JPH06196465A - 半導体ウエハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄装置Info
- Publication number
- JPH06196465A JPH06196465A JP34420992A JP34420992A JPH06196465A JP H06196465 A JPH06196465 A JP H06196465A JP 34420992 A JP34420992 A JP 34420992A JP 34420992 A JP34420992 A JP 34420992A JP H06196465 A JPH06196465 A JP H06196465A
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- JP
- Japan
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- wafer
- cleaning device
- semiconductor wafer
- processing
- cleaning
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウエハの薬液処理、純水洗浄を行う洗浄
装置のスループットを大きくする。また搬送中のウエハ
の乾燥・ウォーターマークの発生、自然酸化膜の発生を
防止する。 【構成】処理室２、３、４、５を連設しており、ウエハ
１１を保持する回転円板１０を備えた回転装置１３は各
室を移動する。このとき、各室の仕切板２２、３２、４
２は上方に退避する。各室内には、スプレーノズル２
１、３１、４１、５１がそれぞれ設けられ、排液の排出
口２３、３３、４３、５３を備えている。
装置のスループットを大きくする。また搬送中のウエハ
の乾燥・ウォーターマークの発生、自然酸化膜の発生を
防止する。 【構成】処理室２、３、４、５を連設しており、ウエハ
１１を保持する回転円板１０を備えた回転装置１３は各
室を移動する。このとき、各室の仕切板２２、３２、４
２は上方に退避する。各室内には、スプレーノズル２
１、３１、４１、５１がそれぞれ設けられ、排液の排出
口２３、３３、４３、５３を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハを基板とす
る半導体素子製造工程における半導体ウエハの洗浄装置
に関する。
る半導体素子製造工程における半導体ウエハの洗浄装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハの湿式洗浄装置は、
回転スプレー式洗浄装置と、浸漬式洗浄装置に大別でき
る。回転スプレー式洗浄装置では、図２に示すように、
単一の処理室６内でウエハ保持枠１２に保持されたウエ
ハ１１を回転板１０によって回転させながら、薬液や純
水を順次スプレー６１から噴出して処理する。浸漬式洗
浄装置では図３に示すように、処理を行う薬液槽１０
０、１２０、純水槽１１０、１３０、１４０、１５０等
の浸漬槽を独立に並べて設置し、ロボット１７０によっ
てウエハをこれらの浸漬槽に順次浸漬して引上げ、次の
浸漬槽に順次移動させて処理を進める。
回転スプレー式洗浄装置と、浸漬式洗浄装置に大別でき
る。回転スプレー式洗浄装置では、図２に示すように、
単一の処理室６内でウエハ保持枠１２に保持されたウエ
ハ１１を回転板１０によって回転させながら、薬液や純
水を順次スプレー６１から噴出して処理する。浸漬式洗
浄装置では図３に示すように、処理を行う薬液槽１０
０、１２０、純水槽１１０、１３０、１４０、１５０等
の浸漬槽を独立に並べて設置し、ロボット１７０によっ
てウエハをこれらの浸漬槽に順次浸漬して引上げ、次の
浸漬槽に順次移動させて処理を進める。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】回転スプレー式洗浄装
置は単一の処理室内でスプレー液を順次切り替えて処理
を行うので一連のバッチの処理工程が終了するまで、次
のバッチのウエハを投入することができないため、スル
ープットが低いという問題がある。浸漬式洗浄装置は薬
液槽、純水等の浸漬槽を個々にもち、ロボット等の循環
設備等を有し、また開放槽のため設置室の雰囲気調整を
必要とし、例えば処理の前段と後段の室を天井１８０か
らのカーテン１９０で分離し、水槽１４０中を通してウ
エハを移送する必要があるなど、広い占有面積を必要と
する。なお、処理の最終段にスピンドライヤ１６０を必
要とする。
置は単一の処理室内でスプレー液を順次切り替えて処理
を行うので一連のバッチの処理工程が終了するまで、次
のバッチのウエハを投入することができないため、スル
ープットが低いという問題がある。浸漬式洗浄装置は薬
液槽、純水等の浸漬槽を個々にもち、ロボット等の循環
設備等を有し、また開放槽のため設置室の雰囲気調整を
必要とし、例えば処理の前段と後段の室を天井１８０か
らのカーテン１９０で分離し、水槽１４０中を通してウ
エハを移送する必要があるなど、広い占有面積を必要と
する。なお、処理の最終段にスピンドライヤ１６０を必
要とする。
【０００４】本発明は、高スループットを得ると共に装
置占有面積を少なくした洗浄装置を提供することを目的
とする。
置占有面積を少なくした洗浄装置を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、半導体ウエハの薬液処理、純水洗浄を
行う複数のスプレーチャンバを連設し、この連設したス
プレーチャンバを順次ウエハを移動させる移動装置を設
け、各チャンバの連設部には開閉自在な仕切りカーテン
を設けたことを特徴とする半導体ウエハの洗浄装置を提
供するものである。
解決するために、半導体ウエハの薬液処理、純水洗浄を
行う複数のスプレーチャンバを連設し、この連設したス
プレーチャンバを順次ウエハを移動させる移動装置を設
け、各チャンバの連設部には開閉自在な仕切りカーテン
を設けたことを特徴とする半導体ウエハの洗浄装置を提
供するものである。
【０００６】
【作用】本発明は従来の回転スプレー式洗浄装置と浸漬
式洗浄装置の利点を合わせもった装置である。複数のス
プレーチャンバを並べて設置し、ウエハを移動させる。
ウエハが次工程に進んだ時点で次のバッチのウエハを投
入することによりスループットが向上する。占有面積は
単一チャンバのスプレー式洗浄装置より大きくなるが、
浸漬式洗浄装置より少ない。
式洗浄装置の利点を合わせもった装置である。複数のス
プレーチャンバを並べて設置し、ウエハを移動させる。
ウエハが次工程に進んだ時点で次のバッチのウエハを投
入することによりスループットが向上する。占有面積は
単一チャンバのスプレー式洗浄装置より大きくなるが、
浸漬式洗浄装置より少ない。
【０００７】
【実施例】図１に本発明の実施例装置１の側面図を示し
た。この実施例は処理室２、３、４、５を連設してお
り、各室にはウエハ１１を保持する回転円板１０を備え
た回転装置１３が図の背面から各室内に挿入されてい
る。各室内には、スプレーノズル２１、３１、４１、５
１がそえぞれ設けられ、排液の排出口２３、３３、４
３、５３を備えている。回転装置１３は、処理室２、
３、４、５内に順次移動することができ、そのとき、各
室の仕切板２２、３２、４２は上方に退避する。
た。この実施例は処理室２、３、４、５を連設してお
り、各室にはウエハ１１を保持する回転円板１０を備え
た回転装置１３が図の背面から各室内に挿入されてい
る。各室内には、スプレーノズル２１、３１、４１、５
１がそえぞれ設けられ、排液の排出口２３、３３、４
３、５３を備えている。回転装置１３は、処理室２、
３、４、５内に順次移動することができ、そのとき、各
室の仕切板２２、３２、４２は上方に退避する。
【０００８】処理室２及び処理室５では図の背面が開放
可能となっており、回転装置１３の処理室への出入り、
ウエハ１１の装架、脱着が可能である。処理室２はＳＣ
−１処理、処理室４はＳＣ−２処理、処理室３、５は純
水リンス処理を行い、処理室５では水切り、乾燥も行
う。以下の（ａ）〜（ｅ）の洗浄を行った場合、図１の
実施例装置と従来の図２、図３に示す装置のスループッ
トを比較した。各処理時間は次の通りである。 （ａ）ＳＣ−１処理：１０ｍｉｎ （ｂ）純水リンス：１０ｍｉｎ （ｃ）ＳＣ−２処理：１０ｍｉｎ （ｄ）純水リンス：１０ｍｉｎ （ｅ）乾燥：５ｍｉｎ スループットは、図２の回転スプレー式洗浄装置では
１．３３バッチ／ｈｒ、図３の浸漬式洗浄装置では６バ
ッチ／ｈｒ、図１の実施例では、６バッチ／ｈｒであっ
た。
可能となっており、回転装置１３の処理室への出入り、
ウエハ１１の装架、脱着が可能である。処理室２はＳＣ
−１処理、処理室４はＳＣ−２処理、処理室３、５は純
水リンス処理を行い、処理室５では水切り、乾燥も行
う。以下の（ａ）〜（ｅ）の洗浄を行った場合、図１の
実施例装置と従来の図２、図３に示す装置のスループッ
トを比較した。各処理時間は次の通りである。 （ａ）ＳＣ−１処理：１０ｍｉｎ （ｂ）純水リンス：１０ｍｉｎ （ｃ）ＳＣ−２処理：１０ｍｉｎ （ｄ）純水リンス：１０ｍｉｎ （ｅ）乾燥：５ｍｉｎ スループットは、図２の回転スプレー式洗浄装置では
１．３３バッチ／ｈｒ、図３の浸漬式洗浄装置では６バ
ッチ／ｈｒ、図１の実施例では、６バッチ／ｈｒであっ
た。
【０００９】また、実施例は占有面積として浸漬式洗浄
槽に対し、プール槽１４０、ファイナルリンス槽１５
０、スピンドライヤ１６０の分だけ小さくなった。
槽に対し、プール槽１４０、ファイナルリンス槽１５
０、スピンドライヤ１６０の分だけ小さくなった。
【００１０】
【発明の効果】本発明の装置では、ウエハを空気中に引
き上げないので、搬送中のウエハの乾燥、ウォーターマ
ークの発生、自然酸化膜の発生がない。また処理室内を
Ｎ2 置換することが容易で自然酸化膜の発生を防ぐこと
ができる。
き上げないので、搬送中のウエハの乾燥、ウォーターマ
ークの発生、自然酸化膜の発生がない。また処理室内を
Ｎ2 置換することが容易で自然酸化膜の発生を防ぐこと
ができる。
【図１】実施例の洗浄装置の側面図である。
【図２】従来装置の（ａ）側面図、（ｂ）は（ａ）のＢ
−Ｂ矢視図である。
−Ｂ矢視図である。
【図３】従来装置の側面図である。
１ 洗浄装置 ２、３、４、５、６ 処理室 １０ 回転板 １１ ウエハ １２ ウエハ保持枠 １３ 回転装置 ２１、３１、４１、５１ スプレーノズル ２２、３２、４２ 仕切壁 ２３、３３、４３、５３ 排液口
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハの薬液処理、純水洗浄を行
う複数のスプレーチャンバを連設し、この連設したスプ
レーチャンバを順次ウエハを移動させる移動装置を設
け、各チャンバの連設部には開閉自在な仕切りカーテン
を設けたことを特徴とする半導体ウエハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34420992A JPH06196465A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34420992A JPH06196465A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196465A true JPH06196465A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18367478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34420992A Withdrawn JPH06196465A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196465A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6145519A (en) * | 1996-11-11 | 2000-11-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor workpiece cleaning method and apparatus |
| US6311702B1 (en) * | 1998-11-11 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Megasonic cleaner |
| US6516816B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-dryer |
| US6748961B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-06-15 | Lam Research Corporation | Angular spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same |
| KR100447369B1 (ko) * | 2001-03-29 | 2004-09-08 | 샤프 가부시키가이샤 | 부착막 회수 장치 및 부착막의 회수 방법 |
| KR100578126B1 (ko) * | 2003-05-20 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 웨트 스테이션 |
| KR100872715B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2008-12-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 공정용 파티클 오염 방지장치 |
| CN102427020A (zh) * | 2011-07-01 | 2012-04-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种有效减少水痕缺陷的晶片清洗方法 |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP34420992A patent/JPH06196465A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6145519A (en) * | 1996-11-11 | 2000-11-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor workpiece cleaning method and apparatus |
| US6227212B1 (en) | 1996-11-11 | 2001-05-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor workpiece cleaning method and apparatus |
| US6311702B1 (en) * | 1998-11-11 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Megasonic cleaner |
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| US7226514B2 (en) * | 1999-04-08 | 2007-06-05 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-dryer |
| KR100447369B1 (ko) * | 2001-03-29 | 2004-09-08 | 샤프 가부시키가이샤 | 부착막 회수 장치 및 부착막의 회수 방법 |
| US6748961B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-06-15 | Lam Research Corporation | Angular spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same |
| KR100578126B1 (ko) * | 2003-05-20 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 웨트 스테이션 |
| KR100872715B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2008-12-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 공정용 파티클 오염 방지장치 |
| CN102427020A (zh) * | 2011-07-01 | 2012-04-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种有效减少水痕缺陷的晶片清洗方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |