JPH06187620A - 薄膜磁気ヘッドの検査方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの検査方法Info
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- JPH06187620A JPH06187620A JP33634392A JP33634392A JPH06187620A JP H06187620 A JPH06187620 A JP H06187620A JP 33634392 A JP33634392 A JP 33634392A JP 33634392 A JP33634392 A JP 33634392A JP H06187620 A JPH06187620 A JP H06187620A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの動作特性に
おいて発生するバルクハウゼンノズ等のノイズの発生部
位を特定する。 【構成】 交流一様外部磁界により薄膜磁気ヘッドを励
磁し動作させつつ、直流内部バイアス磁界を重畳し、直
流磁界強度を可変したときの、ＭＲ出力特性におけるノ
イズ発生位相位置のシフト量を測定する。 【効果】 磁気ヘッド内で発生しているノイズの発生部
位を特定することが出来る。
おいて発生するバルクハウゼンノズ等のノイズの発生部
位を特定する。 【構成】 交流一様外部磁界により薄膜磁気ヘッドを励
磁し動作させつつ、直流内部バイアス磁界を重畳し、直
流磁界強度を可変したときの、ＭＲ出力特性におけるノ
イズ発生位相位置のシフト量を測定する。 【効果】 磁気ヘッド内で発生しているノイズの発生部
位を特定することが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、強磁性薄膜・フェラ
イト等からなる磁気コアと、一軸異方性を有する強磁性
薄膜に信号磁界を印加し、それを磁化容易軸方向の電気
抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素
子という）を具備して磁気記録媒体に記録された信号の
検出を行う薄膜磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドという）の
検査方法に関する。
イト等からなる磁気コアと、一軸異方性を有する強磁性
薄膜に信号磁界を印加し、それを磁化容易軸方向の電気
抵抗変化として検出する磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素
子という）を具備して磁気記録媒体に記録された信号の
検出を行う薄膜磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドという）の
検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＭＲヘッドは磁気テープ等の磁気
記録媒体に書き込まれた信号磁界を受ける事により、Ｍ
Ｒ素子内部の磁化方向が変化し、その磁化方向の変化に
応じたＭＲ素子の抵抗変化を、外部出力として取り出す
ものである。
記録媒体に書き込まれた信号磁界を受ける事により、Ｍ
Ｒ素子内部の磁化方向が変化し、その磁化方向の変化に
応じたＭＲ素子の抵抗変化を、外部出力として取り出す
ものである。
【０００３】このように、ＭＲヘッドは、磁束応答型の
ヘッドであり、磁気記録媒体の速度に依存せずに、信号
磁界を再生できる。
ヘッドであり、磁気記録媒体の速度に依存せずに、信号
磁界を再生できる。
【０００４】また、ＭＲヘッドは、半導体の微細加工技
術を適用することにより、高集積化及び、多素子化が容
易であるので、高密度記録が行われる固定ヘッド式デジ
タルオーディオの再生用磁気ヘッド等として用いられて
いる。また、近年このような磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドをアナログテープの再生に用いることをが行われて
いる。
術を適用することにより、高集積化及び、多素子化が容
易であるので、高密度記録が行われる固定ヘッド式デジ
タルオーディオの再生用磁気ヘッド等として用いられて
いる。また、近年このような磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドをアナログテープの再生に用いることをが行われて
いる。
【０００５】このような磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
では、ＭＲ素子単体で構成したＭＲヘッドよりも、ＭＲ
素子をヘッド先端から離して、磁気記録媒体から発生し
た磁束を、ヘッド先端からＭＲ素子部まで導くための磁
束導入路（ヨーク）を配置したヨーク型ＭＲヘッド（Ｙ
ＭＲヘッド）と呼ばれる薄膜磁気ヘッドが、信号の分解
能の向上やＭＲ素子の耐久性の向上に有利である事が知
られている。
では、ＭＲ素子単体で構成したＭＲヘッドよりも、ＭＲ
素子をヘッド先端から離して、磁気記録媒体から発生し
た磁束を、ヘッド先端からＭＲ素子部まで導くための磁
束導入路（ヨーク）を配置したヨーク型ＭＲヘッド（Ｙ
ＭＲヘッド）と呼ばれる薄膜磁気ヘッドが、信号の分解
能の向上やＭＲ素子の耐久性の向上に有利である事が知
られている。
【０００６】図１２に従来型のヨーク型ＭＲヘッドの斜
視図を示す。図１２において、３４は下部ヨークであ
り、３２はバイアス導体、３１はＭＲ素子、３６はＭＲ
素子リード線、３５は磁気ギャップ、３３は上側ヨーク
を示してる。
視図を示す。図１２において、３４は下部ヨークであ
り、３２はバイアス導体、３１はＭＲ素子、３６はＭＲ
素子リード線、３５は磁気ギャップ、３３は上側ヨーク
を示してる。
【０００７】一般にヨーク型ＭＲヘッドの場合、磁気記
録媒体から発生した磁界は、磁化遷移位置が磁気ギャッ
プより上側ヨーク側にある場合には、上側ヨークを通っ
てＭＲ素子に導かれる。又、磁化遷移位置が磁気ギャッ
プより基板側にある場合には、磁性基板から上側ヨーク
を通ってＭＲ素子に導かれる。そしてこの再生過程にお
ける磁気ヘッド各部の磁化過程において、磁化回転に起
因する磁化のスイッチングによるノイズ、磁壁移動に起
因して生じるバルクハウセンノイズが発生し、ヘッド出
力にノイズが生じる場合がある。
録媒体から発生した磁界は、磁化遷移位置が磁気ギャッ
プより上側ヨーク側にある場合には、上側ヨークを通っ
てＭＲ素子に導かれる。又、磁化遷移位置が磁気ギャッ
プより基板側にある場合には、磁性基板から上側ヨーク
を通ってＭＲ素子に導かれる。そしてこの再生過程にお
ける磁気ヘッド各部の磁化過程において、磁化回転に起
因する磁化のスイッチングによるノイズ、磁壁移動に起
因して生じるバルクハウセンノイズが発生し、ヘッド出
力にノイズが生じる場合がある。
【０００８】従来では、ＹＭＲヘッドのノイズに対する
特性評価は、テープ摺動面法線方向の一様外部磁界、又
はＹＭＲヘッド内に配置されたバイアス導体３２（図１
２）に通電し発生する内部磁界、に応答するヘッド出力
におけるノイズの有無を調べることにより行われてい
た。
特性評価は、テープ摺動面法線方向の一様外部磁界、又
はＹＭＲヘッド内に配置されたバイアス導体３２（図１
２）に通電し発生する内部磁界、に応答するヘッド出力
におけるノイズの有無を調べることにより行われてい
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のヘッドノイズ評
価方法では、ヘッド出力に発生するノイズが、上側ヨー
ク部分、下部ヨーク部分、ＭＲ素子部分のいずれから発
生しているか分離出来ず、ノイズを抑制するためにヘッ
ドのどの部分の特性を改善する必要があるか明確にでき
ない、このため効率良くヘッドの開発を進めることが出
来ない。
価方法では、ヘッド出力に発生するノイズが、上側ヨー
ク部分、下部ヨーク部分、ＭＲ素子部分のいずれから発
生しているか分離出来ず、ノイズを抑制するためにヘッ
ドのどの部分の特性を改善する必要があるか明確にでき
ない、このため効率良くヘッドの開発を進めることが出
来ない。
【００１０】この発明はかかる従来の問題点を解決する
ためになされたものである。この発明の目的は、ヘッド
出力に発生するノイズがヘッドのどの部分から発生して
いるかを明確にすることが出来る薄膜磁気ヘッドの検査
方法を提供することである。
ためになされたものである。この発明の目的は、ヘッド
出力に発生するノイズがヘッドのどの部分から発生して
いるかを明確にすることが出来る薄膜磁気ヘッドの検査
方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明による薄膜磁気ヘッドの検査方法は、前記薄
膜磁気ヘッドに、第１の交流励磁磁界を印加し前記磁気
抵抗効果素子を動作させつつ、前記第１の交流励磁磁界
とヘッド内の各部位での磁束密度の分布が異なる第２の
直流励磁磁界を重畳し、前記第２の直流励磁磁界の強度
を増減し、前記磁気抵抗効果素子の出力特性におけるノ
イズ発生位相位置のシフト量を測定することを特徴とし
ている。さらに、前記第１の交流励磁磁界として、前記
薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面に対し法線方向の
交流一様外部磁界、または前記薄膜磁気ヘッドに内蔵し
たバイアス導体に交流電流を通電し誘導される交流励磁
磁界、または前記薄膜磁気ヘッドに内蔵した記録ヘッド
コイルに交流電流を通電し誘導される交流励磁磁界、ま
たは一定周波数の連続波に記録した磁気記録媒体から生
じる交流磁界を用いることを特徴としている。更に、前
記第２の直流励磁磁界としては、前記薄膜磁気ヘッドの
磁気記録媒体摺動面に対し法線方向の直流一様外部磁
界、または前記薄膜磁気ヘッドに内蔵したバイアス導体
に直流電流を通電し誘導される直流励磁磁界、または前
記薄膜磁気ヘッドに内蔵した記録ヘッドコイルに交流電
流を通電し誘導される直流励磁磁界を用いることを特徴
としている。
に、本発明による薄膜磁気ヘッドの検査方法は、前記薄
膜磁気ヘッドに、第１の交流励磁磁界を印加し前記磁気
抵抗効果素子を動作させつつ、前記第１の交流励磁磁界
とヘッド内の各部位での磁束密度の分布が異なる第２の
直流励磁磁界を重畳し、前記第２の直流励磁磁界の強度
を増減し、前記磁気抵抗効果素子の出力特性におけるノ
イズ発生位相位置のシフト量を測定することを特徴とし
ている。さらに、前記第１の交流励磁磁界として、前記
薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面に対し法線方向の
交流一様外部磁界、または前記薄膜磁気ヘッドに内蔵し
たバイアス導体に交流電流を通電し誘導される交流励磁
磁界、または前記薄膜磁気ヘッドに内蔵した記録ヘッド
コイルに交流電流を通電し誘導される交流励磁磁界、ま
たは一定周波数の連続波に記録した磁気記録媒体から生
じる交流磁界を用いることを特徴としている。更に、前
記第２の直流励磁磁界としては、前記薄膜磁気ヘッドの
磁気記録媒体摺動面に対し法線方向の直流一様外部磁
界、または前記薄膜磁気ヘッドに内蔵したバイアス導体
に直流電流を通電し誘導される直流励磁磁界、または前
記薄膜磁気ヘッドに内蔵した記録ヘッドコイルに交流電
流を通電し誘導される直流励磁磁界を用いることを特徴
としている。
【００１２】
【作用】本発明によれば、前記薄膜磁気ヘッド内で磁束
密度の分布が異なる２種類の励磁磁界を用い、一方を交
流磁界として前記薄膜磁気ヘッドに印加し、前記薄膜磁
気ヘッドを動作させつつ、他方を直流磁界として前記薄
膜磁気ヘッドに印加し、さらに前記直流磁界の強度を可
変したときの前記薄膜磁気ヘッドの出力波形中でのノイ
ズの位相のシフト量から、ヘッド内のノイズ発生箇所を
特定することを可能としている。
密度の分布が異なる２種類の励磁磁界を用い、一方を交
流磁界として前記薄膜磁気ヘッドに印加し、前記薄膜磁
気ヘッドを動作させつつ、他方を直流磁界として前記薄
膜磁気ヘッドに印加し、さらに前記直流磁界の強度を可
変したときの前記薄膜磁気ヘッドの出力波形中でのノイ
ズの位相のシフト量から、ヘッド内のノイズ発生箇所を
特定することを可能としている。
【００１３】
【実施例】以下、この発明に基づいた薄膜磁気ヘッドの
検査方法の第一の実施例について図１、図３、図４、図
５及び表１を参照して説明する。
検査方法の第一の実施例について図１、図３、図４、図
５及び表１を参照して説明する。
【００１４】
【表１】
【００１５】まず、ヘッドの出力特性及びノイズの位相
のシフト量を測定する方法をその測定系のブロック図
（図１）を用いて説明する。（なおヘッドは、磁気ヨー
ク等を省いて示している。）空心コイル１１に発信器１
２、定電流アンプ１３により交流励磁電流Ｉｃを流し、
一様外部磁界１５を、ヘッド２０にそのテープ摺動面に
法線方向に印加しヘッド２０を励磁する。このコイル電
流値は抵抗１４により電圧に変換し、オシロスコープ２
１のＸ軸に入力する。なお、一様外部磁界強度はガウス
メーターにより測定し、コイル電流に対する一様外部磁
界強度の関係を求めておく。ヘッド内の磁気抵抗効果素
子１（以下ＭＲ素子と称する）に定電流源１６よりセン
ス電流Ｉｓを流す。ヘッド出力はアンプ１７で増幅し、
オシロスコープ２１のＹ軸に入力する。オシロスコープ
はＸ−Ｙ表示モードにしヘッド出力の特性曲線（以下、
ＭＲ特性曲線と称す）を観測する。更に可変定電流源１
９よりヘッド内のバイアス導体３に直流バイアス電流Ｉ
ｂを流しＭＲ特性曲線を最適動作点にする。又、アンプ
出力は、微分回路、交流励磁電流Ｉｃの基本波除去回路
１８を通過させノイズを抽出した信号Ｙ’をオシロスコ
ープ２１のＹ軸に入力しノイズの有無及び発生位相位置
を測定する。
のシフト量を測定する方法をその測定系のブロック図
（図１）を用いて説明する。（なおヘッドは、磁気ヨー
ク等を省いて示している。）空心コイル１１に発信器１
２、定電流アンプ１３により交流励磁電流Ｉｃを流し、
一様外部磁界１５を、ヘッド２０にそのテープ摺動面に
法線方向に印加しヘッド２０を励磁する。このコイル電
流値は抵抗１４により電圧に変換し、オシロスコープ２
１のＸ軸に入力する。なお、一様外部磁界強度はガウス
メーターにより測定し、コイル電流に対する一様外部磁
界強度の関係を求めておく。ヘッド内の磁気抵抗効果素
子１（以下ＭＲ素子と称する）に定電流源１６よりセン
ス電流Ｉｓを流す。ヘッド出力はアンプ１７で増幅し、
オシロスコープ２１のＹ軸に入力する。オシロスコープ
はＸ−Ｙ表示モードにしヘッド出力の特性曲線（以下、
ＭＲ特性曲線と称す）を観測する。更に可変定電流源１
９よりヘッド内のバイアス導体３に直流バイアス電流Ｉ
ｂを流しＭＲ特性曲線を最適動作点にする。又、アンプ
出力は、微分回路、交流励磁電流Ｉｃの基本波除去回路
１８を通過させノイズを抽出した信号Ｙ’をオシロスコ
ープ２１のＹ軸に入力しノイズの有無及び発生位相位置
を測定する。
【００１６】上述のようにしてＭＲ特性曲線を観測しな
がら、可変定電流源１９により直流バイアス電流Ｉｂを
微増（ΔＩｂ）させる。このとき生じるＭＲ特性曲線に
おけるノイズの発生位相位置のシフト量を、オシロスコ
ープ２１のＸ軸よりコイル電流を尺度として測定し、コ
イル電流と外部磁界強度との関係から、そのシフト量に
相当する外部磁界強度（ΔＨ）を求める。
がら、可変定電流源１９により直流バイアス電流Ｉｂを
微増（ΔＩｂ）させる。このとき生じるＭＲ特性曲線に
おけるノイズの発生位相位置のシフト量を、オシロスコ
ープ２１のＸ軸よりコイル電流を尺度として測定し、コ
イル電流と外部磁界強度との関係から、そのシフト量に
相当する外部磁界強度（ΔＨ）を求める。
【００１７】次に、ノイズの発生箇所を特定する原理に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１８】直流バイアス電流Ｉｂの微増量（ΔＩｂ）
に対する、ノイズの発生位相位置のシフト量（ΔＨ）が
大きいノイズは、一様外部磁界に比較し直流バイアス磁
界に対し磁化される感度が高いヘッド内の箇所で発生し
ているノイズであり、逆にノイズの発生位相位置のシフ
ト量（ΔＨ）が小さいノイズは、一様外部磁界に比較し
直流内部バイアス磁界に対し磁化される感度が低いヘッ
ド内の箇所で発生しているノイズである。
に対する、ノイズの発生位相位置のシフト量（ΔＨ）が
大きいノイズは、一様外部磁界に比較し直流バイアス磁
界に対し磁化される感度が高いヘッド内の箇所で発生し
ているノイズであり、逆にノイズの発生位相位置のシフ
ト量（ΔＨ）が小さいノイズは、一様外部磁界に比較し
直流内部バイアス磁界に対し磁化される感度が低いヘッ
ド内の箇所で発生しているノイズである。
【００１９】即ち、ノイズの発生位相位置のシフト量
（ΔＨ）と直流内部バイアス電流Ｉｂを微増量（ΔＩ
ｂ）との比は、一様外部磁界と内部バイアス磁界とのノ
イズ発生箇所での磁束密度の比に対応しており、これら
の間には次に示す関係がある。
（ΔＨ）と直流内部バイアス電流Ｉｂを微増量（ΔＩ
ｂ）との比は、一様外部磁界と内部バイアス磁界とのノ
イズ発生箇所での磁束密度の比に対応しており、これら
の間には次に示す関係がある。
【００２０】 （ΔＨ／ΔＩｂ）×（Ｓext／Ｓint）＝（ＢN int／ＢM int）／（ＢN ext／ＢM ext ）・・・式（１） ここで Ｓext、Ｓintは、それぞれ外部磁界ＭＲ特性感
度、内部バイアス磁界ＭＲ特性感度である。
度、内部バイアス磁界ＭＲ特性感度である。
【００２１】ＢN int、ＢM intは、それぞれノイズ発生箇
所、ＭＲ素子部での内部バイアス電流（ΔＩｂ）による
磁束密度。
所、ＭＲ素子部での内部バイアス電流（ΔＩｂ）による
磁束密度。
【００２２】ＢN ext、ＢM extは、それぞれノイズ発生箇
所、ＭＲ素子部での一様外部磁界（ΔＨ）による磁束密
度。
所、ＭＲ素子部での一様外部磁界（ΔＨ）による磁束密
度。
【００２３】である。
【００２４】このヘッド各箇所の磁束密度ＢN int、ＢM
int、ＢN ext、ＢM extは、２次元有限要素法等を用いた
計算機シミュレーションにより求めることが出来る。ま
たＭＲ特性感度Ｓext、Ｓintは、ＭＲ特性曲線の線形性
の良い範囲におけるその特性曲線の傾きから求めること
が出来る。従って、ノイズの発生位相位置のシフト量
（ΔＨ）と直流内部バイアス電流Ｉｂの微増量（ΔＩ
ｂ）との比と、一様外部磁界と内部バイアス磁界とのヘ
ッド内の箇所での磁束密度の比を対応づけることによ
り、ノイズの発生箇所を特定することが出来る。
int、ＢN ext、ＢM extは、２次元有限要素法等を用いた
計算機シミュレーションにより求めることが出来る。ま
たＭＲ特性感度Ｓext、Ｓintは、ＭＲ特性曲線の線形性
の良い範囲におけるその特性曲線の傾きから求めること
が出来る。従って、ノイズの発生位相位置のシフト量
（ΔＨ）と直流内部バイアス電流Ｉｂの微増量（ΔＩ
ｂ）との比と、一様外部磁界と内部バイアス磁界とのヘ
ッド内の箇所での磁束密度の比を対応づけることによ
り、ノイズの発生箇所を特定することが出来る。
【００２５】次に、上述した方法により測定した結果の
一例を以下に示す。
一例を以下に示す。
【００２６】図３に使用した記録ヘッドを内蔵したヨー
ク型ＭＲヘッドの斜視図を、図４に断面図を示す。図
３、図４において、７はＭｎ−Ｚｎ，Ｎｉ−Ｚｎフェラ
イト等の基板であり、８はガラス溝、１０は内蔵記録ヘ
ッドコイル、６は記録ヘッドギャップ、５は下部ヨー
ク、９は再生ヘッドギャップ、４は上部ヨーク、３はバ
イアス導体、１はＭＲ素子、２はＭＲ素子リード線を示
している。
ク型ＭＲヘッドの斜視図を、図４に断面図を示す。図
３、図４において、７はＭｎ−Ｚｎ，Ｎｉ−Ｚｎフェラ
イト等の基板であり、８はガラス溝、１０は内蔵記録ヘ
ッドコイル、６は記録ヘッドギャップ、５は下部ヨー
ク、９は再生ヘッドギャップ、４は上部ヨーク、３はバ
イアス導体、１はＭＲ素子、２はＭＲ素子リード線を示
している。
【００２７】複数のヘッドについてノイズの発生位相位
置のシフト量を測定した結果を、横軸に直流内部バイア
ス電流Ｉｂの微増量（ΔＩｂ）、縦軸にノイズの発生位
相位置のシフト量の外部磁界値（ΔＨ）に、外部磁界に
対するヘッド感度と内部バイアス磁界にたいするヘッド
感度との比（Ｓext／Ｓint）を乗じた値をとったグラフ
にプロットしたものを、図５に示す。
置のシフト量を測定した結果を、横軸に直流内部バイア
ス電流Ｉｂの微増量（ΔＩｂ）、縦軸にノイズの発生位
相位置のシフト量の外部磁界値（ΔＨ）に、外部磁界に
対するヘッド感度と内部バイアス磁界にたいするヘッド
感度との比（Ｓext／Ｓint）を乗じた値をとったグラフ
にプロットしたものを、図５に示す。
【００２８】また、ヘッド内の各部位において、内部バ
イアス磁界で誘起される磁束密度と外部磁界で誘起され
る磁束密度の比の計算結果を表１に示す。この磁束密度
の比は、式（１）より図５のグラフにおける原点を通る
直線の傾き、ΔＨ×（Ｓext／Ｓint）／ΔＩｂに対応し
ている。
イアス磁界で誘起される磁束密度と外部磁界で誘起され
る磁束密度の比の計算結果を表１に示す。この磁束密度
の比は、式（１）より図５のグラフにおける原点を通る
直線の傾き、ΔＨ×（Ｓext／Ｓint）／ΔＩｂに対応し
ている。
【００２９】図５のグラフに計算結果の磁束密度の比の
傾きをもつ直線を重ねて示す。このグラフより、直線
（１）付近のノイズはＭＲ素子部で、直線（II）、(II
I）、（IV）付近のノイズは下部ヨーク部で、直線
（Ｖ）付近のノイズは上部ヨークフロント部で発生して
いる。このように、この検査方法によりノイズの発生箇
所を特定することが出来る。
傾きをもつ直線を重ねて示す。このグラフより、直線
（１）付近のノイズはＭＲ素子部で、直線（II）、(II
I）、（IV）付近のノイズは下部ヨーク部で、直線
（Ｖ）付近のノイズは上部ヨークフロント部で発生して
いる。このように、この検査方法によりノイズの発生箇
所を特定することが出来る。
【００３０】次に、この発明に基づいた薄膜磁気ヘッド
の検査方法の第二の実施例について説明する。ヘッドの
出力特性及びノイズの位相のシフト量を測定する方法を
その測定系のブロック図（図２）を用いて説明する。
（なおヘッドは、磁気ヨーク等を省いて示している。）
第二の実施例では、第一の実施例の空心コイルに替え内
蔵記録ヘッドコイルを接続する。この内蔵記録ヘッドコ
イル１０に発信器１２、定電流アンプ１３により交流励
磁電流Ｉｒを流し、ヘッドを励磁する。他の測定系は第
一の実施例と同一である。
の検査方法の第二の実施例について説明する。ヘッドの
出力特性及びノイズの位相のシフト量を測定する方法を
その測定系のブロック図（図２）を用いて説明する。
（なおヘッドは、磁気ヨーク等を省いて示している。）
第二の実施例では、第一の実施例の空心コイルに替え内
蔵記録ヘッドコイルを接続する。この内蔵記録ヘッドコ
イル１０に発信器１２、定電流アンプ１３により交流励
磁電流Ｉｒを流し、ヘッドを励磁する。他の測定系は第
一の実施例と同一である。
【００３１】内蔵記録ヘッドコイルの励磁電流によりＭ
Ｒ特性曲線を観測しながら、可変定電流源１９により直
流内部バイアス電流Ｉｂを微量（ΔＩｂ）させる。この
とき生じるＭＲ特性曲線におけるノイズの発生位相位置
のシフト量を、オシロスコープ２１のＸ軸よりそのシフ
ト量に相当する内蔵記録ヘッドコイル電流（ΔＩｒ）を
求める。
Ｒ特性曲線を観測しながら、可変定電流源１９により直
流内部バイアス電流Ｉｂを微量（ΔＩｂ）させる。この
とき生じるＭＲ特性曲線におけるノイズの発生位相位置
のシフト量を、オシロスコープ２１のＸ軸よりそのシフ
ト量に相当する内蔵記録ヘッドコイル電流（ΔＩｒ）を
求める。
【００３２】ノイズ発生箇所の特定原理は第一の実施例
の場合と同様に、ノイズの発生位相位置のシフト量（Δ
Ｉｒ）と直流内部バイアス電流Ｉｂの微増量（ΔＩｂ）
との比（ΔＩｒ／ΔＩｂ）×（Ｓrec／Ｓint）と、内蔵
記録ヘッドコイル電流による磁界と内部バイアス磁界と
のヘッド内の箇所での磁束密度の比（ＢN int／ＢM int）
／（ＢN rec／ＢM rec）を対応づけることにより、ノイズ
の発生箇所を特定することが出来る。ここでＳrecは内
蔵記録ヘッドコイル電流による磁界ＭＲ特性感度、ＢN
rec、ＢM recは、それぞれノイズ発生箇所、ＭＲ素子部
での内蔵記録ヘッドコイル電流による磁束密度である。
の場合と同様に、ノイズの発生位相位置のシフト量（Δ
Ｉｒ）と直流内部バイアス電流Ｉｂの微増量（ΔＩｂ）
との比（ΔＩｒ／ΔＩｂ）×（Ｓrec／Ｓint）と、内蔵
記録ヘッドコイル電流による磁界と内部バイアス磁界と
のヘッド内の箇所での磁束密度の比（ＢN int／ＢM int）
／（ＢN rec／ＢM rec）を対応づけることにより、ノイズ
の発生箇所を特定することが出来る。ここでＳrecは内
蔵記録ヘッドコイル電流による磁界ＭＲ特性感度、ＢN
rec、ＢM recは、それぞれノイズ発生箇所、ＭＲ素子部
での内蔵記録ヘッドコイル電流による磁束密度である。
【００３３】次に、上述した方法により測定した結果の
一例を以下に示す。
一例を以下に示す。
【００３４】図３に示すヘッドを使用し、複数のヘッド
についてノイズの発生位相位置のシフト量を測定した結
果を、横軸に直流内部バイアス電流Ｉｂの微増量（ΔＩ
ｂ）、縦軸にノイズの発生位相位置のシフト量の内蔵記
録ヘッドコイル電流値（ΔＩｒ）に、内蔵記録ヘッドコ
イル電流による磁界に対するヘッド感度と内部バイアス
磁界にたいするヘッド感度との比（Ｓrec／Ｓint）を乗
じた値をとったグラフにプロットしたものを、図６に示
す。
についてノイズの発生位相位置のシフト量を測定した結
果を、横軸に直流内部バイアス電流Ｉｂの微増量（ΔＩ
ｂ）、縦軸にノイズの発生位相位置のシフト量の内蔵記
録ヘッドコイル電流値（ΔＩｒ）に、内蔵記録ヘッドコ
イル電流による磁界に対するヘッド感度と内部バイアス
磁界にたいするヘッド感度との比（Ｓrec／Ｓint）を乗
じた値をとったグラフにプロットしたものを、図６に示
す。
【００３５】また、ヘッド内の各部位において、内部バ
イアス磁界で誘起される磁束密度と内蔵記録ヘッドコイ
ル電流による磁界で誘起される磁束密度の比の計算結果
を表１に示す。図６のグラフに計算結果の磁束密度の比
の傾きをもつ直線を重ねて示す。このグラフより、直
線、（Ｉ）、（II）、（III） 付近のノイズはＭＲ素子
部、上部ヨーク部で、直線（Ｖ）、（VI）付近のノイズ
は下部ヨーク部、基板部で発生している。このように、
この検査方法によりノイズの発生箇所を特定することが
出来る。
イアス磁界で誘起される磁束密度と内蔵記録ヘッドコイ
ル電流による磁界で誘起される磁束密度の比の計算結果
を表１に示す。図６のグラフに計算結果の磁束密度の比
の傾きをもつ直線を重ねて示す。このグラフより、直
線、（Ｉ）、（II）、（III） 付近のノイズはＭＲ素子
部、上部ヨーク部で、直線（Ｖ）、（VI）付近のノイズ
は下部ヨーク部、基板部で発生している。このように、
この検査方法によりノイズの発生箇所を特定することが
出来る。
【００３６】次に、この発明に基づいた薄膜磁気ヘッド
の検査方法の第三の実施例について説明する。ヘッドの
再生出力特性及びノイズの位相のシフト量を測定する方
法をその測定系のブロック図（図７）を用いて説明す
る。ヘッドをテープ走行装置（図７では省略している）
に取り付け正弦波記録済みテープ２３を再生する。ヘッ
ド内のＭＲ素子１に定電流源１６よりセンス電流Ｉｓを
流す。ヘッド再生出力はアンプ１７で増幅し、オシロス
コープ２１のＣＨ１に入力し再生波形を観測する。更に
可変定電流源１９よりヘッド内のバイアス導体３に直流
バイアス電流Ｉｂを流しＭＲ特性曲線を最適動作点にす
る。又、アンプ出力は、歪み率計２２に入力し基本波を
除去しノイズを抽出した信号Ｙ’をオシロスコープ２１
のＣＨ２に入力し、再生波形とノイズ抽出波形を同時に
同位相で観測しノイズの有無及び発生位相位置を測定す
る。
の検査方法の第三の実施例について説明する。ヘッドの
再生出力特性及びノイズの位相のシフト量を測定する方
法をその測定系のブロック図（図７）を用いて説明す
る。ヘッドをテープ走行装置（図７では省略している）
に取り付け正弦波記録済みテープ２３を再生する。ヘッ
ド内のＭＲ素子１に定電流源１６よりセンス電流Ｉｓを
流す。ヘッド再生出力はアンプ１７で増幅し、オシロス
コープ２１のＣＨ１に入力し再生波形を観測する。更に
可変定電流源１９よりヘッド内のバイアス導体３に直流
バイアス電流Ｉｂを流しＭＲ特性曲線を最適動作点にす
る。又、アンプ出力は、歪み率計２２に入力し基本波を
除去しノイズを抽出した信号Ｙ’をオシロスコープ２１
のＣＨ２に入力し、再生波形とノイズ抽出波形を同時に
同位相で観測しノイズの有無及び発生位相位置を測定す
る。
【００３７】上述のようにして再生波形とノイズ抽出波
形を観測しながら、可変定電流源１９により直流バイア
ス電流Ｉｂを微増量（ΔＩｂ）させる。このとき生じる
ノイズの発生位相位置のシフト量を、オシロスコープＣ
Ｈ１のＹ軸より再生出力を尺度として測定し、シフト量
（ΔＶ）を求める。
形を観測しながら、可変定電流源１９により直流バイア
ス電流Ｉｂを微増量（ΔＩｂ）させる。このとき生じる
ノイズの発生位相位置のシフト量を、オシロスコープＣ
Ｈ１のＹ軸より再生出力を尺度として測定し、シフト量
（ΔＶ）を求める。
【００３８】ノイズ発生箇所の特定原理は第一の実施例
の場合と同様に、ノイズの発生位相位置のシフト量（Δ
Ｖ）と直流内部バイアス電流Ｉｂの微増量（ΔＩｂ）と
の比（ΔＶ／ΔＩｂ）／Ｓint）と、テープ磁界と内部
バイアス磁界とのヘッド内の箇所での磁束密度の比（Ｂ
N int／ＢM int）／（ＢN tp／ＢM tp）を対応づけることに
より、ノイズの発生箇所を所定することが出来る。ここ
でＢN tp、ＢM tpは、それぞれノイズ発生箇所、ＭＲ素子
部でのテープ磁界による磁束密度である。
の場合と同様に、ノイズの発生位相位置のシフト量（Δ
Ｖ）と直流内部バイアス電流Ｉｂの微増量（ΔＩｂ）と
の比（ΔＶ／ΔＩｂ）／Ｓint）と、テープ磁界と内部
バイアス磁界とのヘッド内の箇所での磁束密度の比（Ｂ
N int／ＢM int）／（ＢN tp／ＢM tp）を対応づけることに
より、ノイズの発生箇所を所定することが出来る。ここ
でＢN tp、ＢM tpは、それぞれノイズ発生箇所、ＭＲ素子
部でのテープ磁界による磁束密度である。
【００３９】次に、上述した方法により測定した結果の
一例を以下に示す。
一例を以下に示す。
【００４０】図３に示すヘッドを使用し、複数のヘッド
についてノイズの発生位相位置のシフト量を測定した結
果を、横軸に直流内部バイアス電流Ｉｂの微増量（ΔＩ
ｂ）、縦軸にノイズの発生位相位置のシフト量（ΔＶ）
に、内部バイアス磁界にたいするヘッド感度Ｓintで割
った値をとったグラフらプロットしたものを、図８に示
す。
についてノイズの発生位相位置のシフト量を測定した結
果を、横軸に直流内部バイアス電流Ｉｂの微増量（ΔＩ
ｂ）、縦軸にノイズの発生位相位置のシフト量（ΔＶ）
に、内部バイアス磁界にたいするヘッド感度Ｓintで割
った値をとったグラフらプロットしたものを、図８に示
す。
【００４１】また、ヘッド内の各部位において、内部バ
イアス磁界で誘起される磁束密度とテープ磁界で誘起さ
れる磁束密度の比の計算結果を表１に示す。図８のグラ
フに計算結果の磁束密度の比の傾きをもつ直線を重ねて
示す。このグラフより、直線（Ｉ）付近のノイズは上部
ヨークフロント部で、直線（II）付近のノイズは上部ヨ
ークフロントギャップ部で、直線（III）付近のノイズ
は下部ヨーク部、基板部で発生している。このように、
この検査方法によりノイズの発生箇所を特定することが
出来る。
イアス磁界で誘起される磁束密度とテープ磁界で誘起さ
れる磁束密度の比の計算結果を表１に示す。図８のグラ
フに計算結果の磁束密度の比の傾きをもつ直線を重ねて
示す。このグラフより、直線（Ｉ）付近のノイズは上部
ヨークフロント部で、直線（II）付近のノイズは上部ヨ
ークフロントギャップ部で、直線（III）付近のノイズ
は下部ヨーク部、基板部で発生している。このように、
この検査方法によりノイズの発生箇所を特定することが
出来る。
【００４２】次に、この発明に基づいた薄膜磁気ヘッド
の検査方法の第４の実施例についてその測定系ブロック
図（図９）を用いて説明する。（なおヘッドは、磁気ヨ
ーク等を省いて示している。）発信器１２、定電流アン
プ１３によりヘッド内のバイアス導体３に交流バイアス
電流Ｉｂを流し、を励磁する。この内部バイアス電流Ｉ
ｂは、抵抗１４により電圧に変換し、オシロスコープ２
１のＸ軸に入力する。ヘッド内の磁気抵抗効果素子１
（以下ＭＲ素子と称す）に定電流源１６よりセンス電流
Ｉｓを流す。ヘッド出力はアンプ１７で増幅し、オシロ
スコープ２１のＹ軸に入力する。オシロスコープはＸ−
Ｙ表示モードにしヘッド出力の特性曲線（以下、ＭＲ特
性曲線と称す）を観測する。更に可変抵抗器２４により
内部バイアス電流にＤＣオフセットを与えＭＲ特性曲線
を最適動作点にする。又、アンプ出力は、微分回路・交
流励磁電流Ｉｂの基本波除去回路１８を通過させノイズ
を抽出した信号Ｙ’をオシロスコープ２１のＹ軸に入力
しノイズの有無及び発生位相位置を測定する。
の検査方法の第４の実施例についてその測定系ブロック
図（図９）を用いて説明する。（なおヘッドは、磁気ヨ
ーク等を省いて示している。）発信器１２、定電流アン
プ１３によりヘッド内のバイアス導体３に交流バイアス
電流Ｉｂを流し、を励磁する。この内部バイアス電流Ｉ
ｂは、抵抗１４により電圧に変換し、オシロスコープ２
１のＸ軸に入力する。ヘッド内の磁気抵抗効果素子１
（以下ＭＲ素子と称す）に定電流源１６よりセンス電流
Ｉｓを流す。ヘッド出力はアンプ１７で増幅し、オシロ
スコープ２１のＹ軸に入力する。オシロスコープはＸ−
Ｙ表示モードにしヘッド出力の特性曲線（以下、ＭＲ特
性曲線と称す）を観測する。更に可変抵抗器２４により
内部バイアス電流にＤＣオフセットを与えＭＲ特性曲線
を最適動作点にする。又、アンプ出力は、微分回路・交
流励磁電流Ｉｂの基本波除去回路１８を通過させノイズ
を抽出した信号Ｙ’をオシロスコープ２１のＹ軸に入力
しノイズの有無及び発生位相位置を測定する。
【００４３】上述のようにしてＭＲ特性曲線を観測しな
がら、空心コイル１１に可変電流源１９により微小直流
励磁電流（ΔＩｃ）を通電し、一様外部磁界（ΔＨ）
を、薄膜磁気ヘッド２０にそのテープ摺動面に法線方向
に印加する。このとき生じるＭＲ特性曲線におけるノイ
ズの発生位相位置のシフト量を、オシロスコープ２１の
Ｘ軸より内部バイアス電流を尺度として測定とそのシフ
ト量（ΔＩｃ）を求める。
がら、空心コイル１１に可変電流源１９により微小直流
励磁電流（ΔＩｃ）を通電し、一様外部磁界（ΔＨ）
を、薄膜磁気ヘッド２０にそのテープ摺動面に法線方向
に印加する。このとき生じるＭＲ特性曲線におけるノイ
ズの発生位相位置のシフト量を、オシロスコープ２１の
Ｘ軸より内部バイアス電流を尺度として測定とそのシフ
ト量（ΔＩｃ）を求める。
【００４４】このノイズの発生位相位置のシフト量（Δ
Ｉｂ）と重畳した直流外部磁界（ΔＨ）との比と、内部
バイアス磁界と一様外部磁界とのヘッド内の箇所での磁
束密度の比を対応づけることにより、ノイズの発生箇所
を特定することが出来る。
Ｉｂ）と重畳した直流外部磁界（ΔＨ）との比と、内部
バイアス磁界と一様外部磁界とのヘッド内の箇所での磁
束密度の比を対応づけることにより、ノイズの発生箇所
を特定することが出来る。
【００４５】次に、この発明に基づいた薄膜磁気ヘッド
の検査方法の第５の実施例についてその測定系ブロック
図（図１０）を用いて説明する。（なおヘッドは、磁気
ヨーク等を省いて示している。）発信器１２、定電流ア
ンプ１３によりヘッド内のバイアス導体３に交流バイア
ス電流Ｉｂを流し、を励磁する。この内部バイアス電流
Ｉｂは、抵抗１４により電圧に変換し、オシロスコープ
２１のＸ軸に入力する。ヘッド内の磁気抵抗効果素子１
（以下ＭＲ素子と称す）に定電流源１６よりセンス電流
Ｉｓを流す。ヘッド出力はアンプ１７で増幅し、オシロ
スコープ２１のＹ軸に入力する。オシロスコープはＸ−
Ｙ表示モードにしヘッド出力の特性曲線（以下、ＭＲ特
性曲線と称す）を観測する。更に可変抵抗器２４により
内部バイアス電流にＤＣオフセットを与えＭＲ特性曲線
を最適動作点にする。又、アンプ出力は、微分回路・交
流励磁電流Ｉｂの基本波除去回路１８を通過させノイズ
を抽出した信号Ｙ’をオシロスコープ２１のＹ軸に入力
しノイズの有無及び発生位相位置を測定する。
の検査方法の第５の実施例についてその測定系ブロック
図（図１０）を用いて説明する。（なおヘッドは、磁気
ヨーク等を省いて示している。）発信器１２、定電流ア
ンプ１３によりヘッド内のバイアス導体３に交流バイア
ス電流Ｉｂを流し、を励磁する。この内部バイアス電流
Ｉｂは、抵抗１４により電圧に変換し、オシロスコープ
２１のＸ軸に入力する。ヘッド内の磁気抵抗効果素子１
（以下ＭＲ素子と称す）に定電流源１６よりセンス電流
Ｉｓを流す。ヘッド出力はアンプ１７で増幅し、オシロ
スコープ２１のＹ軸に入力する。オシロスコープはＸ−
Ｙ表示モードにしヘッド出力の特性曲線（以下、ＭＲ特
性曲線と称す）を観測する。更に可変抵抗器２４により
内部バイアス電流にＤＣオフセットを与えＭＲ特性曲線
を最適動作点にする。又、アンプ出力は、微分回路・交
流励磁電流Ｉｂの基本波除去回路１８を通過させノイズ
を抽出した信号Ｙ’をオシロスコープ２１のＹ軸に入力
しノイズの有無及び発生位相位置を測定する。
【００４６】上述のようにしてＭＲ特性曲線を観測しな
がら、内蔵記録ヘッドコイル１０に可変定電流源１９に
より微小直流電流（ΔＩｒ）を通電し、その励磁磁界を
重畳し印加する。このとき生じるＭＲ特性曲線における
ノイズの発生位相位置のシフト量を、オシロスコープ２
１のＸ軸より内部バイアス電流を尺度として測定しその
シフト量（ΔＩｂ）を求める。
がら、内蔵記録ヘッドコイル１０に可変定電流源１９に
より微小直流電流（ΔＩｒ）を通電し、その励磁磁界を
重畳し印加する。このとき生じるＭＲ特性曲線における
ノイズの発生位相位置のシフト量を、オシロスコープ２
１のＸ軸より内部バイアス電流を尺度として測定しその
シフト量（ΔＩｂ）を求める。
【００４７】このノイズの発生位相位置のシフト量（Δ
Ｉｂ）と重畳した直流外部磁界（ΔＩｒ）との比と、内
部バイアス磁界と内蔵記録ヘッドコイル電流により誘導
される励磁磁界とのヘッド内の箇所での磁束密度の比を
対応づけることにより、ノイズの発生箇所を特定するこ
とが出来る。
Ｉｂ）と重畳した直流外部磁界（ΔＩｒ）との比と、内
部バイアス磁界と内蔵記録ヘッドコイル電流により誘導
される励磁磁界とのヘッド内の箇所での磁束密度の比を
対応づけることにより、ノイズの発生箇所を特定するこ
とが出来る。
【００４８】また以上述べた実施例と同様にして、前記
第１の交流励磁磁界として第１の実施例の一様外部磁界
を、前記第２の直流励磁磁界として第５の実施例の内蔵
記録ヘッドコイルによる励磁磁界を用いた場合、前記第
１の交流励磁磁界として第２の実施例の内蔵記録ヘッド
コイルによる励磁磁界を、。前記第２の直流励磁磁界と
して第４の実施例の一様外部磁界を用いた場合、前記第
１の交流励磁磁界として第３の実施例のテープ信号磁界
を、前記第２の直流励磁磁界として第４の実施例の一様
外部磁界を用いた場合、前記第１の交流励磁磁界として
第３の実施例のテープ信号磁界を、前記第２の直流励磁
磁界として第５の実施例の内蔵記録ヘッドコイルによる
励磁磁界を用いた場合においても、ノイズ発生箇所を特
定することは可能である。
第１の交流励磁磁界として第１の実施例の一様外部磁界
を、前記第２の直流励磁磁界として第５の実施例の内蔵
記録ヘッドコイルによる励磁磁界を用いた場合、前記第
１の交流励磁磁界として第２の実施例の内蔵記録ヘッド
コイルによる励磁磁界を、。前記第２の直流励磁磁界と
して第４の実施例の一様外部磁界を用いた場合、前記第
１の交流励磁磁界として第３の実施例のテープ信号磁界
を、前記第２の直流励磁磁界として第４の実施例の一様
外部磁界を用いた場合、前記第１の交流励磁磁界として
第３の実施例のテープ信号磁界を、前記第２の直流励磁
磁界として第５の実施例の内蔵記録ヘッドコイルによる
励磁磁界を用いた場合においても、ノイズ発生箇所を特
定することは可能である。
【００４９】実施例では、薄膜磁気ヘッドとして記録ヘ
ッドを内蔵したヘッドを用いたが、第１、３、５の実施
例については記録ヘッドを内蔵していないＭＲヘッドに
ついてもこのヘッド検査方法によりノイズ発生箇所を特
定出来ることは言うまでもない。
ッドを内蔵したヘッドを用いたが、第１、３、５の実施
例については記録ヘッドを内蔵していないＭＲヘッドに
ついてもこのヘッド検査方法によりノイズ発生箇所を特
定出来ることは言うまでもない。
【００５０】
【発明の効果】以上述べた本発明によれば、交流励磁磁
界によりヘッドを動作させ、ヘッド出力に発生するノイ
ズについて、前記交流励磁磁界とはヘッド内での磁束密
度の分布が異なる直流励磁磁界を重畳しその強度を増減
したときのヘッド出力波形中でのノイズの位相のシフト
量から、ヘッド内のノイズ発生箇所を特定することを可
能としている。
界によりヘッドを動作させ、ヘッド出力に発生するノイ
ズについて、前記交流励磁磁界とはヘッド内での磁束密
度の分布が異なる直流励磁磁界を重畳しその強度を増減
したときのヘッド出力波形中でのノイズの位相のシフト
量から、ヘッド内のノイズ発生箇所を特定することを可
能としている。
【００５１】従ってノイズ発生箇所を構成する磁性体の
特性のみ改善すれば良く効率良くヘッド特性を改善する
ことが出来る。また交流励磁磁界にテープ信号磁界を用
いる場合を除いて、テープ再生せずに検査を行うことが
出来、再現性良く簡便にヘッドのノイズ特性を検査する
ことが出来る。またチップ化されていないウェーハー状
態のままヘッド特性を検査することも可能である。
特性のみ改善すれば良く効率良くヘッド特性を改善する
ことが出来る。また交流励磁磁界にテープ信号磁界を用
いる場合を除いて、テープ再生せずに検査を行うことが
出来、再現性良く簡便にヘッドのノイズ特性を検査する
ことが出来る。またチップ化されていないウェーハー状
態のままヘッド特性を検査することも可能である。
【図１】この発明に基づいた第１の実施例におけるノイ
ズシフト量測定ブロック図である。
ズシフト量測定ブロック図である。
【図２】この発明に基づいた第２の実施例におけるノイ
ズシフト量測定ブロック図である。
ズシフト量測定ブロック図である。
【図３】実施例に用いた、記録ヘッドを内蔵した薄膜磁
気ヘッドの構造を示す全体斜視図である。
気ヘッドの構造を示す全体斜視図である。
【図４】図３に示した薄膜磁気ヘッドの構造を示す断面
図である。
図である。
【図５】この発明に基づいた第１の実施例におけるノイ
ズシフト量測定結果を示すグラフである。
ズシフト量測定結果を示すグラフである。
【図６】この発明に基づいた第２の実施例におけるノイ
ズシフト量測定結果を示すグラフである。
ズシフト量測定結果を示すグラフである。
【図７】この発明に基づいた第３の実施例におけるノイ
ズシフト量測定ブロック図である。
ズシフト量測定ブロック図である。
【図８】この発明に基づいた第３の実施例におけるノイ
ズシフト量測定結果を示すグラフである。
ズシフト量測定結果を示すグラフである。
【図９】この発明に基づいた第４の実施例におけるノイ
ズシフト量測定ブロック図である。
ズシフト量測定ブロック図である。
【図１０】この発明に基づいた第５の実施例におけるノ
イズシフト量測定ブロック図である。
イズシフト量測定ブロック図である。
【図１１】実施例において磁束密度の比を計算した薄膜
磁気ヘッド内のポイントを示す断面図である。
磁気ヘッド内のポイントを示す断面図である。
【図１２】従来技術の磁気ヘッド検査法で用いられてい
る薄膜磁気ヘッドの構造を示す全体斜視図である。
る薄膜磁気ヘッドの構造を示す全体斜視図である。
１、３１ ＭＲ素子 ２、３６ Ｍ素子リード ３、３２ バイアス導体 ４、３３ 上部ヨーク ５、３４ 下部ヨーク ６ 記録ヘッドギャップ ７ 基板 ８ ガラス溝 ９、３５ 再生ヘッドギャップ １０ 記録ヘッドコイル １１ 空心コイル １２ 発信器 １３ 定電流アンプ １４ 抵抗 １５ 一様外部磁界 １６ 定電流源 １７ 低ノイズアンプ １８ 微分・フィルター回路 １９ 可変定電流源 ２０ 磁気ヘッド ２１ オシロスコープ ２２ 歪み率計 ２３ 磁気テープ ２４ 可変抵抗器
Claims (8)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子を具備して磁気記録媒
体に記録された信号の検査を行う薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記薄膜磁気ヘッドに、第１の交流励磁磁界を印加
し前記磁気抵抗効果素子を動作させつつ、前記第１の交
流励磁磁界とヘッド内の各部位での磁束密度の分布が異
なる第２の直流励磁磁界を重畳し、前記第２の直流励磁
磁界の強度を増減し、前記磁気抵抗効果素子の出力特性
におけるノイズ発生位相位置のシフト量を測定したこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの検査方法。 - 【請求項２】 前記第１の交流励磁磁界として、前記薄
膜磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面に対し法線方向の交
流一様外部磁界を用いたことを特徴とする請求項１に記
載の薄膜磁気ヘッドの検査方法。 - 【請求項３】 前記第１の交流励磁磁界として、前記薄
膜磁気ヘッドに内蔵したバイアス導体に交流電流を通電
し誘導される励磁磁界を用いたことを特徴とする請求項
１に記載の薄膜磁気ヘッドの検査方法。 - 【請求項４】 前記第１の交流励磁磁界として、前記薄
膜磁気ヘッドに内蔵した記録ヘッドコイルに交流電流を
通電し誘導される励磁磁界を用いたことを特徴とする請
求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの検査方法。 - 【請求項５】 前記第１の交流励磁磁界として、一定周
波数の連続波を記録した磁気記録媒体から生じる交流磁
界を用いたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気
ヘッドの検査方法。 - 【請求項６】 前記第２の直流励磁磁界として、前記薄
膜磁気ヘッドに内蔵したバイアス導体に直流電流を通電
し誘導される励磁磁界を用いたことを特徴とする請求項
１、請求項２、請求項４、請求項５に記載の薄膜磁気ヘ
ッドの検査方法。 - 【請求項７】 前記第２の直流励磁磁界として、前記薄
膜磁気ヘッドの磁気記録媒体摺動面に対し法線方向の直
流一様外部磁界を用いたことを特徴とする請求項１、請
求項３、請求項４、請求項５に記載の薄膜磁気ヘッドの
検査方法。 - 【請求項８】 前記第２の直流励磁磁界として、前記薄
膜磁気ヘッドに内蔵した記録ヘッドコイルに直流電流を
通電し誘導される励磁磁界を用いたことを特徴とする請
求項１、請求項２、請求項３、請求項５に記載の薄膜磁
気ヘッドの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33634392A JPH06187620A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 薄膜磁気ヘッドの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33634392A JPH06187620A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 薄膜磁気ヘッドの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06187620A true JPH06187620A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18298143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33634392A Pending JPH06187620A (ja) | 1992-12-16 | 1992-12-16 | 薄膜磁気ヘッドの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06187620A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5926019A (en) * | 1996-03-28 | 1999-07-20 | Nec Corporation | System for evaluating the play back of magnetoresistive heads |
| US6538430B2 (en) | 2001-08-23 | 2003-03-25 | International Business Machines Corporation | Screening test for transverse magnetic-field excited noise in giant magnetoresistive heads |
-
1992
- 1992-12-16 JP JP33634392A patent/JPH06187620A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5926019A (en) * | 1996-03-28 | 1999-07-20 | Nec Corporation | System for evaluating the play back of magnetoresistive heads |
| US6538430B2 (en) | 2001-08-23 | 2003-03-25 | International Business Machines Corporation | Screening test for transverse magnetic-field excited noise in giant magnetoresistive heads |
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