JPH06194334A - 参照電極 - Google Patents
参照電極Info
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- JPH06194334A JPH06194334A JP5248862A JP24886293A JPH06194334A JP H06194334 A JPH06194334 A JP H06194334A JP 5248862 A JP5248862 A JP 5248862A JP 24886293 A JP24886293 A JP 24886293A JP H06194334 A JPH06194334 A JP H06194334A
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- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
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- G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
- G01N27/301—Reference electrodes
-
- G—PHYSICS
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- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
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- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 価格に見合った標準的な技術で製造すること
ができ、厚い拡散層を必要とせずに測定液及び校正液を
供給できる化学センサ用プレーナ形参照電極を提供す
る。 【構成】 プレーナ形参照電極を、平坦な基板２０上に
ある誘導電極２１と、誘導電極２１の領域の基板２０を
覆うパターン化されたポリマーからなる層２２と、誘導
電極２１から化学センサに供給すべき測定液又は校正液
と接触する領域に横方向に延びており拡散チャネルの役
目をする溝２３と溝２３を密閉するカバー２５とから構
成する。
ができ、厚い拡散層を必要とせずに測定液及び校正液を
供給できる化学センサ用プレーナ形参照電極を提供す
る。 【構成】 プレーナ形参照電極を、平坦な基板２０上に
ある誘導電極２１と、誘導電極２１の領域の基板２０を
覆うパターン化されたポリマーからなる層２２と、誘導
電極２１から化学センサに供給すべき測定液又は校正液
と接触する領域に横方向に延びており拡散チャネルの役
目をする溝２３と溝２３を密閉するカバー２５とから構
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化学センサ用プレーナ形
参照電極に関する。
参照電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばＮａ+、Ｋ+及びＣａ2+のようなイ
オン濃度又はｐＨ値の測定には現在特にポテンショメー
タ（電位差計）による測定法が使用されている。そのた
めにはイオン選択性センサの他に測定工程中に一定の電
位を供する参照電極を必要とする。それには通常いわゆ
る第二形式の電極、例えば銀／塩化銀電極（Ａｇ／Ａｇ
Ｃｌ電極）を使用する。
オン濃度又はｐＨ値の測定には現在特にポテンショメー
タ（電位差計）による測定法が使用されている。そのた
めにはイオン選択性センサの他に測定工程中に一定の電
位を供する参照電極を必要とする。それには通常いわゆ
る第二形式の電極、例えば銀／塩化銀電極（Ａｇ／Ａｇ
Ｃｌ電極）を使用する。
【０００３】Ａｇ／ＡｇＣｌ電極は一定の塩素イオン濃
度を有する電解液中に浸漬させることによって塩化銀層
で覆われた銀線からなる。その際電解液は例えば多孔性
のセラミック又は研磨ガラスのようなダイヤフラムを介
して測定液と電気的に接続されている（これに関しては
例えばキャマン（Ｋ．Ｃａｍｍａｎｎ）著「イオン選択
性電極の動作（Ｄａｓ Ａｒｂｅｉｔｅｎ ｍｉｔ ｉ
ｏｎｅｎｓｅｌｅｋｔｉｖｅｎ Ｅｌｅｋｔｒｏｄ
ｅ）」第２版、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ出版、
ベルリン、ハイデルベルグ（１９７７年）、第４４〜４
７頁参照）。
度を有する電解液中に浸漬させることによって塩化銀層
で覆われた銀線からなる。その際電解液は例えば多孔性
のセラミック又は研磨ガラスのようなダイヤフラムを介
して測定液と電気的に接続されている（これに関しては
例えばキャマン（Ｋ．Ｃａｍｍａｎｎ）著「イオン選択
性電極の動作（Ｄａｓ Ａｒｂｅｉｔｅｎ ｍｉｔ ｉ
ｏｎｅｎｓｅｌｅｋｔｉｖｅｎ Ｅｌｅｋｔｒｏｄ
ｅ）」第２版、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ出版、
ベルリン、ハイデルベルグ（１９７７年）、第４４〜４
７頁参照）。
【０００４】しかしこの種の複雑な構造を有する参照電
極はＣｈｅｍＦＥＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ ｓｅｎｓ
ｉｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒｓ＝化学感受性電界効果形トランジスタ）のよ
うなイオンセンサ及びｐＨセンサに適合するものではな
い（これに関してはベルグフェルト（Ｐ．Ｂｅｒｇｖｅ
ｌｄ）及びジープバルト（Ａ．Ｓｉｂｂａｌｄ）著「イ
オン選択性電界効果形トランジスタの分析学的及び生医
学的応用（Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｂｉｏｍｅ
ｄｉｃａｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｉｏｎ
ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒｓ）ＥｌｓｅｖｉｅｒＳｃｉｅｎｃｅ
Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ Ｂ．Ｖ．、アムステルダム
（１９８８年）、第６３〜７４頁；出版人：スベーラ
（Ｇ．Ｓｖｅｈｌａ）「包括的分析化学（Ｃｏｍｐｒｅ
ｈｅｎｓｉｖｅ Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓ
ｔｒｙ）」第ＸＸＩＩＩ巻参照）。それ故通常のＩＳＦ
ＥＴ（Ｉｏｎ−Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆ
ｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ＝イオン感受性電界効
果形トランジスタ）を帯電していないゲル層で覆うこと
は既に提案されている（これに関しては出版人：ヤナタ
（Ｊ．Ｊａｎａｔａ）及びフーバ（Ｒ．Ｊ．Ｈｕｂｅ
ｒ）のうちのヤナタ（Ｊ．Ｊａｎａｔａ）による「ソリ
ッドステート化学センサ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｓｅｎｓｏｒｓ）」アカデミック・プ
レス社（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ Ｉｎｃ．）、
オーランド、１９８５年、第１０１〜１０３頁参照）。
その際このゲルの作用はＩＳＦＥＴの応答を拡散路を延
長して減速することにある。ゲル中での減速されたイオ
ン拡散により校正媒体から測定媒体に迅速に（１分以下
で）交換した場合参照化学電界効果形トランジスタの電
位は短期間（約１分間）は一定であり、従って参照電位
の役目を果たすことができる。
極はＣｈｅｍＦＥＴ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ ｓｅｎｓ
ｉｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒｓ＝化学感受性電界効果形トランジスタ）のよ
うなイオンセンサ及びｐＨセンサに適合するものではな
い（これに関してはベルグフェルト（Ｐ．Ｂｅｒｇｖｅ
ｌｄ）及びジープバルト（Ａ．Ｓｉｂｂａｌｄ）著「イ
オン選択性電界効果形トランジスタの分析学的及び生医
学的応用（Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｂｉｏｍｅ
ｄｉｃａｌ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｉｏｎ
ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒｓ）ＥｌｓｅｖｉｅｒＳｃｉｅｎｃｅ
Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ Ｂ．Ｖ．、アムステルダム
（１９８８年）、第６３〜７４頁；出版人：スベーラ
（Ｇ．Ｓｖｅｈｌａ）「包括的分析化学（Ｃｏｍｐｒｅ
ｈｅｎｓｉｖｅ Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓ
ｔｒｙ）」第ＸＸＩＩＩ巻参照）。それ故通常のＩＳＦ
ＥＴ（Ｉｏｎ−Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆ
ｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ＝イオン感受性電界効
果形トランジスタ）を帯電していないゲル層で覆うこと
は既に提案されている（これに関しては出版人：ヤナタ
（Ｊ．Ｊａｎａｔａ）及びフーバ（Ｒ．Ｊ．Ｈｕｂｅ
ｒ）のうちのヤナタ（Ｊ．Ｊａｎａｔａ）による「ソリ
ッドステート化学センサ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｓｅｎｓｏｒｓ）」アカデミック・プ
レス社（Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ Ｉｎｃ．）、
オーランド、１９８５年、第１０１〜１０３頁参照）。
その際このゲルの作用はＩＳＦＥＴの応答を拡散路を延
長して減速することにある。ゲル中での減速されたイオ
ン拡散により校正媒体から測定媒体に迅速に（１分以下
で）交換した場合参照化学電界効果形トランジスタの電
位は短期間（約１分間）は一定であり、従って参照電位
の役目を果たすことができる。
【０００５】この種の参照センサの他の形態にはシリコ
ン基板上にあるｐＨセンサ（ｐＨ感受性ＩＳＦＥＴ）の
上部に陽極接着されたガラス膜により囲まれた空所を形
成するものがある（これに関しては「アナリスト（Ａｎ
ａｌｙｓｔ）」第１１３巻（１９８８）、第１０２９〜
１０３３頁参照）。この直径５００μｍ及び高さ２００
μｍを有する空所はヒドロゲル、即ち疎水性物質で満た
されている。この応答時間を“遅延された”ｐＨセンサ
は、任意のＩＳＦＥＴと組み合わせて（校正媒体と測定
媒体との交換）短期間を越えて参照電極として使用され
るが、しかしいくつかの欠点を有する。即ち孔を有する
ガラス円盤をシリコンウェハ上に陽極ボンディングで接
合する構造は製造経費がかかり、また技術的に未完成で
ある。更にこの種の装置の場合“遅延されたＣｈｅｍＦ
ＥＴ”の応答挙動に於ける十分な遅延効果を得るために
ＣｈｅｍＦＥＴ上に極めて厚いヒドロゲル膜を、即ち約
２００μｍの厚さを有する膜を基板の伸張方向に対して
垂直に施さなければならない。
ン基板上にあるｐＨセンサ（ｐＨ感受性ＩＳＦＥＴ）の
上部に陽極接着されたガラス膜により囲まれた空所を形
成するものがある（これに関しては「アナリスト（Ａｎ
ａｌｙｓｔ）」第１１３巻（１９８８）、第１０２９〜
１０３３頁参照）。この直径５００μｍ及び高さ２００
μｍを有する空所はヒドロゲル、即ち疎水性物質で満た
されている。この応答時間を“遅延された”ｐＨセンサ
は、任意のＩＳＦＥＴと組み合わせて（校正媒体と測定
媒体との交換）短期間を越えて参照電極として使用され
るが、しかしいくつかの欠点を有する。即ち孔を有する
ガラス円盤をシリコンウェハ上に陽極ボンディングで接
合する構造は製造経費がかかり、また技術的に未完成で
ある。更にこの種の装置の場合“遅延されたＣｈｅｍＦ
ＥＴ”の応答挙動に於ける十分な遅延効果を得るために
ＣｈｅｍＦＥＴ上に極めて厚いヒドロゲル膜を、即ち約
２００μｍの厚さを有する膜を基板の伸張方向に対して
垂直に施さなければならない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、経費をかけ
ることなくまた欠点を有する技術的工程を経ずに、価格
に見合った標準的な技術で製造することができ、また厚
い拡散層を必要とせずに測定液及び校正液を供給するこ
とのできる化学センサ用プレーナ形参照電極を提供する
ことを課題とする。
ることなくまた欠点を有する技術的工程を経ずに、価格
に見合った標準的な技術で製造することができ、また厚
い拡散層を必要とせずに測定液及び校正液を供給するこ
とのできる化学センサ用プレーナ形参照電極を提供する
ことを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、平坦な基板上にある誘導電極と、誘導電極の領域の
基板を覆うパターン化されたポリマーからなる層と、誘
導電極から化学センサに供給すべき測定液又は校正液と
接触する領域に横方向に延びており少なくとも拡散チャ
ネル（拡散チャネル内での拡散はチャネルの幾何学形状
及び／又は拡散層により測定される）の役目をする溝
と、溝を密閉するカバーとを備える参照電極により解決
される。
り、平坦な基板上にある誘導電極と、誘導電極の領域の
基板を覆うパターン化されたポリマーからなる層と、誘
導電極から化学センサに供給すべき測定液又は校正液と
接触する領域に横方向に延びており少なくとも拡散チャ
ネル（拡散チャネル内での拡散はチャネルの幾何学形状
及び／又は拡散層により測定される）の役目をする溝
と、溝を密閉するカバーとを備える参照電極により解決
される。
【０００８】本発明による参照電極の場合基板としては
一般にシリコン基板、特にシリコンウェハを使用する。
しかしその他に酸化アルミニウム及び石英のような他の
物質も使用できる。基板上にはいわゆる誘導電極がある
が、これは例えば白金のような貴金属からなっていても
よい。しかし誘導電極がイオンセンサであることは有利
である。イオンセンサとしては特に例えばＡｇ／ＡｇＣ
ｌ電極のようなイオン感応性電極を使用することができ
る。しかしこの目的には有利にはＩＳＦＥＴを使用す
る。ＩＳＦＥＴ自体は例えばＡｇ／ＡｇＣｌで被覆され
ていてもよく、従ってＣｌ- 感応性である。しかしＩＳ
ＦＥＴはｐＨ感応性、即ちｐＨＩＳＦＥＴとすると有利
である。
一般にシリコン基板、特にシリコンウェハを使用する。
しかしその他に酸化アルミニウム及び石英のような他の
物質も使用できる。基板上にはいわゆる誘導電極がある
が、これは例えば白金のような貴金属からなっていても
よい。しかし誘導電極がイオンセンサであることは有利
である。イオンセンサとしては特に例えばＡｇ／ＡｇＣ
ｌ電極のようなイオン感応性電極を使用することができ
る。しかしこの目的には有利にはＩＳＦＥＴを使用す
る。ＩＳＦＥＴ自体は例えばＡｇ／ＡｇＣｌで被覆され
ていてもよく、従ってＣｌ- 感応性である。しかしＩＳ
ＦＥＴはｐＨ感応性、即ちｐＨＩＳＦＥＴとすると有利
である。
【０００９】基板上には一般に５〜１００μｍ、有利に
は約３０μｍの厚さのポリマー層が設けられる。このポ
リマー層は有利にはポリイミドからなるが、しかしその
他にポリベンズオキサゾールのような他のパターン化可
能のポリマー物質からなっていてもよい。ポリマー層は
拡散チャネル、即ちイオン伝導性チャネルを得るために
直接誘導電極の領域内にパターン化される。この拡散チ
ャネルを介して誘導電極はセンサの作動時に分析すべき
液体、即ち測定液特に血液又は校正液と接続している。
拡散チャネルは一般に全体として数μｍの高さ、数１０
μｍの幅及び数１００μｍの長さを有する。
は約３０μｍの厚さのポリマー層が設けられる。このポ
リマー層は有利にはポリイミドからなるが、しかしその
他にポリベンズオキサゾールのような他のパターン化可
能のポリマー物質からなっていてもよい。ポリマー層は
拡散チャネル、即ちイオン伝導性チャネルを得るために
直接誘導電極の領域内にパターン化される。この拡散チ
ャネルを介して誘導電極はセンサの作動時に分析すべき
液体、即ち測定液特に血液又は校正液と接続している。
拡散チャネルは一般に全体として数μｍの高さ、数１０
μｍの幅及び数１００μｍの長さを有する。
【００１０】拡散チャネルは比較的幅広のただ一個の溝
からなるか又は比較的幅の狭いかつ互いに並走する複数
のウェブにより分離された溝からなっていてもよい。ポ
リマー層をパターン化することにより形成されるこれら
の溝は密閉カバーを有する。このカバーはポリマー層及
び場合によっては拡散層に張り付けられた堅いカバーで
あってもよいが、しかし有利にはパッキング、即ち特に
Ｏ形環状の弾性パッキング材を使用する。この種の構造
により溶液及びセンサ間の接触範囲は誘導電極から十分
に、即ち数１００μｍも隔てることが可能となる。この
ようにして校正液から測定液への交換後測定液のイオン
の誘導電極への拡散は横方向にのみ、従って十分緩慢に
行われる。従ってＩＳＦＥＴを誘導電極として使用した
場合参照電極とセンサとの間に生じ得る高い電気抵抗は
不利に作用しない。
からなるか又は比較的幅の狭いかつ互いに並走する複数
のウェブにより分離された溝からなっていてもよい。ポ
リマー層をパターン化することにより形成されるこれら
の溝は密閉カバーを有する。このカバーはポリマー層及
び場合によっては拡散層に張り付けられた堅いカバーで
あってもよいが、しかし有利にはパッキング、即ち特に
Ｏ形環状の弾性パッキング材を使用する。この種の構造
により溶液及びセンサ間の接触範囲は誘導電極から十分
に、即ち数１００μｍも隔てることが可能となる。この
ようにして校正液から測定液への交換後測定液のイオン
の誘導電極への拡散は横方向にのみ、従って十分緩慢に
行われる。従ってＩＳＦＥＴを誘導電極として使用した
場合参照電極とセンサとの間に生じ得る高い電気抵抗は
不利に作用しない。
【００１１】拡散チャネル内での拡散はチャネルの幾何
学的形状によるだけでなく、拡散層によっても調整する
ことが可能である。拡散層は有利には電解液（校正液）
からなるが、しかしヒドロゲルであってもよく、このゲ
ルは作動状態で電解液と共に膨潤する。その際ヒドロゲ
ルとしては特に高分子の２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート（ｐＨＥＭＡ）を使用する。この種の拡散層を作
るにはポリマー構造物の溝をヒドロゲルで満たす。好ま
しい拡散層は、溝をポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）の
ような水溶性ポリマーで満たすようにして形成すること
ができる。運転開始後このポリマーを更に校正液により
溶解し、このようにして電解液と交換される。こうして
拡散チャネル内では妨げられることのない拡散が保証さ
れ、即ちチャネル内には純粋な拡散電位が存在し、ドナ
ン電位のような障害となる膜電位は存在しない。
学的形状によるだけでなく、拡散層によっても調整する
ことが可能である。拡散層は有利には電解液（校正液）
からなるが、しかしヒドロゲルであってもよく、このゲ
ルは作動状態で電解液と共に膨潤する。その際ヒドロゲ
ルとしては特に高分子の２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート（ｐＨＥＭＡ）を使用する。この種の拡散層を作
るにはポリマー構造物の溝をヒドロゲルで満たす。好ま
しい拡散層は、溝をポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）の
ような水溶性ポリマーで満たすようにして形成すること
ができる。運転開始後このポリマーを更に校正液により
溶解し、このようにして電解液と交換される。こうして
拡散チャネル内では妨げられることのない拡散が保証さ
れ、即ちチャネル内には純粋な拡散電位が存在し、ドナ
ン電位のような障害となる膜電位は存在しない。
【００１２】
【実施例】本発明を図面及び実施例に基づき以下に詳述
する。
する。
【００１３】図１ａ、ｂに示す公知の参照電極ではシリ
コン基板１０の表面にＩＳＦＥＴ１１がある。シリコン
基板１０はガラス層１２を備えている。ガラス層１２は
ＩＳＦＥＴ１１の範囲内に孔１３を有する。孔１３は拡
散層であるヒドロゲル１４によって満たされている。
コン基板１０の表面にＩＳＦＥＴ１１がある。シリコン
基板１０はガラス層１２を備えている。ガラス層１２は
ＩＳＦＥＴ１１の範囲内に孔１３を有する。孔１３は拡
散層であるヒドロゲル１４によって満たされている。
【００１４】図２ａ、ｂには本発明による参照電極の有
利な実施例が示されている。平坦な基板２０（特にシリ
コン基板）上に誘導電極２１、特にＩＳＦＥＴ、有利に
はｐＨ−ＩＳＦＥＴが配設されている。誘導電極２１の
範囲内では基板２０はポリマー、特にポリイミドからな
る層２２を備えている。ポリマー層２２はパターン化さ
れており、拡散チャネルの役目をする溝２３を有する。
更に溝２３はポリビニルピロリドンのような水溶性ポリ
マー２４で満たされ、また密閉用カバー２５を備えてい
る。溝２３は横方向、即ち基板２０の表面に平行に延び
ており、この溝は誘導電極２１と化学センサ（図示され
ていない）に通じる還流チャネル２６の間の接続を形成
する。還流チャネル２６は容器２７中の空所により形成
される。
利な実施例が示されている。平坦な基板２０（特にシリ
コン基板）上に誘導電極２１、特にＩＳＦＥＴ、有利に
はｐＨ−ＩＳＦＥＴが配設されている。誘導電極２１の
範囲内では基板２０はポリマー、特にポリイミドからな
る層２２を備えている。ポリマー層２２はパターン化さ
れており、拡散チャネルの役目をする溝２３を有する。
更に溝２３はポリビニルピロリドンのような水溶性ポリ
マー２４で満たされ、また密閉用カバー２５を備えてい
る。溝２３は横方向、即ち基板２０の表面に平行に延び
ており、この溝は誘導電極２１と化学センサ（図示され
ていない）に通じる還流チャネル２６の間の接続を形成
する。還流チャネル２６は容器２７中の空所により形成
される。
【図１】ａは従来技術によるプレーナ形参照電極の横断
面図、ｂはその平面図。
面図、ｂはその平面図。
【図２】ａは本発明によるプレーナ形参照電極の横断面
図、ｂはその平面図。
図、ｂはその平面図。
２０ 基板 ２１ 誘導電極 ２２ ポリマー層 ２３ 溝 ２４ 水溶性ポリマー ２５ 密閉カバー ２６ 還流チャネル ２７ 容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベルンハルト モンターク ドイツ連邦共和国 91301 フオルヒハイ ム ノルトリング 22
Claims (8)
- 【請求項１】 測定液及び校正液を通すことのできる化
学センサ用プレーナ形参照電極において、平坦な基板
（２０）上にある誘導電極（２１）と、誘導電極（２
１）の領域の基板（２０）を覆うパターン化されたポリ
マー層（２２）と、誘導電極（２１）から化学センサに
供給すべき測定液又は校正液と接触する領域に横方向に
延びており拡散チャネルの役目をする少なくとも１つの
溝（２３）と、溝（２３）を密閉するカバー（２５）と
を備えることを特徴とする参照電極。 - 【請求項２】 誘導電極（２１）がイオンセンサである
ことを特徴とする請求項１記載の参照電極。 - 【請求項３】 イオンセンサがＩＳＦＥＴ、特にｐＨ−
ＩＳＦＥＴであることを特徴とする請求項２記載の参照
電極。 - 【請求項４】 ポリマー層（２２）が５〜１００μｍ、
有利には約３０μｍの厚さを有することを特徴とする請
求項１ないし３の１つに記載の参照電極。 - 【請求項５】 ポリマー層（２２）がポリイミドからな
ることを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の参
照電極。 - 【請求項６】 溝（２３）がパッキング（２５）により
覆われていることを特徴とする請求項１ないし５の１つ
に記載の参照電極。 - 【請求項７】 溝（２３）が水溶性ポリマー（２４）に
より満たされていることを特徴とする請求項１ないし６
の１つに記載の参照電極。 - 【請求項８】 水溶性ポリマー（２４）がポリビニルピ
ロリドンであることを特徴とする請求項７記載の参照電
極。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4230691 | 1992-09-14 | ||
| DE4230691.4 | 1992-09-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06194334A true JPH06194334A (ja) | 1994-07-15 |
| JP3318405B2 JP3318405B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=6467904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24886293A Expired - Lifetime JP3318405B2 (ja) | 1992-09-14 | 1993-09-08 | 参照電極 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
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