JPH06196303A - 薄膜抵抗素子及びインクジェット記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、薄膜抵抗素子の保護膜が何らかの
理由で変形しやすい場合であっても問題の発生しにくい
素子、その素子を用いたインクジェット記録装置を提供
する。 【構成】 ２つ以上の発熱抵抗体の上部に電気絶縁体か
らなる保護膜を有する薄膜抵抗素子において、発熱抵抗
体の熱膨張率を１としたとき、該発熱抵抗体に挟まれる
絶縁体領域の熱膨張率が０．５以上２．０以下である素
子、及びその素子を用いたインクジェット記録装置を特
徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、発熱抵抗体の上部に電
気絶縁体からなる保護膜を有する薄膜抵抗素子、及び薄
膜抵抗素子を用いたインクジェットヘッド、インクジェ
ットヘッドを搭載したインクジェット記録装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】薄膜抵抗素子は、感熱紙に熱印字をする
ために用いられるサーマルヘッドや、インクを加熱発泡
してインクを吐出する記録方式であるインクジェット記
録法に用いるインクジェット記録ヘッドに用いられる。

【０００３】上記のような薄膜抵抗素子は、熱を発生す
る発熱抵抗体を有し、多くの場合はさらに該発熱抵抗体
上部に、該発熱抵抗体の酸化防止等なんらかの理由によ
り保護膜が設けられる。

【０００４】特に、インクジェット記録法は、高速高密
度で高精細高画質の記録が可能で、かつカラー化、コン
パクト化に適しており、近年とみに注目を集めている
が、インクジェット記録ヘッドの熱作用部がインクに直
接接する点や、インクの発泡と消泡との繰返しによるキ
ャビテーションが熱作用部にもたらす機械的衝撃が大き
いという点、また、熱作用部が１０^-1〜１０マイクロ秒
というオーダーの極めて短い時間に１０００℃近い温度
の上昇及び下降にさらされるといった点などの理由によ
り、インクジェット記録ヘッドはサーマルヘッドに比べ
て高性能の保護膜が必要とされている。最近の技術で
は、インクジェットヘッドの保護膜として、発熱抵抗体
上にＳｉＯ₂ 、ＳｉＣ、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等からなる電気的絶
縁層と、さらにその上にＴａ等からなる耐キャビテーシ
ョン層とを積層して用いるのが一般的である。

【０００５】このような保護膜が設けられた形態の薄膜
抵抗素子では、保護膜の保護性能及びその持続安定性が
素子の耐久性を支配することとなり、いかにして高信頼
性の保護膜を形成するかが大きな技術課題である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし前述のような薄
膜抵抗素子は、素材や構成が同一にしても、成膜方法に
よっては、発熱抵抗体に通電した時に該抵抗体上部に設
けてある保護膜が膨れやすいという欠陥品が多発するこ
とがあった。このような欠陥が生じた薄膜抵抗素子は、
保護膜との熱接触が断たれるために抵抗体が溶断した
り、インクジェットヘッドに用いる場合はインクへの熱
伝導が悪くなるためインクが吐出しなくなるという問題
点を持っている。

【０００７】以下に、保護膜が膨れる理由を説明する。

【０００８】図９（ａ），（ｂ），（ｃ）は、従来例の
薄膜抵抗素子１の平面図と２方向の断面図を示してい
る。このような従来例においては、発熱抵抗層７の発熱
部分２が薄膜抵抗素子１への通電によって熱膨張した
際、図１０（ａ）に示すように熱によって軟化した周辺
の保護膜８を圧迫し、該保護膜を微小量変形させる。前
記保護膜の変形は、薄膜抵抗素子への電気供給を止め、
発熱部分２が冷却して収縮すると元に戻る場合もある
が、図１０（ｂ）に示すように発熱部分２と保護膜８と
の間に微小な剥離部１３を生じる場合も多い。特に、発
熱部分２が発熱と冷却を繰り返した場合、発熱部分２と
保護膜８との密着性が低下し、剥離部１３が生じやすく
なる。

【０００９】ところで、概して保護膜は圧縮応力を持っ
ている。その圧縮応力は通電によって発熱部分２が高温
になると増大し、該保護膜が高温によって軟化すること
に伴って該保護膜は変形しようとする。該保護膜と該保
護膜に接する発熱抵抗体７の密着性が強い場合は変形は
起こらないが、前記のような過程で剥離部１３が発生し
た場合は変形が防げず、増大した圧縮応力を逃がすた
め、例えば図１１に示すように、保護膜が湾曲する弱い
部分が盛り上がるように変形する。以上述べたことは、
保護膜が圧縮応力を持つ場合に限らず、その他の理由に
より保護膜が変形しやすい場合であっても同様に起こり
得る。

【００１０】本発明は、保護膜が何らかの理由により変
形しやすい場合であっても、前記問題点の発生しにくい
薄膜抵抗素子、及び、前記特徴を持つ素子を利用したイ
ンクジェット記録装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下の本
発明によって達成される。

【００１２】即ち本発明は、２つ以上の発熱抵抗体の上
部に、電気絶縁体からなる保護膜を有する薄膜抵抗素子
において、該発熱抵抗体の熱膨張率と該発熱抵抗体に挟
まれる絶縁体領域の熱膨張率が近接した値であることを
特徴とする薄膜抵抗素子である。

【００１３】以下、図面を参照して本発明を詳細に説明
する。

【００１４】図１（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明の
薄膜抵抗素子１の平面図（ａ）と２方向の断面図
（ｂ），（ｃ）を示している。本発明の薄膜抵抗素子が
従来例を示した図９と異なっている点は、本発明の薄膜
抵抗素子の発熱抵抗体に挟まれる絶縁体領域１４が、発
熱抵抗体の上部の保護膜から連続したものではなく、別
個に形成されたものである点である。本発明では特に、
前記絶縁体領域１４の材料を発熱抵抗体の熱膨張率に近
接する材料とするように選ぶ事に特徴がある。前記のよ
うに材料を選んで図１のように形成された薄膜抵抗素子
１は、図８（ａ）に示すように、発熱部分２の発熱時に
隣合う発熱抵抗体７と絶縁層１４が横方向には等しい力
で押し合う。そのため、発熱抵抗体７は横方向には熱膨
張せず、絶縁層１４と高さを揃えて厚さを変化させるだ
けになるので、図１０（ｂ）に示すような剥離部１３が
発生しないため、保護膜８が膨れる現象を防ぐことがで
きる。

【００１５】上記のような作用は、発熱抵抗体７の熱膨
張係数と絶縁層１４の熱膨張率が完全には一致していな
くても、保護膜の湾曲の程度が小さくなるだけである程
度の効果はある。しかし前記のような熱膨張率の近似が
得られない場合、例えば図８（ｂ）は発熱抵抗体７の熱
膨張率より絶縁層１４の熱膨張率の方が大きい場合であ
るが、同図に示すように発熱抵抗体７と絶縁層１４との
界面がずれるので、その近辺で発熱抵抗体等と保護膜８
との密着性が低下する。また、発熱抵抗体７等が薄膜で
あるため僅かではあるが、発熱抵抗体７と絶縁層１４と
の間で微小な段差ができ、構造的に弱くなってしまう。
以上のような理由から本発明の薄膜抵抗素子の場合、発
熱抵抗体の熱膨張率を１としたとき、該発熱抵抗体に挟
まれる絶縁体の熱膨張率は０．５０以上２．０以下、望
ましくは０．６７以上１．５以下、さらに望ましくは
０．７７以上１．３以下である必要がある。

【００１６】前記熱膨張率の条件を満たす材料は、薄膜
抵抗素子に必要な物性や素子作成の都合等の理由によ
り、単一の材料としては存在しない場合がある。このよ
うな場合には、熱膨張率以外に必要な条件を満たし、発
熱抵抗体より熱膨張率が大きい材料と小さい材料を各々
１種類以上用意し、両者の混合物を絶縁層１４に用いれ
ば良い。混合物の熱膨張率α_m は、低弾性率の材料が含
まれる場合は加成性が成立し、α_i ，Ｖ_i をｉ番めの材
料の、各々熱膨張率、体積分率とすると、 α_m ＝Σα_i Ｖ_i となる。加成性が成立しない場合は、Κ_i を体積弾性率
とすると、 α_m ＝Σα_i Ｋ_i Ｖ_i ／ΣＫ_i Ｖ_i となる。また特に多成分のガラスについては、ｐ_i を重
量分率とすると、 α_m ＝Σα_i ｐ_i となる。

【００１７】

【実施例】以下、より具体的な実施例に従い、本発明を
詳細に説明する。

【００１８】実施例１ 図１（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明の第１の実施例
に係る薄膜抵抗素子の平面図と２方向の断面図である。
ここで、１は素子（全体）、２は発熱部分、３及び４は
電極である。

【００１９】以下に本実施例による薄膜抵抗素子の作成
工程を説明する。

【００２０】まず、素子支持体５であるＳｉウェハの表
面に熱酸化によって５μｍ厚のＳｉＯ₂ 膜を形成して素
子１の下部層６とした。。この下部層６上にスパッタリ
ングによって、熱膨張率が５．３×１０^-6℃^-1であるＨ
ｆＢ₂ の発熱抵抗層７を１３００オングストロームの厚
みに形成した。

【００２１】続いて電子ビーム蒸着によりＴｉ層５０オ
ングストローム、Ａｌ層５０００オングストロームを連
続的に堆積して共通電極３と選択電極４とを形成した。
この時、フォトリソ工程により図１（ａ）に示すような
回路パターンを形成し、電極３，４に通電することによ
り発熱する熱発生部１１の発熱部分２の熱作用面はその
寸法を３０μｍ幅で、１５０μｍ長にし、Ａｌ電極３及
び４の抵抗を含めて１００Ωの抵抗値にした。

【００２２】次に、フォトリソ工程によって図１（ｂ）
に示すように、前記の発熱抵抗層７及び電極３，４が無
い部分に、ソーダガラスからなる絶縁層１４を、該発熱
抵抗層と膜厚が等しくなるように、スパッタ法によって
形成した。ここで利用したソーダガラスの熱膨張率は１
０×１０^-6℃^-1であり、電極であるＨｆＢ₂ の熱膨張率
に対する比は１．９である。

【００２３】最後に、素子支持体５をＡｒスパッタリン
グ装置内にセットし、厚さ１．９μｍのＳｉＯ₂ からな
る保護膜８を、図１に示すように素子１の全面上に、マ
グネトロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。

【００２４】なお、素子支持体５は必ずしもＳｉでなく
ても良く、例えば、ガラスあるいはセラミックスのよう
な絶縁物でも良い。発熱抵抗層７は、発熱部分２が通電
時に非常に高温になるため、その材料として高温で安定
であり、かつ耐酸化性に優れる物質であればＨｆＢ₂ 以
外の材料、例えば高融点金属あるいは遷移金属の窒化
物、炭化物、珪化物、硼化物などでも良い。電極３及び
４は、Ａｌではなく、Ａｕ、Ｃｕのような電気良導体で
も形成できる。また、保護膜８の膜厚や発熱部分２の幅
並びに長さ等に関しては、薄膜抵抗素子の設計に応じて
該薄膜抵抗素子の熱発生部１１に必要な特性が得られる
よう適宜選択すれば良い。さらに、保護膜８に関して
は、ＳｉＯ₂ 以外に、ＳｉＣあるいはＳｉＮなどから形
成することも可能である。

【００２５】上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０
μｓｅｃ，３ｋＨｚのパルス電圧を１０⁸ 回印加したと
ころ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は０％であ
った。後述する比較例１では、同条件でテストを行なう
と５０％の素子に異常が現われることから、実施例１で
は発熱抵抗体の間に熱膨張率が該発熱抵抗体に近い絶縁
体を形成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素
子が少なくなるという本発明の効果が見られた。

【００２６】実施例２ 本発明の実施例２では、実施例１と同じ構造の薄膜抵抗
素子を作製した。ただし絶縁層１４の材料は実施例１と
異なり、熱膨張率が２．７５×１０^-6℃^-1であるＳｉ₃
Ｎ₄ を用いた。なお、Ｓｉ₃ Ｎ₄ の熱膨張率の、電極で
あるＨｆＢ₂ の熱膨張率に対する比は０．５２である。

【００２７】上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０
μｓｅｃ，３ｋＨｚのパルス電圧を１０⁸ 回印加したと
ころ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は０％であ
った。後述する比較例１では、同条件でテストを行なう
と５０％の素子に異常が現われることから、実施例２で
は発熱抵抗体の間に熱膨張率が該発熱抵抗体に近い絶縁
体を形成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素
子が少なくなるという本発明の効果が見られた。

【００２８】実施例３ 本発明の実施例３では、実施例１と同じ構造の薄膜抵抗
素子を作製した。ただし絶縁層１４の材料は実施例１と
異なり、熱膨張率が０．５×１０^-6℃^-1であるＳｉＯ₂
と熱膨張率が１０×１０^-6℃^-1であるソーダガラスとを
用い、それぞれ２４％と７６％の含有量になるよう同時
にスパッタし、絶縁層１４が両者の混合物になるように
した。なお、両者の混合比は、混合膜である絶縁層１４
の熱膨張率が７．７×１０^-6℃^-1になるように設計した
値であり、電極であるＨｆＢ₂ の熱膨張率に対する比は
１．４５である。

【００２９】上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０
μｓｅｃ，３ｋＨｚのパルス電圧を１０⁸ 回印加したと
ころ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は０％であ
った。後述する比較例１では、同条件でテストを行なう
と５０％の素子に異常が現われることから、実施例３で
は発熱抵抗体の間に熱膨張率が該発熱抵抗体に近い絶縁
体を形成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素
子が少なくなるという本発明の効果が見られた。

【００３０】実施例４ 本発明の実施例４では、実施例３と同様に薄膜抵抗素子
を作製した。ただし絶縁層１４の材料であるＳｉＯ₂ と
ソーダガラスの混合比は、実施例３と異なり、熱膨張率
が３．６×１０^-6℃^-1になるよう、それぞれの割合が６
７％と３３％になるように成膜した。なお、前記熱膨張
率の電極であるＨｆＢ₂ の熱膨張率に対する比は０．６
８である。

【００３１】上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０
μｓｅｃ，３ｋＨｚのパルス電圧を１０⁸ 回印加したと
ころ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は０％であ
った。後述する比較例１では、同条件でテストを行なう
と５０％の素子に異常が現われることから、実施例４で
は発熱抵抗体の間に熱膨張率が該発熱抵抗体に近い絶縁
体を形成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素
子が少なくなるという本発明の効果が見られた。

【００３２】実施例５ 本発明の実施例５では、実施例１と同じ構造の薄膜抵抗
素子を作製した。ただし絶縁層１４の材料は実施例１と
異なり、熱膨張率が６．０９×１０^-6℃^-1であるＡ１Ｎ
を用いた。なお、Ａ１Ｎの熱膨張率の、電極であるＨｆ
Ｂ₂ の熱膨張率に対する比は１．１である。

【００３３】上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０
μｓｅｃ，３ｋＨｚのパルス電圧を１０⁸ 回印加したと
ころ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は０％であ
った。後述する比較例１では、同条件でテストを行なう
と５０％の素子に異常が現われることから、実施例５で
は発熱抵抗体の間に熱膨張率が該発熱抵抗体に近い絶縁
体を形成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素
子が少なくなるという本発明の効果が見られた。

【００３４】実施例６ 本発明の実施例６では、実施例３と同様に薄膜抵抗素子
を作製した。ただし絶縁層１４の材料は実施例３と異な
り、ソーダガラスの代りに熱膨張率が１０×１０^-6℃^-1
であるＺｒＯ₂ を用い、ＺｒＯ₂ とＳｉＯ₂ の蒸発速度
の比が１：１になるよう、同時に電子ビームをあてて蒸
着し、絶縁層１４が２つの材料及び両者の化合物ＺｒＳ
ｉＯ₄ の混合状態になるようにした。絶縁層１４が、Ｚ
ｒＯ₂ とＳｉＯ₂ だけの混合物であれば熱膨張率は５．
３×１０^-6℃^-1、両者の化合物ＺｒＳｉＯ₄ だけであれ
ば熱膨張率は４．１×１０^-6℃^-1になるはずであるか
ら、絶縁層１４の熱膨張率は４．１〜５．３×１０^-6℃
^-1になる。この値は、電極であるＨｆＢ₂ の熱膨張率に
対する比が０．７７〜１．０になる。

【００３５】上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０
μｓｅｃ，３ｋＨｚのパルス電圧を１０⁸ 回印加したと
ころ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は０％であ
った。後述する比較例１では、同条件でテストを行なう
と５０％の素子に異常が現われることから、実施例６で
は発熱抵抗体の間に熱膨張率が該発熱抵抗体に近い絶縁
体を形成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素
子が少なくなるという本発明の効果が見られた。

【００３６】実施例７ 本発明の実施例７では、実施例６と同様に薄膜抵抗素子
を作製した。ただし絶縁層１４の材料は実施例６と異な
り、熱膨張率が３．７６×１０^-6℃^-1のＳｎＯ ₂ と熱膨
張率８．８×１０^-6℃^-1のＡｌ₂ Ｏ₃ を用い、両者の蒸
発速度の比が１：１になるよう、同時に電子ビームをあ
てて蒸着した。絶縁層１４の熱膨張率は、ＳｎＯ₂ とＡ
ｌ₂ Ｏ₃ が殆ど固溶しないので、設計値は６．３×１０
^-6℃^-1になり、電極であるＨｆＢ₂ の熱膨張率に対する
比が１．１８になる。

【００３７】上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０
μｓｅｃ，３ｋＨｚのパルス電圧を１０⁸ 回印加したと
ころ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は０％であ
った。後述する比較例１では、同条件でテストを行なう
と５０％の素子に異常が現われることから、実施例７で
は発熱抵抗体の間に熱膨張率が該発熱抵抗体に近い絶縁
体を形成したため、保護膜が膨れるという異常を示す素
子が少なくなるという本発明の効果が見られた。

【００３８】比較例１ 本発明の実施例１〜実施例７に対する比較例１では、図
９（ａ），（ｂ），（ｃ）に平面図と２方向の断面図を
示したような構造の薄膜抵抗素子を作製した。比較例１
と本発明の実施例１〜実施例７との相違点は、比較例１
には、発熱抵抗体の間に熱膨張率が該発熱抵抗体に近い
絶縁体が形成されていないことである。

【００３９】上記の方法で作成した薄膜抵抗素子に１０
μｓｅｃ，３ｋＨｚのパルス電圧を１０⁸ 回印加したと
ころ、保護膜が膨れる等の異常が現われる率は５０％で
あった。

【００４０】実施例８ 図２は、本発明の実施例８の薄膜抵抗素子の基板作成工
程を示し、図３は、本実施例の薄膜抵抗素子の平面図及
び断面図である。また、図４は、本実施例の薄膜抵抗素
子を用いたインクジェット記録ヘッドＩＪＨの一部の斜
視図及び薄膜抵抗素子付近の断面図、図５はインクジェ
ット記録ヘッドＩＪＨが組み込まれるインクジェットカ
ートリッジＩＪＣの構造説明図である。さらに図６は、
インクジェットカートリッジＩＪＣを、図７に示すイン
クジェット記録装置ＩＪＲＡのキャリッジＨＣに組み付
けた様子を示す図である。

【００４１】以下に、図２〜図７を用いて、本実施例に
よる薄膜抵抗素子の作成工程を説明する。

【００４２】まず、本発明の実施例３と同様にして作成
した薄膜抵抗素子を用意した。

【００４３】次に、前述の薄膜抵抗素子の全面上に第２
の上部保護膜１０として、Ｔａを０．５μｍ厚にマグネ
トロン型ハイレートスパッタ法によって積層した。次
に、第２の上部保護膜１０をフォトリソ工程により、図
２（ａ），（ｂ）に示すような発熱部分２の上部を覆う
パターンに形成した。さらに、第３の上部保護膜９とし
て、感光性ポリイミド（商品名フォトニース）を素子１
の第１保護膜８上に塗布し、フォトリソ工程により図３
（ａ），（ｂ）に示すような回路パターンを形成した。

【００４４】このようにして作成した薄膜抵抗素子１上
に、図４に示すように、厚さ５０μｍの感光性樹脂ドラ
イフィルム１２を積層して、所定のパターンマスクによ
る露光と現像を行なうことにより、液流路２０と共通液
室２１とを形成し、さらにそのフィルム１２上にエポキ
シ系接着剤を介してガラス製の天井板２２を接着積層し
てインクジェット記録ヘッドＩＪＨを作成した。なお、
２３は吐出口、２４はインク流路壁、２５はインク供給
口である。

【００４５】ここで作成した薄膜抵抗素子１の第１保護
膜８は、該素子を用いてインクジェット記録ヘッドＩＪ
Ｈを作製した際に、電極３及び４と発熱抵抗層７の、液
流路２０直下に位置する部分がインクと接触するのを防
ぐ機能を有するものであり、ＳｉＯ₂ ，ＳｉＣあるいは
ＳｉＮなどから形成することができる。また、第２保護
膜１０は耐キャビテーション層であり、Ｔａ以外の金属
薄膜層を用いることもできる。

【００４６】感光性ドライフィルム１２は、液浸透防止
と耐液作用に優れたエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フ
ェノール樹脂等の有機絶縁物から選択した材料などを用
いることができ、インク流路壁２４を形成することによ
って、吐出口２３、液流路２０、発熱抵抗層７の熱発生
部１１を含むインク吐出のための吐出単位がマルチ化し
ている。

【００４７】天井板２２は、各吐出単位における液流路
２０の天井に相当する部分で、ガラス以外でも、金属
板、セラミック、プラスチックなどから形成することが
できる。

【００４８】なお、感光性ドライフィルム１２と天井板
２２の接合には、エポキシ樹脂あるいはシアノアクリレ
ート樹脂などの接着剤を用いた接合等が利用できる。

【００４９】このインクジェット記録ヘッドＩＪＨで
は、発熱抵抗層７に高抵抗で高温安定性に優れる化合物
であるＨｆＢ₂ が用いられているので、該記録ヘッド
は、高密度記録及び高速記録の要求に対して十分対応で
きる構成を有する。

【００５０】また、本発明の記録ヘッドにおける構成
は、上記した例に限定されず、種々の構成を取り得る。
例えば、図示した記録ヘッドは、熱発生部に液体が供給
される方向と、吐出口から液体が吐出される方向とがほ
ぼ同一な構成を有しているが、これらの方向が異なる、
例えばほぼ直角となるような構成を有しても良い。

【００５１】前述の方法で作成したインクジェット記録
ヘッドＩＪＨを、図５に示すようにインクタンクＩＴと
一体になったジェットカートリッジＩＪＣに組み込み、
さらに図６に示すようにキャリッジＨＣに組み付け、図
７に示すインクジェット記録装置ＩＪＲＡを組み立て
た。

【００５２】以下に、インクジェット記録装置の構成に
ついて簡単な説明を行なう。

【００５３】インクジェットユニットＩＪＵは、電気信
号に応じて膜沸騰をインクに対して生じせしめるための
熱エネルギーを生成する電気熱変換体を用いて記録を行
なうバブルジェット方式のユニットである。

【００５４】図５において、２６は薄膜抵抗素子１に対
する配線基板であり、該素子の配線に対応する配線（例
えばワイヤボンディングにより接続される）と、この配
線の端部に位置し本体装置からの電気信号を受けるパッ
ド２７とを有している。

【００５５】２８は配線基板２６の裏面を平面で支持す
る例えば金属製の支持体で、インクジェットユニットＩ
ＪＵの底板となる。２９は押えバネであり、Ｍ字形状で
そのＭ字の中央で共通液室２１を軽圧で押圧すると共に
前だれ部３０で液路の一部、好ましくは吐出口２３近傍
の領域を線圧で集中押圧する。薄膜抵抗素子１及び天井
板２２を押えバネの足部が支持体２８の穴３１を通って
支持体２８の裏面側に係合することでこれらを挟み込ん
だ状態で両者を係合させることにより、押えバネ２９と
その前だれ部３０の集中付勢力によって薄膜抵抗素子１
と天井板２２とを圧着固定する。

【００５６】また支持体２８は、インクタンクＩＴの２
つの位置決め凸起３２及び位置決め且つ熱融着保持用突
起３４，３５（不図示）に係合する位置決め用穴３３，
３６，３７を有する他、装置本体ＩＪＲＡのキャリッジ
ＨＣに対する位置決め用の突起３８，３９を裏面側に有
している。加えて支持体２８はインクタンクＩＴからの
インク供給を可能とするインク供給管４０を貫通可能に
する穴をも有している。支持体２８に対する配線基板２
６の取付けは、接着剤等で貼着して行なわれる。尚、支
持体２８の凹部４２，４２は、それぞれ位置決め用突起
３８，３９の近傍に設けられており、組み立てられたイ
ンクジェットカートリッジＩＪＣにおいて、その周辺の
３辺を平行溝４３，４４の複数で形成されたヘッド先端
域の延長点にあって、ゴミやインク等の不要物が突起３
８，３９に至ることがないように位置している。この平
行溝４３が形成されている蓋部材４５は、図６でわかる
ようにインクジェットカートリッジＩＪＣの外壁を形成
すると共に、インクタンクＩＴとでインクジェットユニ
ットＩＪＵを収納する空間部を形成している。また、こ
の平行溝４４が形成されているインク供給部材４６は、
前述したインク供給管４０に連続するインク導管４７を
供給管４０側が固定の片持ちばりとして形成し、インク
導管４７の固定側とインク供給管４０との毛管現象を確
保するための封止ピン４８が挿入されている。尚、４９
はインクタンクＩＴと供給管４０との結合シールを行な
うパッキン、５０は供給管のタンク側端部に設けられた
フィルターである。

【００５７】このインク供給部材４６は、モールド成型
されているので、安価で位置精度が高く形成製造上の精
度低下を無くしているだけでなく、片持ちばりの導管４
７によって大量生産時においても導管４７の上述インク
受け口２５に対する圧接状態が安定化できる。本例で
は、この圧接状態下で封止用接着剤をインク供給部材側
から流し込むだけで、より完全な連通状態を確実に得る
ことができている。尚、インク供給部材４６の支持体２
８に対する固定は、支持体２８の穴５１，５２に対する
インク供給部材４６の裏面側ピン（不図示）を支持体２
８の穴５１，５２を介して貫通突出せしめ、支持体２８
の裏面側に突出した部分を熱融着することで簡単に行な
われる。尚、この熱融着された裏面部のわずかな突出領
域は、インクタンクＩＴのインクジェットユニットＩＪ
Ｕ取付面側壁面のくぼみ（不図示）内に収められるので
ユニットＩＪＵの位置決め面は正確に得られる。

【００５８】インクタンクＩＴは、カートリッジＩＪＣ
本体５３と、インク吸収体５４をカートリッジ本体５３
の上記ユニットＩＪＵ取付け面とは反対側の側面から挿
入した後、これを封止する蓋部材５５とで構成されてい
る。

【００５９】５４はインクを含浸させるための吸収体で
あり、カートリッジ本体５３内に配置される。５６は上
記ユニットＩＪＵに対してインクを供給するための供給
口であると共に、当該ユニットをカートリッジ本体５３
に配置する前の工程で供給口５６よりインクを注入する
ことにより吸収体５４のインク含浸を行なうための注入
口でもある。

【００６０】この本例では、インクを供給可能な部分
は、大気連通口とこの供給口とになるが、インク吸収体
からのインク供給性を良好に行なうための本体５３内リ
ブ５７と蓋部材５５の部分リブ５８，５９とによって形
成されたタンク内空気存在領域を、大気連通口６０側か
ら連続させてインク供給口５６から最も遠い角部域にわ
たって形成している構成をとっているので、相対的に良
好かつ均一な吸収体へのインク供給は、この供給口５６
側から行なわれることが重要である。なお、６１は大気
連通口６０の内方に配置される撥液材であり、これによ
り大気連通口６０からのインク漏洩が防止される。大気
連通口は突出した形に形成されていて、その内部を空洞
化し、インク吸収体５４に対する大気圧供給空間６２を
形成している。

【００６１】尚、６３はインクタンクＩＴの先端ツバ
で、キャリッジの前板１００の穴に挿入されて、インク
タンクの変位が極端に悪くなるような異変時に対して設
けられている。１０１は、キャリッジに対する抜け止め
で、キャリッジＨＣの不図示のバーにたいして設けら
れ、カートリッジＩＪＣが旋回装着された位置でこのバ
ーの下方に侵入して、不要に位置決め位置から離脱させ
る上方方向へ力が作用しても装着状態を維持するための
保護用部材である。６４はカートリッジＩＪＣの上方面
に設けられたスリットで、ヘッドＩＪＨからの発熱によ
るユニットＩＪＵの昇温を防止しつつもユニットＩＪＵ
全体の温度分布の均一化を環境に左右されないように作
用している。

【００６２】また、インク供給部材４６は、組立後の形
状において、その上面部６５がインクタンクＩＴの屋根
部の端部６７との間にスリットを形成し、下面部６６が
インクタンクＩＴの下方の蓋４５が接着される薄板部材
へのヘッド側端部６８との間に上記スリットと同様のス
リットを形成する。これらのインクタンクＩＴとインク
供給部材４６との間のスリットは、上記スリット６６の
放熱を一層促進させる作用を実質的に行なうとともに、
タンクＩＴへ加わる不要な圧力があってもこれを直接供
給部材、強いては、インクジェットＩＪＵへ及ぼすこと
を防止している。

【００６３】図６において、２００はプラテンローラ
で、記録媒体Ｐを紙面下方から上方へ案内する。キャリ
ッジＨＣは、プラテンローラ２００に沿って移動するも
ので、キャリッジの前方プラテン側にインクジェットカ
ートリッジＩＪＣの前面側に位置する前板１００（厚さ
２ｍｍ）と、カートリッジＩＪＣの配線基板２６のパッ
ド２７に対応するパッド１０２を具備したフレキシブル
シート１０３及びこれを裏面側から各パッド１０２に対
して押圧する弾性力を発生するためのゴムパッドシート
１０３を保持する電気接続用支持板１０４と、インクジ
ェットカートリッジＩＪＣを記録位置へ固定するための
位置決め用フック１０５とが設けられている。前板１０
０は位置決め用突出面１０６をカートリッジの支持体２
８の前述した位置決め突起３８，３９に夫々対応して２
個有し、カートリッジの装着後はこの突出面１０６に向
かう垂直な力を受ける。このため、補強用のリブが前板
のプラテンローラ側に、その垂直な力の方向に向かって
いるリブ（不図示）を複数有している。このリブは、カ
ートリッジＩＪＣ装着時の前面位置Ｌよりもわずかに
（約０．１ｍｍ程度）プラテンローラ側に突出している
ヘッド保護用突出部をも形成している。電気接続用支持
板１０４は、補強用リブ１０７を前記リブの方向ではな
く垂直方向に複数有し、プラテン側からフック１０５側
に向かって側方への突出割合が減じられている。これ
は、カートリッジ装着時の位置を図のように傾斜させる
ための機能も果たしている。又、支持板１０４は電気的
接触状態を安定化するため、上記２つの位置決め用突出
面１０６がカートリッジに及ぼす作用方向と逆方向に、
カートリッジへの作用力を及ぼすためのフック側の位置
決め面１０８を突出面１０６に対応して２個有し、これ
らの間にパッドコンタクト域を形成すると共にパッド１
０２対応のボッチ付ゴムシート１０３のボッチの変形量
を一義的に規定する。これらの位置決め面は、カートリ
ッジＩＪＣが記録可能な位置に固定されると、配線基板
２６の表面に当接した状態となる。

【００６４】フック１０５は、固定軸１０９に係合する
長穴を有し、この長穴の移動空間を利用して図の位置か
ら反時計方向に回動した後、プラテンローラ２００に沿
って左方側へ移動することでキャリッジＨＣに対するイ
ンクジェットカートリッジＩＪＣの位置決めを行なう。
このフック１０５の移動はどのようなものでも良いが、
レバー等で行なえる構成が好ましい。いずれにしてもこ
のフック１０５の回動時にカートリッジＩＪＣはプラテ
ンローラ側へ移動しつつ位置決め突起３８，３９が前板
の位置決め面１０６に当接可能な位置へ移動し、フック
１０５の左方側移動によって９０°のフック面１１０が
カートリッジＩＪＣの爪６９の９０°面に密着しつつカ
ートリッジＩＪＣを位置決め面３８，１０６どうしの接
触域を中心に水平面内で旋回して最終的にパッド２７，
１０２どうしの接触が始まる。そしてフック１０５が所
定位置、即ち固定位置に保持されると、パッド２７，１
０２どうしの完全接触状態と、位置決め面３８，１０６
どうしの完全面接触と、９０度面１１０と爪６９の９０
度面の２面接触と、配線基板２６と位置決め面１０８と
の面接触とが同時に形成されてキャリッジに対するカー
トリッジＩＪＣの保持が完了する。

【００６５】図７は本発明が適用されるインクジェット
記録装置ＩＪＲＡの概観図で、駆動モータ２１３の正逆
回転に連動して駆動力伝達ギア２０９，２１１を介して
回転するリードスクリュー２０４の螺旋溝２０５に対し
て係合するキャリッジＨＣは、矢印ａ，ｂ方向に往復移
動される。２０２は紙押え板であり、キャリッジ移動方
向にわたって紙をプラテン２００に対して押圧する。２
０７，２０８はフォトカプラでキャリッジのレバー２０
６のこの域での存在を確認してモータ２１３の回転方向
切換等を行なうためのホームポジション検知手段であ
る。２１６は記録ヘッドの前面をキャップするキャップ
部材２２２を支持する部材で、２１５はこのキャップ内
を吸引する吸引手段でキャップ内開口２２３を介して記
録ヘッドの吸引回復を行なう。２１７はクリーニングブ
レードで、２１９はこのブレードを前後方向に移動可能
にする部材であり、本体支持板２１８にこれらは支持さ
れている。ブレードは、この形態でなく周知のクリーニ
ングブレードが本例に適用できることはいうまでもな
い。又、２１２は、吸引回復の吸引を開始するためのレ
バーでキャリッジと係合するカム２２０の移動に伴って
移動し、駆動モータからの駆動力がクラッチ切換等の公
知の伝達手段で移動制御される。

【００６６】これらのキャッピング、クリーニング、吸
引回復は、キャリッジがホームポジション側領域にきた
時にリードスクリュー２０４の作用によってそれらの対
応位置で所望の処理が行なえるように構成されている
が、周知のタイミングで所望の作動を行なうようにすれ
ば、本例は何れも適用できる。上述における各構成は単
独でも複合的に見ても優れた構成であり、本発明にとっ
て好ましい構成例を示している。

【００６７】上記の方法で作成した薄膜抵抗素子を使用
したインクジェット記録装置を用いて、該薄膜抵抗素子
に１０⁸ 回の電気パルスを加えたのに等しい記録を行な
い、２０個の薄膜抵抗素子について異常発生率を調べ
た。ただし、キャリッジＨＣとインクジェット記録装置
ＩＪＲＡの本体は共通の物を用い、インクジェットカー
トリッジＩＪＣのみを交換した。その結果、該薄膜抵抗
素子のうち、保護膜が膨れる等の異常を示したのは０％
であった。後述する比較例２では、同条件でテストを行
なうと６０％の素子に異常が現われることから、第８実
施例では発熱抵抗体の間に熱膨張率が該発熱抵抗体に近
い絶縁体を形成したため、保護膜が膨れるという異常を
示す素子が少なくなるという本発明の効果が見られた。

【００６８】本発明は、特にインクジェット記録方式の
中でもバブルジェット方式の記録ヘッド、記録装置にお
いて、優れた効果をもたらすものである。

【００６９】その代表的な構成や原理については、例え
ば、米国特許第４７２３１２９号明細書、同第４７４０
７９６号明細書に開示されている基本的な原理を用いて
行なうものが好ましい。この方式は所謂オンデマンド
型、コンティニュアス型のいずれにも適用可能である
が、特に、オンデマンド型の場合には、液体（インク）
が保持されているシートや液路に対応して配置されてい
る電気熱変換体に、記録情報に対応していて核沸騰を越
える急速な温度上昇を与える少なくとも一つの駆動信号
を印加することによって、電気熱変換体に熱エネルギー
を発生せしめ、記録ヘッドの熱作用面に膜沸騰させて、
結果的にこの駆動信号に一対一対応して液体（インク）
内の気泡を形成できるので有効である。この気泡の成
長、収縮により吐出用開口部を介して液体（インク）を
吐出させて、少なくとも一つの滴を形成する。この駆動
信号をパルス形状とすると、即時適切に気泡の成長収縮
が行なわれるので、特に応答性に優れた液体（インク）
の吐出が達成でき、より好ましい。このパルス形状の駆
動信号としては、米国特許第４４６３３５９号明細書、
同第４３４５２６２号明細書に記載されているようなも
のが適している。尚、上記熱作用面の温度上昇率に関す
る発明の米国特許第４３１３１２４号明細書に記載され
ている条件を採用すると、更に優れた記録を行なうこと
ができる。

【００７０】記録ヘッドの構成としては、上述の各明細
書に開示されているような吐出口、液路、電気熱変換体
の組合せ構成（直線状液流路又は直角液流路）の他に熱
作用部が屈曲する領域に配置されている構成を開示する
米国特許第４５５８３３３号明細書、米国特許第４４５
９６００号明細書を用いた構成も本発明に含まれるもの
である。加えて、複数の電気熱変換体に対して、共通す
るスリットを電気熱変換体の吐出部とする構成を開示す
る特開昭５９年第１２３６７０号公報や熱エネルギーの
圧力波を吸収する開孔を吐出部に対応せる構成を開示す
る特開昭５９年第１３８４６１号公報に基づいた構成と
しても本発明は有効である。

【００７１】更に、記録装置が記録できる最大記録媒体
の幅に対応した長さを有するフルラインタイプの記録ヘ
ッドとしては、上述した明細書に開示されているような
複数記録ヘッドの組合せによって、その長さを満たす構
成や一体的に形成された一個の記録ヘッドとしての構成
のいずれでも良いが、本発明は、上述した効果を一層有
効に発揮することができる。

【００７２】加えて、装置本体に装着されることで、装
置本体との電気的な接続や装置本体からのインクの供給
が可能になる交換自在のチップタイプの記録ヘッド、あ
るいは記録ヘッド自体に一体的に設けられたカートリッ
ジタイプの記録ヘッドを用いた場合にも本発明は有効で
ある。

【００７３】又、本発明の記録装置の構成として設けら
れる、記録ヘッドに対しての回復手段、予備的な補助手
段等を付加することは本発明の効果を一層安定できるの
で好ましいものである。これらを具体的に挙げれば、記
録ヘッドに対しての、キャッピング手段、クリーニング
手段、加圧或は吸引手段、電気熱変換体或はこれとは別
の加熱素子或はこれらの組合せによる予備加熱手段、記
録とは別の吐出を行なう予備吐出モードを行なうことも
安定した記録を行なうために有効である。

【００７４】更に、記録装置の記録モードとしては黒色
等の主流色のみの記録モードだけではなく、記録ヘッド
を一体的に構成するか複数個の組合せによってでもよい
が、異なる色の複色カラー又は、混色によるフルカラー
の少なくとも一つを備えた装置にも本発明は極めて有効
である。

【００７５】実施例９ 本発明の実施例９では、実施例４と同方法で薄膜抵抗素
子を作成し、該薄膜抵抗素子を用いて実施例８と同じ構
成のインクジェットカートリッジＩＪＣを２０個作成し
た。

【００７６】上記の方法で作成した２０個のインクジェ
ットカートリッジＩＪＣについて、実施例８で使用した
インクジェット記録装置ＩＪＲＡを使用して、該薄膜抵
抗素子に１０⁸ 回の電気パルスを加えたのに等しい記録
を行ない、各カートリッジの薄膜抵抗素子について異常
発生率を調べた。その結果、該薄膜抵抗素子のうち、保
護膜が膨れる等の異常を示したのは０％であった。後述
する比較例２では、同条件でテストを行なうと６０％の
素子に異常が現われることから、実施例９では発熱抵抗
体の間に熱膨張率が該発熱抵抗体に近い絶縁体を形成し
たため、保護膜が膨れるという異常を示す素子が少なく
なるという本発明の効果が見られた。

【００７７】実施例１０ 本発明の実施例１０では、実施例９と同様にして薄膜抵
抗素子を作成し、該薄膜抵抗素子を用いて実施例８と同
じ構成のインクジェットカートリッジＩＪＣを２０個作
成した。ただし、実施例９と異なり、絶縁層１４の材料
であるＳｉＯ₂とソーダガラスの混合比は、熱膨張率が
５．３×１０^-6℃^-1になるよう、１：１になるように成
膜した。なお、前記熱膨張率は電極であるＨｆＢ₂ の熱
膨張率に対する比が１．０になる。

【００７８】上記の方法で作成した２０個のインクジェ
ットカートリッジＩＪＣについて、実施例８で使用した
インクジェット記録装置ＩＪＲＡを使用して、該薄膜抵
抗素子に１０⁸ 回の電気パルスを加えたのに等しい記録
を行ない、各カートリッジの薄膜抵抗素子について異常
発生率を調べた。その結果、該薄膜抵抗素子のうち、保
護膜が膨れる等の異常を示したのは０％であった。後述
する比較例２では、同条件でテストを行なうと６０％の
素子に異常が現われることから、実施例１０では発熱抵
抗体の間に熱膨張率が該発熱抵抗体に近い絶縁体を形成
したため、保護膜が膨れるという異常を示す素子が少な
くなるという本発明の効果が見られた。 比較例２ 本発明の実施例８〜実施例１０に対する比較例２では、
比較例１と同方法で薄膜抵抗素子を作成し、該薄膜抵抗
素子を用いて実施例８と同じ構成のインクジェットカー
トリッジＩＪＣを２０個作成した。

【００７９】上記の方法で作成した２０個のインクジェ
ットカートリッジＩＪＣについて、実施例８で使用した
インクジェット記録装置ＩＪＲＡを使用して、該薄膜抵
抗素子に１０⁸ 回の電気パルスを加えたのに等しい記録
を行ない、各カートリッジの薄膜抵抗素子について異常
発生率を調べた。その結果、該薄膜抵抗素子のうち、保
護膜が膨れる等の異常を示したのは６０％であった。

【００８０】以上実施例及び比較例をあげたが、表１に
これらの諸例における発明の効果の有無をまとめた。

【００８１】

【表１】

【００８２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、２
つ以上の発熱抵抗体の上部に、電気絶縁体からなる保護
膜を有する薄膜抵抗素子において、該保護膜が何らかの
理由により、変形しやすい場合であっても、該発熱抵抗
体の熱膨張率と該発熱抵抗体に挟まれる絶縁体領域の熱
膨張率が近い値になるように薄膜抵抗素子を作成するこ
とによって、保護層の異常発生率、すなわち該素子を用
いたインクジェットカートリッジの不良品率を下げるこ
とができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１〜７において作成した薄膜抵
抗素子の平面図（ａ）と２方向の断面図（ｂ），（ｃ）
である。

【図２】本発明の実施例８〜１０の薄膜抵抗素子の基板
作成工程を示す図である。

【図３】本発明の実施例８〜１０において作成した薄膜
抵抗素子の平面図（ａ）と断面図（ｂ）である。

【図４】本発明の薄膜抵抗素子を用いたインクジェット
記録ヘッドＩＪＨの一部の斜視図及び薄膜抵抗素子付近
の断面図である。

【図５】インクジェット記録ヘッドＩＪＨが組み込まれ
るインクジェットカートリッジＩＪＣの構造説明図であ
る。

【図６】インクジェットカートリッジＩＪＣを、図７に
示すインクジェット記録装置ＩＪＲＡのキャリッジＨＣ
に組み付けた様子を示す図である。

【図７】インクジェット記録装置ＩＪＲＡの全体図であ
る。

【図８】本発明の薄膜抵抗素子において保護膜の変形が
発生しにくい理由を示す図である。

【図９】従来の薄膜抵抗素子の平面図（ａ）と２方向の
断面図（ｂ），（ｃ）である。

【図１０】従来の薄膜抵抗素子の保護膜変形の様子を示
す図である。

【図１１】従来の薄膜抵抗素子の保護膜変形の様子を示
す図である。

【符号の説明】

１ 薄膜抵抗素子（全体） ２ 発熱部分 ３ 電極（共通電極） ４ 電極（選択電極） ５ 素子支持体 ６ 下部層 ７ 発熱抵抗層（発熱抵抗体） ８ 保護膜（又は第１保護膜） ９ 第３保護膜 １０ 第２保護膜 １１ 熱発生部 １２ 感光性ドライフィルム １３ 剥離部 １４ 絶縁層 ２０ 液流路 ２１ 共通液室 ２２ 天井板 ２３ 吐出口 ２４ インク流路壁 ２５ インク供給口 ２６ 配線基板 ２７ パッド ２８ 支持体 ２９ 押えバネ ３０ 押えバネ前だれ部 ３１ 支持体２８の穴 ３２ インクタンクＩＴの位置決め突起 ３３，３６，３７ インクタンクＩＴの位置決め且つ
熱融着保持用穴 ３４，３５ インクタンクＩＴの位置決め且つ熱融着
保持用突起 ３８，３９ キャリッジＨＣに対する位置決め突起 ４０ インク供給管 ４１ インク供給管貫通穴 ４２ 支持体２８の凹部 ４３，４４ 平行溝 ４５ 蓋 ４６ インク供給部材 ４７ インク導管 ４８ 封止ピン ４９ パッキン ５０ フィルター ５１，５２ 支持体２８の穴 ５３ インクジェットカートリッジＩＪＣ ５４ インク吸収体 ５５ 蓋部材 ５６ インク供給口 ５７ リブ ５８，５９ 部分リブ ６０ 大気連通口 ６１ 撥液材 ６２ 大気圧供給空間 ６３ ツバ ６４ スリット ６５ インク供給部材の上面部 ６６ インク供給部材の下面部 ６７ インクタンクＩＴの屋根部の端部 ６８ インクジェット記録ヘッドＩＪＨの側端部 ６９ インクジェットカートリッジＩＪＣの爪 １００ キャリッジＨＣの前板 １０１ キャリッジＨＣに対する抜け止め １０２ パッド １０３ フレキシブルシート １０４ 電気接続用支持板 １０５ 位置決め用フック １０６ 位置決め用突出面 １０７ 補強用リブ １０８ フック側の位置決め面 １０９ 固定軸 １１０ ９０°のフック面 ２００ プラテンローラ ２０２ 紙押え板 ２０４ リードスクリュー ２０５ 螺旋溝 ２０６ キャリッジＨＣのレバー ２０７，２０８ フォトカプラ ２０９，２１１ 駆動力伝達ギア ２１２ 吸引開始レバー ２１３ 駆動モータ ２１５ キャップ内吸引機構 ２１６ キャップ支持部材 ２１７ クリーニングブレード ２１８ 本体支持板 ２１９ ブレード移動部材 ２２０ カム ２２２ キャップ ２２３ キャップ内開口 Ｐ 記録媒体 Ｌ インクジェットカートリッジＩＪＣ装着時の前面
位置

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２つ以上の発熱抵抗体の上部に、電気絶
   縁体からなる保護膜を有する薄膜抵抗素子において、発
   熱抵抗体の熱膨張率を１としたとき、該発熱抵抗体に挟
   まれる絶縁体領域の熱膨張率が０．５０以上２．０以下
   であることを特徴とする薄膜抵抗素子。
2. 【請求項２】 請求項１記載の発熱抵抗体に挟まれる絶
   縁体領域が、熱膨張率の異なる２種類以上の材料の混合
   物であることを特徴とする薄膜抵抗素子。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の発熱抵抗体に挟ま
   れる絶縁体領域の熱膨張率が、該発熱抵抗体の熱膨張率
   を１としたとき、０．６７以上１．５以下である薄膜抵
   抗素子。
4. 【請求項４】 請求項１又は２記載の発熱抵抗体に挟ま
   れる絶縁体領域の熱膨張率が、該発熱抵抗体の熱膨張率
   を１としたとき、０．７７以上１．３以下である薄膜抵
   抗素子。
5. 【請求項５】 前記発熱抵抗体が、ＨｆＢ₂ である請求
   項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜抵抗素子。
6. 【請求項６】 前記保護膜がＳｉＯ₂ である請求項１〜
   ４のいずれか１項に記載の薄膜抵抗素子。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の薄
   膜抵抗素子とインクを吐出するためのインク流路を有
   し、前記薄膜抵抗素子を用いてインクを加熱することに
   よって該インクを吐出することを特徴とするインクジェ
   ットヘッド。
8. 【請求項８】 請求項７記載のインクジェットヘッドを
   搭載したインクジェット記録装置。