JPH06196115A - 表面生成型イオン発生装置 - Google Patents
表面生成型イオン発生装置Info
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- JPH06196115A JPH06196115A JP4346455A JP34645592A JPH06196115A JP H06196115 A JPH06196115 A JP H06196115A JP 4346455 A JP4346455 A JP 4346455A JP 34645592 A JP34645592 A JP 34645592A JP H06196115 A JPH06196115 A JP H06196115A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】イオン加速器に使用する表面生成型イオン発生
装置に関し、荷電変換電極の冷却水による腐食を低減
し、荷電変換用電極の寿命の長い表面生成型イオン発生
装置を得ることを目的とする。 【構成】荷電変換用電極４を冷却水によって直接冷却す
るように構成された表面生成型イオン発生装置におい
て、荷電変換用電極４の電極外面部４ａをモリブデンに
より構成するとともに、冷却水と接する電極内面部４ｂ
を銅により構成する。また、荷電変換用電極４を冷却水
によって間接冷却するように構成された表面生成型イオ
ン発生装置において、モリブデンからなる荷電変換用電
極４と接触する間接冷却用の支持棒８として良熱伝導材
を用い、該支持棒８と荷電変換用電極４との接触面に柔
軟性に富んだ金属製の伝熱シート１９を挟むことにより
構成する。
装置に関し、荷電変換電極の冷却水による腐食を低減
し、荷電変換用電極の寿命の長い表面生成型イオン発生
装置を得ることを目的とする。 【構成】荷電変換用電極４を冷却水によって直接冷却す
るように構成された表面生成型イオン発生装置におい
て、荷電変換用電極４の電極外面部４ａをモリブデンに
より構成するとともに、冷却水と接する電極内面部４ｂ
を銅により構成する。また、荷電変換用電極４を冷却水
によって間接冷却するように構成された表面生成型イオ
ン発生装置において、モリブデンからなる荷電変換用電
極４と接触する間接冷却用の支持棒８として良熱伝導材
を用い、該支持棒８と荷電変換用電極４との接触面に柔
軟性に富んだ金属製の伝熱シート１９を挟むことにより
構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン加速器に使用す
る表面生成型イオン発生装置に関する。
る表面生成型イオン発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の表面生成型イオン発生装
置としては、例えば「The 6th Symposium on Accelerat
or Science and Technology 」（IONICS PUBLISHING CO
MPANY、1987年発行、p.70−p.71）に記載された、図４
に示すようなものが知られている。同図において、１は
中央にイオンビームが取り出される穴を持つリペラ、２
はリペラ１にフランジ取り付けされているバレル、３は
バレル２にフランジ取り付けされているエンドプレート
である。
置としては、例えば「The 6th Symposium on Accelerat
or Science and Technology 」（IONICS PUBLISHING CO
MPANY、1987年発行、p.70−p.71）に記載された、図４
に示すようなものが知られている。同図において、１は
中央にイオンビームが取り出される穴を持つリペラ、２
はリペラ１にフランジ取り付けされているバレル、３は
バレル２にフランジ取り付けされているエンドプレート
である。
【０００３】４はリペラ１とバレル２とエンドプレート
３で構成される真空容器内に設置されたモリブデンから
なる荷電変換用電極、５はバレル２の円周上に極性を交
互に変えて設置された永久磁石、６は永久磁石５を格納
するベッセル、７はリペラ１とバレル２とエンドプレー
ト３で構成される真空容器内に設置されたフィラメン
ト、８は荷電変換用電極４を支持する支持棒、９はリペ
ラ１とバレル２とエンドプレート３で構成される真空容
器内にセシウム蒸気を導入するためのセシウム導入管、
１０はリペラ１とバレル２とエンドプレート３で構成さ
れる真空容器内に、生成すべきイオン核種から成るガス
を導入するためのガス導入管である。
３で構成される真空容器内に設置されたモリブデンから
なる荷電変換用電極、５はバレル２の円周上に極性を交
互に変えて設置された永久磁石、６は永久磁石５を格納
するベッセル、７はリペラ１とバレル２とエンドプレー
ト３で構成される真空容器内に設置されたフィラメン
ト、８は荷電変換用電極４を支持する支持棒、９はリペ
ラ１とバレル２とエンドプレート３で構成される真空容
器内にセシウム蒸気を導入するためのセシウム導入管、
１０はリペラ１とバレル２とエンドプレート３で構成さ
れる真空容器内に、生成すべきイオン核種から成るガス
を導入するためのガス導入管である。
【０００４】１１はエンドプレート３に取り付けられた
電極取付ポート、１２は電極取付ポート１１に取り付け
られた絶縁フランジ、１３は絶縁フランジ１２を挟んで
電極取付ポートに固定され、支持棒８に電気的に接合さ
れている電極支持フランジ、１４は荷電変換用電極４と
支持棒８の回りを囲むスパッタ保護カバー、１５はリペ
ラ１とバレル２とエンドプレート３で構成される真空容
器と電極支持フランジ１３の間に電圧を印加する高圧電
源である。
電極取付ポート、１２は電極取付ポート１１に取り付け
られた絶縁フランジ、１３は絶縁フランジ１２を挟んで
電極取付ポートに固定され、支持棒８に電気的に接合さ
れている電極支持フランジ、１４は荷電変換用電極４と
支持棒８の回りを囲むスパッタ保護カバー、１５はリペ
ラ１とバレル２とエンドプレート３で構成される真空容
器と電極支持フランジ１３の間に電圧を印加する高圧電
源である。
【０００５】図５は上記図４の表面生成型イオン発生装
置の荷電変換用電極４と支持棒８部分の詳細図であり、
１６は支持棒８の一部を成すフランジと荷電変換用電極
を締め込むリングナット、１７は冷却水をシールするＯ
リング、１８は支持棒８に内蔵され、冷却水の流路を成
す支持棒内管である。
置の荷電変換用電極４と支持棒８部分の詳細図であり、
１６は支持棒８の一部を成すフランジと荷電変換用電極
を締め込むリングナット、１７は冷却水をシールするＯ
リング、１８は支持棒８に内蔵され、冷却水の流路を成
す支持棒内管である。
【０００６】上記表面生成型イオン発生装置の動作につ
いて説明する。バレル２の円周上に極性を交互にして配
置された永久磁石５は、リペラ１とバレル２とエンドプ
レート３で構成される真空容器内にカスプ磁場を発生す
る。また、荷電変換用電極４は、高圧電源１５によっ
て、真空容器に対して負の電位になっている。この状態
で、ガス導入管１０から、生成すべきイオンから成るガ
スを真空容器内に導入する。
いて説明する。バレル２の円周上に極性を交互にして配
置された永久磁石５は、リペラ１とバレル２とエンドプ
レート３で構成される真空容器内にカスプ磁場を発生す
る。また、荷電変換用電極４は、高圧電源１５によっ
て、真空容器に対して負の電位になっている。この状態
で、ガス導入管１０から、生成すべきイオンから成るガ
スを真空容器内に導入する。
【０００７】そして、フィラメント７に通電加熱のう
え、フィラメント７と真空容器の間に電圧をかけると、
フィラメント７から熱電子が放出される。真空容器内の
ガスはこの熱電子によって励起され、正イオンのプラズ
マとなる。このプラズマは永久磁石５が発生するカスプ
磁場によって閉じ込められているので、電位の低い荷電
変換用電極４に正イオンが集まり、電極面に衝突する。
このイオン衝突によって電極面が荒れにくいように、荷
電変換用電極４はモリブデンからできている。
え、フィラメント７と真空容器の間に電圧をかけると、
フィラメント７から熱電子が放出される。真空容器内の
ガスはこの熱電子によって励起され、正イオンのプラズ
マとなる。このプラズマは永久磁石５が発生するカスプ
磁場によって閉じ込められているので、電位の低い荷電
変換用電極４に正イオンが集まり、電極面に衝突する。
このイオン衝突によって電極面が荒れにくいように、荷
電変換用電極４はモリブデンからできている。
【０００８】一方、セシウム導入管９からは、セシウム
蒸気が真空容器内に導入されている。このセシウムが電
子のドナー物質となり、荷電変換用電極４に集まった正
イオンは荷電変換する。この荷電変換によって生成され
た負イオンは、電位の高いリペラ１へ向かって飛び出し
ていき、リペラ１の中央に開けた穴を通り抜け、イオン
発生装置の外へ取り出される。
蒸気が真空容器内に導入されている。このセシウムが電
子のドナー物質となり、荷電変換用電極４に集まった正
イオンは荷電変換する。この荷電変換によって生成され
た負イオンは、電位の高いリペラ１へ向かって飛び出し
ていき、リペラ１の中央に開けた穴を通り抜け、イオン
発生装置の外へ取り出される。
【０００９】前記動作時、荷電変換用電極４には、イオ
ンが集まって電極に衝突する際に放出される熱とフィラ
メント７に通電加熱する際に放射される熱の一部が流入
する。このため、そのままでは荷電変換用電極４が高温
となってしまうため、冷却水によって冷却している。す
なわち、図５において、水冷用の冷却水は、支持棒内管
１８の内側を通って荷電変換用電極４の背面に送給さ
れ、電極を直接冷却した後、支持棒内管１８と支持棒８
との間に形成された排水路を通って外部へ排出される。
なお、荷電変換用電極４を囲んで配置されたスパッタ保
護カバー１４は、イオンが荷電変換用電極４以外の部分
に集まらないよう保護するものである。
ンが集まって電極に衝突する際に放出される熱とフィラ
メント７に通電加熱する際に放射される熱の一部が流入
する。このため、そのままでは荷電変換用電極４が高温
となってしまうため、冷却水によって冷却している。す
なわち、図５において、水冷用の冷却水は、支持棒内管
１８の内側を通って荷電変換用電極４の背面に送給さ
れ、電極を直接冷却した後、支持棒内管１８と支持棒８
との間に形成された排水路を通って外部へ排出される。
なお、荷電変換用電極４を囲んで配置されたスパッタ保
護カバー１４は、イオンが荷電変換用電極４以外の部分
に集まらないよう保護するものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記した表面生成型イ
オン発生装置では、荷電変換用電極４にイオンが衝突し
て電極面が荒れるため、荷電変換用電極４に、イオンに
衝突されても電極面が荒れにくいモリブデンが採用され
ている。一方、イオンのビーム電流を大きくすると、荷
電変換用電極４の温度が上昇し、電極面にセシウムが付
着しなくなる。したがって、イオンのビーム電流を大き
くするには電極面の冷却効率を上げる必要があり、前述
したように荷電変換用電極４を直接水冷していた。
オン発生装置では、荷電変換用電極４にイオンが衝突し
て電極面が荒れるため、荷電変換用電極４に、イオンに
衝突されても電極面が荒れにくいモリブデンが採用され
ている。一方、イオンのビーム電流を大きくすると、荷
電変換用電極４の温度が上昇し、電極面にセシウムが付
着しなくなる。したがって、イオンのビーム電流を大き
くするには電極面の冷却効率を上げる必要があり、前述
したように荷電変換用電極４を直接水冷していた。
【００１１】しかしながら、荷電変換用電極４を構成す
るモリブデンは酸化しやすく、直接水冷することにより
腐食するので、長期間使用していると、Ｏリングのシー
ル面が荒れ、冷却水をシールできなくなってしまう。こ
のため、従来の表面生成型イオン発生装置では、荷電変
換用電極の寿命が短いなどの問題があった。
るモリブデンは酸化しやすく、直接水冷することにより
腐食するので、長期間使用していると、Ｏリングのシー
ル面が荒れ、冷却水をシールできなくなってしまう。こ
のため、従来の表面生成型イオン発生装置では、荷電変
換用電極の寿命が短いなどの問題があった。
【００１２】本発明は上記課題を解決するために成され
たもので、荷電変換用電極の冷却水による腐食を低減
し、荷電変換用電極の寿命の長い表面生成型イオン発生
装置を得ることを目的としている。
たもので、荷電変換用電極の冷却水による腐食を低減
し、荷電変換用電極の寿命の長い表面生成型イオン発生
装置を得ることを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る表面生
成型イオン発生装置は、荷電変換用電極を冷却水によっ
て直接冷却するように構成された表面生成型イオン発生
装置において、荷電変換用電極の電極外面部をモリブデ
ンにより構成するとともに、冷却水と接する電極背面部
を銅により構成したものである。
成型イオン発生装置は、荷電変換用電極を冷却水によっ
て直接冷却するように構成された表面生成型イオン発生
装置において、荷電変換用電極の電極外面部をモリブデ
ンにより構成するとともに、冷却水と接する電極背面部
を銅により構成したものである。
【００１４】また、第２の発明に係る表面生成型イオン
発生装置は、荷電変換用電極を冷却水によって間接冷却
するように構成された表面生成型イオン発生装置におい
て、モリブデンからなる荷電変換用電極と接触する間接
冷却用の支持棒として良熱伝導材を用い、該支持棒と荷
電変換用電極との接触面に柔軟性に富んだ金属製の伝熱
シートを挟んだものである。
発生装置は、荷電変換用電極を冷却水によって間接冷却
するように構成された表面生成型イオン発生装置におい
て、モリブデンからなる荷電変換用電極と接触する間接
冷却用の支持棒として良熱伝導材を用い、該支持棒と荷
電変換用電極との接触面に柔軟性に富んだ金属製の伝熱
シートを挟んだものである。
【００１５】
【作用】第１の発明に係る表面生成型イオン発生装置の
場合、イオンを生成するための電極外面部は従来と同じ
モリブデンで構成し、冷却水と接する電極背面部を腐食
性と熱伝導性に優れた銅で構成したので、冷却水による
耐食性が向上するとともに、電極面の冷却効率が良くな
る。このため、荷電変換用電極の寿命が長くなり、イオ
ンのビーム電流も大きくすることができる。
場合、イオンを生成するための電極外面部は従来と同じ
モリブデンで構成し、冷却水と接する電極背面部を腐食
性と熱伝導性に優れた銅で構成したので、冷却水による
耐食性が向上するとともに、電極面の冷却効率が良くな
る。このため、荷電変換用電極の寿命が長くなり、イオ
ンのビーム電流も大きくすることができる。
【００１６】第２の発明に係る表面生成型イオン発生装
置の場合、冷却用の支持棒として銅またはアルミニウム
などの良熱伝導材を用い、該支持棒と荷電変換用電極の
接触面との間に、アルミニウムまたはインジウムなどの
柔軟性に富んだ金属製の伝熱シートを挟んだので、支持
棒と荷電変換用電極間の熱抵抗を小さくすることがで
き、間接冷却方式にもかかわらず、電極面の冷却効率を
落とさずに済む。また、荷電変換用電極に直接冷却水が
触れないので、荷電変換用電極は冷却水による腐食がな
くなる。このため、荷電変換用電極の寿命を長くでき
る。また、間接冷却方式のため、冷却水のシールを破ら
ずに荷電変換用電極を取り替えることができ、メンテナ
ンス性が向上する。
置の場合、冷却用の支持棒として銅またはアルミニウム
などの良熱伝導材を用い、該支持棒と荷電変換用電極の
接触面との間に、アルミニウムまたはインジウムなどの
柔軟性に富んだ金属製の伝熱シートを挟んだので、支持
棒と荷電変換用電極間の熱抵抗を小さくすることがで
き、間接冷却方式にもかかわらず、電極面の冷却効率を
落とさずに済む。また、荷電変換用電極に直接冷却水が
触れないので、荷電変換用電極は冷却水による腐食がな
くなる。このため、荷電変換用電極の寿命を長くでき
る。また、間接冷却方式のため、冷却水のシールを破ら
ずに荷電変換用電極を取り替えることができ、メンテナ
ンス性が向上する。
【００１７】
【実施例】第１の発明に係る表面生成型イオン発生装置
の第１の実施例を図１に基づいて説明する。図１は荷電
変換用電極と支持棒部分の断面図である。図において、
荷電変換用電極４は銅とモリブデンのクラッド材からな
り、電極外面部４ａがモリブデン、冷却水と直接接する
電極背面部４ｂが銅とされている。水冷用の冷却水は、
支持棒内管１８の内側を通って荷電変換用電極４の背面
に送給され、電極背面部４ｂを直接冷却した後、支持棒
内管１８と支持棒８の間に形成された排水路を通って外
部へ排出される。電極背面部４ｂを構成する銅は、冷却
水に対する耐食性が良く、冷却水によって簡単には腐食
されないので、Ｏリング１７のシール面が荒れにくい。
また、銅はモリブデンよりも熱伝導が良く、電極面の冷
却効率を向上することができる。
の第１の実施例を図１に基づいて説明する。図１は荷電
変換用電極と支持棒部分の断面図である。図において、
荷電変換用電極４は銅とモリブデンのクラッド材からな
り、電極外面部４ａがモリブデン、冷却水と直接接する
電極背面部４ｂが銅とされている。水冷用の冷却水は、
支持棒内管１８の内側を通って荷電変換用電極４の背面
に送給され、電極背面部４ｂを直接冷却した後、支持棒
内管１８と支持棒８の間に形成された排水路を通って外
部へ排出される。電極背面部４ｂを構成する銅は、冷却
水に対する耐食性が良く、冷却水によって簡単には腐食
されないので、Ｏリング１７のシール面が荒れにくい。
また、銅はモリブデンよりも熱伝導が良く、電極面の冷
却効率を向上することができる。
【００１８】第１の発明に係る表面生成型イオン発生装
置の第２の実施例を図２に基づいて説明する。図２は荷
電変換用電極と支持棒部分の断面図である。図におい
て、荷電変換用電極４の電極背面部４ｂとなる銅材の表
面に、メッキまたはイオンビーム蒸着などの方法でモリ
ブデンをコーティングすることにより、電極外面部４ａ
をモリブデン、電極背面部４ｂを銅としたものである。
置の第２の実施例を図２に基づいて説明する。図２は荷
電変換用電極と支持棒部分の断面図である。図におい
て、荷電変換用電極４の電極背面部４ｂとなる銅材の表
面に、メッキまたはイオンビーム蒸着などの方法でモリ
ブデンをコーティングすることにより、電極外面部４ａ
をモリブデン、電極背面部４ｂを銅としたものである。
【００１９】水冷用の冷却水は、支持棒内管１８の内側
を通って荷電変換用電極４の背面に送給され、電極背面
部４ｂを直接冷却した後、支持棒内管１８と支持棒８の
間に形成された排水路を通って外部へ排出される。前述
したように、銅は冷却水に対する耐食性が良く、冷却水
によって簡単には腐食されないので、Ｏリング１７のシ
ール面が荒れにくい。また、銅はモリブデンよりも熱伝
導が良く、電極面の冷却効率を向上することができる。
さらに、電極背面部４ｂを構成する銅の表面にモリブデ
ンをコーティングしたので、低コスト化を図ることがで
きる。
を通って荷電変換用電極４の背面に送給され、電極背面
部４ｂを直接冷却した後、支持棒内管１８と支持棒８の
間に形成された排水路を通って外部へ排出される。前述
したように、銅は冷却水に対する耐食性が良く、冷却水
によって簡単には腐食されないので、Ｏリング１７のシ
ール面が荒れにくい。また、銅はモリブデンよりも熱伝
導が良く、電極面の冷却効率を向上することができる。
さらに、電極背面部４ｂを構成する銅の表面にモリブデ
ンをコーティングしたので、低コスト化を図ることがで
きる。
【００２０】第２の発明に係る表面生成型イオン発生装
置の実施例を図３に基づいて説明する。図３は荷電変換
用電極と支持棒部分の断面図である。図において、１９
は、モリブデンからなる荷電変換用電極４と支持棒８と
の間に挟まれた、アルミニウムまたはインジウムなどの
柔らかい金属箔でできた伝熱シートである。間接冷却用
の支持棒８は、銅またはアルミニウムなどの良熱伝導材
でできており、荷電変換用電極４との間に伝熱シート１
９を挟んだ状態でねじ込まれている。
置の実施例を図３に基づいて説明する。図３は荷電変換
用電極と支持棒部分の断面図である。図において、１９
は、モリブデンからなる荷電変換用電極４と支持棒８と
の間に挟まれた、アルミニウムまたはインジウムなどの
柔らかい金属箔でできた伝熱シートである。間接冷却用
の支持棒８は、銅またはアルミニウムなどの良熱伝導材
でできており、荷電変換用電極４との間に伝熱シート１
９を挟んだ状態でねじ込まれている。
【００２１】水冷用の冷却水は、支持棒内管１８の内側
を通って支持棒８の先端部に送給され、支持棒８の管壁
を通して荷電変換用電極４を間接冷却した後、支持棒内
管１８と支持棒８の間に形成された排水路を通って外部
へ排出される。
を通って支持棒８の先端部に送給され、支持棒８の管壁
を通して荷電変換用電極４を間接冷却した後、支持棒内
管１８と支持棒８の間に形成された排水路を通って外部
へ排出される。
【００２２】支持棒８と荷電変換用電極４の間に挟まれ
た伝熱シート１９は、銅またはアルミニウムなどの柔ら
かい金属であるため、添着性が良く、支持棒８および荷
電変換用電極４との接触面積が大きくなり、接触熱抵抗
を小さくすることができるので、電極面の冷却効率を落
とさずに済む。また、電極面がイオンの衝突により荒れ
てきて、荷電変換用電極４を交換しなければならない場
合にも、冷却水のシールを破らずに荷電変換用電極４の
交換ができる。
た伝熱シート１９は、銅またはアルミニウムなどの柔ら
かい金属であるため、添着性が良く、支持棒８および荷
電変換用電極４との接触面積が大きくなり、接触熱抵抗
を小さくすることができるので、電極面の冷却効率を落
とさずに済む。また、電極面がイオンの衝突により荒れ
てきて、荷電変換用電極４を交換しなければならない場
合にも、冷却水のシールを破らずに荷電変換用電極４の
交換ができる。
【００２３】
【発明の効果】第１の発明によれば、荷電変換用電極の
電極外面部をモリブデンにより構成するとともに、冷却
水と接する電極背面部を銅により構成したので、荷電変
換用電極の腐食を低減することができるとともに、荷電
変換用電極の冷却効率を上げることができ、荷電変換用
電極の寿命が長く、かつビーム電流の大きい表面生成型
イオン発生装置を得ることができる。
電極外面部をモリブデンにより構成するとともに、冷却
水と接する電極背面部を銅により構成したので、荷電変
換用電極の腐食を低減することができるとともに、荷電
変換用電極の冷却効率を上げることができ、荷電変換用
電極の寿命が長く、かつビーム電流の大きい表面生成型
イオン発生装置を得ることができる。
【００２４】第２の発明によれば、モリブデンからなる
荷電変換用電極と接触する間接冷却用の支持棒として良
熱伝導材を用い、該支持棒と荷電変換用電極との接触面
に柔軟性に富んだ金属製の伝熱シートを挟んだので、荷
電変換用電極を電極面の冷却効率を下げずに冷却するこ
とができ、荷電変換用電極の腐食がなく、また、冷却水
のシールを破らずに荷電変換用電極を取り替えることが
でき、荷電変換用電極の寿命が長く、かつメンテナンス
性の良い表面生成型イオン発生装置を得ることができ
る。
荷電変換用電極と接触する間接冷却用の支持棒として良
熱伝導材を用い、該支持棒と荷電変換用電極との接触面
に柔軟性に富んだ金属製の伝熱シートを挟んだので、荷
電変換用電極を電極面の冷却効率を下げずに冷却するこ
とができ、荷電変換用電極の腐食がなく、また、冷却水
のシールを破らずに荷電変換用電極を取り替えることが
でき、荷電変換用電極の寿命が長く、かつメンテナンス
性の良い表面生成型イオン発生装置を得ることができ
る。
【図１】第１の発明の第１の実施例による表面生成型イ
オン発生装置の荷電変換用電極と支持棒部分の断面図で
ある。
オン発生装置の荷電変換用電極と支持棒部分の断面図で
ある。
【図２】第１の発明の第２の実施例による表面生成型イ
オン発生装置の荷電変換用電極と支持棒部分の断面図で
ある。
オン発生装置の荷電変換用電極と支持棒部分の断面図で
ある。
【図３】第２の発明の一実施例による表面生成型イオン
発生装置の荷電変換用電極と支持棒部分の断面図であ
る。
発生装置の荷電変換用電極と支持棒部分の断面図であ
る。
【図４】従来の表面生成型イオン発生装置の構造図であ
る。
る。
【図５】図４中の荷電変換用電極と支持棒部分の断面図
である。
である。
４ 荷電変換用電極 ４ａ 電極外面部 ４ｂ 電極背面部 ８ 支持棒 １４ スパッタ保護カバー １６ リングナット １７ Ｏリング １８ 支持棒内管 １９ 金属製の伝熱シート
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年６月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】支持棒８と荷電変換用電極４の間に挟まれ
た伝熱シート１９は、インジウム，銅またはアルミニウ
ムなどの柔らかい金属であるため、添着性が良く、支持
棒８および荷電変換用電極４との接触面積が大きくな
り、接触熱抵抗を小さくすることができるので、電極面
の冷却効率を落とさずに済む。また、電極面がイオンの
衝突により荒れてきて、荷電変換用電極４を交換しなけ
ればならない場合にも、冷却水のシールを破らずに荷電
変換用電極４の交換ができる。
た伝熱シート１９は、インジウム，銅またはアルミニウ
ムなどの柔らかい金属であるため、添着性が良く、支持
棒８および荷電変換用電極４との接触面積が大きくな
り、接触熱抵抗を小さくすることができるので、電極面
の冷却効率を落とさずに済む。また、電極面がイオンの
衝突により荒れてきて、荷電変換用電極４を交換しなけ
ればならない場合にも、冷却水のシールを破らずに荷電
変換用電極４の交換ができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 荷電変換用電極を冷却水によって直接冷
却するように構成された表面生成型イオン発生装置にお
いて、 荷電変換用電極の電極外面部をモリブデンにより構成す
るとともに、冷却水と接する電極背面部を銅により構成
したことを特徴とする表面生成型イオン発生装置。 - 【請求項２】 荷電変換用電極を冷却水によって間接冷
却するように構成された表面生成型イオン発生装置にお
いて、 モリブデンからなる荷電変換用電極と接触する間接冷却
用の支持棒として良熱伝導材を用い、該支持棒と荷電変
換用電極との接触面に柔軟性に富んだ金属製の伝熱シー
トを挟んだことを特徴とする表面生成型イオン発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4346455A JP2842498B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 表面生成型イオン発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4346455A JP2842498B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 表面生成型イオン発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196115A true JPH06196115A (ja) | 1994-07-15 |
| JP2842498B2 JP2842498B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=18383553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4346455A Expired - Fee Related JP2842498B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 表面生成型イオン発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2842498B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013137994A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-07-11 | Fei Co | 誘導結合プラズマ源内に電極を取り付けるためのシステム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0374041A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-28 | Nissin High Voltage Co Ltd | プラズマスパッタ型負イオン源 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP4346455A patent/JP2842498B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0374041A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-28 | Nissin High Voltage Co Ltd | プラズマスパッタ型負イオン源 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013137994A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-07-11 | Fei Co | 誘導結合プラズマ源内に電極を取り付けるためのシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2842498B2 (ja) | 1999-01-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |