JPH0619111A - 位相シフト用マスクの製造方法 - Google Patents
位相シフト用マスクの製造方法Info
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- JPH0619111A JPH0619111A JP17680692A JP17680692A JPH0619111A JP H0619111 A JPH0619111 A JP H0619111A JP 17680692 A JP17680692 A JP 17680692A JP 17680692 A JP17680692 A JP 17680692A JP H0619111 A JPH0619111 A JP H0619111A
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- resist
- shielding film
- shifter
- light shielding
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- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、位相シフト用マスクの製造方法に
関するもので、遮光膜のエッチング制御性を向上させる
ことにより、遮光膜の寸法の精度を高め、ひいてはこれ
を用いた場合の転写像の精度を高めることを目的とす
る。 【構成】 本発明はシフター３のみのパターンを形成し
た基板Ａと、遮光膜２のみを形成した基板Ｂとをそれぞ
れ製造し、この両基板ＡとＢとを、シフター３と遮光膜
２の上面とが接するように貼り合わせるようにしたもの
である。
関するもので、遮光膜のエッチング制御性を向上させる
ことにより、遮光膜の寸法の精度を高め、ひいてはこれ
を用いた場合の転写像の精度を高めることを目的とす
る。 【構成】 本発明はシフター３のみのパターンを形成し
た基板Ａと、遮光膜２のみを形成した基板Ｂとをそれぞ
れ製造し、この両基板ＡとＢとを、シフター３と遮光膜
２の上面とが接するように貼り合わせるようにしたもの
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、位相シフト法を用い
たリソグラフィーに使用するホトマスクの製造方法に関
するものである。
たリソグラフィーに使用するホトマスクの製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、位相シフト法に用いるホトマスク
（以下位相シフト用マスクと略す）は、シフター（例え
ばスピンオンガラス（ＳＯＧ））と遮光膜（例えばクロ
ム膜）を同一基板上に互いに接して形成するというもの
であった。
（以下位相シフト用マスクと略す）は、シフター（例え
ばスピンオンガラス（ＳＯＧ））と遮光膜（例えばクロ
ム膜）を同一基板上に互いに接して形成するというもの
であった。
【０００３】図２に従来の位相シフト用マスクの製造方
法を示す。
法を示す。
【０００４】まず、ガラス基板１上に遮光膜２を形成し
たブランクス上にシフター３を形成し、その上にレジス
ト４を形成する（図２（ａ））。次いで、レジスト３を
パターニングし、このレジスト４をマスクとしてシフタ
ー３をエッチングしてパターニングする（図２
（ｂ））。
たブランクス上にシフター３を形成し、その上にレジス
ト４を形成する（図２（ａ））。次いで、レジスト３を
パターニングし、このレジスト４をマスクとしてシフタ
ー３をエッチングしてパターニングする（図２
（ｂ））。
【０００５】次に、レジスト４及びシフター３をマスク
として遮光膜２をエッチングする。エッチングは、ウェ
ットエッチングを用いる（図２（ｃ））。
として遮光膜２をエッチングする。エッチングは、ウェ
ットエッチングを用いる（図２（ｃ））。
【０００６】遮光膜２のエッチングは、上面、すなわち
シフター３側からガラス１方向に時間経過とともに進行
するが、エッチングの進行がガラス１面に到達してから
もなおエッチングを継続する（オーバーエッチングとい
う）ことで、遮光膜２を横方向にエッチングする（図２
（ｄ））。その後、レジスト４を除去して図２（ｅ）の
構造を得る。
シフター３側からガラス１方向に時間経過とともに進行
するが、エッチングの進行がガラス１面に到達してから
もなおエッチングを継続する（オーバーエッチングとい
う）ことで、遮光膜２を横方向にエッチングする（図２
（ｄ））。その後、レジスト４を除去して図２（ｅ）の
構造を得る。
【０００７】以上述べた製造方法により、シフター３と
遮光膜２は同一基板１上に形成されるというものであっ
た。
遮光膜２は同一基板１上に形成されるというものであっ
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法で製作した位相シフト用マスクは、以下の問題点があ
る。
法で製作した位相シフト用マスクは、以下の問題点があ
る。
【０００９】１．オーバーエッチングにおける遮光膜の
横方向へのエッチングの進行が、シフターと遮光膜との
密着性や、遮光膜の膜厚及び膜質により変化することか
ら、高精度での制御が困難である。
横方向へのエッチングの進行が、シフターと遮光膜との
密着性や、遮光膜の膜厚及び膜質により変化することか
ら、高精度での制御が困難である。
【００１０】２．前記１によって生ずる遮光膜の寸法の
バラツキにより、本位相シフト用マスクを用いた転写像
のパタン寸法にバラツキが生じる。
バラツキにより、本位相シフト用マスクを用いた転写像
のパタン寸法にバラツキが生じる。
【００１１】３．シフター及び遮光膜に欠陥が生じた場
合、検査、修正することが不可能である。
合、検査、修正することが不可能である。
【００１２】この発明は以上述べた問題点を除去するた
め、シフターと遮光膜をそれぞれ別な基板上に形成し、
上記基板を重ね合わせて使用する位相シフト用マスク製
造方法を提供することを目的とする。
め、シフターと遮光膜をそれぞれ別な基板上に形成し、
上記基板を重ね合わせて使用する位相シフト用マスク製
造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的のため本発明
は、シフターのみのパターンから成る基板Ａと遮光膜の
みのパターンから成る基板Ｂを製造し、その後、両基板
をシフターと遮光膜が互いに接するように重ね合わせて
使用するようにしたものである。
は、シフターのみのパターンから成る基板Ａと遮光膜の
みのパターンから成る基板Ｂを製造し、その後、両基板
をシフターと遮光膜が互いに接するように重ね合わせて
使用するようにしたものである。
【００１４】
【作用】前述のように本発明は、シフターパタンと遮光
膜パタンとをそれぞれ別な基板に形成し、それぞれの基
板をシフターと遮光膜が接するように貼り合わせて使用
するようにしたので遮光膜のオーバーエッチングが不要
であり、よって、遮光膜の高精度な寸法制御が可能であ
り、従って、これを使用するとき、転写像における寸法
のバラツキが小さくなる。また、別々な基板にシフター
のみまたは遮光膜のみの単層のパターンを形成するので
あるから、検査、修正が容易である。
膜パタンとをそれぞれ別な基板に形成し、それぞれの基
板をシフターと遮光膜が接するように貼り合わせて使用
するようにしたので遮光膜のオーバーエッチングが不要
であり、よって、遮光膜の高精度な寸法制御が可能であ
り、従って、これを使用するとき、転写像における寸法
のバラツキが小さくなる。また、別々な基板にシフター
のみまたは遮光膜のみの単層のパターンを形成するので
あるから、検査、修正が容易である。
【００１５】
【実施例】図１は、この発明の実施例の製造方法を示す
ものである。
ものである。
【００１６】まず、基板Ａとして、ガラス基板１上に３
を形成し、その上にレジスト４を塗布し（図１（Ａ
ａ））、レジスト４をパターニングし（図１（Ａ
ｂ））、そのレジスト４をマスクとして、シフター３を
エッチングする（図１（Ａｃ））。
を形成し、その上にレジスト４を塗布し（図１（Ａ
ａ））、レジスト４をパターニングし（図１（Ａ
ｂ））、そのレジスト４をマスクとして、シフター３を
エッチングする（図１（Ａｃ））。
【００１７】次いで、レジスト４を除去することによっ
て、シフター３のみのパターンから成る基板Ａを製作す
る（図１（Ａｄ））。
て、シフター３のみのパターンから成る基板Ａを製作す
る（図１（Ａｄ））。
【００１８】一方、基板Ｂとして、ガラス基板１上に遮
光膜２を形成し、その上にレジスト３を形成して（図１
（Ｂａ））、レジスト４をパターニングし（図１（Ｂ
ｂ））、次いで、レジスト４をマスクとして、遮光膜２
をエッチングする（図１（Ｂｃ））。この時、オーバー
エッチングは行なわない。
光膜２を形成し、その上にレジスト３を形成して（図１
（Ｂａ））、レジスト４をパターニングし（図１（Ｂ
ｂ））、次いで、レジスト４をマスクとして、遮光膜２
をエッチングする（図１（Ｂｃ））。この時、オーバー
エッチングは行なわない。
【００１９】次に、レジスト４を除去し、遮光膜２のみ
のパターンから成る基板Ｂを製作する（図１（Ｂ
ｄ））。
のパターンから成る基板Ｂを製作する（図１（Ｂ
ｄ））。
【００２０】この時点で、基板Ａ及びＢの欠陥検査を行
う。その後、基板Ａ及びＢをシフター３と遮光膜２の各
上面が接するように貼り合わせる。貼り合わせは通常用
いられる接着剤で行うことで充分である。
う。その後、基板Ａ及びＢをシフター３と遮光膜２の各
上面が接するように貼り合わせる。貼り合わせは通常用
いられる接着剤で行うことで充分である。
【００２１】以上述べた方法によって、製作した位相シ
フト用マスクは、従来の同一基板上にシフターと遮光膜
を形成した位相シフト用マスクと同様な効果を有するも
のである。
フト用マスクは、従来の同一基板上にシフターと遮光膜
を形成した位相シフト用マスクと同様な効果を有するも
のである。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シフターパタンと遮光膜パタンをそれぞれ別な基板に形
成し、それぞれの基板をシフターと遮光膜が接するよう
に貼り合わせて使用するようにしたので、以下の効果が
得られる。
シフターパタンと遮光膜パタンをそれぞれ別な基板に形
成し、それぞれの基板をシフターと遮光膜が接するよう
に貼り合わせて使用するようにしたので、以下の効果が
得られる。
【００２３】１．遮光膜のオーバーエッチングが不要で
あり、よって、遮光膜の高精度な寸法制御が可能であ
る。
あり、よって、遮光膜の高精度な寸法制御が可能であ
る。
【００２４】２．前記１によって、この位相シフト用マ
スクを使用する場合、転写像における寸法のバラツキが
小さくなる。
スクを使用する場合、転写像における寸法のバラツキが
小さくなる。
【００２５】３．別々な基板にシフターのみまたは遮光
膜のみの単層のパターンを形成するので、検査、修正が
容易である。
膜のみの単層のパターンを形成するので、検査、修正が
容易である。
【図１】本発明の実施例
【図２】従来例
１ ガラス基板 ２ 遮光膜 ３ シフター ４ レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板上にシフターパターンのみを
形成した基板Ａと、ガラス基板上に遮光膜パターンのみ
を形成した基板Ｂとを製造し、前記基板Ａ及びＢを前記
シフターパターン上面と遮光膜パターン上面とが接する
ように貼り合わせることを特徴とする位相シフト用マス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17680692A JPH0619111A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 位相シフト用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17680692A JPH0619111A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 位相シフト用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0619111A true JPH0619111A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16020169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17680692A Pending JPH0619111A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 位相シフト用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619111A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10052163C2 (de) * | 1999-10-22 | 2003-11-06 | Yazaki Corp | Verdrahtungsstruktur für ein Fahrzeug |
| US6940786B2 (en) | 2002-03-27 | 2005-09-06 | Seiko Epson Corporation | Electronic timepiece with stable IC mounting |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17680692A patent/JPH0619111A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10052163C2 (de) * | 1999-10-22 | 2003-11-06 | Yazaki Corp | Verdrahtungsstruktur für ein Fahrzeug |
| US6940786B2 (en) | 2002-03-27 | 2005-09-06 | Seiko Epson Corporation | Electronic timepiece with stable IC mounting |
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