JPH06196456A - ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法 - Google Patents
ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法Info
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- JPH06196456A JPH06196456A JP34296392A JP34296392A JPH06196456A JP H06196456 A JPH06196456 A JP H06196456A JP 34296392 A JP34296392 A JP 34296392A JP 34296392 A JP34296392 A JP 34296392A JP H06196456 A JPH06196456 A JP H06196456A
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- polishing
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法に関し，
ウエハ或いはウエハ上に形成されたパターンの加工精度
を上げる。 【構成】 緩衝板２を介して研磨すべきウエハ３を保持
するホルダ１と, ホルダ１に一面を固定され, 一面の反
対側の面に研磨すべきウエハ３が張り付けられる緩衝板
２と, ホルダ１に取り付けられ，一面に垂直な方向に長
い複数のピン４と, 複数のピン４を垂直な方向に移動し
てピンの先端を一面に接触させ, 一面に圧力を印加する
ピン移動手段５と, 複数のピン４の移動方向に配置さ
れ, 緩衝板２に埋め込まれた複数の圧力センサ６とを有
するウエハ研磨装置である。また，このウエハ研磨装置
を用い，予備的に研磨し複数の圧力センサ６に生じる圧
力を調節した後，ウエハ３の研磨を行うウエハの研磨方
法である。また，前記緩衝板２は高分子物質からなる。
ウエハ或いはウエハ上に形成されたパターンの加工精度
を上げる。 【構成】 緩衝板２を介して研磨すべきウエハ３を保持
するホルダ１と, ホルダ１に一面を固定され, 一面の反
対側の面に研磨すべきウエハ３が張り付けられる緩衝板
２と, ホルダ１に取り付けられ，一面に垂直な方向に長
い複数のピン４と, 複数のピン４を垂直な方向に移動し
てピンの先端を一面に接触させ, 一面に圧力を印加する
ピン移動手段５と, 複数のピン４の移動方向に配置さ
れ, 緩衝板２に埋め込まれた複数の圧力センサ６とを有
するウエハ研磨装置である。また，このウエハ研磨装置
を用い，予備的に研磨し複数の圧力センサ６に生じる圧
力を調節した後，ウエハ３の研磨を行うウエハの研磨方
法である。また，前記緩衝板２は高分子物質からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウエハ研磨装置及びウエ
ハ研磨方法に関する。近年，ＵＬＳＩ製造において，高
集積化するに従い，シリコンウエハの平面度の高精度化
が要求されるようになってきている。現状のポリシング
後のウエハの平面度は，例えば６インチウエハでは２μ
ｍ程度である。また，１露光範囲である１５mm□内の平
面度は 0.35 μｍ程度が限度である。
ハ研磨方法に関する。近年，ＵＬＳＩ製造において，高
集積化するに従い，シリコンウエハの平面度の高精度化
が要求されるようになってきている。現状のポリシング
後のウエハの平面度は，例えば６インチウエハでは２μ
ｍ程度である。また，１露光範囲である１５mm□内の平
面度は 0.35 μｍ程度が限度である。
【０００２】一方，ＵＬＳＩ用ＳＯＩ膜になると，0.1
μｍの厚さのシリコン膜をポリシング加工する必要があ
る。いずれにしろ，ＵＬＳＩ製造において，ウエハの平
面加工は0.1 μｍ程度の精度が必要である。
μｍの厚さのシリコン膜をポリシング加工する必要があ
る。いずれにしろ，ＵＬＳＩ製造において，ウエハの平
面加工は0.1 μｍ程度の精度が必要である。
【０００３】
【従来の技術】図５はポリシング装置の従来例を説明す
るための断面図で，31はウエハ, 32は上定盤, 33は下定
盤, 34は研磨布, 35はノズル, 36はポリシング液を表
す。
るための断面図で，31はウエハ, 32は上定盤, 33は下定
盤, 34は研磨布, 35はノズル, 36はポリシング液を表
す。
【０００４】ウエハ31は例えば接着剤で上定盤32に張り
付けられる。下定盤33上には研磨布34が張られる。上定
盤32と下定盤33は，それぞれ，独立に回転している。上
から力Ｐでウエハ31を研磨布34に押しつけ, ノズル35か
らポリシング液36を研磨布34へかけながらポリシングす
る。上定盤32は回転しながら左右に揺動する構造のもの
が一般である。
付けられる。下定盤33上には研磨布34が張られる。上定
盤32と下定盤33は，それぞれ，独立に回転している。上
から力Ｐでウエハ31を研磨布34に押しつけ, ノズル35か
らポリシング液36を研磨布34へかけながらポリシングす
る。上定盤32は回転しながら左右に揺動する構造のもの
が一般である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上定盤32及び下定盤33
の平面度はポリシング後のウエハ31の平面度に影響する
が，上定盤32及び下定盤33の平面度を１〜２μｍ以下に
しても，ウエハ31の平面度は６インチウエハで２μｍ以
下のものはできにくい。
の平面度はポリシング後のウエハ31の平面度に影響する
が，上定盤32及び下定盤33の平面度を１〜２μｍ以下に
しても，ウエハ31の平面度は６インチウエハで２μｍ以
下のものはできにくい。
【０００６】この平面度の精度には両定盤の回転に起因
するポリシング液36の回り方の不均一性が影響し，ポリ
シング装置の微妙なくせにより，どうしても仕上がった
ウエハが中凹みや中凸の状態になる。
するポリシング液36の回り方の不均一性が影響し，ポリ
シング装置の微妙なくせにより，どうしても仕上がった
ウエハが中凹みや中凸の状態になる。
【０００７】本発明は上記の問題に鑑み，ポリシング時
にウエハに印加する圧力を場所毎に調整することによ
り，ポリシング後のウエハの平面度を上げることを可能
にしたウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法を提供するこ
とを目的とする。
にウエハに印加する圧力を場所毎に調整することによ
り，ポリシング後のウエハの平面度を上げることを可能
にしたウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は実施例を説明する
ための側面図である。上記課題は，緩衝板２を介して研
磨すべきウエハ３を保持するホルダ１と, 該ホルダ１に
一面を固定され, 該一面の反対側の面に研磨すべきウエ
ハ３が張り付けられる緩衝板２と, 該ホルダ１に取り付
けられ，該一面に垂直な方向に長い複数のピン４と, 該
複数のピン４を該垂直な方向に移動してピンの先端を該
一面に接触させ, 該一面に圧力を印加するピン移動手段
５と, 該複数のピン４の移動方向に配置され, 該緩衝板
２に埋め込まれた複数の圧力センサ６とを有するウエハ
研磨装置によって解決される。
ための側面図である。上記課題は，緩衝板２を介して研
磨すべきウエハ３を保持するホルダ１と, 該ホルダ１に
一面を固定され, 該一面の反対側の面に研磨すべきウエ
ハ３が張り付けられる緩衝板２と, 該ホルダ１に取り付
けられ，該一面に垂直な方向に長い複数のピン４と, 該
複数のピン４を該垂直な方向に移動してピンの先端を該
一面に接触させ, 該一面に圧力を印加するピン移動手段
５と, 該複数のピン４の移動方向に配置され, 該緩衝板
２に埋め込まれた複数の圧力センサ６とを有するウエハ
研磨装置によって解決される。
【０００９】また，前記のウエハ研磨装置を使用して，
該緩衝板２に研磨すべきウエハ３を張り付け，研磨すべ
き面を予備的に研磨した後該複数の圧力センサ６に生じ
る圧力を検出し, 該圧力に応じて該複数のピン４を移動
して, 移動後に生じる複数の圧力センサ６の圧力を調節
し, その後ウエハ３の研磨を行うウエハの研磨方法によ
って解決される。
該緩衝板２に研磨すべきウエハ３を張り付け，研磨すべ
き面を予備的に研磨した後該複数の圧力センサ６に生じ
る圧力を検出し, 該圧力に応じて該複数のピン４を移動
して, 移動後に生じる複数の圧力センサ６の圧力を調節
し, その後ウエハ３の研磨を行うウエハの研磨方法によ
って解決される。
【００１０】また，前記緩衝板２が高分子物質からなる
前記のウエハ研磨装置によって解決される。
前記のウエハ研磨装置によって解決される。
【００１１】
【作用】研磨加工量はウエハにかかる圧力により変化す
ることは周知である。本発明では，加工するウエハ３の
複数箇所に複数のピン４を接触させ，そのピンを面と垂
直な方向に移動することにより，ウエハ３にかかる圧力
を複数箇所で調整することにより，研磨後のウエハ３の
平面度を上げている。しかし，ピン４を直接ウエハ３に
接触させて圧力を印加すると，圧力はピン４下のウエハ
３の狭い部分にしか印加されないので，ピン４とウエハ
３の間に緩衝板２を介在させ，圧力の影響がピン４の周
囲に広く及ぶようにしている。要求される平面度の精度
に応じて，複数のピン４のピッチ，緩衝板２の厚さと硬
さ，各ピン４からウエハ３に印加される圧力の大きさを
調整すれば，研磨後のウエハの平面度を上げ，所望の精
度に加工することができる。
ることは周知である。本発明では，加工するウエハ３の
複数箇所に複数のピン４を接触させ，そのピンを面と垂
直な方向に移動することにより，ウエハ３にかかる圧力
を複数箇所で調整することにより，研磨後のウエハ３の
平面度を上げている。しかし，ピン４を直接ウエハ３に
接触させて圧力を印加すると，圧力はピン４下のウエハ
３の狭い部分にしか印加されないので，ピン４とウエハ
３の間に緩衝板２を介在させ，圧力の影響がピン４の周
囲に広く及ぶようにしている。要求される平面度の精度
に応じて，複数のピン４のピッチ，緩衝板２の厚さと硬
さ，各ピン４からウエハ３に印加される圧力の大きさを
調整すれば，研磨後のウエハの平面度を上げ，所望の精
度に加工することができる。
【００１２】複数のピン４下の緩衝板２に圧力センサ６
を埋め込んであるので，ピン４から印加される圧力の大
きさを知ることができる。予備的研磨により各圧力セン
サ６に生じた圧力を検出し，例えば各圧力センサ６に生
じる圧力が等しくなるように各ピン４を移動し，その後
ウエハ研磨を行うようにすれば，ウエハ３の研磨後の平
面度を上げることができる。
を埋め込んであるので，ピン４から印加される圧力の大
きさを知ることができる。予備的研磨により各圧力セン
サ６に生じた圧力を検出し，例えば各圧力センサ６に生
じる圧力が等しくなるように各ピン４を移動し，その後
ウエハ研磨を行うようにすれば，ウエハ３の研磨後の平
面度を上げることができる。
【００１３】また，各圧力センサに生じた圧力と研磨後
のウエハの平面度の関係を種々の場合について予め調査
し，そのデータを蓄えておけば，その後のウエハ研磨を
能率的に行うことができる。
のウエハの平面度の関係を種々の場合について予め調査
し，そのデータを蓄えておけば，その後のウエハ研磨を
能率的に行うことができる。
【００１４】また，前記緩衝板２の材料としては高分子
物質が弾性及び硬さの点から適当であり，金属材料やセ
ラミック材料は望ましくない。
物質が弾性及び硬さの点から適当であり，金属材料やセ
ラミック材料は望ましくない。
【００１５】
【実施例】図１は実施例を説明するための側面図，図２
はピンの配置を示す平面図，図３は圧力センサの特性を
示す図である。以下，これらの図を参照しながら実施例
について説明する。
はピンの配置を示す平面図，図３は圧力センサの特性を
示す図である。以下，これらの図を参照しながら実施例
について説明する。
【００１６】本発明ではウエハ３を固定するホルダ（上
定盤）１に工夫がこらされている。ウエハ３は例えば６
インチＳｉウエハであり，緩衝板２に張り付けられる。
緩衝板２は例えば厚さ数mmの硬質ゴムであり，ウエハ３
は張付け面2aに水の表面張力により張りついている。ウ
エハ３にかかる横方向の力はガイド10で受け止められる
ので，ウエハ３は横方向に移動しない。
定盤）１に工夫がこらされている。ウエハ３は例えば６
インチＳｉウエハであり，緩衝板２に張り付けられる。
緩衝板２は例えば厚さ数mmの硬質ゴムであり，ウエハ３
は張付け面2aに水の表面張力により張りついている。ウ
エハ３にかかる横方向の力はガイド10で受け止められる
ので，ウエハ３は横方向に移動しない。
【００１７】ホルダ１には複数の金属製のピン４が取り
付けられている。その配置は図２に示すように格子状で
あって，縦及び横のピッチは共に例えば１０mmである。
一方ピン４には, ねじ11と板12に形成されためねじと回
り止め13を合わせた作動ねじが接続されている。14はね
じのバックラッシュをとるばねである。ピン４の上下方
向の移動は，アクチュエータ５でねじ11に左右の回転を
与えることにより行われる。
付けられている。その配置は図２に示すように格子状で
あって，縦及び横のピッチは共に例えば１０mmである。
一方ピン４には, ねじ11と板12に形成されためねじと回
り止め13を合わせた作動ねじが接続されている。14はね
じのバックラッシュをとるばねである。ピン４の上下方
向の移動は，アクチュエータ５でねじ11に左右の回転を
与えることにより行われる。
【００１８】緩衝板２中のピン４下の位置には圧力セン
サ６が埋め込まれている。圧力センサ６は例えば導電性
ゴムの板に電極をつけたもので，圧力をかけた時に抵抗
値が変化する。図３は圧力センサの特性の一例を示す図
である。圧力を例えば200 〜400 ｇと変化すると，それ
に対応して抵抗値は１ｋΩ〜 500Ωと変化する。ピン４
の移動距離と抵抗値，さらに緩衝板２のウエハ３が張り
付けられた面の移動距離の間には対応関係がある。定性
的には，ピン４の移動距離が大きくなると抵抗値は減少
し緩衝板２のウエハ３が張り付けられた面の移動距離が
大きくなる。
サ６が埋め込まれている。圧力センサ６は例えば導電性
ゴムの板に電極をつけたもので，圧力をかけた時に抵抗
値が変化する。図３は圧力センサの特性の一例を示す図
である。圧力を例えば200 〜400 ｇと変化すると，それ
に対応して抵抗値は１ｋΩ〜 500Ωと変化する。ピン４
の移動距離と抵抗値，さらに緩衝板２のウエハ３が張り
付けられた面の移動距離の間には対応関係がある。定性
的には，ピン４の移動距離が大きくなると抵抗値は減少
し緩衝板２のウエハ３が張り付けられた面の移動距離が
大きくなる。
【００１９】ピン４の移動距離と導電性ゴムのウエハ３
の張りついた面の移動距離は等しくない。通常，硬質の
導電性ゴムを緩衝板２に使用する時，ウエハ３の張りつ
いた面の移動距離は，ピン４の移動距離の数分の１から
十分の１程度である。その代わり，ピン４に圧せられた
場所を中心としてその周囲にもある範囲にわたって移動
が生じる。したがって，ピン４を例えば数μｍ移動して
圧力を増加したとすると，移動しない場合に比較してピ
ン４の移動量の数分の１から十分の１程度余計にポリシ
ングされる。
の張りついた面の移動距離は等しくない。通常，硬質の
導電性ゴムを緩衝板２に使用する時，ウエハ３の張りつ
いた面の移動距離は，ピン４の移動距離の数分の１から
十分の１程度である。その代わり，ピン４に圧せられた
場所を中心としてその周囲にもある範囲にわたって移動
が生じる。したがって，ピン４を例えば数μｍ移動して
圧力を増加したとすると，移動しない場合に比較してピ
ン４の移動量の数分の１から十分の１程度余計にポリシ
ングされる。
【００２０】もしも緩衝板２として金属板を用いたとす
ると，ピン４の移動距離とウエハ３の張りついた面の移
動距離はほとんど等しくなり，ウエハ３上にピン４の跡
が生じて緩衝板としての役目を果たさない。緩衝板２を
構成する材料は高分子物質がよいが，緩衝板２としての
適当な弾性と硬さは予め調査しておく。
ると，ピン４の移動距離とウエハ３の張りついた面の移
動距離はほとんど等しくなり，ウエハ３上にピン４の跡
が生じて緩衝板としての役目を果たさない。緩衝板２を
構成する材料は高分子物質がよいが，緩衝板２としての
適当な弾性と硬さは予め調査しておく。
【００２１】ポリシング中，圧力センサ６からの信号と
アクチュエータ５からのピン４の移動距離の信号は制御
装置７に伝達され，さらに例えばＲＣ２３２Ｃを用いる
無線装置８等により外部の制御部９に伝達される。これ
は回転部分を持つポリシング装置を外部の制御部と有線
でつなぐのは困難が伴うので，無線で交信するのであ
る。さらに，ポリシング装置の回転する部分への電気の
供給は，通常のブラシにより行う。
アクチュエータ５からのピン４の移動距離の信号は制御
装置７に伝達され，さらに例えばＲＣ２３２Ｃを用いる
無線装置８等により外部の制御部９に伝達される。これ
は回転部分を持つポリシング装置を外部の制御部と有線
でつなぐのは困難が伴うので，無線で交信するのであ
る。さらに，ポリシング装置の回転する部分への電気の
供給は，通常のブラシにより行う。
【００２２】このポリシング装置により，ウエハ３とし
て６インチＳｉウエハの張り合わせＳＯＩ基板を例にと
り，絶縁膜上の素子基板を例えば１μｍから5000Åの厚
さにポリシングするものとする。ポリシング面となる素
子基板を下にして緩衝板２に張り付け，下定盤（図示せ
ず）に素子基板を接触させる。まず，ノズルからポリシ
ング面に純水を供給しながら上定盤（ホルダ１）と下定
盤を回転して，各圧力センサ６に生じる抵抗値を制御装
置７により読み取る。一般に各圧力センサ６により抵抗
値は異なるが，各ピン４に接続するアクチュエータ７を
駆動して，どの圧力センサにおいても抵抗値が例えば 7
00Ωとなるようにアクチュエータ７駆動の向きと量を定
めて，各ピンの高さを調整する。
て６インチＳｉウエハの張り合わせＳＯＩ基板を例にと
り，絶縁膜上の素子基板を例えば１μｍから5000Åの厚
さにポリシングするものとする。ポリシング面となる素
子基板を下にして緩衝板２に張り付け，下定盤（図示せ
ず）に素子基板を接触させる。まず，ノズルからポリシ
ング面に純水を供給しながら上定盤（ホルダ１）と下定
盤を回転して，各圧力センサ６に生じる抵抗値を制御装
置７により読み取る。一般に各圧力センサ６により抵抗
値は異なるが，各ピン４に接続するアクチュエータ７を
駆動して，どの圧力センサにおいても抵抗値が例えば 7
00Ωとなるようにアクチュエータ７駆動の向きと量を定
めて，各ピンの高さを調整する。
【００２３】この調整が終わると，純水をポリシング液
に変えて本番のポリシングを行う。ポリシング時間とポ
リシング量の関係は，予め圧力をパラメータとして調べ
ておき，ポリシングの終了は時間で管理する。
に変えて本番のポリシングを行う。ポリシング時間とポ
リシング量の関係は，予め圧力をパラメータとして調べ
ておき，ポリシングの終了は時間で管理する。
【００２４】このようにして，素子基板の厚さが5000Å
になるまでポリシングした。素子基板の厚さの場所によ
るばらつきは，±250 Å以内であった。従来法によると
このばらつきは±500 Å程度あり，本発明のポリシング
装置により，従来に比較して厚さのばらつきが半減し
た。
になるまでポリシングした。素子基板の厚さの場所によ
るばらつきは，±250 Å以内であった。従来法によると
このばらつきは±500 Å程度あり，本発明のポリシング
装置により，従来に比較して厚さのばらつきが半減し
た。
【００２５】このポリシング装置によれば，ポリシング
すべき面に多少うねりがあったとしても，そのうねりに
応じて各箇所でピンの圧力を調整することにより，素子
基板の厚さは一定になるように押さえることができる。
Ｓｉウエハ上に形成された素子パターンのポリシングも
同様に行うことにより，素子パターンを薄くしかも均一
の厚さに加工することができる。
すべき面に多少うねりがあったとしても，そのうねりに
応じて各箇所でピンの圧力を調整することにより，素子
基板の厚さは一定になるように押さえることができる。
Ｓｉウエハ上に形成された素子パターンのポリシングも
同様に行うことにより，素子パターンを薄くしかも均一
の厚さに加工することができる。
【００２６】各ピン４の移動距離，各圧力センサ６に生
じる圧力，ポリシング後の厚さ分布等のデータを外部の
制御部９に伝達して記憶させ，外部の制御部９に学習機
能を持たせるようにすれば，以後のポリシング加工を能
率的に行うことができる。
じる圧力，ポリシング後の厚さ分布等のデータを外部の
制御部９に伝達して記憶させ，外部の制御部９に学習機
能を持たせるようにすれば，以後のポリシング加工を能
率的に行うことができる。
【００２７】なお，ピン４を移動させるアクチュエータ
５は，減速機付きモータも使用できるが，正逆可能なス
テッピングモータが制御の面から有利である。図１は最
も簡単なポリシング装置を示したが，上定盤に本発明の
ウエハ厚さ調整機構を組み込むことにより，より精度を
向上させた装置を作ることもできる。
５は，減速機付きモータも使用できるが，正逆可能なス
テッピングモータが制御の面から有利である。図１は最
も簡単なポリシング装置を示したが，上定盤に本発明の
ウエハ厚さ調整機構を組み込むことにより，より精度を
向上させた装置を作ることもできる。
【００２８】図４は他の実施例を説明するための平面図
と断面図で, (a) は平面図, (b) はＡ−Ａに沿う断面図
である。これはカセット トウ カセットの自動ポリシ
ング装置である。20a は供給部のウエハカセット, 20b
は完成部のウエハカセットで，ウエハが積み上げられる
ようになっている。21a は搬送ロボットでウエハカセッ
ト21a からウエハを上定盤に搬送し張り付ける。上定盤
には前述の実施例で述べた緩衝板，複数のピン，複数の
圧力センサが配置されている。上定盤は星形の腕の先に
配置され，星形の中心を軸にして回転移動して位置を変
える。下定盤26も上定盤に対応して５回対称位置に配置
されるが，５回対称軸の回りには回転しない。
と断面図で, (a) は平面図, (b) はＡ−Ａに沿う断面図
である。これはカセット トウ カセットの自動ポリシ
ング装置である。20a は供給部のウエハカセット, 20b
は完成部のウエハカセットで，ウエハが積み上げられる
ようになっている。21a は搬送ロボットでウエハカセッ
ト21a からウエハを上定盤に搬送し張り付ける。上定盤
には前述の実施例で述べた緩衝板，複数のピン，複数の
圧力センサが配置されている。上定盤は星形の腕の先に
配置され，星形の中心を軸にして回転移動して位置を変
える。下定盤26も上定盤に対応して５回対称位置に配置
されるが，５回対称軸の回りには回転しない。
【００２９】張り付けられたウエハは右回りに移動し
て，ピン調整位置22にくる。ここで各ピンをアクチュエ
ータにより移動させて圧力センサに生じる圧力を見なが
ら位置調整を行う。この時, ピンの調整部をピン調整位
置23に引き出し, ピンの高さを１本づつ順番に調整する
ようにすれば，アクチュエータは一つで足りるから経済
的である。
て，ピン調整位置22にくる。ここで各ピンをアクチュエ
ータにより移動させて圧力センサに生じる圧力を見なが
ら位置調整を行う。この時, ピンの調整部をピン調整位
置23に引き出し, ピンの高さを１本づつ順番に調整する
ようにすれば，アクチュエータは一つで足りるから経済
的である。
【００３０】次に張り付けられたウエハは右回りに移動
し，１次ポリシング位置24に来て１次ポリシングが行わ
れる。次いで，ウエハは右回りに移動して２次ポリシン
グ位置25に来て，さらに精細な２次ポリシングが行われ
る。ポリシングを完了したウエハは，次のステーション
で搬送ロボット21b により取り出され，完成部のウエハ
カセット20b に収容される。
し，１次ポリシング位置24に来て１次ポリシングが行わ
れる。次いで，ウエハは右回りに移動して２次ポリシン
グ位置25に来て，さらに精細な２次ポリシングが行われ
る。ポリシングを完了したウエハは，次のステーション
で搬送ロボット21b により取り出され，完成部のウエハ
カセット20b に収容される。
【００３１】なお，本発明は上記の実施例に限られるも
のでなく，緩衝板，複数のピン，複数の圧力センサの配
置された上定盤を具えるポリシング装置にすべて適用で
きるものである。また，ピンの駆動方法，圧力センサの
種類，緩衝板の材料も上記の実施例に限られるものでな
い。
のでなく，緩衝板，複数のピン，複数の圧力センサの配
置された上定盤を具えるポリシング装置にすべて適用で
きるものである。また，ピンの駆動方法，圧力センサの
種類，緩衝板の材料も上記の実施例に限られるものでな
い。
【００３２】さらに，実施例はＳｉウエハのポリシング
について説明したが，本発明は精度を要する光学部品の
ポリシングにも適用できることは勿論である。
について説明したが，本発明は精度を要する光学部品の
ポリシングにも適用できることは勿論である。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
上定盤にウエハとの間に緩衝板を設け，複数箇所に移動
距離を調整してウエハに圧力を印加できるピンを設け，
その圧力を感知する圧力センサを緩衝板に埋め込み，ウ
エハの複数箇所において印加する圧力を調整することに
より，ウエハの平面度の加工精度を従来に比較して大幅
に向上させることができる。
上定盤にウエハとの間に緩衝板を設け，複数箇所に移動
距離を調整してウエハに圧力を印加できるピンを設け，
その圧力を感知する圧力センサを緩衝板に埋め込み，ウ
エハの複数箇所において印加する圧力を調整することに
より，ウエハの平面度の加工精度を従来に比較して大幅
に向上させることができる。
【図１】実施例を説明するための側面図である。
【図２】ピンの配置を示す平面図である。
【図３】圧力センサの特性を示す図である。
【図４】他の実施例を説明するための平面図と断面図
で，(a) は平面図, (b) は断面図である。
で，(a) は平面図, (b) は断面図である。
【図５】従来例を説明するための断面図である。
１はホルダであって上定盤 ２は緩衝板 2aは張付け面 ３はウエハ ４はピン ５はアクチュエータであってピン移動手段 ６は圧力センサ ７は制御装置 ８は無線装置 ９は外部の制御部 10はガイド 11はねじ 12はめねじの形成された板 13は回り止め 14はばね 20a はウエハカセットであって供給側のウエハカセット 20b はウエハカセットであって完成側のウエハカセット 21a, 21bは搬送ロボット 22, 23はピン調整位置 24は１次ポリシング位置 25は２次ポリシング位置 26は下定盤 31はウエハ 32は上定盤 33は下定盤 34は研磨布 35はノズル 36はポリシング液
Claims (3)
- 【請求項１】 緩衝板(2) を介して研磨すべきウエハ
(3) を保持するホルダ(1) と, 該ホルダ(1) に一面を固定され, 該一面の反対側の面に
研磨すべきウエハ(3)が張り付けられる緩衝板(2) と, 該ホルダ(1) に取り付けられ，該一面に垂直な方向に長
い複数のピン(4) と, 該複数のピン(4) を該垂直な方向に移動してピンの先端
を該一面に接触させ,該一面に圧力を印加するピン移動
手段(5) と, 該複数のピン(4) の移動方向に配置され, 該緩衝板(2)
に埋め込まれた複数の圧力センサ(6) とを有することを
特徴とするウエハ研磨装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のウエハ研磨装置を使用し
て，該緩衝板(2) に研磨すべきウエハ(3) を張り付け，
研磨すべき面を予備的に研磨した後該複数の圧力センサ
(6) に生じる圧力を検出し, 該圧力に応じて該複数のピ
ン(4) を移動して, 移動後に生じる複数の圧力センサ
(6) の圧力を調節し, その後ウエハ(3)の研磨を行うこ
とを特徴とするウエハの研磨方法。 - 【請求項３】 前記緩衝板(2) が高分子物質からなるこ
とを特徴とする請求項１記載のウエハ研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34296392A JPH06196456A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34296392A JPH06196456A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196456A true JPH06196456A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18357869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34296392A Withdrawn JPH06196456A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196456A (ja) |
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1992
- 1992-12-24 JP JP34296392A patent/JPH06196456A/ja not_active Withdrawn
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