜トランジスタ、ソース配線、画素電極114は第2層
間絶縁膜120に覆われてはいるが、画素電極114の
上部は開孔されている。このトランジスタのゲート電極
は最終的に終端部116でコンタクトホールを介して配
線117に接続しており、配線117は対向基板端部よ
り外側に形成されたトランジスタの集積回路からなるド
ライバー回路103と接続している。
を図1(b)に示した。基板101上に多結晶シリコン
等による薄膜トランジスタ113が形成されている。薄
膜トランジスタ、ソース配線、画素電極114は第2層
間絶縁膜120に覆われてはいるが、画素電極114の
上部は開孔されている。このトランジスタのゲート電極
は最終的に終端部116でコンタクトホールを介して配
線117に接続しており、配線117は対向基板端部よ
り外側に形成されたトランジスタの集積回路からなるド
ライバー回路103と接続している。
【0007】対向基板102には透明電極111が全面
に形成されており、紫外線硬化樹脂等のシール材106
により基板に固定されている。基板101、対向基板1
02をポリイミド等の配向膜112で覆っている。
に形成されており、紫外線硬化樹脂等のシール材106
により基板に固定されている。基板101、対向基板1
02をポリイミド等の配向膜112で覆っている。
【0008】また図1のB−B’の部分での構造断面図
を図1(c)に示した。基板101上の第1層間絶縁膜
119の上層に配線306が形成されており、これらは
更に酸化シリコン等の第2層間絶縁膜120で覆われて
いるが、パッド107上は開孔してある。この上にポリ
イミド等の配向膜112を塗布してある。このパッド1
07はコモン電位になるように配線されているので、こ
の部分に導電性接着剤118を塗布し、対向基板102
を圧着すると対向基板の対向電極111はこれによりコ
モン電位となる。
を図1(c)に示した。基板101上の第1層間絶縁膜
119の上層に配線306が形成されており、これらは
更に酸化シリコン等の第2層間絶縁膜120で覆われて
いるが、パッド107上は開孔してある。この上にポリ
イミド等の配向膜112を塗布してある。このパッド1
07はコモン電位になるように配線されているので、こ
の部分に導電性接着剤118を塗布し、対向基板102
を圧着すると対向基板の対向電極111はこれによりコ
モン電位となる。
【0009】また図2はこの液晶表示装置の斜視図であ
る。
る。
【0010】このようにシール205を横切る配線は最
低でもゲート線とソース線の数だけある。
低でもゲート線とソース線の数だけある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の技
術では、ドライバー回路は対向基板の外部に配置されて
いるため、パネル組立時にドライバー回路を破損し歩留
まりを下げてしまうことがあった。またドライバー回路
がシールエリア外部に配置されているため装置全体が大
型になってしまっていた。
術では、ドライバー回路は対向基板の外部に配置されて
いるため、パネル組立時にドライバー回路を破損し歩留
まりを下げてしまうことがあった。またドライバー回路
がシールエリア外部に配置されているため装置全体が大
型になってしまっていた。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明では第2層間絶縁
膜として透明有機絶縁膜を用いソース配線と画素電極を
別層に分離し、更に前記有機膜のシールエリア下部を剥
離し、ドライバー回路はシールエリア下部に配置するこ
とを特徴とする。
膜として透明有機絶縁膜を用いソース配線と画素電極を
別層に分離し、更に前記有機膜のシールエリア下部を剥
離し、ドライバー回路はシールエリア下部に配置するこ
とを特徴とする。
【0013】
【実施例】以下実施例に基づいて本発明を詳しく説明す
る。
る。
【0014】図3の(a)は本発明による液晶表示装置
の外観図である。基板上に形成された画素エリアの外週
で、且つシールエリア下部にドライバー回路を配置して
ある。
の外観図である。基板上に形成された画素エリアの外週
で、且つシールエリア下部にドライバー回路を配置して
ある。
【0015】図3の(b)は図3の(a)のA−A’に
於ける構造断面図である。基板101上に画素トランジ
スタ102が形成されている。シールエリアと画素部の
中程にはトランジスタの集積回路からなるドライバー回
路が配置されており、これら素子基板をポリイミド等の
透明有機絶縁膜によって覆っている。この透明有機絶縁
膜の上にITO等の画素電極が形成されており、画素ト
ランジスタのドレイン電極とコンタクトホールを介して
接続されている。またドライバー回路はシールエリア下
部に配置されており、回路上部の透明有機絶縁膜は剥離
されている。画素部からシールエリアに渡って配向膜に
覆われている。
於ける構造断面図である。基板101上に画素トランジ
スタ102が形成されている。シールエリアと画素部の
中程にはトランジスタの集積回路からなるドライバー回
路が配置されており、これら素子基板をポリイミド等の
透明有機絶縁膜によって覆っている。この透明有機絶縁
膜の上にITO等の画素電極が形成されており、画素ト
ランジスタのドレイン電極とコンタクトホールを介して
接続されている。またドライバー回路はシールエリア下
部に配置されており、回路上部の透明有機絶縁膜は剥離
されている。画素部からシールエリアに渡って配向膜に
覆われている。
【0016】この時入射光は対向基板側から液晶表示装
置を透過することになるが、対向基板にはブラックマト
リックス等の遮光層があり、ドライバー回路には照射さ
れない。
置を透過することになるが、対向基板にはブラックマト
リックス等の遮光層があり、ドライバー回路には照射さ
れない。
【0017】また図3の(c)は図3の(a)のB−
B’に於ける構造断面図である。
B’に於ける構造断面図である。
【0018】対向基板の対向電極はドライバー回路付近
に形成されたコモン電位を持つ電極に付けられた導電性
接着剤319により接続され、コモン電位に固定され
る。
に形成されたコモン電位を持つ電極に付けられた導電性
接着剤319により接続され、コモン電位に固定され
る。
【0019】この場合の液晶表示装置の全体は図4に示
したように、ドライバー回路をシールエリア下部に配置
したことによりD1及びD2の幅の分だけ小型となって
いる。
したように、ドライバー回路をシールエリア下部に配置
したことによりD1及びD2の幅の分だけ小型となって
いる。
【0020】またドライバー回路をシールエリア下部に
配置したため必然的にシールの幅は広くなるが、水分等
の液晶への流入を抑えることができる。
配置したため必然的にシールの幅は広くなるが、水分等
の液晶への流入を抑えることができる。
【0021】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置の構造をとること
により、次に述べる効果がある。
により、次に述べる効果がある。
【0022】ドライバー回路がシールエリア下部に配置
されたことで液晶表示装置全体をこれまでのものより小
型にすることができる。
されたことで液晶表示装置全体をこれまでのものより小
型にすることができる。
【0023】ドライバー回路をシールエリア下部に配置
したために、シールの幅は従来技術による液晶表示装置
に比べ、広くなる。そのため水分が内部の液晶に流入し
難く、液晶の劣化が少ない。
したために、シールの幅は従来技術による液晶表示装置
に比べ、広くなる。そのため水分が内部の液晶に流入し
難く、液晶の劣化が少ない。
【0024】対向基板側から光を入射するとき対向基板
の遮光層によってドライバー回路に照射される光が少な
く消費電力の増加を防ぐことができる。
の遮光層によってドライバー回路に照射される光が少な
く消費電力の増加を防ぐことができる。
【0025】セルギャップをより精度良く均一に保つこ
とができる。
とができる。
【0026】またドライバー回路はシールエリアの下部
に配置されたことで、組立工程での物理的損傷によるド
ライバー回路の破壊が少なく歩留まりが上がる。
に配置されたことで、組立工程での物理的損傷によるド
ライバー回路の破壊が少なく歩留まりが上がる。
【図1】 従来の技術による液晶表示装置の構造を示す
断面図。
断面図。
【図2】 従来技術による液晶表示装置の斜視図。
【図3】 本発明による液晶表示装置の構造を示す断面
図。
図。
【図4】 本発明による液晶表示装置の斜視図。
101、201、301、401・・・素子基板 102、202、302、402・・・対向基板 113、207、313、407・・・画素駆動トラン
ジスタ 116、316・・・画素駆動トランジスタのゲート電
極、及びゲート配線 106、205、303、405・・・シールエリア 103、104、203、204、304、403、4
04・・・ドライバー回路 117、317・・・配線 105・・・画素エリア 114、314・・・画素電極 111、311・・・対向電極 118、319・・・導電性樹脂 318・・・透明有機絶縁膜 107、305・・・コモン電位を持つパッド 110、310・・・ブラックマトリックス 115、315・・・画素電極とのコンタクトホール 112、312・・・配向膜 119・・・第1層間絶縁膜 120・・・第2層間絶縁膜 108、206、306、406・・・外部接続端子
ジスタ 116、316・・・画素駆動トランジスタのゲート電
極、及びゲート配線 106、205、303、405・・・シールエリア 103、104、203、204、304、403、4
04・・・ドライバー回路 117、317・・・配線 105・・・画素エリア 114、314・・・画素電極 111、311・・・対向電極 118、319・・・導電性樹脂 318・・・透明有機絶縁膜 107、305・・・コモン電位を持つパッド 110、310・・・ブラックマトリックス 115、315・・・画素電極とのコンタクトホール 112、312・・・配向膜 119・・・第1層間絶縁膜 120・・・第2層間絶縁膜 108、206、306、406・・・外部接続端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G09G 3/36 7319−5G H01L 29/784
Claims (3)
- 【請求項1】液晶表示装置の基板において、画素駆動薄
膜トランジスタが有機膜に覆われており、画素電極が前
記有機膜上に形成されることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項2】シールエリアの前記有機膜を剥離すること
を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】薄膜トランジスタの集積回路から成る画素
トランジスタ駆動回路をシールエリア下部に配置したこ
とを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33749292A JPH06186580A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33749292A JPH06186580A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06186580A true JPH06186580A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18309163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33749292A Pending JPH06186580A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06186580A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0762184A1 (en) * | 1995-08-11 | 1997-03-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US5798812A (en) * | 1995-09-28 | 1998-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device using the same with extending protrusions between gate and source line terminals |
| WO1998043130A1 (en) * | 1997-03-26 | 1998-10-01 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, electrooptic device, and projection display device using the same |
| US5995178A (en) * | 1995-10-16 | 1999-11-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix liquid crystal panel and method for repairing defect therein |
| US6072559A (en) * | 1996-03-12 | 2000-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device having defect repair extension line beneath each pixel |
| KR100270359B1 (ko) * | 1996-09-26 | 2000-11-01 | 니시무로 타이죠 | 액정표시장치 |
| US6204907B1 (en) * | 1995-09-27 | 2001-03-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US6236444B1 (en) | 1993-09-20 | 2001-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with drive circuits on both substrates |
| US6567147B1 (en) | 1997-03-27 | 2003-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| KR100448902B1 (ko) * | 1996-05-16 | 2004-12-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
| KR100484609B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2005-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정표시패널 |
| KR100559761B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2006-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치를 갖는 전자 장치 |
| US7023518B1 (en) | 1995-12-19 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a non-conductive material or a weakly conductive material applied to a side edge of a substrate and a method of fabricating the same |
| JP2006514320A (ja) * | 2003-01-30 | 2006-04-27 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
| US7046312B2 (en) | 1995-12-19 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display and method of fabricating same |
| KR100567690B1 (ko) * | 1997-04-04 | 2006-05-25 | 산요덴키가부시키가이샤 | 액정표시장치 |
| JP2006189777A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2009059854A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Epson Imaging Devices Corp | 受光装置、受光装置を備えた電気光学装置および電子機器 |
| US7538849B2 (en) | 1995-02-15 | 2009-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and forming method thereof |
| JP2010122706A (ja) * | 2005-10-14 | 2010-06-03 | Seiko Epson Corp | 表示装置及び電子機器 |
| US8624885B2 (en) | 2006-07-03 | 2014-01-07 | Japan Display West Inc. | Electro-optical device and electronic apparatus |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP33749292A patent/JPH06186580A/ja active Pending
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236444B1 (en) | 1993-09-20 | 2001-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with drive circuits on both substrates |
| US7525629B2 (en) | 1993-09-20 | 2009-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device comprising drive circuits that include thin film transistors formed on both substrates |
| US6980275B1 (en) | 1993-09-20 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US7538849B2 (en) | 1995-02-15 | 2009-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display and forming method thereof |
| US5953084A (en) * | 1995-08-11 | 1999-09-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display device having capacitance ratio of 10% or less and charging rate difference of 0.6% or less |
| US6052162A (en) * | 1995-08-11 | 2000-04-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display device with connecting electrode and pixel electrode connected via contact hole through interlayer insulating film and method for fabricating |
| KR100354630B1 (ko) * | 1995-08-11 | 2002-10-04 | 샤프 가부시키가이샤 | 투과형 액정 표시 장치와 그 제조 방법, 액티브 매트릭스기판, 및 액정 표시 장치 |
| US6097452A (en) * | 1995-08-11 | 2000-08-01 | Sharp Kabushiki Kaishi | Transmission type liquid crystal display having an organic interlayer elements film between pixel electrodes and switching |
| US6433851B2 (en) | 1995-08-11 | 2002-08-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display having a transparent colorless organic interlayer insulating film between pixel electrodes and switching |
| US6195138B1 (en) | 1995-08-11 | 2001-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display having an organic interlayer elements film between pixel electrodes and switching |
| EP0762184A1 (en) * | 1995-08-11 | 1997-03-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transmission type liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US6204907B1 (en) * | 1995-09-27 | 2001-03-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US6441879B2 (en) | 1995-09-27 | 2002-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| US5798812A (en) * | 1995-09-28 | 1998-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device using the same with extending protrusions between gate and source line terminals |
| US5995178A (en) * | 1995-10-16 | 1999-11-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix liquid crystal panel and method for repairing defect therein |
| US7046312B2 (en) | 1995-12-19 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal display and method of fabricating same |
| US7023518B1 (en) | 1995-12-19 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a non-conductive material or a weakly conductive material applied to a side edge of a substrate and a method of fabricating the same |
| US6072559A (en) * | 1996-03-12 | 2000-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device having defect repair extension line beneath each pixel |
| KR100448902B1 (ko) * | 1996-05-16 | 2004-12-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
| KR100550810B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2006-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동회로일체형의 액티브매트릭스구조를 갖는 액정패널을 구비한 액정디스플레이 장치 및 전자장치 |
| US7333160B2 (en) | 1996-06-25 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including resin film |
| KR100559761B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2006-03-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치를 갖는 전자 장치 |
| KR100484609B1 (ko) * | 1996-06-25 | 2005-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정표시패널 |
| US9507213B2 (en) | 1996-06-25 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device having liquid crystal display device |
| US8643820B2 (en) | 1996-06-25 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device having liquid crystal display device |
| US7474376B2 (en) | 1996-06-25 | 2009-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7215402B2 (en) | 1996-06-25 | 2007-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device having liquid crystal display device |
| US8665409B2 (en) | 1996-06-25 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with sealing material |
| KR100270359B1 (ko) * | 1996-09-26 | 2000-11-01 | 니시무로 타이죠 | 액정표시장치 |
| US6404414B2 (en) | 1997-03-26 | 2002-06-11 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, electro-optical device, and projection display device employing the same |
| KR100516533B1 (ko) * | 1997-03-26 | 2005-12-16 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정장치,전기광학장치및그것을사용한투사형표시장치 |
| WO1998043130A1 (en) * | 1997-03-26 | 1998-10-01 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, electrooptic device, and projection display device using the same |
| US6567147B1 (en) | 1997-03-27 | 2003-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| KR100567690B1 (ko) * | 1997-04-04 | 2006-05-25 | 산요덴키가부시키가이샤 | 액정표시장치 |
| JP4883910B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2012-02-22 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
| JP2006514320A (ja) * | 2003-01-30 | 2006-04-27 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
| JP2006189777A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2010122706A (ja) * | 2005-10-14 | 2010-06-03 | Seiko Epson Corp | 表示装置及び電子機器 |
| US8624885B2 (en) | 2006-07-03 | 2014-01-07 | Japan Display West Inc. | Electro-optical device and electronic apparatus |
| JP2009059854A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Epson Imaging Devices Corp | 受光装置、受光装置を備えた電気光学装置および電子機器 |
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