JPH06192825A - 形状記憶合金薄膜の製造方法 - Google Patents
形状記憶合金薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH06192825A JPH06192825A JP34673192A JP34673192A JPH06192825A JP H06192825 A JPH06192825 A JP H06192825A JP 34673192 A JP34673192 A JP 34673192A JP 34673192 A JP34673192 A JP 34673192A JP H06192825 A JPH06192825 A JP H06192825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- shape memory
- memory alloy
- alloy thin
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 26
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910004337 Ti-Ni Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910011209 Ti—Ni Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001938 differential scanning calorimetry curve Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001637 plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 得られる形状記憶合金薄膜の組成の微量制御
が容易で、容易に所望の組成を有する形状記憶合金薄膜
を得ることができる形状記憶合金薄膜の製造方法を提供
すること。 【構成】 金属ターゲットをスパッタリングして形状記
憶合金薄膜を製造するに際し、ターゲットして１種の金
属例えばＴｉから成るターゲットに他種の金属例えばＮ
ｉのチップを設置したモザイクターゲットを用いる。チ
ップの数及びその配列を変えることにより、得られる合
金組成を制御する。
が容易で、容易に所望の組成を有する形状記憶合金薄膜
を得ることができる形状記憶合金薄膜の製造方法を提供
すること。 【構成】 金属ターゲットをスパッタリングして形状記
憶合金薄膜を製造するに際し、ターゲットして１種の金
属例えばＴｉから成るターゲットに他種の金属例えばＮ
ｉのチップを設置したモザイクターゲットを用いる。チ
ップの数及びその配列を変えることにより、得られる合
金組成を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スパッタリング法を
用いた形状記憶合金薄膜の製造方法に係り、特に合金組
成の微量制御が可能な形状記憶合金薄膜の製造方法に関
する。
用いた形状記憶合金薄膜の製造方法に係り、特に合金組
成の微量制御が可能な形状記憶合金薄膜の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロマシンの巨大プロジェク
トの推進に伴い、各種産業分野においてマイクロマシン
の動力源となる超小型駆動源としてのマイクロアクチュ
エータが開発されている。ところで、形状記憶合金は加
熱されると６〜８％もの歪みが形状回復に寄与し、その
回復力も500MPa以上と大きく、更に通電による加熱制御
が容易であるため、上記マイクロアクチュエータの材料
として注目されている。この際、アクチュエータとして
の応答性を改善するために薄膜化してマイクロ化するこ
とが提案されている。形状記憶合金の薄膜は一般の合金
薄膜と同様スパッタリング法や真空蒸着法によって形成
されるが、後に行なわれるフォトエッチング等の加工の
容易性や制御回路の同時作成の要請を考慮した場合、ス
パッタリングによる成膜が有利であり、Ｔｉ−Ｎｉ形状
記憶合金の場合Ｔｉ−Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパ
ッタリングが研究されている。
トの推進に伴い、各種産業分野においてマイクロマシン
の動力源となる超小型駆動源としてのマイクロアクチュ
エータが開発されている。ところで、形状記憶合金は加
熱されると６〜８％もの歪みが形状回復に寄与し、その
回復力も500MPa以上と大きく、更に通電による加熱制御
が容易であるため、上記マイクロアクチュエータの材料
として注目されている。この際、アクチュエータとして
の応答性を改善するために薄膜化してマイクロ化するこ
とが提案されている。形状記憶合金の薄膜は一般の合金
薄膜と同様スパッタリング法や真空蒸着法によって形成
されるが、後に行なわれるフォトエッチング等の加工の
容易性や制御回路の同時作成の要請を考慮した場合、ス
パッタリングによる成膜が有利であり、Ｔｉ−Ｎｉ形状
記憶合金の場合Ｔｉ−Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパ
ッタリングが研究されている。
【０００３】ところでこのような形状記憶合金として一
般によく知られているＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を作
成する場合、マルテンサイト変態を起こさせるためにＮ
ｉ濃度が４９〜５１at％の狭い範囲に調整する必要があ
る。中でもＮｉ量が０．１％の変化に対して逆変態終了
温度Ａｆが１０〜２０℃も変化するため、最適な均一組
成を得るために組成を微量コントロールすることが重要
であった。
般によく知られているＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を作
成する場合、マルテンサイト変態を起こさせるためにＮ
ｉ濃度が４９〜５１at％の狭い範囲に調整する必要があ
る。中でもＮｉ量が０．１％の変化に対して逆変態終了
温度Ａｆが１０〜２０℃も変化するため、最適な均一組
成を得るために組成を微量コントロールすることが重要
であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来ス
パッタリング法によりＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を作
成する場合、Ｔｉ−Ｎｉ合金ターゲットを用いている
が、合金ターゲットそのままの組成で成膜されずＮｉリ
ッチになる傾向があった（日本金属学会春期大会講演19
91年4月、４１５、日本金属学会秋期大会講演1991年、
Ｓ2・２８）。又、薄膜の組成を合わせるために何枚か
の合金ターゲットを用い、最適組成を実現する試みもあ
るが、試行錯誤により実験を行なわなければならない。
更にターゲットは装置や成膜時の条件設定により合金組
成の異なるものに変えなければならないが、一般にこれ
らのターゲットは高価なものであり薄膜製造がコスト高
になるという問題があった。
パッタリング法によりＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を作
成する場合、Ｔｉ−Ｎｉ合金ターゲットを用いている
が、合金ターゲットそのままの組成で成膜されずＮｉリ
ッチになる傾向があった（日本金属学会春期大会講演19
91年4月、４１５、日本金属学会秋期大会講演1991年、
Ｓ2・２８）。又、薄膜の組成を合わせるために何枚か
の合金ターゲットを用い、最適組成を実現する試みもあ
るが、試行錯誤により実験を行なわなければならない。
更にターゲットは装置や成膜時の条件設定により合金組
成の異なるものに変えなければならないが、一般にこれ
らのターゲットは高価なものであり薄膜製造がコスト高
になるという問題があった。
【０００５】本発明はこのような従来の難点を解消し、
得られる形状記憶合金薄膜の組成の微量制御が容易で、
容易に所望の組成を有する形状記憶合金薄膜を得ること
ができる形状記憶合金薄膜の製造方法を提供することを
目的とする。さらに本発明は、１種のターゲットで各種
合金組成の薄膜を製造でき、高価なターゲットを極力少
なくすることができる形状記憶合金薄膜の製造方法を提
供することを目的とする。
得られる形状記憶合金薄膜の組成の微量制御が容易で、
容易に所望の組成を有する形状記憶合金薄膜を得ること
ができる形状記憶合金薄膜の製造方法を提供することを
目的とする。さらに本発明は、１種のターゲットで各種
合金組成の薄膜を製造でき、高価なターゲットを極力少
なくすることができる形状記憶合金薄膜の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
る本発明の形状記憶合金薄膜の製造方法は、金属ターゲ
ットをスパッタリングして形状記憶合金薄膜を製造する
に際し、１種の金属から成るターゲットに他種の金属の
チップを設置したものを用いたものである。
る本発明の形状記憶合金薄膜の製造方法は、金属ターゲ
ットをスパッタリングして形状記憶合金薄膜を製造する
に際し、１種の金属から成るターゲットに他種の金属の
チップを設置したものを用いたものである。
【０００７】
【作用】１種の金属から成るターゲットに置かれる他種
の金属のチップの数及び位置を変えることにより、所望
の組成を有する形状記憶合金薄膜を形成することができ
る。例えば金属チップをターゲット中心から外周にずら
すことにより組成の微調整を行なうことができる。
の金属のチップの数及び位置を変えることにより、所望
の組成を有する形状記憶合金薄膜を形成することができ
る。例えば金属チップをターゲット中心から外周にずら
すことにより組成の微調整を行なうことができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の形状記憶合金薄膜の製造方法
を図面に基づき詳述する。図１は本発明の形状記憶合金
薄膜の製造方法が適用される高周波マグネトロンスパッ
タ装置を示すもので、スパッタされるモザイクターゲッ
ト１と、成膜される基板２と、そのホルダ３とを備え、
モザイクターゲット１には高周波（ＲＦ）電源５から高
周波が印加される。またモザイクターゲット１の下部に
は電子をトラップするための永久磁石４が設置されてい
る。装置内にはアルゴン等のガスが導入されるとともに
排気系により所定の真空度に保たれる。又スパッタリン
グ時モザイクターゲット１は冷却水により冷却される。
を図面に基づき詳述する。図１は本発明の形状記憶合金
薄膜の製造方法が適用される高周波マグネトロンスパッ
タ装置を示すもので、スパッタされるモザイクターゲッ
ト１と、成膜される基板２と、そのホルダ３とを備え、
モザイクターゲット１には高周波（ＲＦ）電源５から高
周波が印加される。またモザイクターゲット１の下部に
は電子をトラップするための永久磁石４が設置されてい
る。装置内にはアルゴン等のガスが導入されるとともに
排気系により所定の真空度に保たれる。又スパッタリン
グ時モザイクターゲット１は冷却水により冷却される。
【０００９】モザイクターゲット１は図２に示すように
成膜する形状記憶合金の組成によって選択される１種の
金属から成るターゲット１１に他種の金属チップ１２が
複数個配置された形態をなしており、同図（ａ）にはＮ
ｉチップ１２をＴｉターゲット１１の同心円上に並べた
もの、同図（ｂ）にはＮｉターゲット１３にＴｉチップ
１４を十字状に並べたもの、同図（ｃ）にはターゲット
１３表面にチップ１４を均一に並べたものをそれぞれ示
す。配列の仕方は特に限定されないが、Ｎｉチップの場
合、永久磁石４の形状から同心円上に配列した方が並べ
やすく、チップの消耗が均一で制御も容易である。基板
２上に成膜される合金の組成を変化させるためには、チ
ップ１２又は１４の大きさや数を変えるか、配列を変え
る。更に組成の微調整を行なうためには、Ｎｉチップを
スパッタされやすいターゲット中心（永久磁石４近傍）
から外周側へ移動させればよい。
成膜する形状記憶合金の組成によって選択される１種の
金属から成るターゲット１１に他種の金属チップ１２が
複数個配置された形態をなしており、同図（ａ）にはＮ
ｉチップ１２をＴｉターゲット１１の同心円上に並べた
もの、同図（ｂ）にはＮｉターゲット１３にＴｉチップ
１４を十字状に並べたもの、同図（ｃ）にはターゲット
１３表面にチップ１４を均一に並べたものをそれぞれ示
す。配列の仕方は特に限定されないが、Ｎｉチップの場
合、永久磁石４の形状から同心円上に配列した方が並べ
やすく、チップの消耗が均一で制御も容易である。基板
２上に成膜される合金の組成を変化させるためには、チ
ップ１２又は１４の大きさや数を変えるか、配列を変え
る。更に組成の微調整を行なうためには、Ｎｉチップを
スパッタされやすいターゲット中心（永久磁石４近傍）
から外周側へ移動させればよい。
【００１０】形状記憶合金薄膜としてＣｕ−Ａｌ−Ｎ
ｉ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｓｎ等銅系形状記憶合金の薄膜
を形成する場合には、ＣｕをターゲットしてＡｌ、Ｎ
ｉ、Ｚｎ、Ｓｎのチップを用いてもよい。尚、本発明の
形状記憶合金薄膜の製造方法は上記した高周波マグネト
ロンスパッタの他、三極又は四極スパッタ等チップが並
べられるモザイクターゲットを用いてスパッタリングす
る装置であればすべて適用できる。 実施例１ Φ７６mm（3インチ）×５mmのＴｉターゲット１１に１
０×１０×１mmのＮｉチップ１２を図２（ａ）のよう
に、又はＮｉターゲット１３にＴｉチップ１４を図２
（ｃ）のように配列したモザイクターゲットを用いると
ともに、７６×２６×１mmのガラス基板を用いて、ＲＦ
電力３００Ｗ、Ａｒ圧４．５×１０-2Torrでスパッタリ
ングを行ない、ガラス基板上にＴｉ−Ｎｉ合金薄膜を成
膜した。この時の基板温度はターゲットからの熱輻射等
で室温から約２００℃まで上昇した。なお、基板はモー
タにより４回転／分の速度で回転させながら成膜した。
ｉ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｓｎ等銅系形状記憶合金の薄膜
を形成する場合には、ＣｕをターゲットしてＡｌ、Ｎ
ｉ、Ｚｎ、Ｓｎのチップを用いてもよい。尚、本発明の
形状記憶合金薄膜の製造方法は上記した高周波マグネト
ロンスパッタの他、三極又は四極スパッタ等チップが並
べられるモザイクターゲットを用いてスパッタリングす
る装置であればすべて適用できる。 実施例１ Φ７６mm（3インチ）×５mmのＴｉターゲット１１に１
０×１０×１mmのＮｉチップ１２を図２（ａ）のよう
に、又はＮｉターゲット１３にＴｉチップ１４を図２
（ｃ）のように配列したモザイクターゲットを用いると
ともに、７６×２６×１mmのガラス基板を用いて、ＲＦ
電力３００Ｗ、Ａｒ圧４．５×１０-2Torrでスパッタリ
ングを行ない、ガラス基板上にＴｉ−Ｎｉ合金薄膜を成
膜した。この時の基板温度はターゲットからの熱輻射等
で室温から約２００℃まで上昇した。なお、基板はモー
タにより４回転／分の速度で回転させながら成膜した。
【００１１】その結果、均一（平滑）な薄膜を再現性よ
く得ることができたが、チップを図２（ａ）に示すよう
に配列した場合にはターゲットの透磁率がよくなるた
め、プラズマの立上がりがよく成膜速度を早めることが
できた。組成均一性についてはガラス基板の中心１点と
周辺２点についてプラズマ発光分光により組成分析を行
なったところ、バラツキは図２（ａ）のターゲットで±
０．５％以下（試料数ｎ＝４）であった。また再現性に
ついても表１に示すように、４つの試料についてほぼ同
様の組成の薄膜が得られた。
く得ることができたが、チップを図２（ａ）に示すよう
に配列した場合にはターゲットの透磁率がよくなるた
め、プラズマの立上がりがよく成膜速度を早めることが
できた。組成均一性についてはガラス基板の中心１点と
周辺２点についてプラズマ発光分光により組成分析を行
なったところ、バラツキは図２（ａ）のターゲットで±
０．５％以下（試料数ｎ＝４）であった。また再現性に
ついても表１に示すように、４つの試料についてほぼ同
様の組成の薄膜が得られた。
【００１２】
【表１】
【００１３】実施例２ 図２（ａ）のＴｉターゲット及びＮｉチップを用い、Ｎ
ｉチップの数を変えて実施例と同じスパッタリング条件
で成膜し、得られた合金薄膜の組成を分析した。尚、組
成分析はプラズマ発光分光によった。その結果、図３に
示すようにＮｉチップ枚数と膜のＮｉ濃度との間には直
線関係があることが示され、チップ数を変えることによ
り膜Ｎｉ濃度を変化させることができた。また、Ｎｉチ
ップ数を９又は１０枚とし、Ｎｉチップの位置を調整す
ることによりマイクロアクチュエータとして適当な合金
組成Ｔｉ−50％Ｎｉの合金薄膜を得ることができた。 実施例３ 実施例１で得られたＴｉ−51％Ｎｉの合金薄膜を基板か
ら剥離し、記憶処理のために１０００℃で１．５時間加
熱して溶体化処理し、更に４００℃、６時間の時効処理
を行なった。処理後の合金薄膜について形状記憶効果に
必要なマルテンサイト変態の確認をＤＳＣ法により測定
した。この合金薄膜のＤＳＣ曲線を図４に示した。図４
からも明らかなようにＲ相変態とマルテンサイト変態に
伴う２つのピークが観察された。
ｉチップの数を変えて実施例と同じスパッタリング条件
で成膜し、得られた合金薄膜の組成を分析した。尚、組
成分析はプラズマ発光分光によった。その結果、図３に
示すようにＮｉチップ枚数と膜のＮｉ濃度との間には直
線関係があることが示され、チップ数を変えることによ
り膜Ｎｉ濃度を変化させることができた。また、Ｎｉチ
ップ数を９又は１０枚とし、Ｎｉチップの位置を調整す
ることによりマイクロアクチュエータとして適当な合金
組成Ｔｉ−50％Ｎｉの合金薄膜を得ることができた。 実施例３ 実施例１で得られたＴｉ−51％Ｎｉの合金薄膜を基板か
ら剥離し、記憶処理のために１０００℃で１．５時間加
熱して溶体化処理し、更に４００℃、６時間の時効処理
を行なった。処理後の合金薄膜について形状記憶効果に
必要なマルテンサイト変態の確認をＤＳＣ法により測定
した。この合金薄膜のＤＳＣ曲線を図４に示した。図４
からも明らかなようにＲ相変態とマルテンサイト変態に
伴う２つのピークが観察された。
【００１４】本発明の形状記憶合金薄膜の製造方法によ
り製造される形状記憶合金薄膜は、小型で熱容量が小さ
く、応答性が改善されるので、アクチュエータの他、医
療用等にも適用できることは言うまでもない。
り製造される形状記憶合金薄膜は、小型で熱容量が小さ
く、応答性が改善されるので、アクチュエータの他、医
療用等にも適用できることは言うまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上の実施例からも明らかなように、本
発明の形状記憶合金薄膜の製造方法によれば、形状記憶
合金薄膜をスパッタリング法により製造する際にターゲ
ットとして１種の金属から成るターゲットに他の金属の
チップを配置したモザイクターゲットを用いることによ
り、容易に組成の均一な形状記憶合金薄膜を製造するこ
とができ、しかも組成の微量コントロールを容易に行な
うことができる。更に本発明の形状記憶合金薄膜の製造
方法によれば、高価な合金ターゲットを多数必要とせず
１種のターゲットでチップの配列や数を変えるだけで各
種組成の形状記憶合金薄膜を得ることができ、形状記憶
合金薄膜を低コストで製造することができる。
発明の形状記憶合金薄膜の製造方法によれば、形状記憶
合金薄膜をスパッタリング法により製造する際にターゲ
ットとして１種の金属から成るターゲットに他の金属の
チップを配置したモザイクターゲットを用いることによ
り、容易に組成の均一な形状記憶合金薄膜を製造するこ
とができ、しかも組成の微量コントロールを容易に行な
うことができる。更に本発明の形状記憶合金薄膜の製造
方法によれば、高価な合金ターゲットを多数必要とせず
１種のターゲットでチップの配列や数を変えるだけで各
種組成の形状記憶合金薄膜を得ることができ、形状記憶
合金薄膜を低コストで製造することができる。
【図１】本発明の形状記憶合金薄膜の製造方法が適用さ
れるスパッタリング装置の一実施例を示す図。
れるスパッタリング装置の一実施例を示す図。
【図２】本発明の形状記憶合金薄膜の製造方法に用いら
れるターゲットを示す図で、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は
それぞれ異なるチップ配列を示す図。
れるターゲットを示す図で、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は
それぞれ異なるチップ配列を示す図。
【図３】本発明の形状記憶合金薄膜の製造方法により形
成された薄膜の組成とチップ数との関係を示すグラフ。
成された薄膜の組成とチップ数との関係を示すグラフ。
【図４】本発明の形状記憶合金薄膜の製造方法により形
成された薄膜のＤＳＣ曲線。
成された薄膜のＤＳＣ曲線。
１・・・・・・モザイクターゲット ２・・・・・・基板 １１・・・・・・Ｔｉターゲット １２・・・・・・Ｎｉチップ １３・・・・・・Ｎｉターゲット １４・・・・・・Ｔｉチップ
Claims (1)
- 【請求項１】金属ターゲットをスパッタリングして形状
記憶合金薄膜を製造するに際し、前記ターゲットとして
１種の金属から成るターゲットに他種の金属のチップを
設置したモザイクターゲットを用いたことを特徴とする
形状記憶合金薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34673192A JPH06192825A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 形状記憶合金薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34673192A JPH06192825A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 形状記憶合金薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06192825A true JPH06192825A (ja) | 1994-07-12 |
Family
ID=18385438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34673192A Withdrawn JPH06192825A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 形状記憶合金薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06192825A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009149990A (ja) * | 2008-12-24 | 2009-07-09 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 高純度形状記憶合金ターゲット及び同合金薄膜 |
| CN107338418A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-11-10 | 深圳先进技术研究院 | 过渡金属硼化物‑金属复合靶材、镀膜设备及其用途 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP34673192A patent/JPH06192825A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009149990A (ja) * | 2008-12-24 | 2009-07-09 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 高純度形状記憶合金ターゲット及び同合金薄膜 |
| CN107338418A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-11-10 | 深圳先进技术研究院 | 过渡金属硼化物‑金属复合靶材、镀膜设备及其用途 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ohta et al. | Novel fabrication technique of TiNi shape memory alloy film using separate Ti and Ni targets | |
| US6454913B1 (en) | Process for deposition of sputtered shape memory alloy films | |
| JP3027502B2 (ja) | 耐摩耗性非晶質硬質膜及びその製造方法 | |
| Thornton | High rate thick film growth | |
| CN111074223A (zh) | 成分均匀可控的高熵合金薄膜的物理气相沉积制备方法 | |
| KR100499173B1 (ko) | 낮은 투자율을 갖는 코발트 스퍼터 타깃을 제조하는 방법 | |
| JP2014500398A (ja) | ソフトスパッタリングマグネトロンシステム | |
| CN111218657A (zh) | 一种非晶钨基高熵合金薄膜材料及制备方法 | |
| US6402906B1 (en) | Sputtering alloy films using a crescent-shaped aperture | |
| US6303008B1 (en) | Rotating film carrier and aperture for precision deposition of sputtered alloy films | |
| JP3281173B2 (ja) | 高硬度薄膜及びその製造方法 | |
| CN114411098A (zh) | 一种TiNb涂层的镀膜方法 | |
| CN117418207B (zh) | 一种三靶高功率脉冲磁控共溅射方法 | |
| Geetha Priyadarshini et al. | An investigation on phase formations and microstructures of Ni-rich Ni-Ti shape memory alloy thin films | |
| CN1158402C (zh) | 低电阻温度系数锰铜薄膜的制备方法 | |
| JP2002539331A (ja) | 支持体に硬磁性ｓｅ−ｆｅ−ｂ材を被着する方法と装置 | |
| JPH0581668B2 (ja) | ||
| CN113036034A (zh) | 可调控Co2FeX合金垂直磁各向异性的磁性薄膜材料及方法 | |
| JPH0581670B2 (ja) | ||
| JP2790075B2 (ja) | イオンプレーティングによる複合薄膜の形成方法及び複合薄膜形成用イオンプレーティング装置 | |
| JP3602861B2 (ja) | 金属ケイ化物膜の形成方法 | |
| JPS63453A (ja) | 耐酸化性永久磁石材料とその製造方法 | |
| CN121362943A (zh) | 离子束沉积设备和合金薄膜沉积方法 | |
| Xia | Synthesis, structure and properties of MoNbTaVW high entropy alloy thin films | |
| Ohta et al. | Development of TiNi shape memory alloy film deposited by sputtering from separate Ti and Ni targets |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |