JPH06192821A - レーザｐｖｄ装置 - Google Patents
レーザｐｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH06192821A JPH06192821A JP8444391A JP8444391A JPH06192821A JP H06192821 A JPH06192821 A JP H06192821A JP 8444391 A JP8444391 A JP 8444391A JP 8444391 A JP8444391 A JP 8444391A JP H06192821 A JPH06192821 A JP H06192821A
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- Japan
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- laser
- base material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上に薄膜を堆積させることを効率よく安
定して行うことができるレーザＰＶＤ装置を実現するこ
と。 【構成】 レーザ光を母材に照射したときに発生する蒸
発粒子を基板上に堆積させるレーザＰＶＤ装置におい
て、前記基板が前記蒸発粒子の飛散する方向に配置され
ている。
定して行うことができるレーザＰＶＤ装置を実現するこ
と。 【構成】 レーザ光を母材に照射したときに発生する蒸
発粒子を基板上に堆積させるレーザＰＶＤ装置におい
て、前記基板が前記蒸発粒子の飛散する方向に配置され
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック試料を蒸発源
とし、レーザ光を蒸発熱源とするレーザＰＶＤ装置に関
する。
とし、レーザ光を蒸発熱源とするレーザＰＶＤ装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、各種耐蝕性、対摩耗性、耐熱
性などの機能を備えた超硬質の薄膜を形成するための技
術として、セラミック試料を蒸発源とし、ＣＯ2レーザ
光を蒸発熱源として基板上にセラミック薄膜を堆積させ
るレーザＰＶＤ装置が提案されている。
性などの機能を備えた超硬質の薄膜を形成するための技
術として、セラミック試料を蒸発源とし、ＣＯ2レーザ
光を蒸発熱源として基板上にセラミック薄膜を堆積させ
るレーザＰＶＤ装置が提案されている。
【０００３】図４は峰田等によって精密工学学会誌ｖｏ
ｌ５３，Ｎｏ１．８５（１９８７）に発表されたレーザ
ＰＶＤ装置の構成を示す図である。
ｌ５３，Ｎｏ１．８５（１９８７）に発表されたレーザ
ＰＶＤ装置の構成を示す図である。
【０００４】蒸発熱源であるＣＯ2レーザ光４０１は、
Ｃｕミラー４０１1、４０１2によって折り返され、ＫＣ
Ｌでできた窓４０３を通ってチャンバ４０４内に導入さ
れる。薄膜の形成時にはほぼ真空状態とされるチャンバ
４０４内には、ＣＯ2レーザ光４０１を集光するための
Ｃｕ凹面鏡４０５、蒸発源であり時計方向に回転可能な
セラミックスリング４０６、セラミック薄膜が堆積され
る基板４０７および該基板４０７に対してイオンを照射
するためのイオンガン４０８が設けられている。 Ｃｕ
凹面鏡４０５で集光されたＣＯ2レーザ光４０１は回転
するセラミックスリング４０６に対してその接線方向に
照射される。ＣＯ2レーザ光４０１の照射によって発生
した蒸発粒子はセラミックスリングの上部に設けられた
基板４０７に堆積し、超硬質なセラミック薄膜が形成さ
れる。ここで、イオンガン４０８によるイオンの照射は
上記の堆積動作中行われる。これは、レーザＰＶＤ法の
みによって作製される膜は母材（本従来例ではセラミッ
クスリング）と組成が異なる場合が多く、組成を改善す
るためにイオンの補給が必要なためである。このような
構成とすることによりｈ−ＢＮを母材としてｃ−ＢＮの
ような熱力学的に非平衡な物質を形成出来ることが報告
されている。
Ｃｕミラー４０１1、４０１2によって折り返され、ＫＣ
Ｌでできた窓４０３を通ってチャンバ４０４内に導入さ
れる。薄膜の形成時にはほぼ真空状態とされるチャンバ
４０４内には、ＣＯ2レーザ光４０１を集光するための
Ｃｕ凹面鏡４０５、蒸発源であり時計方向に回転可能な
セラミックスリング４０６、セラミック薄膜が堆積され
る基板４０７および該基板４０７に対してイオンを照射
するためのイオンガン４０８が設けられている。 Ｃｕ
凹面鏡４０５で集光されたＣＯ2レーザ光４０１は回転
するセラミックスリング４０６に対してその接線方向に
照射される。ＣＯ2レーザ光４０１の照射によって発生
した蒸発粒子はセラミックスリングの上部に設けられた
基板４０７に堆積し、超硬質なセラミック薄膜が形成さ
れる。ここで、イオンガン４０８によるイオンの照射は
上記の堆積動作中行われる。これは、レーザＰＶＤ法の
みによって作製される膜は母材（本従来例ではセラミッ
クスリング）と組成が異なる場合が多く、組成を改善す
るためにイオンの補給が必要なためである。このような
構成とすることによりｈ−ＢＮを母材としてｃ−ＢＮの
ような熱力学的に非平衡な物質を形成出来ることが報告
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】母材にレーザ光が照射
されることによって発生する蒸発粒子はあらゆる方向に
飛散する。上述した従来のレーザＰＶＤ装置は、レーザ
光を集光するためのＣｕ凹面鏡がチャンバ内に設けられ
ているため、薄膜を形成させるための蒸発粒子によって
汚染されてしまい、レーザ光の強度が低下して基板上の
薄膜堆積速度も低下してしまうという問題点がある。ま
た、ほぼ真空とされるチャンバ内でセラミックスリング
を回転させるため、防塵対策および放熱対策に手間がか
かる。さらに、セラミックスリングにレーザ光が照射さ
れる領域も限られたものとなるため、薄膜形成を長時間
にわたって行う場合には、セラミックスリングが溶解し
て蒸発粒子の飛散方向が変化し、薄膜の堆積条件が一定
にならないという問題点がある。
されることによって発生する蒸発粒子はあらゆる方向に
飛散する。上述した従来のレーザＰＶＤ装置は、レーザ
光を集光するためのＣｕ凹面鏡がチャンバ内に設けられ
ているため、薄膜を形成させるための蒸発粒子によって
汚染されてしまい、レーザ光の強度が低下して基板上の
薄膜堆積速度も低下してしまうという問題点がある。ま
た、ほぼ真空とされるチャンバ内でセラミックスリング
を回転させるため、防塵対策および放熱対策に手間がか
かる。さらに、セラミックスリングにレーザ光が照射さ
れる領域も限られたものとなるため、薄膜形成を長時間
にわたって行う場合には、セラミックスリングが溶解し
て蒸発粒子の飛散方向が変化し、薄膜の堆積条件が一定
にならないという問題点がある。
【０００６】本発明は上記従来技術が有する問題点に鑑
みてなされたものであって、基板上に薄膜を堆積させる
ことを効率よく安定して行うことができるレーザＰＶＤ
装置を実現することを目的とする。
みてなされたものであって、基板上に薄膜を堆積させる
ことを効率よく安定して行うことができるレーザＰＶＤ
装置を実現することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザＰＶＤ装
置は、レーザ光を母材に照射したときに発生する蒸発粒
子を基板上に堆積させるレーザＰＶＤ装置において、前
記基板が前記蒸発粒子の飛散する方向に配置されてい
る。
置は、レーザ光を母材に照射したときに発生する蒸発粒
子を基板上に堆積させるレーザＰＶＤ装置において、前
記基板が前記蒸発粒子の飛散する方向に配置されてい
る。
【０００８】この場合、基板を保持する基板ホルダが上
下方向に移動可能であり、また母材を保持するターゲッ
トホルダが３軸方向にそれぞれ移動可能であり、さらに
前記ターゲットホルダは前記レーザ光の照射方向に垂直
な軸を中心に回動可能に構成されてもよい。
下方向に移動可能であり、また母材を保持するターゲッ
トホルダが３軸方向にそれぞれ移動可能であり、さらに
前記ターゲットホルダは前記レーザ光の照射方向に垂直
な軸を中心に回動可能に構成されてもよい。
【０００９】
【作用】基板が前記蒸発粒子の飛散する方向に配置され
ているので、基板上での蒸発粒子の堆積が効率よく行わ
れるとともに、チャンバ内に蒸発粒子が付着することも
少なくなる。
ているので、基板上での蒸発粒子の堆積が効率よく行わ
れるとともに、チャンバ内に蒸発粒子が付着することも
少なくなる。
【００１０】基板ホルダおよびターゲットホルダを上記
のように移動可能に構成したときには、母材および基板
の設置位置をこれらの種類に応じて最適なものとするこ
とができ、また、ターゲットホルダを移動させながら堆
積処理を行わせることにより、レーザ光を常に母材の新
生面に照射することができ、長時間にわたって安定した
堆積処理を行うことができる。
のように移動可能に構成したときには、母材および基板
の設置位置をこれらの種類に応じて最適なものとするこ
とができ、また、ターゲットホルダを移動させながら堆
積処理を行わせることにより、レーザ光を常に母材の新
生面に照射することができ、長時間にわたって安定した
堆積処理を行うことができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施例の構成を示す図
である。
である。
【００１３】ＣＯ2レーザ光１０１は、Ｃｕミラー１０
２によって折り返された後にＺｎＳｅ製のレンズ１０３
および窓１０４を通ってチャンバ１０５内に導入され
る。図４に示した従来のものと同様に薄膜形成時にはほ
ぼ真空状態とされるチャンバ１０５内には、母材１０７
を保持するためのターゲットホルダ１０６、基板１０９
を保持するための基板ホルダ１０８およびイオンガン１
１１が設けられている。基板ホルダ１０９は、連結され
るマニュピレータ１１０によってチャンバ１０５の外部
から上下方向（図中のＺ方向）に移動可能とされてい
る。ターゲットホルダ１０６はチャンバ１０５の外部に
設けられた駆動機構とベローズ（ともに不図示）を介し
て連結されており、該駆動機構によってＸ，Ｙ，Ｚ方向
に移動可能とされ、また、ＣＯ2レーザ光１０１の入射
方向と垂直な軸であるＹ軸を中心として回動可能とされ
ている。さらにターゲットホルダ１０６および基板ホル
ダ１０８のいずれも、それぞれ保持する母材１０７およ
び基板１０９を加熱するためのヒータを内蔵している。
２によって折り返された後にＺｎＳｅ製のレンズ１０３
および窓１０４を通ってチャンバ１０５内に導入され
る。図４に示した従来のものと同様に薄膜形成時にはほ
ぼ真空状態とされるチャンバ１０５内には、母材１０７
を保持するためのターゲットホルダ１０６、基板１０９
を保持するための基板ホルダ１０８およびイオンガン１
１１が設けられている。基板ホルダ１０９は、連結され
るマニュピレータ１１０によってチャンバ１０５の外部
から上下方向（図中のＺ方向）に移動可能とされてい
る。ターゲットホルダ１０６はチャンバ１０５の外部に
設けられた駆動機構とベローズ（ともに不図示）を介し
て連結されており、該駆動機構によってＸ，Ｙ，Ｚ方向
に移動可能とされ、また、ＣＯ2レーザ光１０１の入射
方向と垂直な軸であるＹ軸を中心として回動可能とされ
ている。さらにターゲットホルダ１０６および基板ホル
ダ１０８のいずれも、それぞれ保持する母材１０７およ
び基板１０９を加熱するためのヒータを内蔵している。
【００１４】基板ホルダ１０８は、基板ホルダ１０８に
保持される基板１０９上にＣＯ2レーザ光１０１が母材
１０７に照射されることにより発生する蒸発粒子が堆積
する位置に設けられ、イオンガン１１１は、照射するイ
オンが基板１０９上に堆積する蒸発粒子に照射される位
置に設けられている。
保持される基板１０９上にＣＯ2レーザ光１０１が母材
１０７に照射されることにより発生する蒸発粒子が堆積
する位置に設けられ、イオンガン１１１は、照射するイ
オンが基板１０９上に堆積する蒸発粒子に照射される位
置に設けられている。
【００１５】図２に示されるように、母材１０７に対し
てＣＯ2レーザ光１０１が入射角度θにて入射されたと
きに、該ＣＯ2レーザ光１０１の入射により発生する蒸
発粒子の飛散角度θ’は光学反射と違って入射角度θと
異なる値となる。
てＣＯ2レーザ光１０１が入射角度θにて入射されたと
きに、該ＣＯ2レーザ光１０１の入射により発生する蒸
発粒子の飛散角度θ’は光学反射と違って入射角度θと
異なる値となる。
【００１６】図３は、母材１０７としてｈ−ＢＮを用い
たときのＣＯ2レーザ光の入射角度θとこれにより発生
する蒸発粒子の飛散角度θ’の関係を示す図である。な
お、飛散角度θ’の検出方法は、ｈ−ＢＮ基板を傾斜さ
せたうえで、水平に置いたアルミナ基板を設け、ＣＯ2
レーザ光を入射角度θにて入射したときに発生した蒸発
粒子のアルミナ基板への付着状態を調べることにより行
った。
たときのＣＯ2レーザ光の入射角度θとこれにより発生
する蒸発粒子の飛散角度θ’の関係を示す図である。な
お、飛散角度θ’の検出方法は、ｈ−ＢＮ基板を傾斜さ
せたうえで、水平に置いたアルミナ基板を設け、ＣＯ2
レーザ光を入射角度θにて入射したときに発生した蒸発
粒子のアルミナ基板への付着状態を調べることにより行
った。
【００１７】本実施例のものにおいては、ターゲットホ
ルダ１０６をＹ軸を中心に回動可能としたことにより、
基板１０９への蒸発粒子の入射角度を任意に設定できる
ものとし、さらに基板ホルダ１０８およびターゲットホ
ルダ１０６のそれぞれを上下移動可能としたことで、レ
ーザ照射角度およびイオン照射角度を変えることなく基
板１０９へのレーザ照射位置およびイオン照射位置をか
えることができ、母材１０７および基板１０９を構成す
る各物質に応じて最適な位置関係とすることができる。
ルダ１０６をＹ軸を中心に回動可能としたことにより、
基板１０９への蒸発粒子の入射角度を任意に設定できる
ものとし、さらに基板ホルダ１０８およびターゲットホ
ルダ１０６のそれぞれを上下移動可能としたことで、レ
ーザ照射角度およびイオン照射角度を変えることなく基
板１０９へのレーザ照射位置およびイオン照射位置をか
えることができ、母材１０７および基板１０９を構成す
る各物質に応じて最適な位置関係とすることができる。
【００１８】さらに、ターゲットホルダ１０６をＸ，Ｙ
方向にそれぞれ移動可能とし、かつ回動可能としたこと
により、ＣＯ2レーザ光１０１を母材１０７の常に新し
い面に対して照射することができ、長時間安定した堆積
動作を行わせることができる。 また、チャンバ１０５
外に設けられたレンズ１０３には蒸発粒子が付着するこ
とがなく、さらに、蒸発粒子の飛散方向に基板１０９が
設けられたために、窓１０４への蒸発粒子の付着も少な
く、ＣＯ2レーザ光の減衰量も少ないものとなる。
方向にそれぞれ移動可能とし、かつ回動可能としたこと
により、ＣＯ2レーザ光１０１を母材１０７の常に新し
い面に対して照射することができ、長時間安定した堆積
動作を行わせることができる。 また、チャンバ１０５
外に設けられたレンズ１０３には蒸発粒子が付着するこ
とがなく、さらに、蒸発粒子の飛散方向に基板１０９が
設けられたために、窓１０４への蒸発粒子の付着も少な
く、ＣＯ2レーザ光の減衰量も少ないものとなる。
【００１９】ｃ−ＢＮのように熱力学的に非平衡な物質
をｈ−ＢＮによるレーザＰＶＤ法によって形成させるた
めには、従来例の項で述べたように、レーザ光の入射に
より発生する蒸発粒子とともに、基板上に堆積される物
質中に不足しがちなイオンを照射することが必要とされ
る。これらの蒸発粒子およびイオンのいずれも基板面に
対して垂直に照射されることが理想的であるが、両者を
ともに垂直入射とすることは物理的に不可能である。
をｈ−ＢＮによるレーザＰＶＤ法によって形成させるた
めには、従来例の項で述べたように、レーザ光の入射に
より発生する蒸発粒子とともに、基板上に堆積される物
質中に不足しがちなイオンを照射することが必要とされ
る。これらの蒸発粒子およびイオンのいずれも基板面に
対して垂直に照射されることが理想的であるが、両者を
ともに垂直入射とすることは物理的に不可能である。
【００２０】チャンバ１０５に設けられた窓１０４、チ
ャンバ１０５内の基板ホルダ１０８およびイオンガン１
１１は上記のことを踏まえて配置されたもので、イオン
が４５度の角度で基板１０９に入射されるように設けら
れている。また、ターゲットホルダ１０６は、蒸発粒子
が８０度の角度で基板１０８に入射されるように基板面
に対して２５度傾くように回転され、窓１０４は、通過
するＣＯ2レーザ光１０１が上記ターゲットホルダに保
持される母材１０７の上面に３０度の角度を以て入射す
る位置に設けられている。
ャンバ１０５内の基板ホルダ１０８およびイオンガン１
１１は上記のことを踏まえて配置されたもので、イオン
が４５度の角度で基板１０９に入射されるように設けら
れている。また、ターゲットホルダ１０６は、蒸発粒子
が８０度の角度で基板１０８に入射されるように基板面
に対して２５度傾くように回転され、窓１０４は、通過
するＣＯ2レーザ光１０１が上記ターゲットホルダに保
持される母材１０７の上面に３０度の角度を以て入射す
る位置に設けられている。
【００２１】ターゲットホルダ１０６を上記のような設
定とし、蒸発粒子が基板１０９略中心部に照射されるよ
うに基板ホルダ１０９を調整したうえで、母材１０７と
してｈ−ＢＮを用い、堆積膜中に不足しがちなＮ-をイ
オンガン１１１によって供給させ、さらにターゲットホ
ルダ１０６をＸ，Ｙ方向に送らせながら堆積動作を行わ
せたところ、効率のよい堆積を長時間にわたって行うこ
とができ、９５％のｃ−ＢＮ膜を形成させることができ
た。
定とし、蒸発粒子が基板１０９略中心部に照射されるよ
うに基板ホルダ１０９を調整したうえで、母材１０７と
してｈ−ＢＮを用い、堆積膜中に不足しがちなＮ-をイ
オンガン１１１によって供給させ、さらにターゲットホ
ルダ１０６をＸ，Ｙ方向に送らせながら堆積動作を行わ
せたところ、効率のよい堆積を長時間にわたって行うこ
とができ、９５％のｃ−ＢＮ膜を形成させることができ
た。
【００２２】なお、本実施例においては、蒸発粒子が８
０度の角度で基板に入射されるものとして説明したが、
該入射角度は９０度に近づけて設定したもので、７５度
〜８５度の範囲であれば本実施例とほぼ同様の堆積処理
を行うことができる。また、レーザ光とイオンの照射方
向は同一平面内となることが望ましいが、レーザ光照射
により発生する蒸発粒子は角度をもって拡散されるた
め、このことに関する許容値は大きなものとなる。
０度の角度で基板に入射されるものとして説明したが、
該入射角度は９０度に近づけて設定したもので、７５度
〜８５度の範囲であれば本実施例とほぼ同様の堆積処理
を行うことができる。また、レーザ光とイオンの照射方
向は同一平面内となることが望ましいが、レーザ光照射
により発生する蒸発粒子は角度をもって拡散されるた
め、このことに関する許容値は大きなものとなる。
【００２３】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００２４】請求項１に記載のものにおいては、基板を
蒸発粒子の飛散する方向に配置することにより、チャン
バ内に蒸発粒子が付着することを少なくしてレ−ザ光の
減衰量を減らし、基板上での蒸発粒子の堆積を効率よく
行わせることができる効果がある。
蒸発粒子の飛散する方向に配置することにより、チャン
バ内に蒸発粒子が付着することを少なくしてレ−ザ光の
減衰量を減らし、基板上での蒸発粒子の堆積を効率よく
行わせることができる効果がある。
【００２５】請求項２に記載のものにおいては、母材お
よび基板の設置位置をこれらの種類に応じて最適なもの
とし、また、ターゲットホルダを移動させながら堆積処
理を行わせることにより、レーザ光を常に母材の新生面
に照射することができ、安定した堆積処理を長時間にわ
たって行うことができるため良質な薄膜を形成すること
ができる効果がある。
よび基板の設置位置をこれらの種類に応じて最適なもの
とし、また、ターゲットホルダを移動させながら堆積処
理を行わせることにより、レーザ光を常に母材の新生面
に照射することができ、安定した堆積処理を長時間にわ
たって行うことができるため良質な薄膜を形成すること
ができる効果がある。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す図である。
【図２】母材にレーザ光が入射したときの蒸発粒子が発
生する状態を示す図である。
生する状態を示す図である。
【図３】レーザ光の入射角度θとこれにより発生する蒸
発粒子の飛散角度θ’の関係を示す図である。
発粒子の飛散角度θ’の関係を示す図である。
【図４】従来例の構成を示す図である。
１０１ ＣＯ2レーザ光 １０２ Ｃｕミラー １０３ レンズ １０４ 窓 １０５ チャンバ １０６ ターゲットホルダ １０７ 母材 １０８ 基板ホルダ １０９ 基板 １１０ マニュピレータ １１１ イオンガン ２０１ 蒸発粒子
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ光を母材に照射したときに発生す
る蒸発粒子を基板上に堆積させるレーザＰＶＤ装置にお
いて、 前記基板が前記蒸発粒子の飛散する方向に配置されるこ
とを特徴とするレーザＰＶＤ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のレーザＰＶＤ装置におい
て、 基板を保持する基板ホルダが上下方向に移動可能であ
り、また母材を保持するターゲットホルダが３軸方向に
それぞれ移動可能であり、さらに前記ターゲットホルダ
は前記レーザ光の照射方向に垂直な軸を中心に回動可能
に構成されていることを特徴とするレーザＰＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8444391A JPH06192821A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | レーザｐｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8444391A JPH06192821A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | レーザｐｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06192821A true JPH06192821A (ja) | 1994-07-12 |
Family
ID=13830743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8444391A Pending JPH06192821A (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | レーザｐｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06192821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108566719A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-09-21 | 河南太粒科技有限公司 | 大强度离子的离子源产生装置及产生方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58177463A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-18 | Hitachi Ltd | 積層薄膜成膜装置 |
| JPS59116373A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-05 | Agency Of Ind Science & Technol | レ−ザ蒸着装置 |
| JPH03291371A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-12-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜製造方法 |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP8444391A patent/JPH06192821A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS58177463A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-18 | Hitachi Ltd | 積層薄膜成膜装置 |
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| JPH03291371A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-12-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜製造方法 |
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| CN108566719A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-09-21 | 河南太粒科技有限公司 | 大强度离子的离子源产生装置及产生方法 |
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