JPH0618795B2 - 高純度アセチレンガスの製造法 - Google Patents
高純度アセチレンガスの製造法Info
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- JPH0618795B2 JPH0618795B2 JP18479085A JP18479085A JPH0618795B2 JP H0618795 B2 JPH0618795 B2 JP H0618795B2 JP 18479085 A JP18479085 A JP 18479085A JP 18479085 A JP18479085 A JP 18479085A JP H0618795 B2 JPH0618795 B2 JP H0618795B2
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- treatment
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アセチレンまたはこれを含む高純度ガスの製
造法に関するものである。
造法に関するものである。
高純度のアセチレンガスは、精留や溶媒による吸収法に
よって製造されていた。
よって製造されていた。
本発明は、比較的操作の容易な吸着法によって、高純度
のアセチレンまたはアセチレンとこれよりも吸着活性の
低い種類のガスとの高純度混合ガスを製造することがで
きる方法を提供するものである。
のアセチレンまたはアセチレンとこれよりも吸着活性の
低い種類のガスとの高純度混合ガスを製造することがで
きる方法を提供するものである。
本発明は、 a. 不純物を含むアセチレンを前処理吸着剤床に通し
て、０〜20℃、絶対圧１〜３kg／cm2 でゼオライト３
Ａ、ゼオライト４Ａまたは活性炭と接触させてアセチレ
ンよりも吸着活性の高い不純物を吸着させて除去し（前
処理）、 b. 前処理における非吸着成分を本処理吸着剤床に通し
て０〜70℃、絶対圧 0.131〜３kg／cm2 でゼオライト４
Ａまたはゼオライト５Ａと接触させてアセチレンを吸着
させ（アセチレン吸着処理）、 c. ついで、下記d.の吸着不純物除去処理において本処
理吸着剤床から流出したガスを20℃未満、絶対圧３kg／
cm2 以下にして本処理吸着剤床に通して該空間部に残留
している不純物の全部および該吸着剤床に吸着している
不純物の一部を除去し（残留不純物除去処理）、 d. ついで、本処理吸着剤床を20〜50℃に加熱し、圧力
はc.における操作圧より高くして該吸着剤床に吸着して
いる残りの不純物を除去し（吸着不純物除去処理）、 e. さらに、本処理吸着剤床を40〜90℃に、ただしd.に
おける処理温度より高くしてアセチレンを脱着させる
（アセチレン脱着処理）ことからなる、高純度アセチレ
ンガスの製造法 または 上記e.のアセチレン脱着処理において、アセチレンの脱
着を本処理吸着剤床に加熱したアセチレンよりも吸着活
性の低い種類のガス（以下、「第２成分」という）を通
すことによって行なうことにより40〜90℃に加熱し、た
だしｄにおける処理温度よりも高くしてアセチレンを吸
着させることからなるアセチレンとこれよりも吸着活性
の低い種類のガスとの高純度混合ガスの製造法 を要旨とする。これによって、アセチレンまたはこれと
第２成分とからなる高純度ガスがえられる。
て、０〜20℃、絶対圧１〜３kg／cm2 でゼオライト３
Ａ、ゼオライト４Ａまたは活性炭と接触させてアセチレ
ンよりも吸着活性の高い不純物を吸着させて除去し（前
処理）、 b. 前処理における非吸着成分を本処理吸着剤床に通し
て０〜70℃、絶対圧 0.131〜３kg／cm2 でゼオライト４
Ａまたはゼオライト５Ａと接触させてアセチレンを吸着
させ（アセチレン吸着処理）、 c. ついで、下記d.の吸着不純物除去処理において本処
理吸着剤床から流出したガスを20℃未満、絶対圧３kg／
cm2 以下にして本処理吸着剤床に通して該空間部に残留
している不純物の全部および該吸着剤床に吸着している
不純物の一部を除去し（残留不純物除去処理）、 d. ついで、本処理吸着剤床を20〜50℃に加熱し、圧力
はc.における操作圧より高くして該吸着剤床に吸着して
いる残りの不純物を除去し（吸着不純物除去処理）、 e. さらに、本処理吸着剤床を40〜90℃に、ただしd.に
おける処理温度より高くしてアセチレンを脱着させる
（アセチレン脱着処理）ことからなる、高純度アセチレ
ンガスの製造法 または 上記e.のアセチレン脱着処理において、アセチレンの脱
着を本処理吸着剤床に加熱したアセチレンよりも吸着活
性の低い種類のガス（以下、「第２成分」という）を通
すことによって行なうことにより40〜90℃に加熱し、た
だしｄにおける処理温度よりも高くしてアセチレンを吸
着させることからなるアセチレンとこれよりも吸着活性
の低い種類のガスとの高純度混合ガスの製造法 を要旨とする。これによって、アセチレンまたはこれと
第２成分とからなる高純度ガスがえられる。
アセチレンと混合して用いられる有用な第２成分として
水素，ヘリウム，アルゴン等があるが、本発明は、いず
れにも適用することができる。
水素，ヘリウム，アルゴン等があるが、本発明は、いず
れにも適用することができる。
以下、各工程を詳細に説明する。
＜前処理＞ 水分，二酸化炭素，アセトン，ジメチルホルムアミド等
は、通常アセチレンよりも吸着活性が高いので、前処理
で除去される。ここで使用される吸着剤としては、ゼオ
ライト３Ａ，ゼオライト４Ａまたは活性炭が適してお
り、本発明ではこれらを使用する。０〜20℃，絶対圧１
〜３kg／cm2 でこの処理を行なえばよい。前処理吸着剤
床は、図面（符号１および２）に示すように、直列に連
結した二つの吸着剤床からなるものを使用して吸着効率
を高くすることができる。この場合、原料ガスの流れに
ついて上流側の吸着剤床に活性炭を使用して主として有
機不純物を、かつ、下流側の吸着剤床にゼオライト３Ａ
またはゼオライト４Ａを使用して主として水分を吸着さ
せるのがよい。
は、通常アセチレンよりも吸着活性が高いので、前処理
で除去される。ここで使用される吸着剤としては、ゼオ
ライト３Ａ，ゼオライト４Ａまたは活性炭が適してお
り、本発明ではこれらを使用する。０〜20℃，絶対圧１
〜３kg／cm2 でこの処理を行なえばよい。前処理吸着剤
床は、図面（符号１および２）に示すように、直列に連
結した二つの吸着剤床からなるものを使用して吸着効率
を高くすることができる。この場合、原料ガスの流れに
ついて上流側の吸着剤床に活性炭を使用して主として有
機不純物を、かつ、下流側の吸着剤床にゼオライト３Ａ
またはゼオライト４Ａを使用して主として水分を吸着さ
せるのがよい。
＜アセチレン吸着処理＞ 前処理の次に前処理吸着剤床を出たガスは、本処理吸着
剤床に通してアセチレンを吸着させ、その非吸着成分で
ある不純物を該吸着剤床から流出させる。この不純物
は、たとえば、酸素、窒素、一酸化炭素等であり、その
一部は該吸着剤床に弱く吸着されて残る。ここで使用す
る吸着剤としては、ゼオライト４Ａまたはゼオライト５
Ａが適しており、本発明ではこれらを使用する。この処
理の温度が低いほど、また圧力が高いほど吸着容量が高
くなるが、この不純物の吸着量も大きくなるので、０〜
70℃このましくは20〜60℃，絶対圧 0.131〜３kg／cm2
このましくは 0.8〜２kg／cm2 でこの処理を行なえばよ
い。
剤床に通してアセチレンを吸着させ、その非吸着成分で
ある不純物を該吸着剤床から流出させる。この不純物
は、たとえば、酸素、窒素、一酸化炭素等であり、その
一部は該吸着剤床に弱く吸着されて残る。ここで使用す
る吸着剤としては、ゼオライト４Ａまたはゼオライト５
Ａが適しており、本発明ではこれらを使用する。この処
理の温度が低いほど、また圧力が高いほど吸着容量が高
くなるが、この不純物の吸着量も大きくなるので、０〜
70℃このましくは20〜60℃，絶対圧 0.131〜３kg／cm2
このましくは 0.8〜２kg／cm2 でこの処理を行なえばよ
い。
＜残留不純物除去処理＞ アセチレン吸着処理完了時には、本処理吸着剤床の空間
部に不純物が残留しているだけでなく、上記のとおり通
常不純物の一部が吸着剤に弱く吸着している。
部に不純物が残留しているだけでなく、上記のとおり通
常不純物の一部が吸着剤に弱く吸着している。
まず上記本処理吸着剤床の空間部に残留している不純物
を除去する。この際、吸着されている不純物の一部も必
然的に脱着されて除去される。この処理は、具体的に
は、ある程度高い純度のアセチレン、第２成分またはこ
れらの混合物を本処理吸着剤床に通して不純物を置換さ
せることによって行なう。この置換用ガスとしては、つ
ぎの吸着不純物除去処理で本処理吸着剤床を流出するガ
スをホルダーに貯えておき、これを利用するのが収率を
上げるうえでもっとも有利であり、それを吸着剤床空間
存在ガスの５〜20容量倍通せばよい。この処理は、アセ
チレンが脱着しないよう比較的低温で、また残留ガスの
置換・洗浄効率の点からアセチレン吸着処理の操作圧力
以下で行なうべきである。温度は20℃未満、とくに10℃
以下がよく、操作圧力は絶対圧３kg／cm2 以下がよい。
を除去する。この際、吸着されている不純物の一部も必
然的に脱着されて除去される。この処理は、具体的に
は、ある程度高い純度のアセチレン、第２成分またはこ
れらの混合物を本処理吸着剤床に通して不純物を置換さ
せることによって行なう。この置換用ガスとしては、つ
ぎの吸着不純物除去処理で本処理吸着剤床を流出するガ
スをホルダーに貯えておき、これを利用するのが収率を
上げるうえでもっとも有利であり、それを吸着剤床空間
存在ガスの５〜20容量倍通せばよい。この処理は、アセ
チレンが脱着しないよう比較的低温で、また残留ガスの
置換・洗浄効率の点からアセチレン吸着処理の操作圧力
以下で行なうべきである。温度は20℃未満、とくに10℃
以下がよく、操作圧力は絶対圧３kg／cm2 以下がよい。
＜吸着不純物除去処理＞ つぎに、本処理吸着剤床の吸着剤に吸着している不純物
を除去する。この処理は、吸着不純物を完全に脱着し、
かつアセチレンを脱着しにくい条件で行なわねばならな
い。しかし、不純物を完全に脱着させるには、アセチレ
ンの脱着は避けられない。通常、つぎのアセチレン脱着
処理でえられる製品中のアセチレンの10〜95％このまし
くは10〜50％を脱着させることによって不純物が完全に
脱着される。吸着剤床の加熱を、ガスを吸着剤床に通す
ことによって行なう場合は、このガスは高純度でなけれ
ばならない。つぎのアセチレン脱着処理でえられる製品
かまたは高純度の第２成分を使用してもよいが、吸着剤
床存在ガスを循環させるのが実際的である。もっとも、
アセチレンのみからなるガスの製造を目的とする場合
は、第２成分を利用することはできない。
を除去する。この処理は、吸着不純物を完全に脱着し、
かつアセチレンを脱着しにくい条件で行なわねばならな
い。しかし、不純物を完全に脱着させるには、アセチレ
ンの脱着は避けられない。通常、つぎのアセチレン脱着
処理でえられる製品中のアセチレンの10〜95％このまし
くは10〜50％を脱着させることによって不純物が完全に
脱着される。吸着剤床の加熱を、ガスを吸着剤床に通す
ことによって行なう場合は、このガスは高純度でなけれ
ばならない。つぎのアセチレン脱着処理でえられる製品
かまたは高純度の第２成分を使用してもよいが、吸着剤
床存在ガスを循環させるのが実際的である。もっとも、
アセチレンのみからなるガスの製造を目的とする場合
は、第２成分を利用することはできない。
最終的な処理温度を20〜50℃このましくは30〜40℃に
し、圧力は、残留不純物除去処理の操作圧よりも高くし
て、ここでえられるガスを次のサイクルで残留不純物除
去処理に供するのを容易にするのがよい。
し、圧力は、残留不純物除去処理の操作圧よりも高くし
て、ここでえられるガスを次のサイクルで残留不純物除
去処理に供するのを容易にするのがよい。
＜アセチレン脱着処理＞ 不純物除去処理ののち、本処理吸着剤床を加熱してアセ
チレンを脱着させる。アセチレンのみからなるガスを製
造する場合は、伝熱管によっておよび／または製品アセ
チレンガスを本処理吸着剤床に通すことによって加熱す
る。第２成分との混合ガスを製造する場合は、高純度の
第２成分を本処理吸着剤床に通すことによって加熱しな
ければならない。この場合処理温度が高いほどよく脱着
されるが、次の吸着処理のために吸着剤床を冷却するの
に長時間を要することとなる。この温度は40〜90℃この
ましくは60〜80℃とするのがよい。
チレンを脱着させる。アセチレンのみからなるガスを製
造する場合は、伝熱管によっておよび／または製品アセ
チレンガスを本処理吸着剤床に通すことによって加熱す
る。第２成分との混合ガスを製造する場合は、高純度の
第２成分を本処理吸着剤床に通すことによって加熱しな
ければならない。この場合処理温度が高いほどよく脱着
されるが、次の吸着処理のために吸着剤床を冷却するの
に長時間を要することとなる。この温度は40〜90℃この
ましくは60〜80℃とするのがよい。
以上の本処理吸着剤床における処理温度は、それに流入
するガスの温度を調製すると同時に、吸着剤床の外部ま
たは内部に伝熱管を設け、間接的に加熱または冷却をす
ることによって容易に調製することができるが、以上説
明したとおり、製品ガスの種類や製造設備の規模その他
の条件によっては、そのいずれかの手段のみによって行
なうこともできる。
するガスの温度を調製すると同時に、吸着剤床の外部ま
たは内部に伝熱管を設け、間接的に加熱または冷却をす
ることによって容易に調製することができるが、以上説
明したとおり、製品ガスの種類や製造設備の規模その他
の条件によっては、そのいずれかの手段のみによって行
なうこともできる。
［実施例］ 本発明の実施例を、図を使用して説明する。
実施例１ ジメチルホルムアミド 70 ppm，水分 41ppm ，二酸化
炭素 100 ppm ，窒素 2300 ppmおよび酸素 100 ppm
を不純物として含むアセチレンを、弁４を経て、北越炭
素工業(株)製粒状活性炭Y-6 82gを充填した前処理吸
着剤床１に２／minの流量で通して20℃，絶対圧 1.31
kg／cm2 の条件で処理し、それから流出するガスを東洋
曹達工業(株)製ゼオライト４Ａ ゼオラムA-4 151ｇ
を充填した前処理吸着剤床２に通して20℃，絶対圧 1.3
1 kg／cm2 の条件で処理し、それから流出するガスを弁
５を経て東洋曹達工業(株)製ゼオライト５Ａ ゼオラム
A-5 151ｇを充填した本処理吸着剤床３に通して20
℃，絶対圧 1.31kg ／cm2 で処理した。10min 後本処理
吸着剤床３がアセチレンで飽和したので（流出ガスを分
析して確認した）、弁４および５を閉じた。
炭素 100 ppm ，窒素 2300 ppmおよび酸素 100 ppm
を不純物として含むアセチレンを、弁４を経て、北越炭
素工業(株)製粒状活性炭Y-6 82gを充填した前処理吸
着剤床１に２／minの流量で通して20℃，絶対圧 1.31
kg／cm2 の条件で処理し、それから流出するガスを東洋
曹達工業(株)製ゼオライト４Ａ ゼオラムA-4 151ｇ
を充填した前処理吸着剤床２に通して20℃，絶対圧 1.3
1 kg／cm2 の条件で処理し、それから流出するガスを弁
５を経て東洋曹達工業(株)製ゼオライト５Ａ ゼオラム
A-5 151ｇを充填した本処理吸着剤床３に通して20
℃，絶対圧 1.31kg ／cm2 で処理した。10min 後本処理
吸着剤床３がアセチレンで飽和したので（流出ガスを分
析して確認した）、弁４および５を閉じた。
次に、真空ポンプ７で本処理吸着剤床３の内圧を絶対圧
0.13 kg／cm2 まで減圧し、本処理吸着剤床３を冷却コ
イル９で冷却し、ホルダー６に貯えられている不純物濃
度５ppm 、絶対圧 0.46 kg／cm2 のアセチレンを、冷却
器８で -10℃に冷却し、真空ポンプ７から排出させなが
ら本処理吸着剤床３の圧力を絶対圧 0.13kg／cm2 に維
持して本処理吸着剤床３にその空間存在ガスの20容量倍
（０．４Ｎｌ）通した。本処理吸着剤床３の最終温度
は、６℃であった。
0.13 kg／cm2 まで減圧し、本処理吸着剤床３を冷却コ
イル９で冷却し、ホルダー６に貯えられている不純物濃
度５ppm 、絶対圧 0.46 kg／cm2 のアセチレンを、冷却
器８で -10℃に冷却し、真空ポンプ７から排出させなが
ら本処理吸着剤床３の圧力を絶対圧 0.13kg／cm2 に維
持して本処理吸着剤床３にその空間存在ガスの20容量倍
（０．４Ｎｌ）通した。本処理吸着剤床３の最終温度
は、６℃であった。
次に、本処理吸着剤床３をヒーター１０で35℃まで加熱
し、吸着剤床内空間存在アセチレンを導管１４，ブロア
ー１２およびヒーター１３経由で本処理吸着剤床３に循
環し、えられた最終絶対圧 0.46 kg／cm2 、35℃のガス
をホルダー６に回収した。このガスの不純物濃度は５pp
m であった。
し、吸着剤床内空間存在アセチレンを導管１４，ブロア
ー１２およびヒーター１３経由で本処理吸着剤床３に循
環し、えられた最終絶対圧 0.46 kg／cm2 、35℃のガス
をホルダー６に回収した。このガスの不純物濃度は５pp
m であった。
次にホルダー１５に貯えられている不純物濃度 0.5 ppm
以下のアセチレンをヒーター１１で80℃に加熱して本処
理吸着剤床３に通し、同時にヒーター１０で該吸着剤床
の温度を80℃に維持し、 0.5 ppm以下のアセチレンガス
を、絶対圧１kg／cm2 、25℃換算で 1.09 えた。
以下のアセチレンをヒーター１１で80℃に加熱して本処
理吸着剤床３に通し、同時にヒーター１０で該吸着剤床
の温度を80℃に維持し、 0.5 ppm以下のアセチレンガス
を、絶対圧１kg／cm2 、25℃換算で 1.09 えた。
実施例２ 下記条件を除いて、実施例１と同じ条件で処理して水素
−アセチレン混合ガスをえた。
−アセチレン混合ガスをえた。
前処理操作圧 操作圧 絶対圧 1.8kg／cm2 アセチレン吸着処理 操作圧 絶対圧 1.8kg／cm2 残留不純物除去処理 ホルダー６のガス 不純物 ４ppm アセチレン 30vol% 水素 70vol% 操作温度 ０℃ 操作圧 絶対圧１kg／cm2 流通ガス量 本処理吸着剤床の空間存在ガスの
７容量倍 最終本処理吸着剤床温度 ９℃ 吸着不純物除去処理 供給ガス中の不純物 １ppm以下（吸着剤床空間部のガ
スを循環するかわりに水素を供給した） 操作温度 25℃ 最終圧 絶対圧 1.8kg／cm2 流出ガス温度 25℃ 最終ガス中の不純物 ４ppm アセチレン脱着処理 供給ガス 不純物 １ppm 以下，１ 操作温度 70℃ 操作圧 絶対圧５kg／cm2 製品ガス 不純物 １ppm アセチレン 20vol% 水素 80vol% 絶対圧５kg／cm2、０℃換算 1.25 比較例１ 吸着不純物除去処理を行なわず、その他は実施例１と同
じ条件で実施した。
７容量倍 最終本処理吸着剤床温度 ９℃ 吸着不純物除去処理 供給ガス中の不純物 １ppm以下（吸着剤床空間部のガ
スを循環するかわりに水素を供給した） 操作温度 25℃ 最終圧 絶対圧 1.8kg／cm2 流出ガス温度 25℃ 最終ガス中の不純物 ４ppm アセチレン脱着処理 供給ガス 不純物 １ppm 以下，１ 操作温度 70℃ 操作圧 絶対圧５kg／cm2 製品ガス 不純物 １ppm アセチレン 20vol% 水素 80vol% 絶対圧５kg／cm2、０℃換算 1.25 比較例１ 吸着不純物除去処理を行なわず、その他は実施例１と同
じ条件で実施した。
不純物濃度２ppm のアセチレンが絶対圧１kg／cm2 、25
℃換算で 1.62えられた。
℃換算で 1.62えられた。
図−１は、本発明の実施例の工程図を示す。 図中の符号 １，２，３：吸着剤床 ４，５：弁 ６，１５：ホルダー ８，９：クーラー １０，１１，１３，１７：ヒーター
Claims (2)
- 【請求項１】a. 不純物を含むアセチレンを前処理吸着
剤床に通して、０〜20℃、絶対圧１〜３kg／cm2でゼオ
ライト３Ａ、ゼオライト４Ａまたは活性炭と接触させて
アセチレンよりも吸着活性の高い不純物を吸着させて除
去し（前処理）、 b. 前処理における非吸着成分を本処理吸着剤床に通し
て０〜70℃、絶対圧 0.131〜３kg／cm2でゼオライト４
Ａまたはゼオライト５Ａと接触させてアセチレンを吸着
させ（アセチレン吸着処理）、 c. ついで、下記d.の吸着不純物除去処理において本処
理吸着剤床から流出したガスを20℃未満、絶対圧３kg／
cm2以下にして本処理吸着剤床に通して該空間部に残留
している不純物の全部および該吸着剤床に吸着している
不純物の一部を除去し（残留不純物除去処理）、 d. ついで、本処理吸着剤床を20〜50℃に加熱し、圧力
はc.における操作圧より高くして該吸着剤床に吸着して
いる残りの不純物を除去し（吸着不純物除去処理）、 e. さらに、本処理吸着剤床を40〜90℃に、ただしd.に
おける処理温度より高くしてアセチレンを脱着させる
（アセチレン脱着処理） ことからなる、高純度アセチレンガスの製造法。 - 【請求項２】a. 不純物を含むアセチレンを前処理吸着
剤床に通して、０〜20℃、絶対圧１〜３kg／cm2でゼオ
ライト３Ａ、ゼオライト４Ａまたは活性炭と接触させて
アセチレンよりも吸着活性の高い不純物を吸着させて除
去し（前処理）、 b. 前処理における非吸着成分を本処理吸着剤床に通し
て０〜70℃、絶対圧 0.131〜３kg／cm2でゼオライト４
Ａまたはゼオライト５Ａと接触させてアセチレンを吸着
させ（アセチレン吸着処理）、 c. ついで、下記d.の吸着不純物除去処理において本処
理吸着剤床から流出したガスを20℃未満、絶対圧３kg／
cm2以下にして本処理吸着剤床に通して該空間部に残留
している不純物の全部および該吸着剤床に吸着している
不純物の一部を除去し（残留不純物除去処理）、 d. ついで、本処理吸着剤床を20〜50℃に加熱し、圧力
はc.における操作圧より高くして該吸着剤床に吸着して
いる残りの不純物を除去し（吸着不純物除去処理）、 e. さらに、本処理吸着剤床を該吸着剤床に加熱したア
セチレンよりも吸着活性の低い種類のガスを通すことに
よって40〜90℃に加熱し、ただしd.における処理温度よ
り高くして、アセチレンを脱着させる（アセチレン脱着
処理） ことからなる、アセチレンとこれよりも吸着活性の低い
種類のガスとの高純度混合ガスの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18479085A JPH0618795B2 (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 高純度アセチレンガスの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18479085A JPH0618795B2 (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 高純度アセチレンガスの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245543A JPS6245543A (ja) | 1987-02-27 |
| JPH0618795B2 true JPH0618795B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=16159336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18479085A Expired - Lifetime JPH0618795B2 (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 高純度アセチレンガスの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618795B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01132535A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-25 | Toho Asechiren Kk | アセチレンガス濃縮方法 |
| JPH0228539A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-30 | Toho Asechiren Kk | 原子吸光、原子発光分析用高純度アセチレンガス組成物 |
| KR100651356B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2006-11-28 | 에스케이 주식회사 | 중질 탄화수소 및 탈아스팔트유로부터 불순물을 제거하는방법 |
| JP5583932B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2014-09-03 | 大陽日酸株式会社 | アセチレンの製造方法 |
| JP5643529B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-12-17 | 大陽日酸株式会社 | アセチレンの製造方法 |
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-
1985
- 1985-08-22 JP JP18479085A patent/JPH0618795B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6245543A (ja) | 1987-02-27 |
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