JPH06186755A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JPH06186755A JPH06186755A JP5185245A JP18524593A JPH06186755A JP H06186755 A JPH06186755 A JP H06186755A JP 5185245 A JP5185245 A JP 5185245A JP 18524593 A JP18524593 A JP 18524593A JP H06186755 A JPH06186755 A JP H06186755A
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- JP
- Japan
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- resist
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- baking
- seconds
- resist pattern
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- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な工程で、短時間にレジストの耐熱性と
耐エッチング性を同時に向上させる。 【構成】 半導体基板上にレジストをパターニング露
光、現像後、基板を遠紫外線光（好ましくは２００〜３
６０nm、特に２５３．７nmの波長）の照射の下に、１４
０℃以下（特に約８０〜１４０℃）の実質的に一定温度
で加熱する（一般に約２０〜１００秒間）。
耐エッチング性を同時に向上させる。 【構成】 半導体基板上にレジストをパターニング露
光、現像後、基板を遠紫外線光（好ましくは２００〜３
６０nm、特に２５３．７nmの波長）の照射の下に、１４
０℃以下（特に約８０〜１４０℃）の実質的に一定温度
で加熱する（一般に約２０〜１００秒間）。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明はホトリソグラフィーに関す
る。本発明は、さらに詳しく述べると、特に半導体集積
回路のホトリソグラフィーにおいてマスクとして有用な
レジストパターンを形成する方法に関する。
る。本発明は、さらに詳しく述べると、特に半導体集積
回路のホトリソグラフィーにおいてマスクとして有用な
レジストパターンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体集積回
路の加工精度の向上や微細化、高集積化に伴なって、種
々のすぐれたホトレジストが開発され、実用化されてい
る。このような材料面での改良に加えて、ホトリソグラ
フィープロセスの改良、すなわち、ホトリソグラフィに
おいてマスクとして有用なレジストパターンを形成する
方法の改良についての研究もなされている。
路の加工精度の向上や微細化、高集積化に伴なって、種
々のすぐれたホトレジストが開発され、実用化されてい
る。このような材料面での改良に加えて、ホトリソグラ
フィープロセスの改良、すなわち、ホトリソグラフィに
おいてマスクとして有用なレジストパターンを形成する
方法の改良についての研究もなされている。
【０００３】従来のレジストパターンの形成方法では、
特に解像度のすぐれている点で、ネガ形ホトレジストよ
りもポジ形ホトレジストが多く用いられている。このパ
ターン形成方法は、通常、選らばれたホトレジストの溶
液を半導体基板に塗布してレジスト塗布基板を得、必要
に応じてこれをプリベークしてレジスト塗膜中の溶剤を
除去し、使用せるレジストに適当な露光用光源を用いて
パターニング露光を行ない、現像により露光域のレジス
ト膜を溶解除去し、そして最後に基板と残留レジスト膜
の密着性を高めるためにポストベークする。
特に解像度のすぐれている点で、ネガ形ホトレジストよ
りもポジ形ホトレジストが多く用いられている。このパ
ターン形成方法は、通常、選らばれたホトレジストの溶
液を半導体基板に塗布してレジスト塗布基板を得、必要
に応じてこれをプリベークしてレジスト塗膜中の溶剤を
除去し、使用せるレジストに適当な露光用光源を用いて
パターニング露光を行ない、現像により露光域のレジス
ト膜を溶解除去し、そして最後に基板と残留レジスト膜
の密着性を高めるためにポストベークする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記パター
ン形成方法において、最後のポストベーク工程は、上記
したように基板とレジスト膜の密着性を改良するために
有効であるというものの、レジストそのものの強化、す
なわち、レジストの耐熱性と耐エッチング性を同時に向
上させるのに多少の効果は有るが不十分である。したが
って、例えば、この従来方法をアルミニウム配線のエッ
チングに利用したような場合、形成されるレジストマス
クの性能が不十分であるので、当然のことながら満足の
いく加工精度を期待することができない。
ン形成方法において、最後のポストベーク工程は、上記
したように基板とレジスト膜の密着性を改良するために
有効であるというものの、レジストそのものの強化、す
なわち、レジストの耐熱性と耐エッチング性を同時に向
上させるのに多少の効果は有るが不十分である。したが
って、例えば、この従来方法をアルミニウム配線のエッ
チングに利用したような場合、形成されるレジストマス
クの性能が不十分であるので、当然のことながら満足の
いく加工精度を期待することができない。
【０００５】本発明の目的は、レジストパターンの形成
方法であって、得られるパターンのレジストがすぐれた
耐熱性及び耐エッチング性の両方を奏し得るような方法
を提供することにある。
方法であって、得られるパターンのレジストがすぐれた
耐熱性及び耐エッチング性の両方を奏し得るような方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、レ
ジスト塗布半導体基板のパターニング露光及び現像後、
ポストベーク工程に代り得る新たな処理工程を見い出す
べく研究を重ねた。しかしながら、ポストベークに代え
て紫外線硬化（キュアリング）を適用しても、ポストベ
ークと紫外線硬化又は紫外線硬化とポストベークを順次
行なっても、さらにポストベーク、紫外線硬化及びポス
トベークの３処理を組み合わせても、満足すべき耐熱性
及び耐エッチング性を達成することができなかった。と
ころが、このたび、驚くべきことに、遠紫外線光の照射
下に、１４０℃以下で加熱することによってポストベー
クを実施すると、すなわち、両者を同時的に実施する
と、耐熱性も耐エッチング性も著しく改良し得るという
ことが判明した。
ジスト塗布半導体基板のパターニング露光及び現像後、
ポストベーク工程に代り得る新たな処理工程を見い出す
べく研究を重ねた。しかしながら、ポストベークに代え
て紫外線硬化（キュアリング）を適用しても、ポストベ
ークと紫外線硬化又は紫外線硬化とポストベークを順次
行なっても、さらにポストベーク、紫外線硬化及びポス
トベークの３処理を組み合わせても、満足すべき耐熱性
及び耐エッチング性を達成することができなかった。と
ころが、このたび、驚くべきことに、遠紫外線光の照射
下に、１４０℃以下で加熱することによってポストベー
クを実施すると、すなわち、両者を同時的に実施する
と、耐熱性も耐エッチング性も著しく改良し得るという
ことが判明した。
【０００７】本願明細書では、“遠紫外線光”とは、そ
の主たる分光エネルギーピークが約２００〜３６０nmの
波長範囲内にあるものを指す。すなわち、このような波
長を有する光、特に約２５３．７nmの波長を有する光の
照射下にポストベークを行なう場合に有利な結果を得る
ことができる。もしも光の波長が上記した範囲の下限を
下廻ると、オゾンが発生してレジストに影響することが
考えられるので好ましくなく、また、反対に上記した範
囲の上限を上廻ると、レジスト膜の表面にしわしわが形
成される等、レジストパターンに悪影響をおよぼすこと
があり好ましくない。この遠紫外光照射の光源には、こ
の技術分野において常用されている光源、例えば高圧水
銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノン−水銀ランプなど
を使用することができる。
の主たる分光エネルギーピークが約２００〜３６０nmの
波長範囲内にあるものを指す。すなわち、このような波
長を有する光、特に約２５３．７nmの波長を有する光の
照射下にポストベークを行なう場合に有利な結果を得る
ことができる。もしも光の波長が上記した範囲の下限を
下廻ると、オゾンが発生してレジストに影響することが
考えられるので好ましくなく、また、反対に上記した範
囲の上限を上廻ると、レジスト膜の表面にしわしわが形
成される等、レジストパターンに悪影響をおよぼすこと
があり好ましくない。この遠紫外光照射の光源には、こ
の技術分野において常用されている光源、例えば高圧水
銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノン−水銀ランプなど
を使用することができる。
【０００８】本発明方法では、約８０〜１４０℃の温度
で約２０〜１００秒間にわたって有利にポストベークを
行なうことができる。もちろん、上記した範囲内におい
て任意にベーク温度及び時間を選択することも、また、
必要に応じて上記範囲外の温度及び時間を選択すること
も、可能である。ポストベークにはオーブン、ホットプ
レートなどの加熱手段を使用することができる。
で約２０〜１００秒間にわたって有利にポストベークを
行なうことができる。もちろん、上記した範囲内におい
て任意にベーク温度及び時間を選択することも、また、
必要に応じて上記範囲外の温度及び時間を選択すること
も、可能である。ポストベークにはオーブン、ホットプ
レートなどの加熱手段を使用することができる。
【０００９】本発明によるレジストパターンの形成は、
先に簡単に説明したけれども、例えば次のような手順で
実施することができる。なお、ここではポジ形レジスト
の使用について説明するけれども、必要に応じてネガ形
のレジストも使用し得ることを理解されたい：最初に、
選らばれたポジ形ホトレジストを適当な溶剤に溶解して
その溶液、例えばＭＣＡ（メチルセロソルブアセテー
ト）溶液を得る。次いで、このレジスト溶液をエッチン
グしようとしている基板に浸漬法やスピンコート法など
で塗布する。塗布の完了後、オーブンなどでレジストを
プリベークしてレジスト膜中の溶剤を完全に除去する。
プリベーク後、適当な露光方法を採用して、例えばＸ
線、電子線などのような露光用放射エネルギー線を使用
してレジストのパターニング露光を行なう。露光後、例
えば先に使用したＭＣＡなどの現像液を使用して現像を
行ない、露光域のレジスト膜を溶解除去する。現像に引
き続いて、レジストの強化を計るために本発明のポスト
ベーク工程を実施する。例えば、低圧水銀ランプからの
２５３．７nmの波長を有する遠紫外線光の照射下に、ホ
ットプレート上で、約１２０℃で約６０秒間にわたって
レジストをポストベークする。このような一連の処理を
経て得られるレジストパターンはポジ形であり、解像度
はもちろんのこと、耐熱性や耐エッチング性にもひとき
わすぐれている。
先に簡単に説明したけれども、例えば次のような手順で
実施することができる。なお、ここではポジ形レジスト
の使用について説明するけれども、必要に応じてネガ形
のレジストも使用し得ることを理解されたい：最初に、
選らばれたポジ形ホトレジストを適当な溶剤に溶解して
その溶液、例えばＭＣＡ（メチルセロソルブアセテー
ト）溶液を得る。次いで、このレジスト溶液をエッチン
グしようとしている基板に浸漬法やスピンコート法など
で塗布する。塗布の完了後、オーブンなどでレジストを
プリベークしてレジスト膜中の溶剤を完全に除去する。
プリベーク後、適当な露光方法を採用して、例えばＸ
線、電子線などのような露光用放射エネルギー線を使用
してレジストのパターニング露光を行なう。露光後、例
えば先に使用したＭＣＡなどの現像液を使用して現像を
行ない、露光域のレジスト膜を溶解除去する。現像に引
き続いて、レジストの強化を計るために本発明のポスト
ベーク工程を実施する。例えば、低圧水銀ランプからの
２５３．７nmの波長を有する遠紫外線光の照射下に、ホ
ットプレート上で、約１２０℃で約６０秒間にわたって
レジストをポストベークする。このような一連の処理を
経て得られるレジストパターンはポジ形であり、解像度
はもちろんのこと、耐熱性や耐エッチング性にもひとき
わすぐれている。
【００１０】
【実施例】本発明による遠紫外線光照射下におけるポス
トベークの効果を確認するため、以下に列挙するような
いろいろな条件を設定して比較実験を行なった： （ｉ）対照（現像後処理なし） （ii）ポストベーク（１２０℃、６０秒間） （iii ）紫外線硬化（ＵＶキュア）（２００〜３６０n
m、主に２５３．７nm、６０秒間） （iv）ポストベーク（１２０℃、６０秒間）＋ＵＶキュ
ア（２００〜３６０nm、主に２５３．７nm、６０秒間） （ｖ）ＵＶキュア（２００〜３６０nm、６０秒間）＋ポ
ストベーク（１２０℃、６０秒間） （vi）ポストベーク（１２０℃、６０秒間）＋ＵＶキュ
ア（２００〜３６０nm、６０秒間）＋ポストベーク（１
２０℃、６０秒間） （vii ）発明（２００〜３６０nm、主に２５３．７nm、
１２０℃、６０秒間） なお、これらの処理に先がけて実施したレジスト塗布か
ら現像までの一連の工程を説明すると、次の通りであ
る： ポジレジスト：東京応化（株）製ＯＦＰＲ−８００（Ｍ
ｗ＝数万）の２７．４％溶液を調製し、これをアルミニ
ウム配線層（膜厚１．０μｍ）を有するシリコン基板上
に膜厚１．１μｍでスピンコートした。このレジスト塗
布基板を窒素雰囲気中で１１０℃で７分間にわたってプ
リベークした後、露光用光源としてピーク波長３６０nm
の高圧水銀ランプを使用してパターニング露光を行なっ
た。しかる後に、現像液としてＴＭＫ−１２を使用して
現像し、未露光域のレジスト膜を溶解除去した。添付の
図５ａに示されるような断面形状を有するポジのレジス
トパターンが得られた（図中の１がシリコン基板、２が
アルミニウム層、そして３がレジスト膜である）。
トベークの効果を確認するため、以下に列挙するような
いろいろな条件を設定して比較実験を行なった： （ｉ）対照（現像後処理なし） （ii）ポストベーク（１２０℃、６０秒間） （iii ）紫外線硬化（ＵＶキュア）（２００〜３６０n
m、主に２５３．７nm、６０秒間） （iv）ポストベーク（１２０℃、６０秒間）＋ＵＶキュ
ア（２００〜３６０nm、主に２５３．７nm、６０秒間） （ｖ）ＵＶキュア（２００〜３６０nm、６０秒間）＋ポ
ストベーク（１２０℃、６０秒間） （vi）ポストベーク（１２０℃、６０秒間）＋ＵＶキュ
ア（２００〜３６０nm、６０秒間）＋ポストベーク（１
２０℃、６０秒間） （vii ）発明（２００〜３６０nm、主に２５３．７nm、
１２０℃、６０秒間） なお、これらの処理に先がけて実施したレジスト塗布か
ら現像までの一連の工程を説明すると、次の通りであ
る： ポジレジスト：東京応化（株）製ＯＦＰＲ−８００（Ｍ
ｗ＝数万）の２７．４％溶液を調製し、これをアルミニ
ウム配線層（膜厚１．０μｍ）を有するシリコン基板上
に膜厚１．１μｍでスピンコートした。このレジスト塗
布基板を窒素雰囲気中で１１０℃で７分間にわたってプ
リベークした後、露光用光源としてピーク波長３６０nm
の高圧水銀ランプを使用してパターニング露光を行なっ
た。しかる後に、現像液としてＴＭＫ−１２を使用して
現像し、未露光域のレジスト膜を溶解除去した。添付の
図５ａに示されるような断面形状を有するポジのレジス
トパターンが得られた（図中の１がシリコン基板、２が
アルミニウム層、そして３がレジスト膜である）。
【００１１】上記した６種類の実験の後に得られたそれ
ぞれのレジストパターンを耐熱性及び耐エッチング性に
関して評価した。次のような結果が得られた（耐熱性及
び耐エッチング性の評価を以下に述べるように１つの基
準でまとめることができたので、ここでは“効果”欄に
６段階で記載する）： 処理条件 効果 （ｉ）対照（処理せず） ０ （ii）ポストベーク ０ （iii ）ＵＶキュア １ （iv）ポストベーク＋ＵＶキュア ２ （ｖ）ＵＶキュア＋ポストベーク ２ （vi）ポストベーク＋ＵＶキュア＋ポストベーク ４ （vii ）本発明（ＤｅｅｐＵＶキュア／ポストベーク） ５ 効果の評価：５…優、４…良、３…可、２…難あり、１
…不可、０…評価対象外（著しいダレ） 上記結果から明らかなように、本発明によれば、特別に
複雑な処理を行なわなくてもすぐれた耐熱性／耐エッチ
ング性を得ることができる。比較例の方法では、ポスト
ベーク、ＵＶキュア及びポストベークの繰り返しをやっ
てはじめて許容し得る効果：４を達成し得るにすぎな
い。
ぞれのレジストパターンを耐熱性及び耐エッチング性に
関して評価した。次のような結果が得られた（耐熱性及
び耐エッチング性の評価を以下に述べるように１つの基
準でまとめることができたので、ここでは“効果”欄に
６段階で記載する）： 処理条件 効果 （ｉ）対照（処理せず） ０ （ii）ポストベーク ０ （iii ）ＵＶキュア １ （iv）ポストベーク＋ＵＶキュア ２ （ｖ）ＵＶキュア＋ポストベーク ２ （vi）ポストベーク＋ＵＶキュア＋ポストベーク ４ （vii ）本発明（ＤｅｅｐＵＶキュア／ポストベーク） ５ 効果の評価：５…優、４…良、３…可、２…難あり、１
…不可、０…評価対象外（著しいダレ） 上記結果から明らかなように、本発明によれば、特別に
複雑な処理を行なわなくてもすぐれた耐熱性／耐エッチ
ング性を得ることができる。比較例の方法では、ポスト
ベーク、ＵＶキュア及びポストベークの繰り返しをやっ
てはじめて許容し得る効果：４を達成し得るにすぎな
い。
【００１２】さらに、上記した本発明方法をいろいろな
ベーク温度及び時間を使用して繰り返した。次のような
結果が得られた。 効 果 ベーク時間 ８０℃ １００℃ １２０℃ １４０℃ １６０℃ １８０℃ ２０秒 ２ ２ ４ ５ １ ０ ４０秒 ２ ３ ５ ５ １ ０ ６０秒 ３ ４ ５ ５ １ − ８０秒 ３ ５ ５ ５ １ − １００秒 ４ ５ − − − − 高いベーク温度を適用した場合、レジスト膜がダレて少
しも良い結果が得られなかった。
ベーク温度及び時間を使用して繰り返した。次のような
結果が得られた。 効 果 ベーク時間 ８０℃ １００℃ １２０℃ １４０℃ １６０℃ １８０℃ ２０秒 ２ ２ ４ ５ １ ０ ４０秒 ２ ３ ５ ５ １ ０ ６０秒 ３ ４ ５ ５ １ − ８０秒 ３ ５ ５ ５ １ − １００秒 ４ ５ − − − − 高いベーク温度を適用した場合、レジスト膜がダレて少
しも良い結果が得られなかった。
【００１３】さらに、比較のため、常温（２０℃）での
ＤｅｅｐＵＶキュアを実施した。以下に示すように、長
時間（１２０秒）経過後にはじめて本発明と同等の効
果：５が得られた：キユア時間（秒） 効果 キユア時間（秒） 効果 ２０ ０ １２０ ４ ４０ １ １４０ ４ ６０ ２ １６０ ４ ８０ ２ １８０ ５ １００ ３ 効果の評価基準 上記したように効果を評価するに当って、次のような評
価基準を設けた：上記したようにしてレジスト塗布から
現像までの一連の工程を終了する。現像直後のレジスト
膜のプロファイルは先に説明した通りほぼ図５ａに示さ
れる通りである。このレジスト膜を１７０℃で加熱する
と、加熱時間の長短によってプロファイルがいろいろに
変化する。例えば、図４ａに示されるようにレジスト膜
３の端部の角がとれる程度のものから図１ａに示される
ように顕著なレジストのダレを生じるものまで、そして
図示しないけれどもレジストが完全にダレてしまって評
価対象となり得ないものまで、いろいろなプロファイル
が得られる。さらに、これらのレジスト膜をマスクとし
てリアクティブ・イオンエッチングを行なうと、それぞ
れ図１ｂ〜図５ｂに示されるようなプロファイルが得ら
れる。これらの結果を総合して、図１ａ，ｂの如きプロ
ファイルを生じるものに１（不可）、図２ａ，ｂの如き
プロファイルを生じるものに２（難あり）、図３ａ，ｂ
の如きプロファイルを生じるものに３（可）、図４ａ，
ｂの如きプロファイルを生じるものに４（良）、図５
ａ，ｂの如きプロファイルを生じるものに５（優）、そ
してレジストのダレが著しくてプロファイルを確定し得
なかったものに０（評価対象外）の評価を与えた。
ＤｅｅｐＵＶキュアを実施した。以下に示すように、長
時間（１２０秒）経過後にはじめて本発明と同等の効
果：５が得られた：キユア時間（秒） 効果 キユア時間（秒） 効果 ２０ ０ １２０ ４ ４０ １ １４０ ４ ６０ ２ １６０ ４ ８０ ２ １８０ ５ １００ ３ 効果の評価基準 上記したように効果を評価するに当って、次のような評
価基準を設けた：上記したようにしてレジスト塗布から
現像までの一連の工程を終了する。現像直後のレジスト
膜のプロファイルは先に説明した通りほぼ図５ａに示さ
れる通りである。このレジスト膜を１７０℃で加熱する
と、加熱時間の長短によってプロファイルがいろいろに
変化する。例えば、図４ａに示されるようにレジスト膜
３の端部の角がとれる程度のものから図１ａに示される
ように顕著なレジストのダレを生じるものまで、そして
図示しないけれどもレジストが完全にダレてしまって評
価対象となり得ないものまで、いろいろなプロファイル
が得られる。さらに、これらのレジスト膜をマスクとし
てリアクティブ・イオンエッチングを行なうと、それぞ
れ図１ｂ〜図５ｂに示されるようなプロファイルが得ら
れる。これらの結果を総合して、図１ａ，ｂの如きプロ
ファイルを生じるものに１（不可）、図２ａ，ｂの如き
プロファイルを生じるものに２（難あり）、図３ａ，ｂ
の如きプロファイルを生じるものに３（可）、図４ａ，
ｂの如きプロファイルを生じるものに４（良）、図５
ａ，ｂの如きプロファイルを生じるものに５（優）、そ
してレジストのダレが著しくてプロファイルを確定し得
なかったものに０（評価対象外）の評価を与えた。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、何らの複雑な工程を伴
なわないで、まだ、長い時間をかけることなく、耐熱性
及び耐エッチング性にすぐれたレジストパターンを得る
ことができる。
なわないで、まだ、長い時間をかけることなく、耐熱性
及び耐エッチング性にすぐれたレジストパターンを得る
ことができる。
【図１】本発明で問題とするところの耐熱性及び耐エッ
チング性の評価基準を示したものである。
チング性の評価基準を示したものである。
【図２】本発明で問題とするところの耐熱性及び耐エッ
チング性の評価基準を示したものである。
チング性の評価基準を示したものである。
【図３】本発明で問題とするところの耐熱性及び耐エッ
チング性の評価基準を示したものである。
チング性の評価基準を示したものである。
【図４】本発明で問題とするところの耐熱性及び耐エッ
チング性の評価基準を示したものである。
チング性の評価基準を示したものである。
【図５】本発明で問題とするところの耐熱性及び耐エッ
チング性の評価基準を示したものである。
チング性の評価基準を示したものである。
１…基板 ２…アルミニウム層 ２′…エツチング後のアルミニウム層 ３…レジスト膜
【手続補正書】
【提出日】平成５年８月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、レ
ジスト塗布半導体基板のパターニング露光及び現像後、
ポストベーク工程に代り得る新たな処理工程を見い出す
べく研究を重ねた。しかしながら、ポストベークに代え
て紫外線硬化（キュアリング）を適用しても、ポストベ
ークと紫外線硬化又は紫外線硬化とポストベークを順次
行っても、さらにポストベーク、紫外線硬化及びポスト
ベークの３処理を組み合わせても、満足すべき耐熱性及
び耐エッチング性を達成することができなかった。とこ
ろが、このたび、驚くべきことに、露光及び現像後に、
遠紫外線光の照射下に、レジストの形状に実質的な変化
を生じさせない一定の温度に加熱することによってポス
トベークを実施すると、すなわち、両者を特定の温度条
件下で同時的に実施すると、耐熱性も耐エッチング性も
著しく改良し得るということが判明した。こうして、本
発明によれば、半導体基板上にレジストを塗布する工程
と、該レジストにパターニング露光及び現像を行う工程
と、該現像後のレジストに対し、遠紫外線光の照射下に
おいて、その形状に実質的な変化を生じさせない一定の
温度に加熱することによってポストベークを行う工程と
を有することを特徴とするレジストパターンの形成方法
が提供される。
ジスト塗布半導体基板のパターニング露光及び現像後、
ポストベーク工程に代り得る新たな処理工程を見い出す
べく研究を重ねた。しかしながら、ポストベークに代え
て紫外線硬化（キュアリング）を適用しても、ポストベ
ークと紫外線硬化又は紫外線硬化とポストベークを順次
行っても、さらにポストベーク、紫外線硬化及びポスト
ベークの３処理を組み合わせても、満足すべき耐熱性及
び耐エッチング性を達成することができなかった。とこ
ろが、このたび、驚くべきことに、露光及び現像後に、
遠紫外線光の照射下に、レジストの形状に実質的な変化
を生じさせない一定の温度に加熱することによってポス
トベークを実施すると、すなわち、両者を特定の温度条
件下で同時的に実施すると、耐熱性も耐エッチング性も
著しく改良し得るということが判明した。こうして、本
発明によれば、半導体基板上にレジストを塗布する工程
と、該レジストにパターニング露光及び現像を行う工程
と、該現像後のレジストに対し、遠紫外線光の照射下に
おいて、その形状に実質的な変化を生じさせない一定の
温度に加熱することによってポストベークを行う工程と
を有することを特徴とするレジストパターンの形成方法
が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】本発明方法では、約８０〜１４０℃の温度
で約２０〜１００秒間にわたって有利にポストベークを
行うことができる。もちろん、上記した範囲内において
任意にベーク温度及び時間を選択することも、また、必
要に応じて上記範囲外の温度及び時間を選択すること
も、可能である。しかし、本発明方法では、、レジスト
の形状を実質的に変化させない一定の温度で加熱するこ
とが必要である。加熱温度によってはレジストが変形
し、あるいは破壊されるので、精密なレジストパターン
形成ができなくなる。ポストベークにはオーブン、ホッ
トプレートなどの加熱手段を使用することができる。
で約２０〜１００秒間にわたって有利にポストベークを
行うことができる。もちろん、上記した範囲内において
任意にベーク温度及び時間を選択することも、また、必
要に応じて上記範囲外の温度及び時間を選択すること
も、可能である。しかし、本発明方法では、、レジスト
の形状を実質的に変化させない一定の温度で加熱するこ
とが必要である。加熱温度によってはレジストが変形
し、あるいは破壊されるので、精密なレジストパターン
形成ができなくなる。ポストベークにはオーブン、ホッ
トプレートなどの加熱手段を使用することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 パターニング露光及び現像の完了した後
のレジスト塗布半導体基板を遠紫外線光の照射下に、１
４０℃以下で加熱することによってポストベークするこ
とを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記遠紫外線光はその主たる分光エネル
ギーピークを２００〜３６０nmの波長範囲内に有する、
特許請求の範囲第１項に記載の方法。 - 【請求項３】 前記遠紫外線光はその主たる分光エネル
ギーピークを２５３．７nmの波長を有する、特許請求の
範囲第２項に記載の方法。 - 【請求項４】 前記ポストベークを約８０〜１４０℃の
温度で約２０〜１００秒間にわたって実施する、特許請
求の範囲第１項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5185245A JPH06186755A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-27 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5185245A JPH06186755A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-27 | レジストパターンの形成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59001302A Division JPS60145616A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06186755A true JPH06186755A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=16167433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5185245A Pending JPH06186755A (ja) | 1993-07-01 | 1993-07-27 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06186755A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7799515B2 (en) | 2002-04-04 | 2010-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device, and developing apparatus using the method |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5223401A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Hitachi Ltd | Method of etching photography |
| JPS52148423A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-09 | Hitachi Metals Ltd | Powder packing apparatus |
| JPS57167029A (en) * | 1981-03-19 | 1982-10-14 | Hoechst Ag | Burning of positive type photosensitive layer exposed and developed |
| JPS6041227A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-04 | Hitachi Ltd | ホトレジストパタ−ンの変形防止方法 |
| JPS6045247A (ja) * | 1983-05-23 | 1985-03-11 | フユージヨン・セミコンダクター・システムズ | フオトレジストの硬化方法及び硬化装置 |
| JPS60135943A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | レジスト層の強度向上方法および装置 |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP5185245A patent/JPH06186755A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5223401A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Hitachi Ltd | Method of etching photography |
| JPS52148423A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-09 | Hitachi Metals Ltd | Powder packing apparatus |
| JPS57167029A (en) * | 1981-03-19 | 1982-10-14 | Hoechst Ag | Burning of positive type photosensitive layer exposed and developed |
| JPS6045247A (ja) * | 1983-05-23 | 1985-03-11 | フユージヨン・セミコンダクター・システムズ | フオトレジストの硬化方法及び硬化装置 |
| JPS6041227A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-04 | Hitachi Ltd | ホトレジストパタ−ンの変形防止方法 |
| JPS60135943A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | レジスト層の強度向上方法および装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7799515B2 (en) | 2002-04-04 | 2010-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device, and developing apparatus using the method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960430 |